Download or read book PIEGEAGE D IMPURETES METALLIQUES DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE written by PIERRE.. ROHR and published by . This book was released on 1995 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LES MECANISMES DU PIEGEAGE D'IMPURETES DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE. CETTE PROCEDURE A POUR BUT D'OPTIMISER LE FONCTIONNEMENT DES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS, EN DEBARRASSANT LA ZONE ACTIVE DES IMPURETES INDESIRABLES. CES IMPURETES SONT ALORS REGROUPEES DANS UNE COUCHE ENTERREE ENDOMMAGEE ET STABLE SITUEE SOUS UNE COUCHE SUPERIEURE D'EXCELLENTE QUALITE CRISTALLINE. L'IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE EST ADAPTEE A CE GENRE D'APPLICATION, PUISQUE QUE LA PLUPART DES DOMMAGES CRISTALLOGRAPHIQUES RESIDUELS SONT LOCALISES EN PROFONDEUR. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE LE PIEGEAGE PAR IMPLANTATION D'ARGON OU DE CARBONE DANS DES SUBSTRATS DE SILICIUM INTENTIONNELLEMENT CONTAMINES A L'OR OU AU PLATINE. LA NATURE ET LA STABILITE DES DEFAUTS CREES ONT ETE DETERMINEES PAR LA CANALISATION DES PARTICULES ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE PAR TRANSMISSION. LES CINETIQUES D'ACCUMULATION DE L'OR OU DU PLATINE SUR CES DEFAUTS ONT ETE MESUREES PAR DES ANALYSES PAR RETRODIFFUSION RUTHERFORD EN FONCTION DE DIFFERENTS PARAMETRES. DANS LE CAS D'UN PIEGEAGE PAR IMPLANTATION D'ARGON LES DEFAUTS CREES SONT DES BULLES ET DES DISLOCATIONS, MAIS SEULES CES DERNIERES SONT DES CENTRES DE PIEGEAGE. SI LE PIEGEAGE S'EFFECTUE PAR IMPLANTATION DE CARBONE, LES CENTRES DE PIEGEAGE, TRES STABLES, SONT DES COMPLEXES D'ATOMES DE CARBONE ET DE SILICIUM ET DES BOUCLES EXTRINSEQUES POUR LES FORTES DOSES D'IMPLANTATION. LES RESULTATS ONT ETE INTERPRETES PAR UN MODELE PRENANT EN COMPTE UNE REACTION DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE AINSI QUE LA GUERISON DES CENTRES DE PIEGEAGE AU COURS DES RECUITS. CE TRAVAIL MONTRE QU'UNE IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE DE CARBONE EST IDEALE POUR CETTE OPERATION DE PIEGEAGE DE PROXIMITE

Download or read book Pi geage des impuret s m talliques pr sentes dans le silicium destin au photovolta que par plasma immersion ion implantation PIII written by El Amin Kouadri Boudjelthia and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Malgré son grand potentiel, l'énergie photovoltaïque n'arrive pas encore à trouver une grande place dans le paysage énergétique mondial. Elle se heurte à deux problèmes de taille : le coût et le rendement. Les cellules solaires à base du silicium multicristallin (mc-Si) perdent beaucoup de leur rendement à cause de la présence des impuretés métalliques. Plusieurs recherches ont montré que les cavités induites par implantation ionique sont efficaces dans le piégeage des impuretés. Mais les techniques utilisées dans l'implantation n'ont pas permis à ce procédé de se développer dans l'industrie à cause de leur coût élevé. Le plasma immersion ion implantation (PIII) est une technique bas coût qui permet d'implanter de grandes surfaces. Elle est utilisée dans le traitement de surface à l'échelle industrielle, mais à ce jour aucune étude n'a montré son utilisation dans le piégeage des impuretés dans le silicium. Dans cette thèse nous avons créé des cavités dans le mc-Si par implantation d'hydrogène par PIII. Plusieurs techniques de caractérisation ont été utilisées afin d'étudier le mécanisme de formation de ces cavités. La MET, la photoluminescence et les positons ont été utilisées pour avoir un maximum d'informations sur la nature et l'évolution des défauts créés par implantation d'hydrogène. Nous avons également étudié la différence entre les cavités formées par PIII et celles formées par implantation classique. Les cavités formées ont été utilisées, par la suite, pour le piégeage des impuretés métalliques présentes dans le mc-Si (Cu, Fe, Cr et Ni). Les résultats obtenus par SIMS ont monté l'efficacité de notre procédé dans le piégeage des impuretés métalliques.

Download or read book Silicon Technologies written by Annie Baudrant and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-05-10 with total page 378 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The main purpose of this book is to remind new engineers in silicon foundry, the fundamental physical and chemical rules in major Front end treatments: oxidation, epitaxy, ion implantation and impurities diffusion.

Download or read book ETUDE DES CAVITES ET DES DISLOCATIONS CREEES PAR IMPLANTATION D HELIUM A HAUTE ENERGIE DANS LE SILICIUM written by SYLVIE.. GODEY and published by . This book was released on 1999 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: FACE A LA MINIATURISATION CONSTANTE DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES, LES PROBLEMES DE CONTAMINATIONS EN IMPURETES METALLIQUES FONT L'OBJET D'UNE ATTENTION PARTICULIERE. L'INTERET CROISSANT DES IMPLANTATIONS D'HELIUM A HAUTE ENERGIE (DE L'ORDRE DU MEV) COMME PROCEDURE DE GETTERING A MOTIVE LA REALISATION DE CETTE THESE. APRES UN RECUIT, CES IMPLANTATIONS CONDUISENT A LA FORMATION DE CAVITES DONT LES PAROIS REACTIVES PERMETTENT DE PIEGER LES IMPURETES EN DEHORS DES ZONES ACTIVES. LES IMPLANTATIONS D'HE A HAUTE ENERGIE N'AVAIENT PAS ENCORE FAIT L'OBJET D'ETUDES SPECIFIQUES. DANS UN PREMIER TEMPS, IL APPARAISSAIT DONC ESSENTIEL DE S'INTERESSER A LA FORMATION ET A LA CROISSANCE DES CAVITES. A CETTE FIN, NOUS AVONS CORRELE DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DES DOSAGES D'HELIUM EFFECTUES GRACE A DES METHODES D'ANALYSE NUCLEAIRES. SELON LA DOSE IMPLANTEE, NOUS AVONS DISTINGUE DES SYSTEMES DE CAVITES DITS DILUES ET CONDENSES. LES PREMIERS, CARACTERISES PAR UNE CROISSANCE HETEROGENE DES CAVITES, PEUVENT CONDUIRE A LA FORMATION DE DISLOCATIONS SUSCEPTIBLES D'ATTEINDRE LES ZONES ACTIVES ET PAR CONSEQUENT DE DETERIORER LES PERFORMANCES DES COMPOSANTS. LES SECONDS SYSTEMES SE CARACTERISENT PAR UNE BANDE CONTINUE DE CAVITES AU-DELA DE LAQUELLE SE FORMENT DES DEFAUTS DE NATURE INTERSTITIELLE. LA CROISSANCE DES CAVITES SEMBLE ETRE CONDITIONNEE PAR LES PROFILS D'IMPLANTATION DES ATOMES D'HELIUM QUI DEPENDENT DE L'ENERGIE D'IMPLANTATION. DE PLUS, L'ETUDE DE LA DESORPTION DE L'HELIUM A MIS EN EXERGUE QUE LES CAVITES NE PEUVENT PAS ETRE CONSIDEREES A PRIORI VIDES D'HELIUM, COMME CELA EST GENERALEMENT ADMIS POUR DES IMPLANTATIONS A FAIBLE ENERGIE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, L'EFFICACITE DE PIEGEAGE DES IMPLANTATIONS D'HELIUM A HAUTE ENERGIE A ETE VERIFIEE POUR DES CONTAMINATIONS EN PLATINE, EN OR, EN NICKEL ET EN CUIVRE. LA POSSIBILITE DE PIEGER DIFFERENTES IMPURETES SIMULTANEMENT REND L'APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE DE GETTERING PROMETTEUSE.

Download or read book Interaction entre impuret s m talliques et cavit s cr es par implantation He haute nergie dans du silicium monocristallin written by Rachid El Bouayadi and published by . This book was released on 2003 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les mécanismes de piégeage de quelques métaux de transition par des cavités créées par implantation hélium ont été étudiés. Dans la zone de projection, les dislocations et les fautes d'empilement, générées par cette implantation, peuvent aussi contribuer au phénomène de piégeage, mais ce travail a été principalement dédié aux interactions impuretés-cavités. Les éléments hybrides (Au, Pt) se piègent par chimisorption alors que les éléments interstitiels (Ag, Ni, Cu) peuvent également précipiter dans la zone de défauts. Lors de la chimisorption, les atomes sont préférentiellement adsorbés sur les faces vicinales d'une cavité. Les variations de l'énergie de surface de ces faces vicinales, induites par l'adsorption des impuretés, entraînent des changements de la morphologie des cavités. Par ailleurs, nous avons montré que la saturation de la totalité des sites pièges n'est pas une condition préalable à la croissance d'une phase 3D, une saturation locale des faces vicinales est suffisante pour que ce phénomène se produise. Quant à la précipitation, le nickel et le cuivre forment des siliciures respectivement NiSi2 et -Cu3Si, qui sont les phases les plus stables à haute température. L'argent précipite facilement dans la zone de défaut, aussi bien sur les dislocations qu'à l'intérieur des cavités, mais c'est ce deuxième type de piégeage qui est le plus stable à haute température. Contrairement aux autres éléments (Ni, Cu), l'argent précipite sans formation de siliciure avec deux relations d'épitaxie par rapport au silicium, tout comme le NiSi2/Si(111). Deux impuretés impliquant deux types de défauts ponctuels (lacunes et auto-interstitiels) peuvent précipiter sur une même cavité en formant deux phases distinctes. Puisque la chaîne de cavités forme une barrière efficace à la diffusion de métal, il est préférable de former les cavités avant les différentes étapes de la réalisation d'un composé.

Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium trait EGEM written by Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on with total page 371 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Nucl ation de nanobulles dans le silicium et pi geage d impuret s m talliques written by Carl Wintgens and published by . This book was released on 2000 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Nucl ation de nanobulles dans le silicium et pi geage d impuret s m talliques microforme written by Carl Wintgens and published by Montréal : Service des archives, Université de Montréal, Section Microfilm. This book was released on 2000 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Pi geage d impuret s m talliques par implantation d h lium written by Fabrice Roqueta and published by . This book was released on 2000 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans l'industrie du semi-conducteur, la contamination du silicium par des impuretés métalliques, comme le fer, notamment lors de traitements thermiques à haute température, entraîne une dégradation des caractéristiques électriques ainsi que des problèmes de fiabilité. Jusqu'à présent, l'étape de piégeage était remplie par une étape de diffusion de phosphore après un dépôt de POCI3. Cependant cette technique n'est toujours pas suffisante ou même possible sur certains types de composants. Une alternative prometteuse est le piégeage par implantation d'hélium. Le but de ce travail a été d'étudier l'évolution des défauts créés par implantation d'hélium, ainsi que la cinétique de piégeage d'une impureté métallique, le fer. L'influence de ce piégeage a été observée à travers l'évolution de grandeurs électriques, mesurées sur les diodes Schottky et bipolaires. En effet, en utilisant cette technique, on note une diminutioni de la concentration de fer libre, ce qui s'accompagne par une diminution des courants de fuite. Dans certains composants, il devient inévitable d'effectuer un piégeage latéral. Dans ce cadre, nous avons étudié le piégeage latéral utilisant l'implantation d'hélium ; cet élément étant implanté en périphérie des dispositifs. Les résultats obtenus confirment la capacité de piégeage latéral des impuretés métalliques par ce type d'implantation. L'extension latérale utilisant ce type de piégeage peut atteindre plusieurs millimètres, ce phénomène étant limité par la diffusion de l'impureté à piéger. Des essais d'implantation d'hélium sur une diode de protection produite par STMicroelectronics se sont traduits par une amélioration conséquente des rendements de fabrication.

Download or read book Implantation ionique d oxyg ne haute nergie dans le silicium written by Kamel Touhouche and published by . This book was released on 1992 with total page 376 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DE L IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D OXYGENE DANS LE SILICIUM written by Philippe Thevenin and published by . This book was released on 1991 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE

Download or read book MISE AU POINT D UN PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURES METAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR MIS written by PIERRE-HENRI.. LE GOIC and published by . This book was released on 1984 with total page 239 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETAPES DE NETTOYAGE DES PLAQUES DE SILICIUM ET D'OXYDATION PAR UNE ATMOSPHERE CHLOREE ONT ETE OPTIMISEES EN VUE DE L'OBTENTION D'UN OXYDE DE QUALITE SATISFAISANTE. UNE ETAPE DE PIEGEAGE DES IMPURETES PAR IMPLANTATION IONIQUE D'ARGON EN FACE ARRIERE A ETE INTRODUITE DANS LE PROCEDE AFIN D'AMELIORER LES PROPRIETES EN VOLUME DU SEMICONDUCTEUR. PAR AILLEURS, UN SYSTEME DE MESURE AUTOMATIQUE ET DES PROGRAMMES DE TRAITEMENT STATISTIQUE ONT ETE DEVELOPPES AFIN DE PERMETTRE UNE EVALUATION CORRECTE DU PROCEDE

Download or read book Implantation ionique haute nergie du silicium dans l ars niure de gallium microforme written by Abdellah Azelmad and published by Bibliothèque nationale du Canada. This book was released on 1988 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Elaboration par implantation ionique de nanoparticules de cobalt dans la silice et modifications de leurs propri t s sous irradiation d lectrons et d ions de haute nergie written by Céline D'Orléans and published by . This book was released on 2003 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'explorer les possibilités offertes par les faisceaux énergétiques pour élaborer des nanoparticules magnétiques dans la silice et d'en modifier les propriétés.Des ions Co+ ont été implantés à 160 keV à 2.1016,5.1016 et 1017 at.cm-2,à des températures de 77, 295 et 873K.Nous avons montré la dépendance de la taille des particules de la fluence,et de façon plus prononcée,de la température d'implantation.La MET révèle la présence de particules d'un diamètre de l'ordre de 1 nm qui augmente jusqu'à 9,7 nm pour les implantations à 2.1016 Co+.cm-2 à 77K,et à 1017 Co+.cm-2 à 873K,respectivement.Les traitements thermiques induisent un faible mûrissement des particules.L'irradiation à haute énergie provoque le mûrissement des particules pour des faibles fluences,et une déformation pour les fortes fluences induisant une anisotropie magnétique.Ces modifications ont été expliquées par des processus similaires à ceux impliqués dans le modèle de la pointe thermique.

Download or read book MODELISATION DE L IMPLANTATION IONIQUE DANS SIC ET APPLICATION A LA CONCEPTION DE COMPOSANTS DE PUISSANCE written by Erwan Morvan and published by . This book was released on 1999 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'IMPLANTATION IONIQUE EST UNE ETAPE TECHNOLOGIQUE FONDAMENTALE POUR LA FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES EN CARBURE DE SILICIUM (SIC). C'EST ACTUELLEMENT LA SEULE TECHNIQUE DE DOPAGE SELECTIF POUR CE SEMICONDUCTEUR CAR L'INCORPORATION DE DOPANTS PAR DIFFUSION THERMIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES TRES ELEVEES, INCOMPATIBLES AVEC LES AUTRES ETAPES TECHNOLOGIQUES. L'IMPLANTATION PERMET DE MODIFIER LES PROPRIETES PHYSIQUES, ELECTRIQUES ET OPTIQUES DU SIC. LA PRECISION DE LA DOSE ET DE L'ENERGIE D'IMPLANTATION PERMET DE BIEN CONTROLER LA DISTRIBUTION DES IMPURETES INTRODUITES. L'UTILISATION D'IMPLANTATIONS MULTIPLES A DOSES ET ENERGIES VARIABLES PERMET D'OBTENIR UNE GRANDE VARIETE DE PROFILS D'IMPURETES. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE ET D'OPTIMISER LE PROCEDE D'IMPLANTATION DANS LE SIC CRISTALLIN ET AFIN D'ORIENTER LA RECHERCHE, IL EST TRES INTERESSANT DE MODELISER LES PHENOMENES PHYSIQUES MIS EN JEU ET DE SIMULER LES TRAJECTOIRES DES IONS IMPLANTES. UNE ETUDE GENERALE DE LA MODELISATION ET DE LA SIMULATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE A ETE REALISEE. A PARTIR DE CETTE ETUDE, UN SIMULATEUR D'IMPLANTATION IONIQUE DANS SIC MONOCRISTALLIN A ETE DEVELOPPE (6H, 4H, 3C). CE SIMULATEUR EST BASE SUR LA METHODE DE MONTECARLO DANS L'APPROXIMATION DES COLLISIONS BINAIRES. DES PROCEDURES DE TABULATION-INTERPOLATION ONT ETE MISES EN UVRE POUR ACCELERER LES SIMULATIONS. APRES VALIDATION A L'AIDE DE PROFILS EXPERIMENTAUX (SIMS), LE SIMULATEUR A ETE UTILISE POUR ETUDIER LES PROFILS D'IMPLANTATIONS MULTIPLES, LE PHENOMENE DE CANALISATION, LA DISPERSION LATERALE DES IMPURETES, LES DEFAUTS CREES PAR L'IMPLANTATION ET LES DEPLACEMENTS DE STCHIOMETRIE. EN COMBINANT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PUBLIES ET LES SIMULATIONS, DES CONDITIONS D'IMPLANTATION (ANGLES D'IMPLANTATION, DOSES ET ENERGIES D'IMPLANTATIONS MULTIPLES) ONT ETE DETERMINEES DANS LE BUT DE FABRIQUER DES ZONES ACTIVES DE COMPOSANTS DE PUISSANCE (EMETTEURS DE DIODES BIPOLAIRES, SOURCE/DRAIN DE MOSFET). POUR RECONSTRUIRE LE CRISTAL ENDOMMAGE PAR L'IMPLANTATION ET ACTIVER LES DOPANTS IMPLANTES, DES RECUITS A HAUTE TEMPERATURE SONT NECESSAIRES. L'ACTIVATION DE AL IMPLANTE A HAUTE ENERGIE A ETE EVALUEE PAR MESURE CAPACITIVE ET CELLE DE N PAR MESURE TLM. DES DIODES BIPOLAIRES P NN + (AL) ET DES MOSFETS LATERAUX (N) ONT ETE FABRIQUEES ET CARACTERISES.

Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.