Download or read book MODELISATION DE TRANSISTORS A HOMO ET HETERO JONCTIONS COMPATIBLES AVEC UNE FILIERE CMOS SUBMICRONIQUE written by SAIDA.. LATRECHE and published by . This book was released on 1998 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SUJET DE CETTE THESE CONCERNE L'ETUDE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SUBMICRONIQUES A EMETTEUR POLYSILICIUM, COMPATIBLES AVEC UNE TECHNOLOGIE SILICIUM CMOS (BICMOS) DU CNET DE MEYLAN, ET AU PREMIER CHEF LE DEVELOPPEMENT D'UNE MODELISATION AFFERENTE. APRES UN RAPPEL D'UNE INVESTIGATION SUR DES PROFILS MESURES (SIMS) AYANT AMENE A DEVELOPPER UN MODELE DE (CO)DIFFUSIONS, NOUS PRESENTONS DES MESURES ELECTRIQUES EN STATIQUE (CF. GUMMEL) ET EN DYNAMIQUE, CAPACITIVES ESSENTIELLEMENT. UNE DISCUSSION S'APPUIE SUR CE TRAVAIL, QUI PERMET D'ETUDIER L'INFLUENCE DE DIFFERENTES VARIANTES SUR LE PROCESS, PARTICULIEREMENT AU NIVEAU DU POLYSILICIUM ET DU COLLECTEUR, VIS A VIS, EN PARTICULIER, DU GAIN EN COURANT ET DE LA FREQUENCE DE TRANSITION. LES MESURES ELECTRIQUES METTENT AUSSI EN EXERGUE LES DEFAUTS STRUCTURELS DU COMPOSANT NOUS AVONS ALORS DEVELOPPE UN LOGICIEL NUMERIQUE BIDIMMENSIONNEL, RESOLVANT LES EQUATIONS DE POISSON ET DE CONTINUITE DES COURANTS, QUI PLUS EST COUPLEES AVEC L'EQUATION DE SCHROEDINGER. CETTE DERNIERE EST EN EFFET INTRODUITE POUR DECRIRE LE TRANSPORT TUNNEL A TRAVERS UNE FINE COUCHE D'OXYDE (TYPIQUEMENT 15 A) SOUS LE POLYSILICIUM (ELLE INDUIT UN ACCROISSEMENT DU GAIN, EN DIMINUANT LE COURANT DE TROUS DE LA BASE). LA DERNIERE PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA MODELISATION DU BICMOS A BASE SIGE, DONC D'UNE STRUCTURE A HETEROJONCTIONS, POUVANT FONCTIONNER A DE TRES HAUTES FREQUENCES (CF. CIRCUITS RF).

Download or read book Modelisation de transistors a homo et hetero jonctions compatibles avec une filiere submicronique influence de phenomenes quantiques written by Saida Latreche-Lassoued and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des transistors bipolaires h t ro jonction pour la r alisation d amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation de transistors bipolaires de puissance int gr s dans une fili re BiCMOS submicronique written by Hélène Beckrich-Ros and published by . This book was released on 2006 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence de la troisième génération de téléphone portable a fait évoluer les usages. Les utilisateurs peuvent désormais bénéficier d’un accès haut débit à l’Internet sans fil ce qui a rendu les services de communication multimedia: visiophonie, MMS, réception de programmes télévisés... Cette diversification du mode d’utilisation d’un portable a fait des amplificateurs de puissance des éléments prépondérants pour la transmission de l’information. C’est pourquoi cette étude propose une contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistor de puissance RF intégrés dans une filière submicronique. Dans ce cadre d’application, il est important de tenir compte de l’influence de la température sur la réponse électrique d’un transistor bipolaire; cet effet est d’autant plus marqué pour les applications de puissance au regard des densités de courant mises en jeu. C’est pourquoi, une analyse des lois en température des paramètres du modèle compact HICUM/L2 est présentée, ainsi que les méthodes d’extraction associées. Puis, les phénomènes d’auto-échauffement et de couplage thermique dans les transistors de puissance sont étudiés à l’aide de simulations physiques et de caractérisations électriques pour mettre au point un modèle nodal SPICE. Finalement, les transistors de puissance sont caractérisés à l’aide de mesure load-pull en appliquant un signal à deux tons sur leur base. Ces caractéristiques sont comparées à des simulations Harmonic Balance de manière à valider le comportement grand signal du modèle HICUM/L2 et sa capacité à modéliser les phénomènes d’intermodulations fréquentielles.