Download or read book D fauts induits par implantation d ions l gers ou irradiation lectronique dans les semi conducteurs base silicium written by Marie-Laure David (physicienne).) and published by . This book was released on 2003 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation ionique est couramment utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs aussi bien pour le dopage des matériaux que pour en améliorer la pureté. Les défauts créés par implantation/irradiation peuvent améliorer ou détériorer les performances des dispositifs électroniques. Nous avons étudié par spectroscopie capacitive les défauts électriquement actifs créés par irradiation dans le 4H-SiC. Nous avons caractérisé l'un de ces défauts, le centre S, en déterminant sa signature et ses cinétiques d'apparition et de recuit. Par ailleurs nous avons étudié les défauts créés par implantation d'hélium à forte dose dans le Si principalement par Microscopie Electronique à Transmission. Nous avons montré que la nature des défauts (cavités et défauts de type interstitiel) et leur évolution au cours d'un recuit dépendent fortement de la température d'implantation. Les effets d'implantations multi-énergies à haute température sont aussi présentés.

Download or read book ETUDE COMPARATIVE DES DEFAUTS INDUITS PAR LES IONS DANS LES SEMICONDUCTEURS written by PIERRE.. DESGARDIN and published by . This book was released on 1996 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES PHENOMENES MIS EN JEU DANS L'INTERACTION DES PARTICULES CHARGEES OU NON AVEC LA MATIERE OCCUPE UNE PLACE SANS CESSE CROISSANTE SURTOUT DANS LE DOMAINE DE L'ELECTRONIQUE. LES DEFAUTS PRODUITS LORS DE L'IMPLANTATION ONT DES REPERCUSSIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES MATERIAUX ET SONT DONC SUSCEPTIBLES DE MODIFIER LES CARACTERISTIQUES DES COMPOSANTS. CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEFAUTS CREES PAR L'IMPLANTATION DE PROTONS OU DE PARTICULES ALPHA DANS LE SILICIUM. DANS CE BUT, NOUS AVONS DEVELOPPE UN DISPOSITIF D'IMPLANTATION PERMETTANT D'IRRADIER DES ECHANTILLONS DE DIX CENTIMETRES DE DIAMETRE. POUR IDENTIFIER LES DEFAUTS CREES PAR L'IMPLANTATION D'IONS ET OBSERVER LEURS EFFETS SUR LE SILICIUM, NOUS AVONS UTILISE QUATRE METHODES DE CARACTERISATION. LA MESURE DE LA RESISTANCE DE CONSTRICTION SUR DU SILICIUM IMPLANTE DE TYPE N, MONTRE QUE LA QUANTITE DE DEFAUTS CREEE PAR L'IMPLANTATION DE PARTICULES ALPHAS EST PLUS IMPORTANTE QUE CELLE CREEE PAR DES PROTONS A FLUENCE EGALE. PAR MESURE C-V (CAPACITE-TENSION), NOUS AVONS MONTRE QUE CONTRAIREMENT AUX PARTICULES ALPHAS, L'IMPLANTATION DE PROTONS INDUIT DES NIVEAUX DONNEURS SUPERFICIELS APRES RECUIT. CES NIVEAUX SONT LIES A L'ACTIVITE DE L'HYDROGENE IMPLANTE. LES MESURES D.L.T.S. MONTRENT QUE LA PLUPART DES CENTRES PIEGES A ELECTRONS CREES EN FIN DE PARCOURS DES IONS SONT COMMUNS AUX DEUX PARTICULES. DANS LE CAS D'UNE IMPLANTATION D'ALPHAS, IL APPARAIT UN NIVEAU QUE NOUS ATTRIBUONS A UN AGREGAT DE LACUNES. AFIN DE CARACTERISER LES DEFAUTS CREES PAR DES IMPLANTATIONS A FORTE DOSE, NOUS AVONS UTILISE L'ANALYSE PAR ANNIHILATION DE POSITONS. POUR UNE IMPLANTATION DE PROTONS, UN PROFIL DE BILACUNE A ETE MESURE ET PEUT ETRE CORRELE AVEC LE PROFIL DE RESISTANCE DE CONSTRICTION

Download or read book Contribution la compr hension des effets d irradiation dans les semi conducteurs germanium silicium et ars niure de gallium written by Alban Colder and published by . This book was released on 2001 with total page 216 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous avons étudié le comportement des sepi-conducteurs germanium, silicium et arséniure de gallium irradiés par divers projectiles (ions lourds, protons, électrons et agrégats C60). Grâce à des mesures électriques de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et d'effet Hall, nous avons pu préciser, à faibles doses, la nature des défauts présents dans le germanium après irradiation à température ambiante. Nous avons déterminé, pour différents projectiles, les cinétiques de création de ces défauts. Les mesures électriques à plus fortes doses ont permis de mettre en évidence la présence d'un défaut spécifique multilacunaire créé uniquement après irradiation par des ions lourds (ou des protons). De plus, des mesures de spectroscopie par annihilation de positons (PAS) montrent que la taille de ce défaut spécifique augmente avec la fluence. L'endommagement correspondant a également été quantifié par des mesures de rétrodiffusion Rutherford en canalisation (RBS-C). En première approximation, les taux de création de défauts obtenus sont normalisés par les collisions nucléaires. Cette normalisation se retrouve dans l'évolution de l'inverse du gain de transistors bipolaires à base de silicium. Cependant, une étude plus fine met en évidence une perte d'efficacité de création de défauts à des valeurs intermédiaires de perte d'énergie électronique Se, puis au contraire une augmentation pour des plus fortes valeurs de Se. Dans les trois semi-conducteurs, nous avons observé la création de traces après irradiation par des agrégats C60. Celles-ci se présentent sous la forme de cylindres amorphes que nous avons caractérisés en microscopie électronique à transmission et à haute résolution. Elles sont dûes aux très fortes valeurs de densité d'énergie électronique que peuvent déposer les agrégats en raison de leur faible vitesse.

Download or read book Structure atomique et activit lectrique des d fauts natifs et induits par irradiation dans le carbure de silicium 6H SiC d termin es par annihilation de positions written by Laurent Henry and published by . This book was released on 2001 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le matériau SiC, semiconducteur à large bande interdite, pourrait remplacer le silicium dans le domaine de l'électronique de puissance. Cependant de nombreux défauts sont générés pendant la croissance. De plus, l'implantation ionique constitue le procédé principal de dopage. Les défauts natifs ou induits peuvent jouer un rôle important dans la compensation électrique de ce matériau. Nous avons utilisé l'annihilation de positions pour déterminer la nature des défauts natifs et induits par irradiation avec des protons dans un des polytypes de SiC, le 6H-SiC. Nous avons mesuré le temps de vie du positon et la distribution des quantités de mouvement des paires électron-position (élargissement Doppler de la raie à 511 keV). Ces différentes grandeurs changent avec l'état d'annihilation du positon et sont caractéristiques de la nature des défauts présents (lacunes ou ions). Nous nous sommes intéressés aux défauts de croissance dans des cristaux massifs et des couches épitaxiées 6H-SiC (type n) et aux défauts générés par les irradiations de protons à différentes énergies.

Download or read book Diffusion et d fauts ponctuels dans les semi conducteurs written by Boris Boltaks and published by . This book was released on 1977 with total page 456 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book L IMPLANTATION DES IONS DANS LES SEMICONDUCTEURS ET SES APPLICATIONS written by Esidor Ntsoenzok and published by . This book was released on 1993 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION LOCALISEE DES PROTONS DANS LES ECHANTILLONS DE SILICIUM. NOUS AVONS REALISE TROIS TYPES D'ETUDES. PAR L'ETUDE DU PROFIL DE RESISTIVITE DES ECHANTILLONS IRRADIES, NOUS AVONS PU DETERMINER QUE L'IMPLANTATION DONNAIT LIEU, APRES RECUIT THERMIQUE A 400C, A DEUX TYPES DE DEFAUTS AYANT DES COMPORTEMENTS ELECTRIQUES DIFFERENTS. LES PREMIERS LOCALISES ENTRE LA SURFACE DE L'ECHANTILLON ET LA PROFONDEUR D'ARRET DES PARTICULES SE TRADUISENT PAR UNE AUGMENTATION DE LA RESISTIVITE. QUANT AUX SECONDS DEFAUTS, ILS SONT ESSENTIELLEMENT LOCALISES A LA PROFONDEUR D'ARRET ET LEUR ACTIVITE ELECTRIQUE SE TRADUIT PAR UNE DIMINUTION LOCALE DE LA RESISTIVITE. CES DERNIERS DEFAUTS POURRAIENT ETRE ATTRIBUES A L'ACTIVITE DE L'HYDROGENE IMPLANTE. LES METHODES CAPACITIVES (C-V ET DLTS) NOUS ONT PERMIS DE DETERMINER LE PROFIL DE CONCENTRATION DES PORTEURS DE CHARGE DANS L'ECHANTILLON APRES IRRADIATION. ELLES NOUS ONT SURTOUT PERMIS DE REPERTORIER (PAR SPECTROSCOPIE DLTS) L'ENSEMBLE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION A DIFFERENTES PROFONDEURS

Download or read book Contribution l tude des d fauts cr s par irradiation lectronique dans des alliages semiconducteurs silicium germanium de type N et P written by Jean-Jacques Goubet and published by . This book was released on 1998 with total page 623 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de cette etude est de caracteriser les defauts crees par irradiation electronique dans des couches epitaxiees d'alliage silicium-germanium de type n et p. Apres une analyse des donnees rapportees dans la litterature concernant les defauts profonds ponctuels et etendus dans le silicium (si), le germanium (ge) et l'alliage silicium-germanium (sige), les techniques de mesure sont presentees avec un examen particulier des effets parasites rencontres qui necessitent une modification des modeles classiques d'interpretation des mesures experimentales. Enfin, nous presentons les resultats obtenus pour des couches relaxees d'alliage si#0#.#7ge#0#.#3 de type n et pour des couches contraintes ou relaxees d'alliages de type p contenant de 2 a 30% de ge. A l'aide des techniques capacite-tension, c(v), et courant-tension, i(v), nous montrons que les degats d'irradiation (accroissement du courant des diodes en inverse et en direct, augmentation de la compensation du materiau) sont d'autant plus importants que le taux de ge est faible. Une determination systematique de la position des niveaux d'energie et de la section apparente de capture des defauts natifs et d'irradiation a l'aide de la spectroscopie de transitoires de capacite (deep level transient spectroscopy) d'une part, et une etude des taux d'introduction, des profils sous la surface des couches d'alliage et de la stabilite thermique des defauts d'irradiation d'autre part, nous a permis de proposer une identification pour chacun des centres observes par comparaison avec les resultats presentes dans la litterature pour les defauts dans si, ge et sige.

Download or read book Intrinsic Point Defects Impurities and Their Diffusion in Silicon written by Peter Pichler and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 576 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book contains the first comprehensive review of intrinsic point defects, impurities and their complexes in silicon. Besides compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behaviour from investigations, it gives a comprehensive introduction into the relevant fundamental concepts.

Download or read book ETUDE DE L ENDOMMAGEMENT INDUIT DANS LE SILICIUM PAR DES IONS LOURDS DE GRANDE ENERGIE written by PATRICK.. MARY and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES ECHANTILLONS DE SILICIUM ONT ETE IRRADIES AVEC DES FAISCEAUX D'IONS KRYPTON (3.7 GEV), XENON (3.5 GEV) ET URANIUM (3.8 GEV). L'ENDOMMAGEMENT A ETE SUIVI PENDANT L'IRRADIATION A L'AIDE DE LA MESURE DE LA RESISTANCE ELECTRIQUE DES ECHANTILLONS. LES MESURES D'EFFET HALL ONT MONTRE QUE L'AUGMENTATION DE LA RESISTANCE EST PRINCIPALEMENT DUE A LA COMPENSATION DU DOPANT. LA METHODE DLTS A PERMIS DE MONTRER QUE LES PRINCIPAUX DEFAUTS INDUITS ETAIENT IDENTIQUES AUX DEFAUTS CREES PAR DES PARTICULES LEGERES (ELECTRONS): V-O, V-V... LES PROFILS DE CONCENTRATION, DETERMINES PAR LA METHODE DDLTS, METTENT BIEN EN EVIDENCE L'INFLUENCE DE LA MIGRATION DES LACUNES SUR LA FORMATION DES COMPLEXES A LA TEMPERATURE AMBIANTE. UNE SIMULATION DES COURBES R-T A D'UNE PART PERMIS DE DETERMINER LES TAUX DE CREATION DE CHAQUE TYPE DE DEFAUT ET D'AUTRE PART DE MONTRER QUE LA LACUNE ISOLEE EST LE PRINCIPAL DEFAUT CREE DANS LE SILICIUM DE TYPE N PAR LES IRRADIATIONS REALISEES A 77 K. CES TAUX DE CREATION, NORMALISES PAR LA SECTION EFFICACE DE DEPLACEMENT, ONT ETE COMPARES AUX TAUX DE CREATION DES COMPLEXES INDUITS PAR IRRADIATION AUX ELECTRONS; IL APPARAIT QUE LA FORTE EXCITATION ELECTRONIQUE DANS L'INTERVALLE 3,7-29 MEV/M, EST INEFFICACE VIS-A-VIS DE LA CREATION DE DEFAUTS DANS LE SILICIUM

Download or read book Irradiation par des ions de grande nergie de semiconducteurs III N AlN GaN InN written by Mamour Sall and published by . This book was released on 2013 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les matériaux semiconducteurs III N (AlN, GaN, InN) présentent des propriétés intéressantes pour la micro et l’opto-électronique. Ils peuvent être soumis à différents types d’irradiation dans une large gamme d’énergie de projectile. Dans l’AlN, initialement considéré insensible aux excitations électroniques (Se), nous avons mis en évidence une synergie inédite entre Se et les chocs nucléaires (Sn) pour la création de défauts absorbants à 4.7 eV. Par ailleurs, un autre effet du Se est mis en évidence dans l’AlN : les dislocations vis subissent, sous l’effet du Se, une montée aux fortes fluences d’irradiation. Dans le GaN, deux mécanismes de création peuvent être à l’origine des défauts absorbants à 2.8 eV: une synergie entre Se et Sn, ou une création uniquement due à Sn mais avec un fort effet de la taille des cascades de déplacement. L’étude, par MET, des effets de Se dans les trois matériaux, montre un comportement très différent d’un matériau à l’autre bien qu’ils appartiennent à la même famille des nitrures avec la même structure atomique. Sous irradiation aux ions monoatomiques (vitesse entre 0.4 et 5 MeV/u), tandis que l’on observe des traces discontinues dans le GaN et l’InN, aucune trace n’est observée dans l’AlN avec le plus fort pouvoir d’arrêt électronique (33 keV/nm). Il faut des fullerènes pour observer des traces dans l’AlN. Le modèle de la pointe thermique inélastique a permis de calculer les énergies nécessaires pour produire des traces dans l’AlN, le GaN et l’InN, elles sont respectivement de 4.2 eV/atome, 1.5 eV/atome et 0.8 eV/atome. Cette différence de sensibilité aux effets de Se, se retrouve également aux fortes fluences d’irradiation.

Download or read book Contribution a l etude des defauts crees par irradiation electronique dans des alliages semiconducteurs silicium germanium de type N et P written by Jean-Jacques Goubet and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Instabilities in Silicon Devices written by Gérard Barbottin and published by North Holland. This book was released on 1986 with total page 556 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book OXYDATION ET REDUCTION DE SEMI CONDUCTEURS SOUS IRRADIATION DE BASSE ENERGIE written by PHILIPPE.. PAGNOD-ROSSIAUX and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'OXYDATION PLASMA DU SILICIUM ET DU NETTOYAGE DE SURFACES DE SEMI-CONDUCTEURS (SI, GAAS, INP) EN PLASMAS D'HYDROGENE. LES MODIFICATIONS PHYSICO-CHIMIQUES DES SURFACES SONT SUIVIES PAR SPECTROSCOPIES D'ELECTRONS AUGER ET DE PERTE D'ENERGIE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES MATERIAUX TRAITES SONT ANALYSEES PAR L'INTERMEDIAIRE DES CAPACITES M.O.S.-TUNNEL OU DE DIODES SCHOTTKY. IL EST MONTRE DANS UNE PREMIERE PARTIE QUE, DANS DES CONDITIONS IDENTIQUES, UNE SURFACE DE SI IRRADIEE PAR DES IONS ARGON DE BASSE ENERGIE (15 EV-80 EV) S'OXYDE SELON UN PROCESSUS SIMILAIRE A CELUI D'UNE OXYDATION SOUS IRRADIATION ELECTRONIQUE (PRECEDEMENT ANALYSEE DANS LE CADRE DE LA THEORIE DE MOTT SUR L'OXYDATION BASSE TEMPERATURE DES METAUX). CONJOINTEMENT, UN PIC D'ETATS D'INTERFACE DONT L'AMPLITUDE CROIT AVEC L'ENERGIE DES IONS EST MIS EN EVIDENCE DANS LA PARTIE SUPERIEURE DE LA BANDE INTERDITE. DANS LA SECONDE PARTIE, L'ANALYSE AUGER DES SURFACES EN FONCTION DE LA DUREE D'EXPOSITION A UN FAISCEAU D'IONS H#2#+ MONTRE QUE LES PROCESSUS CHIMIQUES (FORMATION D'HYDRURES) PREDOMINENT. CECI EST PARTICULIEREMENT VERIFIE EN CE QUI CONCERNE LES COMPOSES III-V, POUR LESQUELS IL EST MONTRE QUE LA REACTION DE REDUCTION S'ARRETE SUR UN PLAN DE L'ELEMENT III (GA, IN). LES RUGOSITES DE SURFACE N'EVOLUENT PAS DE MANIERE SENSIBLE AU COURS DE L'IRRADIATION. LE CAS DE GAAS POSSEDE LA PARTICULARITE SUIVANTE: AU COURS D'UNE IRRADIATION A TEMPERATURE AMBIANTE, LE TAUX DE COUVERTURE EN OXYGENE PRESENTE UN MINIMUM. CE PHENOMENE EST INTERPRETE PAR UNE PLUS GRANDE REACTIVITE VIS-A-VIS DE H#2O D'UNE SURFACE HYDROGENEE PAR RAPPORT A UNE SURFACE NUE. L'ANALYSE DE DIODES SCHOTTKY ELABOREES SUR DES ECHANTILLONS DESOXYDES PAR DES IONS H#2#+ MONTRE D'IMPORTANTES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES MATERIAUX TRAITES

Download or read book IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION written by Dirk Christoph Schmidt and published by . This book was released on 1998 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES RECHERCHES CONCERNANT LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE D'UNIVERSITE ONT ETE EFFECTUEES DANS TROIS PAYS DIFFERENTS DE LA COMMUNAUTE EUROPEENNE ; AU LABORATOIRE DE METALLURGIE PHYSIQUE DE L'UNIVERSITE DE POITIERS, AU LABORATOIRE DU IV. PHYSIKALISCHES INSTITUT DE L'UNIVERSITE DE GOTTINGEN (ALLEMAGNE) ET AU LABORATOIRE D'ELECTRONIQUE DE L'ETAT SOLIDE A L'INSTITUT ROYAL DE TECHNOLOGIE DE STOCKHOLM (SUEDE). L'OR ET LE PLATINE SONT DES IMPURETES METALLIQUES COURAMMENT EMPLOYEES DANS L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE POUR CONTROLER LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE A FAIBLE TEMPS DE COMMUTATION. RECEMMENT, L'IMPLANTATION AUX IONS LEGERS A MONTRE QU'ELLE POUVAIT ETRE UTILISEE COMME METHODE DE SUBSTITUTION A LA DIFFUSION DES IMPURETES EN RAISON DES DIVERS AVANTAGES QU'ELLE PRESENTE COMME PAR EXEMPLE LA REPRODUCTIBILITE, LA POSSIBILITE DE CHANGER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE LA DIODE A LA FIN DES DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ET LE FAIT QUE LA TEMPERATURE DE LA DIODE EST BEAUCOUP PLUS BASSE DURANT L'IMPLANTATION QUE PENDANT LA DIFFUSION THERMIQUE. LA COMBINAISON IMPLANTATION-DIFFUSION EST EGALEMENT PROPOSEE COMME UNE METHODE ALTERNATIVE CAR ELLE PERMET DE REDUIRE DE FACON NOTABLE LA TEMPERATURE DE DIFFUSION DES IMPURETES ET DE CONTROLER PRECISEMENT LA POSITION ET LA CONCENTRATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON. DANS CETTE THESE, L'INFLUENCE DES DEFAUTS, INTRODUITS PAR IMPLANTATION IONIQUE OU IRRADIATION AUX ELECTRONS, SUR LA DIFFUSION DU PLATINE A ETE ETUDIE. LA PRINCIPALE METHODE DE CARACTERISATION UTILISEE EST LA SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS OU DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). CETTE METHODE PERMET DE DETERMINER LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DEFAUTS AINSI CREES ET DU PLATINE DIFFUSE. ON OBSERVE QUE LES DEFAUTS, PRODUITS PAR L'IRRADIATION AUX ELECTRONS OU PAR IMPLANTATION IONIQUE DE PROTONS OU DE PARTICULES ALPHA, SONT DECORES PAR LE PLATINE. CE RESULTAT PEUT ETRE EXPLIQUE EN INVOQUANT LES MECANISMES DE DIFFUSION DE TYPE KICK-OUT ET DE FRANK-TURNBULL. AU-DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE DIFFUSION DE 600C ON NE DETECTE AUCUN ATOME DE PLATINE DIFFUSE. CEPENDANT DE NOUVEAUX DEFAUTS, LIES A LA PRESENCE D'INTERSTITIELS, SURGISSENT DANS LE SPECTRE DLTS. ENFIN DES IMPLANTATIONS DE SILICIUM ET DES IRRADIATIONS AUX ELECTRONS DANS DES SUBSTRATS A TEMPERATURES ELEVES ONT ETE REALISEES AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LA NATURE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION/IRRADIATION.

Download or read book D fauts induits par l implantation d h lium dans les mat riaux base silicium written by Erwan Oliviero and published by . This book was released on 2001 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les défauts introduits par l'implantation d'hélium dans le silicium et dans le carbure de silicium ont été étudiés par MET (Microscopie Electronique en Transmission). Des techniques complémentaires comme la desorption d'hélium (THDS) et la DRX (Diffraction des Rayons-X) ont également été utilisées. Nous avons observé que dans le cas d'implantations à forte énergie (MeV), de nombreux défauts étendus de type interstitiel sont crées parallèlement à la formation des bulles. Nous avons montré que la formation des bulles dépend fortement du flux et que le taux de production des lacunes est un paramètre déterminant. Les effets du temps de recuit et de la température d'implantation ont également été étudiés. Dans le carbure de silicium, la formation de bulles se produit dans une zone amorphe et l'évolution en cavités a été étudiée en fonction de divers recuit. Une étude par THDS des précurseurs des bulles est également présentée.

Download or read book Contribution l tude des dommages induits par les ions lourds de grande nergie dans les films d oxyde de silicium thermique written by Marie-Claude Busch and published by . This book was released on 1992 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE LES DOMMAGES INDUITS PAR LES IONS LOURDS DE GRANDE ENERGIE (E>1 MEV/UMA) DANS LES COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM (SIO#2) THERMIQUE. L'ANALYSE STRUCTURALE DE FILMS D'OXYDE IRRADIES A MIS EN EVIDENCE LA FORMATION DE DEFAUTS PONCTUELS DUE A LA RUPTURE DE LIAISON SI-O AINSI QUE DES DISTORSIONS DU RESEAU SIO#2 ENTRAINANT DE FORTES CONTRAINTES AU NIVEAU DES LIAISONS. L'EFFET LE PLUS REMARQUABLE EST UNE DIMINUTION DE LA VALEUR MOYENNE DES ANGLES INTER-TETRAEDRIQUES SI-O-SI CORRELEE A UNE DENSIFICATION IMPORTANTE DES COUCHES D'OXYDE. L'ENDOMMAGEMENT DE LA STRUCTURE DE L'OXYDE DEPEND DU POUVOIR D'ARRET ELECTRONIQUE DE L'ION INCIDENT ET DE LA FLUENCE D'IRRADIATION. LA SPECTROMETRIE INFRAROUGE NOUS A PERMIS DE DETERMINER LA SECTION EFFICACE D'ENDOMMAGEMENT ET DE RAYON DES TRACES DANS LES FILMS D'OXYDE POUR CHAQUE ION. NOUS AVONS EGALEMENT CONSTATE UNE DEGRADATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES D'OXYDE IRRADIEES, SE TRADUISANT PAR UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE ET PAR LA CREATION DE CHARGES POSITIVES PIEGEES DANS L'OXYDE. CES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS ONT ETE ATTRIBUES RESPECTIVEMENT A DES CENTRES PARAMAGNETIQUES PB ET E. FINALEMENT, DES ANALYSES DU SILICIUM SOUS-JACENT ONT FAIT APPARAITRE LA PRESENCE DE DEFAUTS DU TYPE LACUNE-INTERSTICIEL, DONT LA CONCENTRATION AUGMENTE AVEC LA FLUENCE D'IRRADIATION ET QUI AGISSENT COMME CENTRES DE COMPENSATION DU DOPANT

Download or read book Etude des m canismes de rupture du silicium induits par l implantation ionique d hydrog ne dans le cadre de la technologie Smart Cut TM written by Sébastien Personnic and published by . This book was released on 2007 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie Smart Cut est un procédé d’élaboration de films minces et de substrats SOI basé sur l’implantation ionique d’ions légers dans le matériau (H+). Lors d’un traitement thermique, les défauts étendus hydrogénés nucléés durant l’implantation se développent, conduisant à la formation d’une ligne de fissuration dans le matériau et au transfert du film mince. Les travaux de thèse ont consisté à étudier l’étape de rupture du silicium liée au developpement de ces défauts structuraux sous activation thermique. Les mécanismes physico-chimiques clés impliqués dans la rupture du silicium ont pu être décrits ou quantifiés. Ils ont permis de mettre en évidence un mécanisme global de transfert de films minces et les différents modes de croissance des défauts étendus hydrogénés. Suite à l’analyse du silicium implanté et recuit, des modèles permettant de prévoir le développement des micro-fissures et d’optimiser la technologie Smart Cut ont été proposés.