Download or read book ETUDE DE LA CROISSANCE DE FILMS MINCES OBTENUS PAR OXYDATION ET NITRURATION THERMIQUES DU SILICIUM POREUX written by VALERIE.. MORAZZANI and published by . This book was released on 1996 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UNE ETUDE EXPERIMENTALE DETAILLEE DE L'OXYDATION ET DE LA NITRURATION THERMIQUE SOUS OXYGENE SEC AINSI QUE DE LA NITRURATION SOUS AMMONIAC A HAUTE TEMPERATURE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX, PREALABLEMENT OXYDEES A BASSE TEMPERATURE. CES TRAVAUX ONT ETE REALISES DANS LE BUT TECHNOLOGIQUE D'AMELIORER LES RENDEMENTS DE LUMINESCENCE. D'UN POINT DE VUE FONDAMENTAL, ILS SERVENT AUSSI POUR TESTER LA VALIDITE DES MODELES PROPOSES RELIANT LA POSITION DES SPECTRES DE LUMINESCENCE AVEC LA TAILLE DES CRITALLITES. PAR AILLEURS, LA TRES GRANDE SURFACE INTERNE DEVELOPPEE DANS CES COUCHES A PERMIS D'ETUDIER AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE DES COUCHES DE SILICE ET D'OXYNITRURE TRES MINCES, D'EPAISSEUR INFERIEURE A 5 NANOMETRES, ET DE DETERMINER LEUR COMPOSITION, LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES D'INTERFACE, AINSI QUE LES DEFAUTS D'INTERFACE ET DE VOLUME CONTENUS DANS CES STRUCTURES

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES HMDSO TEOS written by CHRISTIAN.. BOURREAU and published by . This book was released on 1992 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES

Download or read book NITRURATION DES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM PAR ACTIVATION THERMIQUE ET PAR STIMULATION ELECTRONIQUE written by AHMAD.. BENAMAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES

Download or read book Proc d s thermiques rapides written by Francois Marou and published by . This book was released on 1990 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE

Download or read book Croissance et nitruration basse pression d oxydes minces de silicium written by Valérie Thirion and published by . This book was released on 1994 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec la miniaturisation des technologies MOS, la diminution de l'épaisseur de l'oxyde de grille pose de nouvelles difficultés liées au contrôle de l'épaisseur, à la diffusion des impuretés et des dopants et à l'injection de porteurs chauds. Ce travail est consacré à la croissance et à la nitruration à basse pression d'oxyde de grille mince de silicium ; les mécanismes de ces réactions sont étudiés en relation avec les caractéristiques physico-chimiques et électriques des structures et dispositifs MOS. La croissance des oxydes très minces, qualifiée d'anormalement rapide, est décrite en faisant intervenir l'effet d'un champ électrique dans l'oxyde. Les cinétiques d'oxydation relevées dans le régime initial sont bien décrites par un modèle combinant la participation d'un flux d'espèces oxydantes diffusant sous l'effet du champ électrique et d'un flux soumis uniquement à la diffusion thermique. L'étude de la nitruration montre que l'utilisation de la basse pression de NH3 permet une incorporation spécifique d'azote, essentiellement localisée aux interfaces et très faible dans le volume de l'oxyde. Les faibles densités de charges fixes et l'absence de création d'état d'interface consécutives à ce procédé de nitruration permettent de ne pas dégrader la mobilité des porteurs et la tension de seuil des transistors NMOS et PMOS. Le faible piégeage caracterisé par injection fowler-nordheim est expliqué par les faibles niveaux d'azote et d'hydrogène incorporés dans le volume de SiO2 ; il est amélioré après une étape de réoxydation in-situ à faible pression d'oxygène sec. L'amélioration des propriétés de barrière de diffusion est démontrée sur des structures PMOS à grille P+ dopée en BF2. Un avantage important du procédé de nitruration NH3 basse pression concerne le durcissement de l'interface qui se manifeste par une augmentation de la durée de vie des transistors NMOS. Expérimentalement, ces propriétés électriques sont comparées à celles obtenues selon d'autres procédés de nitruration (plasma et nitruration en N20).

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES D OXYNITRURE DE SILICIUM OBTENUES PAR LA NITRURATION THERMIQUE RAPIDE DEGRADATION VIEILLISSEMENT written by ABDELILLAH.. BENBRIK and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM D'EPAISSEUR 45 NM EST REALISEE A HAUTE TEMPERATURE (1060C) PAR LA TECHNIQUE R.T.N (RAPID THERMAL NITRIDATION) PENDANT UNE DUREE VARIANT DE QUELQUES SECONDES A UNE DIZAINE DE MINUTES. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (X.P.S) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI/SIO#2. LE PIC D'AZOTE A L'INTERFACE APPARAIT DES 60 SECONDES, LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DIMINUE RAPIDEMENT ET ATTEINT 3,37 10##1#4 CM#2/S A 10 MINUTES. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES STRUCTURES DE TEST AL/OXYDE NITRURE/SI(N) A 1 MHZ NOUS A PERMIS, D'UNE PART, D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE ET L'INDICE MOYEN DE REFRACTION OPTIQUE, D'AUTRE PART, DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA TENSION DE BANDES PLATES, DE LA CHARGE IMAGE DANS L'ISOLANT, DE LA TENSION DE CLAQUAGE ET DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE DU MATERIAU EN FONCTION DE LA NITRURATION. LA METHODE B.T.S. (BIAS TEMPERATURE STRESS) A REVELE L'EXISTENCE DE CHARGES MOBILES DANS NOS STRUCTURES. L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS A PERMIS D'INTERPRETER CORRECTEMENT LA DEGRADATION DES ELEMENTS MIS SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUE ET THERMIQUE

Download or read book MECANISMES DE CROISSANCE DE DIELECTRIQUES PAR NITRURATION ET PAR OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM written by JEAN-JACQUES.. GANEM and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE DE NITRURE DE SILICIUM PAR TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE A ETABLI L'EXISTENCE D'UN REGIME INITIAL RAPIDE, ASSOCIE A LA NITRURATION DE L'INTERFACE SILICIUM/DIELECTRIQUE, SUIVI D'UN REGIME PLUS LENT LIMITE PAR LE TRANSPORT DES ESPECES NITRURANTES, DANS UNE SEULE DIRECTION, A TRAVERS LE FILM FORME. LA NITRURATION DE L'OXYDE DE SILICIUM EST CARACTERISEE PAR LA DIFFUSION DES ESPECES QUI REAGISSENT AVEC LA SILICE. L'OBSERVATION DE L'OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM, REALISEE SOUS ATMOSPHERE STATIQUE D'OXYGENE ISOTOPIQUEMENT MARQUE, SUGGERE UNE EXPLICATION QUI RENDRAIT COMPTE DU REGIME INITIAL RAPIDE: L'APPARITION, DANS LES PREMIERES SECONDES, DE DEBRIS DE SILICIUM CRISTALLIN DANS L'OXYDE FORME

Download or read book Croissance et caract risations de couches minces d oxydes constante di lectrique lev e sur silicium written by Minh-Tri Ta and published by . This book was released on 2009 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la croissance sur substrat de silicium de films minces d’oxydes d’yttrium (Y2O3) et l’oxyde de cérium (CeO2). La technique de dépôt utilisée est la pulvérisation cathodique RF magnétron. Y2O3 est déposé à partir d’une cible d’yttrium métallique, la pulvérisation s’effectuant à partir d’un mélange gazeux Argon / Oxygène. Les couches minces d’oxyde de cérium sont obtenues par pulvérisation d’une cible de CeO2 par de l’Argon. La température de croissance est comprise entre 200 °C et 800 °C. Le recuit éventuel des films d’oxyde est effectué soit par un recuit thermique conventionnel, soit par une technique de recuit rapide. Dans un 1er temps, nous présentons, en fonction des paramètres de croissance, les propriétés structurales extraites de mesures de diffraction de rayons X et de spectroscopie Raman. Dans un 2e temps sont exposés les résultats des mesures électriques de type capacité-tension effectués sur les condensateurs de type MOS à base des couches d’Y2O3 et de CeO2. Leur analyse permet de qualifier et quantifier les défauts électriquement actifs que sont les charges dans l’oxyde et les états à l’interface oxyde / silicium, dont la densité dépend des conditions de croissance et de recuit. Finalement, une étude de la sensibilité de ces dispositifs aux rayonnements gamma et aux neutrons est présentée. Une corrélation est faite entre la qualité cristalline des couches minces, la densité de charges tant dans l’oxyde qu’à l’interface oxyde/silicium et la sensibilité des dispositifs. Ces résultats montrent en particulier que pour les condensateurs à base d’Y2O3, des densités de défauts importantes confèrent une plus grande sensibilité aux rayons gamma

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE FILMS ULTRA MINCES D OXYDES DE SILICIUM FORMES SOUS BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE EN SURFACE DU SILICIUM 100 written by BENAFGOUI.. SEFSAF and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DES RECHERCHES RELATIVES A LA PHYSICOCHIMIE DES SURFACES ET INTERFACES DU SILICIUM. L'APPROCHE PRIVILEGIEES EST D'ACCEDER A UNE NOUVELLE CONNAISSANCE DE LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU. L'OBJECTIF DE L'ETUDE PLUS SPECIFIQUEMENT, PAR ANALYSE AUGER ET SPECTROSCOPIE DE PERTES, L'INFLUENCE DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE SUR L'OXYDATION DE LA FACE (100) DU SILICIUM MONOCRISTALLIN, A TEMPERATURE AMBIANTE. AU-DELA LA CARACTERISATION DU MODE DE FORMATION DE L'INTERFACE SI-SIO#2, LA QUESTION PRINCIPALE CONCERNE LA POSSIBILITE D'UTILISER DE TELS OXYDES ULTRA-MINCES DANS L'ELABORATION DE STRUCTURES DU TYPE POS. PLUSIEURS CONCLUSIONS SE DEGAGENT DE CE TRAVAIL. LA PREMIERE EST UNE CONFIRMATION DE L'EFFICACITE DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS D'OXYDATION ET DU ROLE DETERMINANT DES SECONDAIRES. APRES QUE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX AIT ETE ANALYSEE, LA MISE EN UVRE CONJOINTE DE L'AES ET DE L'ELS PERMET DE DECRIRE L'OXYDE FORME EN SURFACE DE SI (100) COMME UNE SILICE PROBABLEMENT DESORDONNEE AVEC UNE COUCHE D'INTERFACE FORMEE D'UN MELANGE D'ENTITES SIO#X SOUS-STOECHIOMETRIQUES EN CONFORMITE AVEC UN MODELE RBM (RANDOM BONDING MODEL). ENFIN, L'ETUDE DE LA CROISSANCE DU COBALT, A TEMPERATURE AMBIANTE, SUR CET OXYDE ELECTRONIQUE ET EN MODE THERMIQUE D'EPAISSEUR EQUIVALENTE MET EN EVIDENCE UNE MOINS BONNE TENUE DE L'OXYDE ELECTRONIQUE DEVANT LA POSSIBILITE DE DIFFUSION DU METAL

Download or read book Etude de la nitruration thermique pression atmosph rique de l oxyde de silicium et du silicium written by Allal Serrari and published by . This book was released on 1989 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.

Download or read book Propri t s physicochimiques de films minces d oxydes et d oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2 Si 100 SiOxNy Si 100 written by Rachida Saoudi and published by . This book was released on 1990 with total page 48 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE PAR LA METHODE SIMS DE LA NITRURATION THERMIQUE SOUS AMMONIAC DE COUCHES EPAISSES D OXYDE DE SILICIUM written by ERIC.. BREELLE and published by . This book was released on 1996 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL FAIT LA SYNTHESE D'EXPERIENCES SUR LA NITRURATION THERMIQUE SOUS AMMONIAC DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM EPAISSES. CETTE ETUDE A ETE MENEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA DUREE DU TRAITEMENT DES RECUITS AINSI QU'EN FONCTION DE LA PRESSION PARTIELLE DE L'AMMNONIAC. LES PROFILS D'AZOTE DANS L'EPAISSEUR DES COUCHES NITRUREES ONT ETE DETERMINES PAR LA METHODE SIMS. SUR LE PLAN THEORIQUE, LE MECANISME DE LA NITRURATION EST INTERPRETE COMME ETANT LE RESULTAT DE LA DIFFUSION INTERSTITIELLE DES MOLECULES D'AMMONIAC ET DE LEURS REACTIONS CHIMIQUES AVEC LE RESEAU DE SILICE

Download or read book GROWTH OF SILICON NITRIDE AND OXINITRIDE THIN FILMS USING A REACTIVE AMMONIA PLASMA FOR APPLICATIONS TO SUBMICRONIC INTEGRATED CIRCUITS written by José Camargo Da Costa and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DESCRIPTION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL. PRESENTATION DES RESULTATS DES ANALYSES PHYSICOCHIMIQUES (SPECTROMETRIE AUGER, SIMS, XPS, SPECTROMETRIE IR, REVELATION CHIMIQUE, ELLIPSOMETRIE, TEM HAUTE RESOLUTION) REALISEES SUR LES COUCHES MINEES OBTENUES, EVALUATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES D'OXYDE NITRURE PAR DES MESURES C(V) ET I(V) SUR DES CONDENSATEURS MOS. ETUDES PRELIMINAIRES SUR LA RESISTANCE DE CES OXYDES AUX RAYONNEMENTS IONISANT ET SUR LES PROPRIETES DE BARRIERE A L'OXYDATION DES COUCHES OBTENUES PAR NITRURATION PLASMA DU SILICIUM

Download or read book PROPRIETES PHYSICO CHIMIQUES DE FILMS MINCES D OXYDES ET D OXYNITRURES DE SILICIUM ET STRUCTURE MICROSCOPIQUE DES INTERFACES SIO 2 SI 100 SIO XN Y SI 100 written by RACHIDA.. SAOUDI and published by . This book was released on 1990 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES FILMS MINCES (20-150 A) DE SIO#2, DE SI#3N#4 ET D'OXYNITRURES DE SILICIUM SIO#XN#Y ONT ETE ETUDIES PAR TROIS TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES: LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS, XPS, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION A HAUTE RESOLUTION, TEM, ET L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE. LES PRINCIPALES INFORMATIONS RECHERCHEES DANS LE CAS DES OXYDES CONCERNENT L'EVOLUTION DE LA STRUCTURE MICROSCOPIQUE DE L'INTERFACE SIO#2/SI(100) EN FONCTION DES CONDITIONS DE PREPARATION DES OXYDES ET LA DETERMINATION DE L'EPAISSEUR ABSOLUE DES FILMS MINCES DE SIO#2 PAR LES TROIS TECHNIQUES (XPS, TEM, ELLIPSOMETRIE). LES OXYDES DE SILICIUM DE QUALITE ELECTRONIQUE ONT ETE PREPARES PAR OXYDATION THERMIQUE ET ANODIQUE. ILS SONT COMPARES A DES OXYDES PREPARES PAR LES TECHNIQUES DE L'ULTRAVIDE. LES OXYDES DE QUALITE ELECTRONIQUE PRESENTENT TOUS UNE INTERFACE STRUCTURALEMENT ABRUPTE AVEC UNE RUGOSITE DE L'ORDRE DE UN PLAN ATOMIQUE. D'AUTRE PART, LES OXYDES AYANT DES INTERFACES PLANES OU RUGUEUSES ONT TOUS UNE ZONE DE TRANSITION CHIMIQUE VUE PAR XPS QUI EST DE L'ORDRE DE 2 MONOCOUCHES. LES OXYNITRURES DE SILICIUM ONT ETE PREPARES PAR NITRURATION THERMIQUE ASSISTEE PAR PLASMA OU RECUIT RAPIDE DE FILMS DE SIO#2 DANS NH#3. DES ATTAQUES CHIMIQUES ONT PERMIS DE DETERMINER LES PROFILS DE REPARTITION EN PROFONDEUR DE L'AZOTE DANS LES COUCHES. L'ALLURE DES PROFILS ET L'ORDRE LOCAL EVALUES PAR XPS SONT CORRELES AUX PROCEDES DE NITRURATION. LES MECANISMES DE NITRURATION SONT DISCUTES DANS LE CAS DES FILMS MINCES ET DES FILMS EPAIS

Download or read book Etude ellipsom trique de la croissance de films minces d oxyde la surface du titane et du niobium written by Jean-Marc Boulben and published by . This book was released on 1973 with total page 124 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée and published by . This book was released on 1999 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.

Download or read book Etude des proprietes des couches d oxynitrure de silicium obtenues par la nitruration thermique rapide DEGRADATION VIEILLISSEMENT written by Abdelillah Benbrik and published by . This book was released on 1992 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: