Download or read book tude des classes de fonctionnement haut rendement pour l amplification de puissance en hyperfr quence en utilisant la technologie HEMT base de nitrure de gallium written by Jérémy Dufraisse and published by . This book was released on 2012 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la distance grille-drain sur les performances du composant. Ensuite, la description des amé-liorations de chaque classe conduit à la conception de circuits fonctionnant en classe F inverse avec un rendement en puissance ajoutée mesuré de 58 % et une puissance de sortie de 42 W pour une fréquence de 2 GHz
Download or read book Amplification de puissance haut rendement en bande L et en technologie GaN int grant une pr formation de la tension de commande d entr e written by Alaaeddine Ramadan and published by . This book was released on 2010 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie de semi-conducteurs de puissance GAN est en pleine phase de développement à l'heure actuelle et offre de réelles potentialités pour la génération de fortes puissances à l'état solide en hyperfréquence. Le sujet de thèse concerne donc l'étude de l'amplification de puissance en commutation en technologie GaN avec la réalisation d'un démonstrateur à 2 GHz sur la base d'une puissance de sortie de 15Watts. L'étude aboutit à un contrôle et une préformation adéquats des harmoniques de courants et de tensions en entrée et en sortie de l'étage de puissance. Un point innovant et central de ce travail de thèse a été l'analyse multi-harmonique conjointe entre l'étage 'driver' et l'étage de puissance pour préformer le signal de commande de l'étage de puissance et aboutir à un fonctionnement optimisé en rendement sur une large bande passante. Les travaux de thèse se sont concrétisés par la réalisation d'un amplificateur démonstrateur à deux étages comprenant un premier étage fonctionnant en classe F inverse et un second étage fonctionnant en classe F. Cette réalisation est par nature adressable à l'amplification de signaux à enveloppe constante ne nécessitant pas de spécifications contraignantes en terme de linéarité.
Download or read book Optimisation du rendement en puissance ajout e des amplificateurs de puissances large bande base de Nitrure de Gallium written by Chamssedine Berrached and published by . This book was released on 2013 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux traitent de l'optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande fondé sur des barrettes de transistors en Nitrure de Gallium. Une méthode de conception destinée à l'optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande est présentée. Elle est fondée sur une étude de l'influence de la charge présentée à la fréquence harmonique 2 ainsi qu'une étude théorique approfondie des limites d'adaptation d'impédance large bande pour le maintien d'un fort rendement. Cette étude est fondée sur les théorèmes de Bode et Fano. Cette analyse à conduit à la réalisation d'un premier amplificateur de puissance 40W, large bande [1-3GHz] et à haut rendement en technologie hybride basée sur un transistor encapsulée. Pour réduire l'encombrement de manière significative des amplificateurs de puissance, une technologie Quasi-MMIC a été développée à UMS. Deux amplificateurs de puissance (25W & 45W), large bande [2-4GHz] et à haut rendement ont été réalisées en technologie Quasi-MMIC et ont démontrées des résultats à l'état de l'art mondiale.
