Download or read book REALISATION ET ETUDE DE COUCHES MINCES DE NITRURE ET D OXYNITRURE THERMIQUES DE SILICIUM written by Michel Plantard and published by . This book was released on 1986 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PREPARATION DES COUCHES NITRUREES A 1100**(O)C SOUS AMMONIAC ET ANALYSE PAR ELLIPSOMETRIE, SPECTROMETRIE ESCA. AUGER ET REACTION NUCLEAIRE. PRESENCE A LA FOIS D'AZOTE ET D'OXYGENE DANS LES COUCHES DE NITRURE. DISTRIBUTION DE L'AZOTE EN FONCTION DU TEMPS DE NITRURATION. CARACTERISATION ELECTRIQUE

Download or read book ETUDE DES OXYNITRURES DE SILICIUM EN COUCHES MINCES DEPOSES PAR PULVERISATION EN VUE D APPLICATIONS OPTIQUES written by Laurent Pinard and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail repose sur l'etude des couches minces d'oxynitrures de silicium obtenues par pulverisation radio-frequence magnetron reactive en vue de realiser des multicouches optiques ayant de faibles pertes (absorption, diffusion). Tout d'abord, nous avons analyse les variations des proprietes optiques et physicochimiques des monocouches d'oxynitrures liees aux differents parametres du bati de depot: les pressions partielles des gaz, la puissance rf, la nature de la cible et des gaz. Ainsi, lorsque l'on decrit toute la gamme des oxynitrures de l'oxyde de nitrure, nous avons en particulier mis en evidence l'evolution quasi lineaire de l'indice sur un domaine relativement important ainsi que la substitution rigoureuse des atomes d'oxygene par les atomes d'azote: ceci est la preuve d'un mecanisme simple de formation. De plus, grace a des analyses par spectrophotometrie ir, un modele de la structure amorphe des oxynitrures a ete propose (pseudo-binaire oxyde-nitrure) et verifie par deux methodes d'approximation. Enfin, une etude plus particuliere de l'absorption (photothermie) et de la diffusion (diffusometre casi) a ete menee sur les monocouches et sur les multicouches synthetises a partir des oxynitrures (antireflets, miroirs). Une comparaison avec les performances des empilements classiques d'oxydes realises par pulverisation par faisceaux d'ions a pu etre faite et nous avons ainsi propose des solutions pour optimiser les deux sources de pertes

Download or read book ETUDE DE LA CROISSANCE DE FILMS MINCES OBTENUS PAR OXYDATION ET NITRURATION THERMIQUES DU SILICIUM POREUX written by VALERIE.. MORAZZANI and published by . This book was released on 1996 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UNE ETUDE EXPERIMENTALE DETAILLEE DE L'OXYDATION ET DE LA NITRURATION THERMIQUE SOUS OXYGENE SEC AINSI QUE DE LA NITRURATION SOUS AMMONIAC A HAUTE TEMPERATURE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX, PREALABLEMENT OXYDEES A BASSE TEMPERATURE. CES TRAVAUX ONT ETE REALISES DANS LE BUT TECHNOLOGIQUE D'AMELIORER LES RENDEMENTS DE LUMINESCENCE. D'UN POINT DE VUE FONDAMENTAL, ILS SERVENT AUSSI POUR TESTER LA VALIDITE DES MODELES PROPOSES RELIANT LA POSITION DES SPECTRES DE LUMINESCENCE AVEC LA TAILLE DES CRITALLITES. PAR AILLEURS, LA TRES GRANDE SURFACE INTERNE DEVELOPPEE DANS CES COUCHES A PERMIS D'ETUDIER AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE DES COUCHES DE SILICE ET D'OXYNITRURE TRES MINCES, D'EPAISSEUR INFERIEURE A 5 NANOMETRES, ET DE DETERMINER LEUR COMPOSITION, LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES D'INTERFACE, AINSI QUE LES DEFAUTS D'INTERFACE ET DE VOLUME CONTENUS DANS CES STRUCTURES

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES D OXYNITRURE DE SILICIUM OBTENUES PAR LA NITRURATION THERMIQUE RAPIDE DEGRADATION VIEILLISSEMENT written by ABDELILLAH.. BENBRIK and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM D'EPAISSEUR 45 NM EST REALISEE A HAUTE TEMPERATURE (1060C) PAR LA TECHNIQUE R.T.N (RAPID THERMAL NITRIDATION) PENDANT UNE DUREE VARIANT DE QUELQUES SECONDES A UNE DIZAINE DE MINUTES. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (X.P.S) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI/SIO#2. LE PIC D'AZOTE A L'INTERFACE APPARAIT DES 60 SECONDES, LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DIMINUE RAPIDEMENT ET ATTEINT 3,37 10##1#4 CM#2/S A 10 MINUTES. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES STRUCTURES DE TEST AL/OXYDE NITRURE/SI(N) A 1 MHZ NOUS A PERMIS, D'UNE PART, D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE ET L'INDICE MOYEN DE REFRACTION OPTIQUE, D'AUTRE PART, DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA TENSION DE BANDES PLATES, DE LA CHARGE IMAGE DANS L'ISOLANT, DE LA TENSION DE CLAQUAGE ET DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE DU MATERIAU EN FONCTION DE LA NITRURATION. LA METHODE B.T.S. (BIAS TEMPERATURE STRESS) A REVELE L'EXISTENCE DE CHARGES MOBILES DANS NOS STRUCTURES. L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS A PERMIS D'INTERPRETER CORRECTEMENT LA DEGRADATION DES ELEMENTS MIS SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUE ET THERMIQUE

Download or read book R alisation de couches minces d oxynitrure de silicium par d p t chimique sous faible pression written by Guy PARAT and published by . This book was released on 1990 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude des proprietes des couches d oxynitrure de silicium obtenues par la nitruration thermique rapide DEGRADATION VIEILLISSEMENT written by Abdelillah Benbrik and published by . This book was released on 1992 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book GROWTH OF SILICON NITRIDE AND OXINITRIDE THIN FILMS USING A REACTIVE AMMONIA PLASMA FOR APPLICATIONS TO SUBMICRONIC INTEGRATED CIRCUITS written by José Camargo Da Costa and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DESCRIPTION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL. PRESENTATION DES RESULTATS DES ANALYSES PHYSICOCHIMIQUES (SPECTROMETRIE AUGER, SIMS, XPS, SPECTROMETRIE IR, REVELATION CHIMIQUE, ELLIPSOMETRIE, TEM HAUTE RESOLUTION) REALISEES SUR LES COUCHES MINEES OBTENUES, EVALUATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES D'OXYDE NITRURE PAR DES MESURES C(V) ET I(V) SUR DES CONDENSATEURS MOS. ETUDES PRELIMINAIRES SUR LA RESISTANCE DE CES OXYDES AUX RAYONNEMENTS IONISANT ET SUR LES PROPRIETES DE BARRIERE A L'OXYDATION DES COUCHES OBTENUES PAR NITRURATION PLASMA DU SILICIUM

Download or read book Etude de la nitruration thermique pression atmosph rique de l oxyde de silicium et du silicium written by Allal Serrari and published by . This book was released on 1989 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.

Download or read book Etude des oxynitrures de silicium en couches minces d pos es par pulv risation en vue d applications optiques written by Laurent Pinard and published by . This book was released on 1993 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude structurale optique et lectrique de couches minces d oxynitrure de silicium d pos es par pulv risation cathodique radiofr quence r active written by Farida Rebib and published by . This book was released on 2006 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude concerne les propriétés structurales, optiques et électriques des couches minces d'oxynitrure de silicium ( SiOxNy) élaborées par pulvérisarion cathodique radiofréquence d'une cible de silicium dans un plasma argon-oxygène-azote. La zone d'instabilité de ce procédé réactif a été précisée par spectroscopie d'émission optique et par le suivi de la pression totale et du potentiel d'autopolarisation. Les conditions adéquates d'élaboration qui ont été définies, ont permis de déposer des films dont la composition varie presque linéairement, entre celles du nitrure et de l'oxyde de silicium. Ces couches sont formées par un mélange de nanophases de type SiO2 et Si3N4 incorporées dans une phase de SiOxNy amorphe. Des liaisons pendantes ont aussi été détectées sur les atomes de silicium. Les dépôts présentent des propriétés optiques (indice de réfraction, gap optique) et des propriétés diélectriques très intéressantes et variables en fonction de leur composition et de leur structure

Download or read book Pr paration de couches minces d oxynitrure de silicium par PECVD en vue de greffage chimique written by Jean-Marc Chovelon and published by . This book was released on 1991 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le premier objectif de cette thèse est de déposer sur de la silice thermique une fine couche d'oxynitrure de silicium (sio#xn#yh#z préparée par pecvd (plasma enhanced chemical vapor deposition). Cette membrane doit être à la fois sensible aux protons et facilement modifiable par greffage chimique. De plus, elle devrait être une bonne barrière de diffusion. Il est possible de contrôler le nombre de sites de surfaces (si#2nh, sinh#2, sih) en faisant varier le débit des gaz utilisés lors de dépôt (sih#4, nh#3, n#2o) et de le vérifier par spectroscopie ir. La réponse au ph de la structure si/sio#2/sio#1#,#6#4n#0#,#4#1h#0#;#4#9 a été déterminée par des mesures c(v): 60 mv/ph. Apres un greffage chimique sur les sites sinh/nh#2 de longues chaines alkyles (c18) pour rendre la membrane insensible aux protons, la réponse au ph n'est plus que de 15 mv/ph. De plus une méthode d'impédance électrochimique a été proposée permettant de suivre la qualité de l'encapsulation des isfets. Nous avons travaillé en mode potentiostatique en superposant une tension sinusoïdale à fréquence variable. Avant le disfonctionnement des isfets, trois étapes ont pu être observées.

Download or read book NITRURATION DES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM PAR ACTIVATION THERMIQUE ET PAR STIMULATION ELECTRONIQUE written by AHMAD.. BENAMAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES

Download or read book Etude des oxynitrures de silicium en couches minces d pos es par pulv risation en vue d application optiques written by Laurent Pinard and published by . This book was released on 1993 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Canadian Journal of Physics written by and published by . This book was released on 1999 with total page 616 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM ET D OXYNITRURE DE SILICIUM SUR SEMI CONDUCTEURS III V PAR THERMIE RAPIDE written by FREDERIC.. LEBLAND and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN UTILISANT UN PROCESSUS DE DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR RTCVD (RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION), NOUS AVONS OBTENU DES COUCHES MINCES DE DIELECTRIQUES SUR SEMI-CONDUCTEURS III-V. CETTE TECHNIQUE DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES UTILISE DES CYCLES DE TEMPERATURE TRES RAPIDES QUI PERMETTENT LE DEPOT SUR DES MATERIAUX THERMIQUEMENT FRAGILES. DES COUCHES DE NITRURE DE SILICIUM ET D'OXYNITRURE DE SILICIUM SONT DEPOSEES A 750C SUR DES MATERIAUX III-V. APRES UNE ETUDE EN FONCTION DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX, IL A ETE OBTENU DES VITESSES DE L'ORDRE DE 200 A/S. UNE CARACTERISATION COMPLETE DE CES MATERIAUX A ETE EFFECTUEE: SURFACE, VOLUME, INTERFACE DIELECTRIQUE-SEMI-CONDUCTEUR. LA MORPHOLOGIE DE SURFACE DU DIELECTRIQUE A UNE INCIDENCE SUR LE COMPORTEMENT D'UNE ONDE LUMINEUSE REFLECHIE SUR LA SURFACE EN PARTICULIER AU COURS DE MESURES ELLIPSOMETRIQUES. UN MONTAGE DE MESURE DE DEFORMATION DE GRANDE SENSIBILITE A ETE EFFECTUE. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'INFLUENCE DES OXYDES NATIFS DES SEMI-CONDUCTEURS SUR LA CONTRAINTE EXERCEE SUR LE SUBSTRAT. DE PLUS ENTRE LE NITRURE DE SILICIUM QUI EST TENSILE ET LA SILICE QUI EST COMPRESSIVE NOUS AVONS MONTRE LA POSSIBILITE DE DEPOSER DES COUCHES DE CONTRAINTE NULLE. CECI N'A PU ETRE OBTENU QU'APRES UNE ETUDE DE LA STCHIOMETRIE DE L'OXYNITRURE DE SILICIUM. ENFIN UN GUIDE D'ONDE PUREMENT DIELECTRIQUE A ETE REALISE SUR INP

Download or read book Etude du transport dans les couches minces de silicium sur isolant et dans les couches d inversion des TMOS written by Gérard Ghibaudo and published by . This book was released on 1984 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: 1. ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOS) ET DANS LES COUCHES D'INVERSION A L'INTERFACE SI-SIO::(2) DES TRANSISTORS MOS. L'UTILISATION DU FORMALISME GENERALISE DE TRANSPORT DE KUBO-GREENWOOD AUTORISE UNE DESCRIPTION GLOBALE DES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE OU LA CONCENTRATION DES PORTEURS DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT DANS LES TMOS. REVUE DES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES ET ELECTRIQUES DU SILICIUM SUR SAPHIR FABRIQUE EN FRANCE DEPUIS 15 ANS. 2. ETUDE DE LA CINETIQUE D'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM EN OXYGENE SEC. MODELE GENERAL D'OXYDATION TENANT COMPTE DES CONTRAINTES MECANIQUES ET DE LEUR RELAXATION PAR FLUAGE VISQUEUX PENDANT LA CROISSANCE DE L'OXYDE. CE MODELE PERMET LA DESCRIPTION QUANTITATIVE DU REGIME INITIAL D'OXYDATION ANORMALEMENT RAPIDE A FAIBLE EPAISSEUR D'OXYDE, ET DES VARIATIONS DE LA CONSTANTE CINETIQUE PARABOLIQUE AVEC LA TEMPERATURE D'OXYDATION

Download or read book Proc d s thermiques rapides written by Francois Marou and published by . This book was released on 1990 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE