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Book   tude par microscopie   lectronique en transmission des d  fauts induits par onde de choc dans le quartz

Download or read book tude par microscopie lectronique en transmission des d fauts induits par onde de choc dans le quartz written by Olivier Goltrant and published by . This book was released on 1992 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les grains de quartz soumis à une onde de choc présentent au microscope optique des lignes de contraste appelées planar déformation features (pdf). Ces défauts se situent dans les plans d'indices 101n avec n=1, 2, 3, 4 ou (plan de base). De tels grains sont trouvés dans les roches de sites d'impact météoritique et de quelques autres sites dont la cause n'est pas encore clairement élucidée. Nous avons étudié par microscopie électronique en transmission (met) des grains de quartz choqués provenant de plusieurs de ces sites (sites d'impact et autres) dans le but de caractériser la nature physique des défauts et de connaître les mécanismes de formation. Les microstructures observées sont regroupées de la façon suivante : lamelles de phase amorphe, bandes de dislocations, veines de phase amorphe, macles du brésil d'origine mécanique et défauts dits en échelon. Certaines microstructures peuvent résulter de conditions de recuit après le choc. Les microstructures induites directement par l'onde de choc seraient principalement les macles de brésil d'origine mécanique et les lamelles de phase amorphe. Nous proposons un modèle de formation pour ces deux types de défauts. Puis nous tentons d'expliquer la formation des autres types de défauts par l'histoire thermique des échantillons après le choc

Book Etude par microscopie   lectronique en transmission du m  tamorphisme de choc dans le quartz et le diopside

Download or read book Etude par microscopie lectronique en transmission du m tamorphisme de choc dans le quartz et le diopside written by Hugues Leroux and published by . This book was released on 1994 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les collisions entre objets du systeme solaire ont joue un role majeur dans le processus de formation des planetes, puis de leur evolution. Les chocs qui resultent de ces collisions induisent dans la matiere des defauts caracteristiques du passage de l'onde de choc. Nous avons etudie par microscopie electronique en transmission la structure fine de ces defauts contenus dans des quartz issus d'impacts meteoritiques ainsi que dans des diopsides choques experimentalement et naturellement (dans des meteorites). Nos observations sur des quartz choques naturellement (crateres d'impact de popigai, manson, vredefort) confirment que les defauts de choc dans ce mineral prennent essentiellement la forme de lamelles cristallographiquement controlees. Des macles mecaniques et des textures mosaiques sont egalement couramment detectees. La structure fine associee a ces defauts peut avoir considerablement evolue au cours de l'etape post-choc, essentiellement par recristallisation assistee par la presence de fluides. Ces memes defauts de choc sont presents dans des quartz des sediments de la limite cretace-tertiaire (k/t). Nous avons egalement recherche si des evenements violents purement terrestres pouvaient generer de tels defauts; en vain: ils semblent requerir reellement des pressions tres grandes et appliquees de facon quasi-instantanee pour se former. Nous avons determine la repartition stratigraphique en taille et en abondance des quartz choques de la coupe k/t de beloc (haiti). Cette etude suggere que toute cette section represente le depot de l'ejecta d'un impact. Nous n'excluons pas la possibilite de deux impacts successifs. Nos caracterisations des diopsides choques experimentalement ont permis de repertorier les defauts correspondants (pdf, macles et dislocations en sont les figures les plus frequentes) et de mieux comprendre leur mecanisme de formation ainsi que leurs dependances eventuelles de parametres physiques (pression, orientation de l'echantillon, temperature). Ces defauts sont compares a ceux presents dans les meteorites choquees.

Book   tude par microscopie   lectronique    transmission des d  fauts induits par irradiation aux ions et aux   lectrons dans du zirconium pur et quatre de ses alliages

Download or read book tude par microscopie lectronique transmission des d fauts induits par irradiation aux ions et aux lectrons dans du zirconium pur et quatre de ses alliages written by Christine Hellio and published by . This book was released on 1987 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE ET CINETIQUE DES DEFAUTS CREES PAR IRRADIATION ENTRE 400 ET 700 C PAR DES IONS ZR**(+) (500 KEV) ET PAR DES ELECTRONS (1 MEV) DANS ZR PUR, ZR-1760 PPM O, ZR-1% NB-430 PPM O, ZR-1% NB-1800 PPM O, ET DANS L'ALLIAGE ZIRCALOY 4 (% EN POIDS). LES DEFAUTS SONT ESSENTIELLEMENT DES BOUCLES DE DISLOCATIONS. ANALYSE CINETIQUE DE LEUR CROISSANCE. INFLUENCE DE L'OXYGENE. DETERMINATION DE L'ENERGIE APPARENTE DE MIGRATION DE LACUNES. ANALYSE DU COMPORTEMENT AU RECUIT APRES IRRADIATION IONIQUE

Book DEFORMATION ET TRANSFORMATION DE PHASE INDUITES PAR ONDES DE CHOC DANS LES SILICATES

Download or read book DEFORMATION ET TRANSFORMATION DE PHASE INDUITES PAR ONDES DE CHOC DANS LES SILICATES written by Hélène Tattevin and published by . This book was released on 1987 with total page 284 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution de la microscopie   lectronique en transmission analytique    la caract  risation du diamant CVD

Download or read book Contribution de la microscopie lectronique en transmission analytique la caract risation du diamant CVD written by Nathalie Bozzolo and published by . This book was released on 1996 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nos travaux se situent dans le contexte de la caractérisation de la qualité cristalline des films de diamant élaborés par MPCVD sur silicium monocristallin. Nous étudions plus particulièrement, par MET et EELS, la répartition des défauts plans (fautes d'empilement, joints de macles et micromacles) dans les cristaux constituant les films, ainsi que leurs effets sur les clichés de diffraction électronique et sur les spectres de pertes d'énergie. Un soin particulier est apporté à la préparation de lames minces. Des dégâts d'irradiation sont mis en évidence et caractérisés dans le cas des lames amincies par bombardement ionique. L’examen de plusieurs films de microstructures différentes permet de déterminer les conditions d'élimination des défauts plans. Il existe une relation entre la présence défauts plans et le type de faces délimitant les cristaux, que nous avons vérifié pour différentes morphologies cristallines. Cette relation induit une corrélation entre la distribution spatiale des défauts plans et l'évolution de la microstructure en cours de croissance. Les défauts plans se forment uniquement au cours de la croissance suivant les faces 111. Les films textures 100 dont la surface est majoritairement constituée de facettes 100 présentent une qualité cristalline supérieure à toute autre texture. Cette tendance est d'autant plus marquée que l'épaisseur des films considérés est importante. La qualité cristalline la plus élevée que nous ayons observée correspond aux films hautement orientés sur Si(100) pour lesquelles les défauts plans disparaissent totalement des cristaux à partir d'une certaine épaisseur. Cette épaisseur critique correspond au moment ou les faces 100 externes se sont rejointes en cours de croissance. Cette étude nous a conduit à concevoir un programme de simulation des clichés de diffraction. La présence de défauts plans induit des effets spécifiques sur les clichés de diffraction électronique, qui peuvent être simulés grâce à ce programme, et qui sont mis à profit pour localiser des défauts. Une modification de la structure de bande du diamant liée à la présence des défauts est mise en évidence par EELS

Book   tude en microscopie   lectronique des d  fauts existant dans une jonction n p au silicium

Download or read book tude en microscopie lectronique des d fauts existant dans une jonction n p au silicium written by Monique Grosmaire-Vandorpe and published by . This book was released on with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Etude par microscopie   lectronique des d  fauts bidimensionnels dans le compos   Fe    aGa de structure Ll     C 130 130 30

Download or read book Etude par microscopie lectronique des d fauts bidimensionnels dans le compos Fe aGa de structure Ll C 130 130 30 written by Monique Fagot (née Durand.) and published by . This book was released on 1974 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book OBSERVATION PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS ETENDUS INTRODUITS PAR DEFORMATION A HAUTE TEMPERATURE DANS LE NITRURE D ALUMINIUM

Download or read book OBSERVATION PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS ETENDUS INTRODUITS PAR DEFORMATION A HAUTE TEMPERATURE DANS LE NITRURE D ALUMINIUM written by VIRGINIA.. FEREGOTTO and published by . This book was released on 1996 with total page 317 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS DEFORME PAR COMPRESSION, JUSQU'A 10%, DES POLYCRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM (ALN) ET NOUS AVONS ETUDIE LES DEFAUTS ETENDUS INTRODUITS. LES ESSAIS MECANIQUES ONT ETE EFFECTUES ENTRE 1550 ET 1650C SOUS ATMOSPHERE NEUTRE, SOIT PAR FLUAGE SOUS DES CONTRAINTES DE 150 A 250 MPA SOIT A VITESSE DE DEFORMATION CONSTANTE ( = 5.10#-#6 S#-#1). LES COURBES DE FLUAGE SONT CONSTITUEES D'UN STADE TRANSITOIRE ET D'UN STADE QUASI-STATIONNAIRE TANDIS QUE LES COURBES A CONSTANT PRESENTENT UN LEGER CROCHET DE TRACTION SUIVI D'UN STADE A FAIBLE DURCISSEMENT. LA PRINCIPALE CONSEQUENCE DE LA DEFORMATION EST LA CREATION AUX JOINTS DE GRAINS DE CAVITES QUI COALESCENT CREANT DE LONGS VIDES RESPONSABLES DE LA RUINE DU MATERIAU. LES RESULTATS LES PLUS ORIGINAUX CONCERNENT L'OBSERVATION DES DEFAUTS INTRAGRANULAIRES ETENDUS, NOTAMMENT LES DISLOCATIONS, LES BOUCLES DE DISLOCATIONS, LES FAUTES D'EMPILEMENT ET LES PAROIS DE DOMAINES D'INVERSION (IDBS). LA DENSITE DE DISLOCATION, INITIALEMENT TRES FAIBLE, CROIT AVEC LA DEFORMATION JUSQU'A ATTEINDRE LOCALEMENT 10#1#0 CM#-#2. LE MOUVEMENT DES DISLOCATIONS SE PRODUIT SELON LA VALEUR DE LA CONTRAINTE, PAR GLISSEMENT DANS LE PLAN DE BASE ET DANS D'AUTRES PLANS (SURTOUT 100), OU PAR MONTEE. DES SOUS-JOINTS DE FLEXION ET DE TORSION ONT ETE OBSERVES. LA PLUPART DES DISLOCATIONS SONT DE TYPE #A MAIS QUELQUES EMPILEMENTS DE DISLOCATIONS #C+#A ONT ETE VUS DANS (0001). DE LARGES FAUTES D'EMPILEMENTS, SITUEES DANS (0001) ET BORDEES DE DISLOCATIONS PARTIELLES DE SHOCKLEY OU DE FRANK-SHOCKLEY, ONT ETE OBSERVEES SUR DES ECHANTILLONS DEFORMES A FAIBLE . SIMULTANEMENT A CES FAUTES, ON NOTE LA PRESENCE DES BOUCLES, DONT LA NATURE ET LA DENSITE DEPEND TRES FORTEMENT DES CONDITIONS DE DEFORMATION: IL S'AGIT DE BOUCLES DE FRANK, DE FRANK-SHOCKLEY ET DE QUELQUES BOUCLES DE SHOCKLEY. LA CARACTERISATION DES BOUCLES DE FRANK (#R = #C/2), MONTRE QU'ELLES RESULTENT DE LA PRECIPITATION D'ATOMES INTERSTITIELS, CE QUI SUGGERE UNE DIFFUSION COUPLEE DES ATOMES D'ALUMINIUM ET D'AZOTE. LES IDBS CONSTITUENT SOUVENT DES OBSTACLES AU MOUVEMENT DES DISLOCATIONS. DANS CERTAINS IDBS PLANS NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA FORMATION DE RESEAUX CONSTITUES DE DISLOCATIONS DES TROIS VECTEURS DE BURGERS #A, DISSOCIEES, AVEC NUDS ALTERNATIVEMENT ETENDUS ET CONSTRICTES, CONFIGURATIONS QUI N'AVAIENT JAMAIS ETE OBSERVEES

Book Solubilit   de l eau dans le quartz

Download or read book Solubilit de l eau dans le quartz written by Patrick Cordier and published by . This book was released on 1989 with total page 466 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le quartz peut, au cours de sa croissance, incorporer de faibles quantités d'eau. La présence de cette eau a des conséquences sur bon nombre de propriétés physiques dont la déformation plastique que nous etudions ici. En effet, alors que le quartz sec est très dur et pratiquement indéformable, des échantillons contenant de l'eau seront ductiles même à basse température. Nous commencons par étudier par microscopie électronique en transmission les mécanismes de précipitation de l'eau lors d'un recuit, dans un quartz humide sursaturé. La mesure de la distance moyenne entre précipités nous permet d'accéder au coefficient de diffusion de l'eau dans le quartz. Nous avons ensuite caracterisé la solubilité de l'eau à 700c en fonction de la pression. Nous avons deformé plastiquement deux échantillons de quartz synthétiques dans lesquels l'eau se trouve sous forme de défauts ponctuels. L'echantillon le plus humide est sursaturé dans les conditions de l'essai alors que le plus sec est dans le domaine de solubilité. L'echantillon sursaturé est le plus ductile avec à la fois une limite élastique et un taux de durcissement plus faibles. On observe dans ces deux échantillons des microstructures de déformation radicalement différentes qui sont discutées en fonction des modèles d'adoucissement hydrolytique. Une dernière partie est consacrée à l'étude du mode d'incorporation de l'eau dans le quartz par spectroscopie d'absorption infrarouge. La comparaison des differents modèles de defauts liés à l'eau avec nos resultats experimentaux nous amène à selectionner l'un d'entre eux.

Book Etude par microscopie   lectronique de l agglom  ration des d  fauts ponctuels

Download or read book Etude par microscopie lectronique de l agglom ration des d fauts ponctuels written by Alain Bourret and published by . This book was released on 1970 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book SIMULATION NUMERIQUE D IMAGES DE DEFAUTS DANS LES CRISTAUX EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A HAUTE RESOLUTION  APPLICATION A L ETUDE DES ZONES DE GUINIER PRESTON DANS AL CU 4

Download or read book SIMULATION NUMERIQUE D IMAGES DE DEFAUTS DANS LES CRISTAUX EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A HAUTE RESOLUTION APPLICATION A L ETUDE DES ZONES DE GUINIER PRESTON DANS AL CU 4 written by Marie-José Casanove and published by . This book was released on 1981 with total page 113 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE THEORIQUE RELATIVE A LA DIFFUSION PAR LE CRISTAL DE L'ONDE ASSOCIEE AU FAISCEAU D'ELECTRONS AINSI QU'A SA PROPAGATION ET A SON TRANSFERT DANS LE MICROSCOPE. EXPOSE DE LA METHODE MULTICOUCHE UTILISEE, EN PRECISANT L'AGENCEMENT ET LES FONCTIONS PRINCIPALES DES DIVERS PROGRAMMES DE CALCUL MIS EN OEUVRE. EXEMPLE DE SIMULATION OBTENUE DANS LE CAS D'UN CRISTAL PARFAIT V::(3)SI ET D'UN ALLIAGE AL-CU PRESENTANT DES ZONES DE GUINIER-PRESTON

Book MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE QUELQUES SOLIDES IRRADIES

Download or read book MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE QUELQUES SOLIDES IRRADIES written by NICOLE.. HOUSSEAU and published by . This book was released on 1984 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'APPLICATION DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE COURANTE A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS: INTRODUCTION AU CONTRASTE ET PRESENTATION DE CINQ EXEMPLES D'ETUDES D'AMAS DE DEFAUTS ( METAUX TREMPES ET ACIERS AUSTENITIQUES). ETUDE DE L'ENDOMMAGEMENT D'UN ACIER AUSTENITIQUE AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE A TRES HAUTE TENSION AVEC DES ELECTRONS DE HAUTE ENERGIE (1MV). ETUDE DE L'ENDOMMAGEMENT D'UN CONDUCTEUR DE BASSE DIMENSIONNALITE PAR LES ELECTRONS D'1 MV D'UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A HAUTE TENSION ET PIEGEAGE DES ONDES DE DENSITE DE CHARGE PAR LES DEFAUTS D'IRRADIATION. ENFIN, EXAMEN DE COMPOSES ORGANIQUE

Book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DU COMPORTEMENT DES ONDES DE DENSITE DE CHARGE DANS 1T TAS

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DU COMPORTEMENT DES ONDES DE DENSITE DE CHARGE DANS 1T TAS written by GISELE.. SALVETTI MERCADIER and published by . This book was released on 1984 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UN EXAMEN DES PROPRIETES DES COMPOSES, DES ONDES DE DENSITE DE CHARGE (ODC) ET DES EFFETS D'IRRADIATION AUX ELECTRONS DE GRANDE ENERGIE (2 MEV), ON ETUDIE THEORIQUEMENT L'INTERACTION DEFAUT-ODC. L'EVOLUTION SOUS IRRADIATION DES DIFFERENTES PHASES DISTORDUES (COMMENSURABLE (SURTOUT ETUDIEE DANS TASE::(2)), QUASI-COMMENSURABLE (TAS::(2)), INCOMMENSURABLE) EST ETUDIEE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN HAUTE RESOLUTION, EN UTILISANT SIMULTANEMENT DES IMAGES EN FOND SOMBRE OBTENUES AVEC UNE TACHE DE SURSTRUCTURE DU DIAGRAMME DE DIFFRACTION. ON MET EN EVIDENCE DIVERSES PAROIS DE DOMAINES, DES DISLOCATIONS D'ODC, ETC.

Book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES PROCESSUS D ACCOMMODATION DES DISLOCATIONS EXTRINSEQUES DANS DES JOINTS DE GRAINS DE NICKEL

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES PROCESSUS D ACCOMMODATION DES DISLOCATIONS EXTRINSEQUES DANS DES JOINTS DE GRAINS DE NICKEL written by SOPHIE.. POULAT and published by . This book was released on 1997 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF PRINCIPAL DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION CONVENTIONNELLE (ASSOCIEE A LA TECHNIQUE DU CHAMP FAIBLE) ET PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE IN SITU, SOUS RECUIT, DES MECANISMES D'ACCOMMODATION DE DISLOCATIONS EXTRINSEQUES DANS DES JOINTS DE GRAINS S'ECARTANT DE LA SINGULARITE. CES PROCESSUS JOUENT UN ROLE IMPORTANT DANS LA DEFORMATION A CHAUD DES MATERIAUX. LES EXPERIENCES ONT ETE REALISEES SUR DES JOINTS PROVENANT DE BICRISTAUX 3 111, 11 311 ET 11 332 DE NICKEL ELABORES PAR SOLIDIFICATION PROGRESSIVE. L'ETUDE DES PROCESSUS D'ACCOMMODATION NECESSITE LA CONNAISSANCE PREALABLE DE LA STRUCTURE D'EQUILIBRE DU JOINT DE GRAINS. CETTE STRUCTURE EST CONNUE POUR LES JOINTS 3 111 ET 11 311 MAIS PAS POUR LE JOINT 11 332. UNE PREMIERE ETAPE DE CE TRAVAIL A DONC ETE D'ETUDIER PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A HAUTE RESOLUTION LA STRUCTURE ATOMIQUE DU JOINT 11 332. LES RESULTATS MONTRENT QUE : - LA STRUCTURE THEORIQUE DU JOINT 11 332 N'A ETE OBSERVEE QUE DANS UN ECHANTILLON PROCHE DU GERME BICRISTALLIN. - DANS LA PLUPART DES CAS, LE JOINT DE GRAINS SE MET PARALLELE A DES FACETTES ASYMETRIQUES. - EN GENERAL, LE JOINT 11 332 NE PRESENTE PAS D'ORDRE A LONGUE DISTANCE MAIS UN ORDRE A COURTE DISTANCE PERMETTANT DE DETECTER DES DISLOCATIONS EXTRINSEQUES DISCRETES. LES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE IN SITU SOUS RECUIT MONTRENT, DANS LES JOINTS 3 111 ET 11 311, L'INCORPORATION DANS LA STRUCTURE D'EQUILIBRE DU JOINT DE DISLOCATIONS EXTRINSEQUES INCLINEES PAR RAPPORT AU RESEAU INTRINSEQUES. DANS LES JOINTS PROCHES DE 11 332, L'ETALEMENT DU CONTRASTE DES DISLOCATIONS EXTRINSEQUES, OBSERVE EN CHAMP FAIBLE, SEMBLE PLUS CORRESPONDRE A UNE DELOCALISATION DU CUR DE LA DISLOCATION QU'A UNE DECOMPOSITION EN UN GRAND NOMBRE DE DISLOCATIONS DE PETITS VECTEURS DE BURGERS. CES RESULTATS POSENT LE PROBLEME DE LA DISTINCTION ENTRE UN JOINT DE CARACTERE VRAIMENT GENERAL EN FONCTION DE TOUS LES DEGRES DE LIBERTE GEOMETRIQUES ET UN JOINT QUI CONSERVE UN SINGULARITE MEME S'IL PRESENTE UN DEGRE DE COINCIDENCE ELEVE.

Book Etude par microscopie   lectronique en transmission et diffraction des rayons X des ph  nom  nes de d  collement aux interfaces barri  re de diffusion TiN Ti  di  lectrique

Download or read book Etude par microscopie lectronique en transmission et diffraction des rayons X des ph nom nes de d collement aux interfaces barri re de diffusion TiN Ti di lectrique written by Lahouari Fares and published by . This book was released on 2000 with total page 73 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA RECHERCHE DE L'ORIGINE DE DECOLLEMENTS QUI SE PRODUISENT EN FIN DE FABRICATION DE CERTAINS CIRCUITS INTEGRES ELABORES PAR ATMEL-ES2. CES DECOLLEMENTS, SURVENANT A L'INTERFACE TI/DIELECTRIQUE LORS D'UNE MONTEE EN TEMPERATURE (SIO 2 OU BPSG = VERRE BOROPHOSPHOSILICATE), SONT PLUS NOMBREUX LORSQUE LE DIELECTRIQUE EST DU BPSG. AFIN DE COMPRENDRE CETTE DIFFERENCE DE COMPORTEMENT, NOUS AVONS REALISE UNE ETUDE COMPARATIVE EN FONCTION DU DIELECTRIQUE, AVANT ET APRES RECUIT, PAR DIFFRACTION DES RAYONS X (MICROSTRUCTURE DES COUCHES CRISTALLINES) ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION COUPLEE A LA SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS EN PERTES D'ENERGIE ET A LA SPECTROSCOPIE DE RAYONS X EN DISPERSION D'ENERGIE (CARACTERISATION DES INTERFACES, DES NANOPHASES FORMEES LORS DU RECUIT). LA DIFFERENCE FONDAMENTALE OBSERVEE EST LA REACTIVITE A L'INTERFACE TI/DIELECTRIQUE : DANS LE CAS DU BPSG, LA FORMATION DE TI 5SI 3 EST PRECEDEE DE CELLE D'UNE COUCHE AMORPHE ENRICHIE EN P. LE TI 5SI 3 SE FORME CETTE FOIS-CI PAR REACTION ENTRE LE TI ET CETTE COUCHE AMORPHE. LA CINETIQUE DE CROISSANCE DU TI 5SI 3 AU DETRIMENT DE LA COUCHE AMORPHE EST AINSI FORTEMENT RALENTIE PAR RAPPORT A LA REACTION TI/SIO 2. OR, LA FORMATION D'UN SILICIURE DE TITANE, A L'INTERFACE TI/DIELECTRIQUE, EST UN MOYEN CONNU D'AMELIORER L'ADHESION. AINSI, L'EXISTENCE DE CETTE COUCHE AMORPHE EN FIN DE FABRICATION DES COMPOSANTS CONSTITUE UNE FAIBLESSE POUVANT CONDUIRE A UNE DELAMINATION. EN CONCLUSION, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE COUPLEE A L'ANALYSE CHIMIQUE A L'ECHELLE ATOMIQUE NOUS A PERMIS, POUR LA PREMIERE FOIS A NOTRE CONNAISSANCE, D'IDENTIFIER, D'UN POINT DE VUE CHIMIQUE ET STRUCTURAL, LA COUCHE RESPONSABLE DES DECOLLEMENTS AUX INTERFACES TI/BPSG.