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Book Etude structurale optique et lectrique de couches minces d oxynitrure de silicium d pos es par pulv risation cathodique radiofr quence r active

Download or read book Etude structurale optique et lectrique de couches minces d oxynitrure de silicium d pos es par pulv risation cathodique radiofr quence r active written by Farida Rebib and published by . This book was released on 2006 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude concerne les propriétés structurales, optiques et électriques des couches minces d'oxynitrure de silicium ( SiOxNy) élaborées par pulvérisarion cathodique radiofréquence d'une cible de silicium dans un plasma argon-oxygène-azote. La zone d'instabilité de ce procédé réactif a été précisée par spectroscopie d'émission optique et par le suivi de la pression totale et du potentiel d'autopolarisation. Les conditions adéquates d'élaboration qui ont été définies, ont permis de déposer des films dont la composition varie presque linéairement, entre celles du nitrure et de l'oxyde de silicium. Ces couches sont formées par un mélange de nanophases de type SiO2 et Si3N4 incorporées dans une phase de SiOxNy amorphe. Des liaisons pendantes ont aussi été détectées sur les atomes de silicium. Les dépôts présentent des propriétés optiques (indice de réfraction, gap optique) et des propriétés diélectriques très intéressantes et variables en fonction de leur composition et de leur structure

Book ETUDE DES OXYNITRURES DE SILICIUM EN COUCHES MINCES DEPOSES PAR PULVERISATION EN VUE D APPLICATIONS OPTIQUES

Download or read book ETUDE DES OXYNITRURES DE SILICIUM EN COUCHES MINCES DEPOSES PAR PULVERISATION EN VUE D APPLICATIONS OPTIQUES written by Laurent Pinard and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail repose sur l'etude des couches minces d'oxynitrures de silicium obtenues par pulverisation radio-frequence magnetron reactive en vue de realiser des multicouches optiques ayant de faibles pertes (absorption, diffusion). Tout d'abord, nous avons analyse les variations des proprietes optiques et physicochimiques des monocouches d'oxynitrures liees aux differents parametres du bati de depot: les pressions partielles des gaz, la puissance rf, la nature de la cible et des gaz. Ainsi, lorsque l'on decrit toute la gamme des oxynitrures de l'oxyde de nitrure, nous avons en particulier mis en evidence l'evolution quasi lineaire de l'indice sur un domaine relativement important ainsi que la substitution rigoureuse des atomes d'oxygene par les atomes d'azote: ceci est la preuve d'un mecanisme simple de formation. De plus, grace a des analyses par spectrophotometrie ir, un modele de la structure amorphe des oxynitrures a ete propose (pseudo-binaire oxyde-nitrure) et verifie par deux methodes d'approximation. Enfin, une etude plus particuliere de l'absorption (photothermie) et de la diffusion (diffusometre casi) a ete menee sur les monocouches et sur les multicouches synthetises a partir des oxynitrures (antireflets, miroirs). Une comparaison avec les performances des empilements classiques d'oxydes realises par pulverisation par faisceaux d'ions a pu etre faite et nous avons ainsi propose des solutions pour optimiser les deux sources de pertes

Book Les oxynitrures de silicium d pos s par pulv risation en gaz r actif puls pour des dispositifs antireflets gradient d indice de r fraction

Download or read book Les oxynitrures de silicium d pos s par pulv risation en gaz r actif puls pour des dispositifs antireflets gradient d indice de r fraction written by Amira Farhaoui and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le système antireflet (SAR) est d"une grande importance pour les cellules photovoltaïques (PV), surtout pour celles de deuxième génération à base de couches minces. Au cours de ce travail de thèse, nous avons cherché à réaliser un SAR à la fois efficace et répondant aux critères de l"industrie PV en termes de coût de production et de facilité de mise en oeuvre. Pour cela, nous avons particulièrement étudié le dépôt d"oxynitrures de silicium (SiOxNy), comme élément de base de ces dispositifs. Les films sont élaborés par pulvérisation cathodique réactive radiofréquence à effet magnétron. Notre volonté a été d"étudier à la fois le procédé de dépôt, les matériaux obtenus ainsi que la formation de dispositifs fonctionnels. Nous avons tout d"abord présenté les deux voies d"élaboration des couches minces de SiOxNy: par procédé conventionnel (PC) où les gaz réactifs ne sont pas pulsés, puis par le procédé de gaz réactif pulsé (PGRP). Nous avons aussi croisé une étude expérimentale par Spectroscopie d"Emission Optique (SEO) et une modélisation du procédé afin de mieux appréhender les interactions des gaz réactifs avec la cible et leur effet sur le procédé. En parallèle, des dépôts ont été réalisés afin de vérifier la capacité de chacune des deux techniques à déposer des SiOxNy avec une gamme variable de compositions. Nous avons ensuite étudié l"effet des paramètres de pulse de la méthode PGRP à la fois sur la structure, mais aussi sur les propriétés optiques et électriques des couches minces de SiOxNy. Nous avons cherché ici à valider le lien entre structure et indices de réfraction pour ces films. Enfin, pour réaliser un dispositif AR fonctionnel, des systèmes AR ont été tout d"abord simulés avec un programme de calcul électromagnétique et optimisés grâce à un algorithme génétique. Les systèmes optimisés ont été ensuite déposés et caractérisés. Une réflectivité moyenne (entre 400 et 900 nm) inférieure à 5 % a ainsi été obtenue.

Book REALISATION ET ETUDE DE COUCHES MINCES DE NITRURE ET D OXYNITRURE THERMIQUES DE SILICIUM

Download or read book REALISATION ET ETUDE DE COUCHES MINCES DE NITRURE ET D OXYNITRURE THERMIQUES DE SILICIUM written by Michel Plantard and published by . This book was released on 1986 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PREPARATION DES COUCHES NITRUREES A 1100**(O)C SOUS AMMONIAC ET ANALYSE PAR ELLIPSOMETRIE, SPECTROMETRIE ESCA. AUGER ET REACTION NUCLEAIRE. PRESENCE A LA FOIS D'AZOTE ET D'OXYGENE DANS LES COUCHES DE NITRURE. DISTRIBUTION DE L'AZOTE EN FONCTION DU TEMPS DE NITRURATION. CARACTERISATION ELECTRIQUE

Book ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES D OXYNITRURE DE SILICIUM OBTENUES PAR LA NITRURATION THERMIQUE RAPIDE DEGRADATION VIEILLISSEMENT

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES D OXYNITRURE DE SILICIUM OBTENUES PAR LA NITRURATION THERMIQUE RAPIDE DEGRADATION VIEILLISSEMENT written by ABDELILLAH.. BENBRIK and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM D'EPAISSEUR 45 NM EST REALISEE A HAUTE TEMPERATURE (1060C) PAR LA TECHNIQUE R.T.N (RAPID THERMAL NITRIDATION) PENDANT UNE DUREE VARIANT DE QUELQUES SECONDES A UNE DIZAINE DE MINUTES. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (X.P.S) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI/SIO#2. LE PIC D'AZOTE A L'INTERFACE APPARAIT DES 60 SECONDES, LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DIMINUE RAPIDEMENT ET ATTEINT 3,37 10##1#4 CM#2/S A 10 MINUTES. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES STRUCTURES DE TEST AL/OXYDE NITRURE/SI(N) A 1 MHZ NOUS A PERMIS, D'UNE PART, D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE ET L'INDICE MOYEN DE REFRACTION OPTIQUE, D'AUTRE PART, DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA TENSION DE BANDES PLATES, DE LA CHARGE IMAGE DANS L'ISOLANT, DE LA TENSION DE CLAQUAGE ET DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE DU MATERIAU EN FONCTION DE LA NITRURATION. LA METHODE B.T.S. (BIAS TEMPERATURE STRESS) A REVELE L'EXISTENCE DE CHARGES MOBILES DANS NOS STRUCTURES. L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS A PERMIS D'INTERPRETER CORRECTEMENT LA DEGRADATION DES ELEMENTS MIS SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUE ET THERMIQUE

Book Propri t s lectriques de couches minces d oxynitrure de silicium obtenues par d p t en phase vapeur assist par plasma micro onde

Download or read book Propri t s lectriques de couches minces d oxynitrure de silicium obtenues par d p t en phase vapeur assist par plasma micro onde written by Philippe Rabiller and published by . This book was released on 1988 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Pr paration de couches minces d oxynitrure de silicium par PECVD en vue de greffage chimique

Download or read book Pr paration de couches minces d oxynitrure de silicium par PECVD en vue de greffage chimique written by Jean-Marc Chovelon and published by . This book was released on 1991 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le premier objectif de cette thèse est de déposer sur de la silice thermique une fine couche d'oxynitrure de silicium (sio#xn#yh#z préparée par pecvd (plasma enhanced chemical vapor deposition). Cette membrane doit être à la fois sensible aux protons et facilement modifiable par greffage chimique. De plus, elle devrait être une bonne barrière de diffusion. Il est possible de contrôler le nombre de sites de surfaces (si#2nh, sinh#2, sih) en faisant varier le débit des gaz utilisés lors de dépôt (sih#4, nh#3, n#2o) et de le vérifier par spectroscopie ir. La réponse au ph de la structure si/sio#2/sio#1#,#6#4n#0#,#4#1h#0#;#4#9 a été déterminée par des mesures c(v): 60 mv/ph. Apres un greffage chimique sur les sites sinh/nh#2 de longues chaines alkyles (c18) pour rendre la membrane insensible aux protons, la réponse au ph n'est plus que de 15 mv/ph. De plus une méthode d'impédance électrochimique a été proposée permettant de suivre la qualité de l'encapsulation des isfets. Nous avons travaillé en mode potentiostatique en superposant une tension sinusoïdale à fréquence variable. Avant le disfonctionnement des isfets, trois étapes ont pu être observées.

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM NANOCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM NANOCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE written by ABDELLATIF.. ACHIQ and published by . This book was released on 1998 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEUX CATEGORIES DE COUCHES DE SILICIUM NANOCRISTALLIN OBTENUES PAR PULVERISATION RF ONT FAIT L'OBJET DE CET ETUDE. L'UNE A ETE THERMIQUEMENT CRISTALLISEE APRES DEPOT A DIFFERENTES PRESSIONS PARTIELLES D'HYDROGENE, ALORS QUE LA DEUXIEME CONSISTE EN DES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT (T#S). LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET PHYSIQUES DE CES COUCHES ONT ETE REALISEES A L'AIDE D'UNE PANOPLIE DE TECHNIQUES EXPERIMENTALES TELLES QUE IR, RAMAN, DRX, MET, ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOLUMINESCENCE. LES MECANISMES DE CRISTALLISATION DANS LES COUCHES SE SONT REVELES TRIBUTAIRES, POUR UNE LARGE PART, DE LA PRESENCE ET DE LA CONCENTRATION DES ESPECES OU DES RADICAUX D'HYDRURE SIH#2, SOIT DANS LES FILMS DE BASE POUR LES COUCHES THERMIQUEMENT CRISTALLISEES, SOIT DANS LE PLASMA POUR LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES. DANS LA PREMIERE CATEGORIE DE COUCHES, LES EFFETS DE SIH#2 SE TRADUISENT PAR LA RELAXATION AU COURS DU RECUIT DE LA STRUCTURE CRISTALLISEE. CELLE-CI A ETE MISE EN EVIDENCE PAR LE COMPORTEMENT DE LA CONTRAINTE ET CONFORTEE PAR LA VARIATION DES QUEUES DE BANDES OU ENERGIE D'URBACH LAQUELLE REFLETE LE DESORDRE DANS LE MATERIAU. LE DEGRE DE CE DESORDRE SEMBLE DETERMINER LA LARGEUR DU GAP OPTIQUE ET LES ETENDUES DES DOMAINES DE VALIDITE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. CONCERNANT LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES, LA FRACTION CRISTALLINE F#C ET LA TAILLE DES GRAINS MONTRENT UNE AUGMENTATION GRADUELLE AVEC T#S. L'ORIGINE DE CE COMPORTEMENT RESIDE DANS LES MECANISMES REACTIONNELS ENTRE LES RADICAUX SIH#2 ET LA SURFACE DE LA COUCHE QUI RESULTE EN UN PROCESSUS DE GRAVURE SELECTIVE DES LIAISONS FAIBLES OU SOUS CONTRAINTE CONDUISANT A LA RELAXATION DE LA STRUCTURE VERS L'ETAT CRISTALLIN. LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET LE GAP OPTIQUE E#O ONT MONTRE DES VARIATIONS SPECTACULAIRES EN FONCTION DE T#S DUES PRINCIPALEMENT A L'ACCROISSEMENT DE F#C : ACCUSE UN GAIN DE 7 ORDRES DE GRANDEUR ET E#O DECROIT DE 2,40 EV A 1,95 EV. LA FORMATION D'UNE COUCHE TAMPON AMORPHE POUR LES BASSES T#S A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SPECIFIQUE QUI A MONTRE LA POSSIBILITE DE SA RECRISTALLISATION SUITE A UN SIMPLE RECUIT A UNE TEMPERATURE RELATIVEMENT BASSE (150C) QUI IMPLIQUE LE ROLE CRITIQUE DES ESPECES SIH#2.

Book Caract risations de couches minces d oxynitrures de silicium labor es par PECVD

Download or read book Caract risations de couches minces d oxynitrures de silicium labor es par PECVD written by Jocelyn Viard and published by . This book was released on 1996 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISE EN COLLABORATION AVEC LA SOCIETE ESSILOR, L'OBJECTIF DE CES TRAVAUX ETAIT L'ETUDE DES FILMS D'OXYNITRURES DE SILICIUM REALISES PAR PECVD, EN TANT QUE CONSTITUANTS DE COUCHES ANTIREFLET SUR DES SUBSTRATS DE VERRES POLYMERES. LES FILMS MINCES SONT ELABORES A PARTIR DE SIH#4, N#2O, NH#3. LA PUISSANCE ET LA PRESSION RESTENT FIXES, SEULE VARIE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE EN GARDANT UN DEBIT TOTAL CONSTANT. LES DIVERSES METHODES UTILISEES (MEB, XPS-AES, REFLECTOMETRIE DES RAYONS X RASANTS, FTIR, ELLIPSOMETRIE, NANOINDENTATION) ONT PERMIS DE CARACTERISER CES FILMS DU POINT DE VUE PHYSICOCHIMIQUE, OPTIQUE ET MECANIQUE. ILS ONT DES CARACTERISTIQUES PROCHES DE CELLES DE LA SILICE VITREUSE POUR LES COMPOSITIONS DE TYPE SIO#X:H. PAR CONTRE, LES COUCHES DE TYPE SIN#Y:H CONDUISENT A UNE DENSITE, UN INDICE ET UNE NANODURETE PLUS FAIBLES QUE LES VALEURS CONNUES DE SI#3N#4 MASSIF. LES OXYNITRURES DE SILICIUM POSSEDENT, QUANT A EUX DES CARACTERISTIQUES INTERMEDIAIRES DONT L'EVOLUTION N'EST PAS LINEAIRE AVEC LA COMPOSITION. LES DECOMPOSITIONS DES BANDES SI2P EN X.P.S. ET SI-H EN SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRAROUGE, MONTRENT QUE LES OXYNITRURES DE SILICIUM DEPOSES PEUVENT ETRE DECRITS COMME UN MELANGE HOMOGENE DES LIAISONS CORRESPONDANT MIEUX AU MODELE DES LIAISONS ALEATOIRES PLUTOT QU'A UN MELANGE DE PHASES. D'AUTRE PART, LA VARIATION DE L'INDICE EN FONCTION DU RAPPORT N/(N+O) A ETE MODELISEE, EN FAISANT INTERVENIR LA COMPOSITION ET LA DENSITE PAR LES RELATIONS DE BRUGGEMAN ET DE CLAUSIUS-MOSSOTI. CES COUCHES ONT PERMIS DE REALISER UN REVETEMENT ANTIREFLET BICOUCHE POSSEDANT DES CARACTERISTIQUES PROCHES DE CELLES CALCULEES

Book Caract risation d oxynitrures de silicium par spectroscopie des lectrons Auger associ e la pulv risation ionique

Download or read book Caract risation d oxynitrures de silicium par spectroscopie des lectrons Auger associ e la pulv risation ionique written by Jean-Pierre Segaud and published by . This book was released on 1988 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UN ENSEMBLE D'ANALYSE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE EN PROFONDEUR PAR SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS AUGER ASSOCIEE A LA PULVERISATION IONIQUE A ETE DEVELOPPE AFIN DE POUVOIR CARACTERISER RAPIDEMENT DE NOMBREUX ECHANTILLONS ET D'ETRE AINSI EN PRISE DIRECTE AVEC LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. EN OPTIMISANT LES CONDITIONS EXPERIMENTALES DE MISE EN OEUVRE DES FAISCEAUX IONIQUE ET ELECTRONIQUE, CETTE TECHNIQUE A PERMIS DE REALISER UNE ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE QUANTITATIVE DE COMPOSES D'OXYNITRURE DE SILICIUM. ELLE EST DE PLUS CARACTERISEE PAR UNE BONNE RESOLUTION EN PROFONDEUR (ENVIRON 30 A) ET UNE VITESSE D'EROSION TOUT A FAIT A L'ETUDE DE COUCHES TRES MINCES

Book Fabrication et caract risation de nanocristaux de silicium encapsul s dans des matrices silici es amorphes

Download or read book Fabrication et caract risation de nanocristaux de silicium encapsul s dans des matrices silici es amorphes written by Jérémy Barbé and published by . This book was released on 2013 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.

Book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES D ALLIAGES AMORPHES SILICIUM AZOTE PREPARES PAR PULVERISATION REACTIVE

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES D ALLIAGES AMORPHES SILICIUM AZOTE PREPARES PAR PULVERISATION REACTIVE written by Amina Mezhoudi and published by . This book was released on 1986 with total page 390 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE, DE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET DE L'ABSORPTION IR INFLUENCE DE LA TENEUR EN AZOTE SUR LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE; MISE EN EVIDENCE D'UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE D'ETATS PROCHES DU NIVEAU DE FERMIS ET D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE. EFFETS D'UN DOPAGE AU BORE. MISE EN EVIDENCE D'UNE DISTRIBITION DE NIVEAUX PROFONDS SUR LESQUELS SE PRODUIT LA RECOMBINAISON DES PORTEURS MAJORITAIRES. RELATIONS ENTRE LES PROPRIETES DES COUCHES MINCES ET LES CONDITIONS DE PREPARATION

Book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES HMDSO TEOS

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES HMDSO TEOS written by CHRISTIAN.. BOURREAU and published by . This book was released on 1992 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES

Book ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD POUR APPLICATION PHOTOVOLTIQUE

Download or read book ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD POUR APPLICATION PHOTOVOLTIQUE written by YAHYA.. LAGHLA and published by . This book was released on 1998 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: COMME L'UTILISATIONS DE L'ENERGIE SOLAIRE EST NOUVELLE PAR RAPPORT AUX ENERGIES TRADITIONNELLES (SURTOUT LES COMBUSTIBLES FOSSILES), SA RECHERCHE ET SON DEVELOPPEMENT SONT GUIDES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES PHYSIQUES ET PAR LES ASPECTS ECONOMIQUES, POLITIQUES ET SOCIAUX. LE DEVELOPPEMENT EST UNE RENCONTRE D'UN PRODUIT ET D'UN MARCHE. NOTRE TRAVAIL EST AINSI SEPARE EN 3 PARTIES : UNE PARTIE DITE DE RECHERCHE HORIZONTALE CONCERNANT L'ETUDE PHYSIQUE DU MATERIAU TELLES LES CARACTERISTIQUES OPTIQUES, DONT NOUS AVONS ETUDIE LES PRINCIPALES METHODES DE DETERMINATION DES CONSTANTES OPTIQUES. DANS CETTE PARTIE, NOUS AVONS DETAILLE LES DEUX METHODES D'OBTENTION DE L'EPAISSEUR, DE L'INDICE DE REFRACTION ET DU COEFFICIENT D'ABSORPTION EN FONCTION DES LONGUEURS D'ONDES A PARTIR DU SPECTRE DE TRANSMISSION SEUL METHODE DE FRANGE D'INTERFERENCE ; OU A PARTIR DE LA COMBINAISON DES SPECTRES DE TRANSMISSION ET DE REFLEXION METHODE DITE OCS. APRES LA COMPARAISON DES AVANTAGES ET DES INCONVENIENTS DES DEUX METHODES, NOUS AVONS ABOUTI A UNE NOUVELLE METHODE QUI CONSISTE A COMBINER LES DEUX METHODES EN MEME TEMPS AFIN D'AUGMENTER LA PRECISION SUR LES CONSTANTES OPTIQUES. LA DEUXIEME PARTIE EST DEDIEE A L'APPLICATION DE LA METHODE DITE DE MINIMISATION, AFIN DE CALCULER LES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD), DE DISILANE, DEPOSEE DANS UN NOUVEAU TYPE DE REACTEUR, APPELE REACTEUR PUIS COMPAREES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RECUIT DE CE PREMIER ET AU SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE DIRECTEMENT PAR DECOMPOSITION DU SILANE PAR LPCVD. CES ETUDES OPTIQUES DE CES DIFFERENTS MATERIAUX NOUS ONT CONDUIT A OPTER POUR LA FILIERE GAZEUSE SILANE ET AU CONDITION DE DEPOT DE CE MATERIAU (T = 660 C, P = 0,3TORR), POUR LA REALISATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, ET D'OPTIMISER LES EPAISSEURS CONVENABLE POUR QUE 90% DE LA LUMIERE INCIDENTE SOIT ABSORBEE. DANS UNE DEUXIEME ETAPE DE NOTRE RECHERCHE NOUS AVONS ETUDIE LA CINETIQUE DE DEPOT, LES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES, ET STRUCTURALES DES DIFFERENTES COUCHES CONTRIBUANT A LA FABRICATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, A SAVOIR LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPES, DOPEE BORE OU PHOSPHORE. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES QUALITES DE CES COUCHES, NOUS AVONS ESSAYE DE FAIRE UN LIEN ENTRE LES DIFFERENTES VARIATIONS DES PARAMETRES OPTIQUES ET ELECTRIQUES OBSERVES ET LEUR VARIATION DE STRUCTURE EN FONCTION DE LEURS EPAISSEURS. POUR COMPLETER CES ETUDES, EN DERNIER PARTIE, NOUS SOMMES PASSE A LA PHASE DITE VERTICALE CONSISTANT A LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE CES DIODES AVEC UN MINIMUM D'ETAPES TECHNOLOGIQUES. NOUS AVONS PU OBTENIR DES DIODES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UN COURANT DE FUITE MINIMAL ET UNE TRES BONNE TENUE AU COURANT INVERSE JUSQU'A 100V SANS OBSERVER LE CLAQUAGE DE LA JONCTION.