Download or read book Utilisation d un modele quasi bidimensionnel pour la simulation d un transistor a effet de champ en regime de fonctionnement non lineaire written by François Kapche Tagne and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Utilisation d un mod le quasi bidimensionnel pour la simulation d un transistor effet de champ en r gime de fonctionnement non lin aire written by François Kapche Tagne and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La conception des circuits mmics necessite la modelisation des elements actifs et passifs. Si les proprietes des elements passifs sont en general connues avec une bonne precision, il n'est pas de meme pour les elements actifs et particulierement des transistors. Au laboratoire, des travaux anterieurs ont permis le developpement du logiciel de simulation nomme helena pour hemt electrical properties and noise analysis. Helena dans sa version originale se limitait a l'etude du composant en regime de fonctionnement lineaire. Or les transistors travaillent egalement en regime de fonctionnement non lineaire. L'objectif de ce travail consiste a etudier la modelisation non lineaire des mesfet et des hemt en utilisant un modele quasi-bidimensionnel. Les methodes de modelisation de composants non lineaire pouvant etre experimentales et theoriques, nous avons essaye d'utiliser ces deux approches. Pour atteindre cet objectif, nous avons organise le memoire en trois chapitres. Le premier chapitre est consacre a la modelisation statique, petit signal et non lineaire des mesfet et des hemt. Pour l'etude non lineaire, nous avons modelise les variations des elements du schema equivalent non lineaire en fonction des tensions vds et vgs par des expressions mathematiques empiriques. Le second chapitre presente le logiciel dans sa version commercialisee par la societe artech house. Dans cette version, nous avons introduit des modeles non lineaires des caracteristiques statiques courant tension. Le troisieme chapitre est consacre a la modelisation temporelle des mesfet et des hemt. Apres avoir decrit les methodes theoriques de modelisation de composants non lineaire, nous avons presente les equations physiques qui decrivent le composant. Ces equations sont resolues en utilisant l'approximation quasi-bidimensionnelle.

Download or read book Mod lisation quasi bidimensionnelle de transistors effet de champ written by Yves Butel and published by . This book was released on 1997 with total page 244 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le developpement ou l'amelioration des nouvelles filieres de transistors a effet de champ hyperfrequences ne peut s'envisager sans l'appui de la modelisation physique qui permet la predetermination des caracteristiques et l'optimisation des structures. Le travail que nous presentons a pour objet l'elaboration d'un modele physique quasi bidimensionnel capable de traiter des regimes specifiques tels que le claquage par avalanche ou l'etude de circuits en regime temporel. Dans la premiere partie, les differents types de composants susceptibles d'etre utilises pour l'amplification de puissance hyperfrequence sont presentes. Dans chacun des cas, l'accent est porte sur les principales limitations rencontrees dans ce type d'application. Les differents outils de simulation physique sont ensuite presentes afin de mettre en evidence les avantages lies au modele quasi bidimensionnel que nous avons utilise. Dans la partie suivante, nous decrivons la methodologie mise en oeuvre pour l'etude du claquage par avalanche, un des phenomenes les plus limitatifs pour l'amplification de puissance hyperfrequence. L'influence des principaux parametres technologiques (longueur de grille, geometrie du recess, caracteristiques de l'epitaxie) est envisagee. La validation des resultats est obtenue en les comparant a ceux issus d'autres modeles physiques ou a des mesures impulsionnelles. Le modele mis au point peut facilement etre adapte a l'etude de composants de filieres differentes. Enfin, la derniere partie de ce travail est consacree au couplage d'un nouveau modele physique de transistor a effet de champ avec un modele de circuit permettant une analyse en regime temporel. Apres la description du modele que nous avons elabore, sa mise en oeuvre est presentee en traitant differents types de dispositifs.

Download or read book MODELISATION ANALYSE ET SIMULATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP AU MOYEN D INEQUATIONS QUASI VARIATIONNELLES written by FRANCOIS.. LEFEVRE and published by . This book was released on 1998 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS CONSTRUISONS DANS CETTE THESE UN MODELE AVEC INEQUATION QUASI-VARIATIONNELLE (IQV) POUR LE TRANSISTOR MODFET. POUR CELA, ON SUPPOSE QUE LA DENSITE ELECTRONIQUE EST BORNEE ET QU'ELLE EST CONSTANTE DANS CERTAINES REGIONS. CES SIMPLIFICATIONS S'APPLIQUENT A L'EQUATION DE POISSON QUI DEVIENT ALORS LINEAIRE VIS A VIS DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE. LA MODELISATION AVEC IQV MAINTIENT BIEN LE COUPLAGE AVEC L'EQUATION DE CONTINUITE DU COURANT. PAR LE THEOREME DE SCHAUDER, NOUS MONTRONS L'EXISTENCE DE SOLUTIONS DANS H#1() C#0() POUR L'IQV DU TRANSISTOR MESFET. EN OUTRE, CES SOLUTIONS POSSEDENT LA REGULARITE W#2#,#Q() OU 1

Download or read book Simulation hydrodynamique bidimensionnelle des transistors effet de champ gaz bidimensionnel d lectrons written by Khaled Sherif and published by . This book was released on 1994 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est relatif a des developpements originaux d'une methode de simulation numerique bidimensionnelle de transistors a effet de champ a gaz bidimensionnel d'electrons (hemt). L'objectif poursuivi est, grace a l'utilisation de ce modele, d'ameliorer la comprehension du fonctionnement physique de ces composants et de faciliter leur optimisation en vue d'une utilisation comme elements de puissance microondes. En effet, vu le grand nombre de parametres a considerer, seule une simulation physique precise permet d'apporter des elements decisifs pour cette optimisation. Le modele est base sur la resolution numerique bidimensionnelle des equations generales dites hydrodynamiques dans les semiconducteurs. L'auteur y introduit la prise en compte de nouveaux effets tels que ceux lies a la quantification, l'ionisation par choc et l'avalanche. Ce modele a ete utilise d'une part pour une comparaison des performances et des caracteristiques des hemt conventionnels et des hemt pseudomorphiques (couches actives en gainas). Pour ces derniers, l'influence d'un grand nombre de parametres technologiques a ete etudiee (longueur de grille, configuration de la zone creusee, etc). L'auteur a montre qu'il existait des oscillations parasites dans les structures planaires qui peuvent apporter des limitations importantes aux performances de ces composants et, pour la premiere fois pour ce type de modele, a mis en evidence clairement les phenomenes de claquage lies aux effets d'ionisation par choc et d'avalanche.

Download or read book Simulation Monte Carlo dibimensionnelle de transistors effet de champ grille isol e sur h t rostructures III V written by Karim Bellahsni and published by . This book was released on 1991 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce travail, un modèle Monte Carlo bidimensionnel, tenant compte du courant grille a été développé afin d'étudier le fonctionnement et de prédire les performances des transistors à effet de champ à hétérojonctions à grille isolée. Le premier chapitre est consacré, d'une part à la présentation générale du composant à grille isolée MIS-LIke-FET AlGaAs/GaAs, de sont intérêt et de ses domaines d'applications et d'autre part, à la description de la méthode de simulation que nous avons mise au point. Une étude complète du fonctionnement d'un composant MIS-LIke-FET AlGa/GaAs autoaligné est effectuée dans le deuxième chapitre. Les différents mécanismes physiques à l'origine de l'effet de résistance différentielle négative sont particulièrement examinés. Dans le troisième chapitre, nous étudions l'influence de nombreux paramètres technologiques sur les performances du MIS-Like-FET AlGaAs/GaAs et principalement sur les conditions d'obtention d'un régime optimal de résistance différentielle négative. Une comparaison théorie-expérience est effectuée. Le quatrième chapitre est consacré à la présentation et à l'étude du fonctionnement du transistor D.M.T. AlGaAs/GaAs qui dérive du MIS-Like-FET AlGaAs/GaAs par l'utilisation d'un canal dopé et qui permet d'obtenir un courant beaucoup plus important que ce dernier. Dans un but prospectif, le cinquième chapitre traite du fonctionnement et des performances des transistors MIS-Like-FET et D.M.T. composés d'hétérostructures AlInAs/GaInAs présentant des propriétés de transport électronique plus intéressantes que AlGaAs/GaAs

Download or read book MODELE ANALYTIQUE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GAZ BIDIMENSIONNEL D ELECTRONS APPLICABLE A LA CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR written by BOUBEKEUR.. ZEMOUR and published by . This book was released on 1993 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'IDEE DIRECTRICE DE CE TRAVAIL EST DE POUVOIR PROPOSER UN MODELE ANALYTIQUE DU HEMT, PRENANT EN COMPTE LE PLUS DE PHENOMENES PHYSIQUES, TOUT EN ALLIANT LA SIMPLICITE NECESSAIRE A L'UTILISATION EN CAO. CE MODELE PERMET DE SIMULER LES VARIATIONS DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU HEMT/TEGFET EN FONCTION DE CERTAINS PARAMETRES GEOMETRIQUES ET PHYSIQUES DE CE COMPOSANT. NOTRE ETUDE EST PARTAGEE EN SEPT PARTIES SUIVIES D'UNE CONCLUSION. LES DEUX PREMIERS CHAPITRES FORMENT UNE INTRODUCTION AU SUJET ET SERVENT A FAIRE APPARAITRE LES PHENOMENES PHYSIQUES ESSENTIELS QUI GOUVERNENT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU HEMT. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, NOUS EXPLIQUONS COMMENT LA CONCENTRATION DU GAZ ELECTRONIQUE BIDIMENSIONNEL PEUT ETRE MODULEE PAR UNE TENSION DE GRILLE. LES CHAPITRES QUATRE ET CINQ CONSTITUENT LE CUR DE L'OUVRAGE. POUR SIMULER LE COURANT PARASITE QUI CIRCULE DANS LA COUCHE D'ALGAAS, SOUS FORTES TENSIONS DE GRILLE, ON INTRODUIT LA NOTION MESFET PARASITE. LE QUATRIEME CHAPITRE SE RAPPORTE A L'ETABLISSEMENT D'UN MODELE ANALYTIQUE PERMETTANT D'OBTENIR LE RESEAU DE CARACTERISTIQUES STATISTIQUES DU HEMT DANS L'HYPOTHESE DES TENSIONS DE GRILLE PAS TROP ELOIGNEES DU PINCEMENT DE SORTE QUE LA COUCHE D'ALGAAS PUISSE ETRE CONSIDEREE TOUJOURS COMPLETEMENT DESERTEE. EN S'INSPIRANT DES MODELES NUMERIQUES BIDIMENSIONNEL DE LA LITTERATURE, JE ME DONNE DES PROFILS DE VARIATIONS TYPES, POUR LE CHAMP ELECTRIQUE LONGITUDINAL, POUR LA VITESSE DES ELECTRONS DANS LE CANAL ET POUR L'EPAISSEUR DU CANAL. DANS LE CHAPITRE CINQ, NOUS AVONS REPRIS L'APPROCHE EFFECTUEE PRECEDEMMENT EN Y INCLUANT LES TENSIONS DE GRILLE POUR LESQUELLES, UN CANAL PARASITE VIENT EN PARALLELE SUR LE CANAL CONSTITUE PAR LE GAZ ELECTRONIQUE DANS LE GAAS. MOYENNANT CERTAINES SIMPLIFICATIONS, ON PEUT REPRENDRE L'EXPRESSION DU CHAPITRE QUATRE, DONNANT LA TENSION DRAIN-SOURCE, EN DECALANT LA TENSION DE GRILLE D'UNE CERTAINE GRANDEUR, A PARTIR D'UN CERTAIN SEUIL. NOUS ETABLISSONS ENFIN LA RELATION DONNANT LA CHARGE SOUS LA GRILLE. LES ELEMENTS PETITS SIGNAUX SONT CALCULES AU CHAPITRE SIX. DANS LE CHAPITRE SEPT, NOUS CONFRONTONS LA THEORIE AVEC L'EXPERIENCE ET VALIDONS AINSI NOTRE MODELE. EN CONCLUSION, NOUS ENVISAGEONS DES EXTENSIONS A NOTRE MODELE

Download or read book Simulation bidimensionnelle du transistor effet de champ AsGa grille submicronique written by Frédéric Héliodore and published by . This book was released on 1987 with total page 42 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Un modèle de résolution bidimensionnelle qui permet une description précise des divers phénomènes intervenant dans le fonctionnement du TEC à grille submicronique. Ce modèle a permis d'analyser les influences du profil de dopage de la couche active, des phénomènes de surface et d'interface couche active-substrat semi-isolant, et de préciser l'intérêt de nouvelles structures à canal enterré (buried channel)

Download or read book Mod lisation non lin aire distribu e des transistors effet de champ written by Alban Laloue and published by . This book was released on 2001 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICRO-ONDES. UNE PREMIERE APPROCHE UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE. D'AUTRE PART, LES SPECIFICATIONS DRACONIENNES IMPOSEES AUX SPECTRES DE BRUIT DES OSCILLATEURS INCLUS DANS LES SYSTEMES ELECTRONIQUES IMPOSENT UNE MODELISATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN BRUIT BASSE FREQUENCE DES COMPOSANTS ACTIFS. EN EFFET, LA PRESENCE DE BRUIT CONVERTI PAR MODULATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE AUTOUR DE LA PORTEUSE DES OSCILLATEURS, CONTRIBUE A L'AUGMENTATION DES TAUX D'ERREURS ET A LA DIMINUTION DE LA SENSIBILITE DES RADARS POUR NE CITER QUE CES DEUX EXEMPLES. UN NOUVEAU MODELE DE TEC DE TYPE DISTRIBUE INCLUANT CES SOURCES DE BRUIT EST DONC DEVELOPPE. LA DEUXIEME PARTIE DE NOS TRAVAUX S'EST ORIENTEE DANS LA MISE AU POINT DE METHODES DE SIMULATION RAPIDES ET PRECISES DU COMPORTEMENT EN BRUIT DES CIRCUITS NON LINEAIRES. LA COMPLEXITE GRANDISSANTE DES CIRCUITS INTEGRES MMIC ENTRAINE UN BESOIN DE METHODES DE SIMULATION DE TYPE SYSTEME. UNE TELLE METHODE A ETE DEVELOPPEE ET NOUS A PERMIS DE SIMULER AVEC PRECISION LA SOURCE MILLIMETRIQUE COMPLETE D'UN RADAR ANTI-COLLISION FONCTIONNANT A 77 GHZ.

Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO ONDES METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Multifunctional Oxide Heterostructures written by Evgeny Y. Tsymbal and published by OUP Oxford. This book was released on 2012-08-30 with total page 416 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book is devoted to the rapidly developing field of oxide thin-films and heterostructures. Oxide materials combined with atomic-scale precision in a heterostructure exhibit an abundance of macroscopic physical properties involving the strong coupling between the electronic, spin, and structural degrees of freedom, and the interplay between magnetism, ferroelectricity, and conductivity. Recent advances in thin-film deposition and characterization techniques made possible the experimental realization of such oxide heterostructures, promising novel functionalities and device concepts. The book consists of chapters on some of the key innovations in the field over recent years, including strongly correlated oxide heterostructures, magnetoelectric coupling and multiferroic materials, thermoelectric phenomena, and two-dimensional electron gases at oxide interfaces. The book covers the core principles, describes experimental approaches to fabricate and characterize oxide heterostructures, demonstrates new functional properties of these materials, and provides an overview of novel applications.

Download or read book AGARD Conference Proceedings written by North Atlantic Treaty Organization. Advisory Group for Aerospace Research and Development and published by . This book was released on 1994 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book An Introduction To Plasmonics written by Olivier Pluchery and published by World Scientific. This book was released on 2023-08-28 with total page 356 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: What is a plasmon? Is it a particle, like a photon or a wave? Plasmonics stands at the frontier of condensed matter physics, which is the world of electrons, optics and of photons. Plasmonics is one of the most active fields in nanophotonics. This book begins by exploring the concepts behind waves, and the electromagnetic description of light when it interacts with metals; it dedicates every chapter thereafter to all aspects of plasmonics. In particular, the surface plasmon polariton wave is explained in full detail, as well as the localized surface plasmon resonance of metallic nanoparticles. The active research area opened by plasmonics, as well as its applications, are also briefly explained, such as advanced biosensing, subwavelength waveguiding, quantum plasmonics, nanoparticle-based cancer therapies, optical nano-antenna and high-efficiency photovoltaic cells.The book is adapted for graduate students and places a special emphasis on providing complete explanations of the fundamental concepts of plasmonics. Further, each of these concepts is illustrated with examples drawn from the most recent scientific literature. Each chapter ends with a set of exercises that will help the reader revise the concepts and go deeper into the world of plasmonics. More than 70 exercises are included.

Download or read book Science Past Science Future written by Isaac Asimov and published by Doubleday Books. This book was released on 1975 with total page 372 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A collection of 43 essays on many subjects, from the various sciences to essays about society.

Download or read book Analyse de la Signature Radar Et de la Vid oscopie de Cibles Militaires written by North Atlantic Treaty Organization. Advisory Group for Aerospace Research and Development. Sensor and Propagation Panel. Symposium and published by . This book was released on 1997 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book TOF Range Imaging Cameras written by Fabio Remondino and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-04-09 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Today the cost of solid-state two-dimensional imagers has dramatically dropped, introducing low cost systems on the market suitable for a variety of applications, including both industrial and consumer products. However, these systems can capture only a two-dimensional projection (2D), or intensity map, of the scene under observation, losing a variable of paramount importance, i.e., the arrival time of the impinging photons. Time-Of-Flight (TOF) Range-Imaging (TOF) is an emerging sensor technology able to deliver, at the same time, depth and intensity maps of the scene under observation. Featuring different sensor resolutions, RIM cameras serve a wide community with a lot of applications like monitoring, architecture, life sciences, robotics, etc. This book will bring together experts from the sensor and metrology side in order to collect the state-of-art researchers in these fields working with RIM cameras. All the aspects in the acquisition and processing chain will be addressed, from recent updates concerning the photo-detectors, to the analysis of the calibration techniques, giving also a perspective onto new applications domains.