Download or read book CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by FRANCOIS.. ROY and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DE L'EVOLUTION EN FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE, BASEE SUR L'EVOLUTION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE, A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: LA CREATION DE LIAISONS BRISEES DANS LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR ET CORRESPONDANT A LA DISTRIBUTION DES NIVEAUX LOCALISES T3 DANS LA BANDE INTERDITE DU A-SI:H; L'AUGMENTATION DES ETATS DE SURFACE A L'INTERFACE SIO2/A-SI:H; L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CARACTERISTIQUE DE LA DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS DE QUEUE DE BANDE. LE CHOIX DE LA PROCEDURE EXPERIMENTALE A PERMIS DE MONTRER QUE LE PROCESSUS: EST NON ACTIVE THERMIQUEMENT, INDUIT PAR LES PORTEURS LIBRES ACCUMULES DANS LE CANAL SOUS EFFET DE CHAMP ET QUE LA CINETIQUE DE CE MECANISME SUIT UNE LOI EN "TEMPS **(1/3"). PAR AILLEURS, L'ETUDE D'UN TRANSISTOR AMBIPOLAIRE MONTRE QUE LA DEGRADATION SOUS CONTRAINTE ELECTRIQUE EST UNE COMPOSANTE DE L'EFFET STAEBLER-WRONSKI. L'ACCUMULATION D'ELECTRONS LIBRES OU DE TROUS LIBRES CONDUIT, INDEPENDAMENT, A L'AUGMENTATION DES LIAISONS BRISEES

Download or read book Simulation numerique et caracterisation d effets bidimensionnels dans les transistors en couches minces a base de silicium amorphe hydrogene written by Sandrine Martin and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DE TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by Thierry Leroux and published by . This book was released on 1984 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UN MODELE ANALYTIQUE DU COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ANALYSE BASEE SUR L'HYPOTHESE D'UNE DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS LOCALISES EN BORD DE BANDE PERMET D'EN EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES. PAR AILLEURS, LES EXPRESSIONS DEVELOPPEES SONT CONFRONTEES AUX RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS GRACE A DIVERSES METHODES DE CARACTERISATION (MESURES STATIQUES, ETUDE DE CAPACITES MIS, MESURE DE LA REPONSE DU TCM EN REGIME TRANSITOIRE,...), CE QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER TOUS LES PARAMETRES INTERVENANT DANS LE MODELE. LE DERNIER CHAPITRE DE CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE QUELQUES APPLICATIONS DU MODELE PRESENTE ( ETUDE D'INVERSEURS NONEE, SIMULATION) ET EN DEMONTRE L'UTILITE.

Download or read book Contribution l tude du fonctionnement statique et dynamique de transistors couches minces base de silicium amorphe hydrog n written by Thierry Leroux and published by . This book was released on 1984 with total page 205 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UN MODELE ANALYTIQUE DU COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ANALYSE BASEE SUR L'HYPOTHESE D'UNE DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS LOCALISES EN BORD DE BANDE PERMET D'EN EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES. PAR AILLEURS, LES EXPRESSIONS DEVELOPPEES SONT CONFRONTEES AUX RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS GRACE A DIVERSES METHODES DE CARACTERISATION (MESURES STATIQUES, ETUDE DE CAPACITES MIS, MESURE DE LA REPONSE DU TCM EN REGIME TRANSITOIRE,...), CE QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER TOUS LES PARAMETRES INTERVENANT DANS LE MODELE. LE DERNIER CHAPITRE DE CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE QUELQUES APPLICATIONS DU MODELE PRESENTE ( ETUDE D'INVERSEURS NONEE, SIMULATION) ET EN DEMONTRE L'UTILITE

Download or read book CONTRIBUTION A L ANALYSE PHYSIQUE DU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ALAIN.. ROLLAND and published by . This book was released on 1993 with total page 16 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE MEMOIRE, NOUS PRESENTONS UN MODELE ANALYTIQUE SIMPLE DU FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. NOUS MONTRONS QU'IL EST INDISPENSABLE DE PRENDRE EN COMPTE LA CONTRIBUTION DES ETATS PROFONDS (LIAISONS PENDANTES) POUR ETABLIR LES RELATIONS COURANT TENSION, EN PARTICULIER DANS LE REGIME DE FAIBLE ACCUMULATION. LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE ET A LA QUALITE DE L'INTERFACE SUBSTRAT-SEMICONDUCTEUR SONT ANALYSES AU PLAN EXPERIMENTAL A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES SUR DES STRUCTURES MIS ET SUR DES TFT POUR DIFFERENTES EPAISSEURS DE LA COUCHE SEMICONDUCTRICE AINSI QU'AU PLAN THEORIQUE A PARTIR D'UNE APPROCHE NUMERIQUE. ENFIN UNE DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL EST CONSACREE A UN EXEMPLE D'UTILISATION DU MODELE PROPOSE POUR LE TFT DANS LE CADRE DE L'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES A MATRICE ACTIVE DE TRANSISTORS

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by PHILIPPE.. VITROU and published by . This book was released on 1995 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE (TFT A-SI:H). DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS NOUS INTERESSONS A LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME CONTINU. NOUS DEFINISSONS DIFFERENTS PRINCIPES EXPERIMENTAUX PERMETTANT DE MESURER LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL ET NOUS LES UTILISONS POUR CARACTERISER LA STABILITE ELECTRIQUE DE NOS ECHANTILLONS DANS DE LARGES PLAGES DE TENSION ET DE TEMPERATURE. GRACE A UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE NOUS ETUDIONS, DE MANIERE THEORIQUE, L'INFLUENCE D'UNE TENSION DE CONTRAINTE SUR LA MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS PROFONDS DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE ET SUR LA CARACTERISTIQUE DE TRANFERT D'UN TFT. EN TENANT COMPTE DE L'ASPECT TRANSISTOIRE DE LA MODIFICATION DE DENSITE D'ETATS, NOUS MONTRONS QUE LES DECALAGES DE TENSION DE SEUIL OBSERVES A LA SUITE D'UNE CONTRAINTE POSITIVE ET D'UNE FAIBLE CONTRAINTE NEGATIVE SONT DUS RESPECTIVEMENT A UNE CREATION ET UNE GUERISON DE DEFAUTS DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE. D'AUTRE PART, DANS LE CAS D'UNE FORTE CONTRAINTE NEGATIVE, NOUS MONTRONS QU'AU MECANISME DE MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS EVOQUE PRECEDEMMENT, SE SUPERPOSE UNE INJECTION DE TROUS DANS L'ISOLANT DE GRILLE. ENFIN, UNE DEUXIEME PARTIE, PLUS APPLIQUEE A L'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES, CONCERNE L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME DYNAMIQUE. NOUS ETABLISSONS UN MODELE PERMETTANT D'OBTENIR UNE LOI PREDICTIVE DE LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL DANS CE REGIME DE FONCTIONNEMENT. NOUS VALIDONS UN TEST DE VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE ACCELERE QUI PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT A LONG TERME DES TFTS ET D'ESTIMER LA DUREE DE VIE DE NOS ECRANS EN TERME DE DERIVE DES TRANSISTORS

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ABDELMAJID.. EL GHARIB and published by . This book was released on 1989 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST LA REALISATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN A EMETTEUR ENTIEREMENT CONSTITUE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE. MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE FABRICATION. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES PREMIERS TRANSISTORS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: L'EFFET TRANSISTOR, UN GAIN EN COURANT DE 150 AYANT ETE ATTEINT; LA NECESSITE DE DIMINUER LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H DOPE. OBTENTION D'UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET D'UNE MEILLEURE CONDUCTIVITE EN JOUANT SUR LES PARAMETRES DE DEPOT. UN MODELE SIMPLE DE CONDUCTION A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES PARAMETRES PHYSIQUES IMPORTANTS QUI PEUVENT AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. DE NOUVEAUX TRANSISTORS ONT ETE FABRIQUES EN TENANT COMPTE DE CES RESULTATS. L'ANALYSE DE LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE MONTRE QUE LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H JOUE UN ROLE PREPONDERANT. UNE ETUDE EN FONCTION DU DOPAGE DE LA BASE A MONTRE QUE LES GAINS OBTENUS ETAIENT SYSTEMATIQUEMENT SUPERIEURS A LEUR CONTREPARTIE A EMETTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN

Download or read book Etude d tats localis s du silicium amorphe hydrog n et de leur stabilit par des mesures de courants thermostimul s dans des transistors couches minces written by Didier Gufflet and published by . This book was released on 1988 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PREMIER CHAPITRE RAPPELLE LES GENERALITES CONCERNANT LE SILICIUM AMORPHE, LES TRANSISTORS COUCHES MINCES ET LEURS APPLICATIONS. LE CHAPITRE 2 EXPOSE LE PRINCIPE ET LA THEORIE DES MESURES PAR COURANTS THERMOSTIMULES AINSI QUE LE DISPOSITIF EXPERIMENTAL NECESSAIRE POUR REALISER LES MESURES. LE CHAPITRE 3 CONCERNE LES PRINCIPALES INFORMATIONS SUR LES ETATS LOCALISES DU A-SI:H OBTENUS APRES MESURES; EN PARTICULIER LES ETATS DE QUEUE DE BANDES DE CONDUCTION ET LES ETATS ASSOCIES AUX LIAISONS PENDANTES. DANS LE DERNIER CHAPITRE, ON S'INTERESSE A LA STABILITE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES

Download or read book AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by MUSTAPHA.. SAHNOUNE and published by . This book was released on 1991 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST L'AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE ET LA MODELISATION DU COURANT BASE D'UNE TELLE STRUCTURE. AYANT ANALYSE ET REUSSI A DISCRIMINER LES POINTS TECHNOLOGIQUES IMPORTANTS INFLUENCANT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE, EN PARTICULIER LA QUALITE DES OXYDES D'ISOLATION ET DE LA BASE MONOCRISTALLINE AVANT DEPOT ET LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H, NOUS AVONS PU AMELIORER LE PROCEDE DE REALISATION. AINSI NOUS AVONS OBTENU DE MEILLEURES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS, TOUT PARTICULIEREMENT UN GAIN EN COURANT DE L'ORDRE DE 1400 POUR UN NOMBRE DE GUMMEL DANS LA BASE DE 2,4.10#1#1 S.CM##4 ET UN COEFFICIENT D'IDEALITE DE L'ORDRE DE 1,5 POUR LE COURANT BASE DE L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE. POUR CE FAIRE, NOUS AVONS FAIT APPEL A UN MODELE SEMI-ANALYTIQUE DU COURANT BASE DU TRANSISTOR QUI A PERMIS D'OBTENIR UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURANTS SIMULES ET EXPERIMENTAUX. L'ANALYSE DES EFFETS DES ETATS D'INTERFACES A L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE SUR LE COURANT I#B, ET DONC SUR LE FACTEUR D'IDEALITE, A PERMIS DE CONFIRMER UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS ELECTRIQUES ET DONC D'ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES CRITIQUES SUR LES PERFORMANCES DU COMPOSANT

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN written by FRANCIS.. PETINOT and published by . This book was released on 1998 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONTRIBUE A LA COMPREHENSION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT) EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN VUE DE LEUR INTEGRATION DANS UNE MATRICE ACTIVE D'ECRAN LCD. DEUX POINTS SONT PARTICULIEREMENT ETUDIES : L'HYDROGENATION DES TFTS ET LES MECANISMES DE DEGRADATION DE CE COMPOSANT. APRES AVOIR EXPOSE LE CONTEXTE INDUSTRIEL DE L'ETUDE, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DU TFT EN SILICIUM POLYCRISTALLIN SONT PRESENTEES. L'INFLUENCE DE LA DENSITE D'ETATS DE VOLUME DANS LA COUCHE ACTIVE POLYCRISTALLINE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR Y EST ETUDIEE. ON DEVELOPPE ENSUITE L'ETAPE DE POST-HYDROGENATION DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN. APRES UNE OPTIMISATION DE CETTE ETAPE PAR PLASMA (RADIOFREQUENCE OU MICROONDE) ET DES RAPPELS SUR L'INTERACTION DE L'HYDROGENE AVEC LES DEFAUTS DANS LE SILICIUM, LE MECANISME DE DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LA STRUCTURE DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN EST DEVELOPPE EN CORRELANT DES ANALYSES SIMS ET DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SUR DES TRANSISTORS DE GEOMETRIES ET DE NATURES DIFFERENTES. L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN REGIME SATURE, EST INTRODUITE PAR UNE ANALOGIE COMPORTEMENTALE AVEC LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN. APRES AVOIR PRESENTE DEUX MODELES RELATIFS A LA DEGRADATION DANS LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN ET A L'EFFET KINK DANS LES STRUCTURES MOS SUR ISOLANT, L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES DU TRANSISTOR (HYDROGENATION, LONGUEUR DE GRILLE, TYPE DU TRANSISTOR, PRESENCE DE LDD ET CRISTALLINITE DE LA COUCHE ACTIVE) SUR SA STABILITE ELECTRIQUE Y EST DEVELOPPEE. LES CONDITIONS DE POLARISATION DES TFTS POUR OBTENIR UN FONCTIONNEMENT STABLE SONT PRESENTEES POUR LES DIFFERENTS TYPES DE TFT.

Download or read book Caract risation optique du silicium amorphe hydrog n semi conducteur written by Jérôme Perrin and published by . This book was released on 1978 with total page 149 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A BASE DE COUCHES LANGMUIR BLODGETT CONDUCTRICES written by LAURENT.. AGUILHON and published by . This book was released on 1996 with total page 124 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'UTILISATION DE MATERIAUX ORGANIQUES COMME COUCHE ACTIVE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES A SUSCITE CES DERNIERES ANNEES UN REEL INTERET. LA SIMPLICITE ET LE FAIBLE COUT DES TECHNIQUES MISES EN JEU LAISSE ENTREVOIR DE NOMBREUSES APPLICATIONS TELLES QUE DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES, DES CAPTEURS DE GAZ, OU ENCORE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP. TOUTEFOIS LES VALEURS DE MOBILITE RENCONTREES DANS LES MATERIAUX ORGANIQUES CONDUCTEURS (DE L'ORDRE DE 10#-#4 CM#2/V.S) RESTENT ENCORE FAIBLES PAR RAPPORT A CELLES DU SILICIUM AMORPHE OU DU SILICIUM HYDROGENE (DE L'ORDRE DE 10 CM#2/V.S), ET FREINENT LE DEVELOPPEMENT DE CES APPLICATIONS. L'ETUDE PRESENTEE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A BASE DE COUCHES LANGMUIR-BLODGETT D'EDT-TTF(SC#1#8)#2. APRES AVOIR JUSTIFIE DU CHOIX DE LA CONDUCTANCE DE DRAIN COMME PARAMETRE D'ETUDE, LES TENDANCES GENERALES CONCERNANT LES RESEAUX DE CARACTERISTIQUES OBTENUS SONT PRESENTEES, CE QUI PERMET NOTAMMENT DE METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE DE PIEGES STATIQUES ET DYNAMIQUES A L'INTERFACE. LA SUITE DE L'ETUDE PORTE PLUS PARTICULIEREMENT SUR LES PROBLEMES DE VIEILLISSEMENT ET DE STABILITE ELECTRIQUE. UNE INTERPRETATION PHENOMENOLOGIQUE DES MECANISMES DE COMMANDE ET DE CONDUCTION DANS LES COUCHES, BASEE D'UNE PART SUR LA PRESENCE DE NIVEAUX ACCEPTEURS DANS LE CANAL DE CONDUCTION, D'AUTRE PART SUR L'HYPOTHESE DE JOINTS DE GRAIN QUI SE DILATENT OU SE RETRACTENT SOUS L'EFFET DE LA TEMPERATURE, EST PROPOSEE ET, FIN DE MANUSCRIT

Download or read book Mod lisation physique et compacte de transistors en couches minces base de silicium amorphe ou microcristallin written by Jong Woo Jin and published by . This book was released on 2012 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le but de développer un modèle compact spécifique aux transistors en couches minces (TFT) à base de silicium amorphe ou microcristallin, nous présentons dans ce manuscrit nos études sur l'optimisation des modèles compacts et des méthodes d'extraction des paramètres et, surtout, différents phénomènes présents dans la physique de ces TFTs. Nous proposons une méthode plus robuste d'extraction des paramètres, qui, différemment des méthodes conventionnelles, ne néglige pas la résistance d'accès, diminuant ainsi la subjectivité du procédé de l'extraction. La résistance d'accès dans les différentes structures a été analysée. Pour la structure top-gate coplanar, nous nous sommes focalisés sur des raisons géométriques pour montrer la dépendance de la résistance d'accès en tension de grille. Pour la structure bottom-gate staggered, nous avons introduit l'approche de transport-diffusion au modèle de current crowding, en prouvant la dépendance en tension de grille et en courant en raison de la diffusion des électrons. Le comportement dynamique a été étudié en couplant mesures expérimentales et simulations par éléments finis, en associant les capacités intrinsèques des TFTs avec le temps de retard d'allumage. Nous avons observé l'évolution temporelle du canal lors de sa création ou de sa disparition et nous avons ainsi proposé un modèle qui décrit sa propagation dans un TFT. Nous avons enfin étudié le phénomène de vieillissement des TFTs et nous avons mis en évidence la localisation de la dégradation et de la relaxation dans un TFT sous un stress électrique avec la tension de drain non-nulle.

Download or read book TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU written by Laurent Pichon and published by . This book was released on 1993 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT ETE REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (600C) AVEC DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE: UN OXYDE THERMIQUE SUIVI D'UN DEPOT LPCVD DE NITRURE (SI#3N#4) (LOTS A ET B#1), OU UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOTS B#2 ET C). LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS DU PREMIER LOT (LOT A) MET EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE L'ETAT DE SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE APRES GRAVURE PLASMA SUR LA QUALITE DES CONTACTS SOURCE ET DRAIN AINSI QU'UN EFFET DE PIEGEAGE DES PORTEURS CHAUDS A L'INTERFACE SIO#2/SI#3N#4. COMPTE TENU DE CES OBSERVATIONS NOUS AVONS REALISE UN DEUXIEME LOT DE TRANSISTORS AVEC LES DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE. L'ISOLATION BICOUCHE DE LA GRILLE (-OXYDE+NITRURE-LOT B#1) CONDUIT A DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS GRACE A UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACES MOINS ELEVEE. TOUTEFOIS, L'ISOLATION ELECTRIQUE EST MOINS BONNE QUE CELLE OBTENUE PAR UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOT B#2). APRES HYDROGENATION, LES TRANSISTORS DU LOT B#2 PRESENTENT DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES QUE CEUX DU LOT B#1 MAIS LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT RESTE ENCORE ELEVE. UNE REDUCTION DE CE COURANT EST OBTENUE GRACE A UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN SUR DES TRANSISTORS DONT L'ISOLANT DE GRILLE EST DU SIO#2 APCVD (LOT C). NOUS ANALYSONS LES EFFETS DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DU DRAIN ET DE LA GRILLE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS HYDROGENES DES LOTS B#2 ET C. D'UNE PART, NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME DE CONDUCTION A L'ETAT PASSANT OBEIT AU MODELE DE PIEGEAGE DES PORTEURS ET D'AUTRE PART QUE LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT EST DU A DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION DE PORTEURS A PARTIR DES JOINTS DE GRAINS: EMISSION THERMIQUE PURE FAVORISEE OU NON PAR L'EFFET POOLE-FRENKEL, EMISSION THERMOELECTRONIQUE ASSISTEE PAR CHAMP, EMISSION PAR EFFET TUNNEL PUR. NOUS METTONS AINSI EN EVIDENCE QU'UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN CONDUIT A UNE REDUCTION DE L'EMISSION THERMIQUE PURE

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDALLAH.. SAKRI and published by . This book was released on 1989 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'IDENTIFIER L'ORIGINE DU COURANT DE FUITE QUI SE MANIFESTE A L'ETAT BLOQUANT DANS LES STRUCTURES MOS EN COUCHES MINCES (TFT) REALISEES DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, DEUX SERIES DE STRUCTURES N+NN+ ONT ETE FABRIQUEES AVEC CE MATERIAU. LES COUCHES DEPOSEES EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD) ONT ETE DIVERSEMENT DOPEES PAR IMPLANTATION IONIQUE. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS ET DE CELLES DE SIMPLES COUCHES-TEMOINS AYANT SUBI LES MEMES TRAITEMENTS THERMIQUES QUE CEUX-CI, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE JOUE DANS LA TRANSMISSION DU COURANT DE FUITE PAR LA ZONE FORTEMENT PERTURBEE A PARTIR DE LAQUELLE CROISSENT LES GRAINS COLUMNAIRES, QUI FORMENT LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE COURANT DE FUITE: RESTE INDEPENDANT DE LA POLARISATION DE LA GRILLE TANT QUE LE NIVEAU DE CELLE-CI RESTE FAIBLE, DEPEND EN REVANCHE DU DOPAGE ET DES CONDITIONS DE DEPOT, NE DEPEND PAS DE FACON SIGNIFICATIVE DE L'EPAISSEUR (90 A 300 NM) DU FILM SIPOLY

Download or read book FABRICATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM GERMANIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD APPLICATION AUX TRANSISTORS FILMS MINCES written by DENIS.. GUILLET and published by . This book was released on 2000 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM-GERMANIUM NON DOPE DEPOSEES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION). L'OBJECTIF FINAL EST DE SAVOIR SI DE TELLES COUCHES PEUVENT SERVIR DANS LE MONDE DE LA MICROELECTRONIQUE (C'EST-A-DIRE S'INTEGRER DANS DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES EN TANT QUE COUCHES ACTIVES) DANS LE BUT PAR EXEMPLE DE DIMINUER LE BUDGET THERMIQUE. UNE PREMIERE PARTIE EST DONC CONSACREE A LA FABRICATION DES COUCHES EN UTILISANT COMME GAZ DU SILANE ET DU GERMANE DILUE DANS L'HYDROGENE. NOUS AVONS ALORS ETUDIE L'INFLUENCE SUR LES VITESSES DE CROISSANCE AINSI QUE SUR LEUR ENERGIE D'ACTIVATION DES FLUX DE GAZ, DE LA PRESSION TOTALE DANS LE FOUR DE DEPOT, DE LA TEMPERATURE ET DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS LES COUCHES. IL S'AVERE QUE LA PRESENCE DE GERMANIUM MODIFIE LES CINETIQUES DE DEPOT ET IL S'ENSUIT, DANS NOTRE GAMME D'ETUDE, QUE LA VITESSE EST MULTIPLIEE PAR UN FACTEUR ALLANT JUSQU'A 5 PAR RAPPORT A DES DEPOTS DE SILICIUM. DANS UNE SECONDE PARTIE, NOUS NOUS INTERESSONS AUX CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE CES COUCHES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES DEPOSEES AMORPHES EST D'ABORD ETUDIEE. ENSUITE, L'ETUDE ELECTRIQUE NOUS MONTRE QUE, SELON LES CONDITIONS DE REALISATION DES FILMS, DES RESISTIVITES SUR UNE GAMME DE QUELQUES 10 .CM A 10 5 .CM SONT OBTENUES. ON A CONCLU A LA PRESENCE D'UNE DISTRIBUTION D'ETATS ACCEPTEURS DANS LA BANDE INTERDITE. CETTE DISTRIBUTION, CERTAINEMENT DUE AU GERMANIUM, PROVOQUE UNE DISPERSION SUR LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES AMORPHES PUIS RECUITES. L'ULTIME PARTIE CONSISTE A FABRIQUER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AVEC DU SILICIUM-GERMANIUM COMME COUCHE ACTIVE. IL S'AVERE QUE LES RESULTATS RESTENT INSUFFISANTS PAR RAPPORT A CEUX QUE L'ON

Download or read book Etude des propri t s des transistors en couches minces base de silicium microcristallin pour des applications d cran plats matrice active written by Maher Oudwan and published by . This book was released on 2007 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but d'étudier les mécanismes du courant de drain en régime bloqué dans les transistors en couches minces (TFT) à base de silicium microcristallin (~c-Si:H), ainsi que ceux de la dérive de la tension de seuil. Pour cela nous avons fabriqué des TFT en ~c-Si:H. Nous avons déterminé les mécanismes du courant en régime bloqué pour les champs électriques modérés: il s'agit de la :onduction de type Poole Frenkel, et pour les forts champs, c'est un courant de type effet tunnel bande 3 bande. Nous avons identifié un phénomène de courant parasite en régime bloqué qui s'ajoute au :ourant intrinsèque, et qui est spécifique aux TFT en ~c-Si:H. Il provient d'une contamination en )xygène pendant le procédé de fabrication. L'oxygène, présent sur le canal arrière, diffuse et/ou s'active Jendant la passivation finale en SiNx et dope le canal arrière. Une solution pour réduire ce courant Jarasite est d'ajouter une couche de silicium amorphe au dessus du ~c-Si:H pour protéger le canal 3rrière, ou bien de diminuer la température de dépôt du ~c-Si:H. Concernant la dérive de tension de ;euil, nous avons pu établir que le piégeage de charges dans le SiNx est le mécanisme dominant.