Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE written by Jean Orgonasi and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS ETUDIONS LES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS A MODULATION DE DOPAGE PAR DES TECHNIQUES DE LUMINESCENCE ET DE SPECTROSCOPIE D'EXCITATION A 2 K. NOUS OBSERVONS TROIS EFFETS MAJEURS SPECIFIQUES AUX PUITS DOPES: L'AFFAIBLISSEMENT, VOIRE LA DISPARITION DES EFFETS EXCITONIQUES, UN DECALAGE VERS LE ROUGE DE TOUTES LES ENERGIES DE TRANSITION PAR RAPPORT A CELLES OBTENUES SUIVANT UN CALCUL AUTO-COHERENT SUIVANT L'APPROXIMATION DE HARTRE, VALIDE A DENSITE ELECTRONIQUE NULLE. ON INTERPRETE CES PHENOMENES EN TENANT COMPTE DES INTERACTIONS COULOMBIENNES A N-CORPS. NOUS DECRIVONS LES SPECTRES PAR LE CALCUL DEJA MENTIONNE ET UNE DIMINUTION APPARENTE DE L'ENERGIE DE LA BANDE INTERDITE PROVENANT DES EFFETS A N-CORPS. EN FAISANT VARIER LE NOMBRE DE PORTEURS DANS NOS STRUCTURES, NOUS ETUDIONS LA DEPENDANCE FONCTIONNELLE DE CETTE DIMINUTION PAR RAPORT A LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES PUITS. NOS RESULTATS SONT EN ACCORD AVEC LES CALCULS THEORIQUES EXISTANTS. ENFIN, NOUS CONFIRMONS LA DESCRIPTION THEORIQUE DE LA BANDE DE VALENCE PAR DES EXPERIENCES DE MAGNETO-LUMINESCENCE

Download or read book Ph nom nes D pendants Du Spin Dans Des Structures Un Puits Quantique CdMnTe Modulation de Dopage de Type n written by Francisco José Teran Garcinuno and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude des propriétés électroniques et magnétiques des structures à un puits quantique CdMnTe à modulation de dopage de type-n nous a permis d'explorer l'interaction d'échange sp-d entre les électrons 2D délocalisés et les moments magnétiques localisés des ions Mn2+. Cette interaction d'échange sépare les états de spin éléctronique induisant un splitting Zeeman géant lequel modifie profondément les propriétés électroniques et optiques du semi-conducteur. A faible champ magnétique, l'interaction sp-d peut être décrite par une approximation de champ moyen. Néanmoins, à fort champ magnétique nous observons qu'une énergie effective Zeeman nulle n'entraîne pas la disparition complète du gap de spin. En effet, des expériences de transport et de spectroscopie Raman montrent une répulsion entre les niveaux se spin up et down. Nos résultats peuvent être expliqués dans le cadre d'un modèle basé sur l'anti-croisement des niveaux de Landau résolus en spin. Les propriétés magnétiques du sous-système d'ions Mn2+ snt fortement influencées par la présence des porteurs. Le 'knight shift' observé pour la position du spectre RPE peut être décrit par l'approximation de champ moyen pour de faibles champs. Cependant, cette approximation ne permet pas de décrire la valeur importante du 'knight shift' à fort champ au voisinage de EMnz=Eez. Pour interpréter nos résultats expérimentaux de spectroscopie Raman et de Rpe nous proposons un modèle basé sur l'interaction résonante entre les excitations de spin pour les électrons et pour les ions Mn2+. Finalement, une étude de l'évolution de la réponse optique des puits quantiques CdMnTe en fonction de la concentration d'électrons montre une persistance des effets excitoniques lorsque l'énergie de Fermi est comparable à l'énergie de liaison excitonique. Suite à nos recherches, l'homogénéité de nos systèmes est remise en cause.

Download or read book ETUDE OPTIQUE DES PUITS QUANTIQUES GAAS GAALAS written by HONG WU.. LIU and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETUDES OPTIQUES DE TRANSPORT VERTICAL DANS UN SYSTEME DE DOUBLE PUITS QUANTIQUES ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE GA#0#.#7AL#0#.#3AS/GAAS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES RESONANCES DE TRANSFERT D'ELECTRONS, DE TROUS ET D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE. CES RESULTATS SONT COMPARES A DES CALCULS DES TEMPS TUNNEL ASSISTES PAR LES DEFAUTS DU SYSTEME OU LES PHONONS. LES ETUDES DE PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE ONT MONTRE LA LEVEE PARTIELLE DES REGLES DE SELECTION EN PRESENCE DE PORTEURS AINSI QUE L'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE RADIATIVE DUE AUX EFFETS A N CORPS

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT VERTICAL ET DU POMPAGE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS GAALAS written by Pierre Rolland and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EFFETS EXCITONIQUES SUR LE TRANSFERT INTERPUITS SONT ETUDIES DANS UNE STRUCTURE A DOUBLE PUITS QUANTIQUE ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE. L'EVOLUTION DE L'INTENSITE ET DU TEMPS DE DECROISSANCE DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE PERMET DE REPERER DES RESONANCES ENTRE NIVEAUX EXCITONIQUES DIRECTS ET CROISES. UNE COMPARAISON SATISFAISANTE EST ALORS EFFECTUEE ENTRE NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET UN CALCUL DE TEMPS DE TRANSFERT TUNNEL ASSISTE. SELON LE TYPE DE RESONANCE, SOIT LES ELECTRONS ET LES TROUS TRANSFERENT A TRAVERS LA BARRIERE, SOIT SEULS LES ELECTRONS PASSENT D'UN PUITS A L'AUTRE. DANS CE CAS, LE SYSTEME PRESENTE UN COMPORTEMENT NON LINEAIRE AVEC LA PUISSANCE D'EXCITATION. LA RELAXATION DE SPIN DANS LES PUITS QUANTIQUES EST ETUDIEE EN MESURANT LE TAUX DE POLARISATION DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE. LA PRESENCE DE DEUX TYPES DE PORTEURS ET DE L'EFFET EXCITONIQUE NOUS AMENENT A SEPARER CETTE ETUDE EN TROIS PARTIES. LA RELAXATION DU SPIN DES ELECTRONS LIBRES EST D'ABORD ETUDIEE SUR DE RECOMBINAISONS DE TYPE ELECTRON-ACCEPTEUR. NOS RESULTATS MONTRENT ALORS QUE LE MECANISME D'YAKONOV-PEREL PEUT ETRE EN PARTIE RESPONSABLE DE LA DEPOLARISATION DES ELECTRONS. LA DYNAMIQUE DU SPIN DES TROUS EST ENSUITE ETUDIEE DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE DE TYPE N. L'EFFET DE MELANGE DE BANDE DE VALENCE EXPLIQUE EN PARTIE LA DEPOLARISATION DES TROUS. ENFIN, LA DIVERSITE DES RESULTATS OBTENUS SUR DES TRANSITIONS EXCITONIQUES REND DIFFICILE TOUTES SPECULATIONS THEORIQUES

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS GAALAS DANS LE DOMAINE DE L INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE written by Nathalie Herschkorn and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M

Download or read book PROPRIETES DES DOUBLES PUITS QUANTIQUES ET UTILISATION DANS DES DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES written by Vincent Berger (docteur d'Etat en droit).) and published by . This book was released on 1992 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES DES DOUBLES PUITS QUANTIQUES (NOTAMMENT LA COMMUNICATION ENTRE LES PUITS PAR EFFET TUNNEL), PRESENTENT UN GRAND INTERET DANS LE TRAITEMENT DU SIGNAL INFRAROUGE PAR ABSORPTION INTER-SOUS-BANDE. LE TRANSFERT DES PORTEURS SOUS CHAMP ELECTRIQUE ENTRE DEUX PUITS COUPLES PERMET DE MODULER L'ABSORPTION INTER-SOUS-BANDE. DES VARIANTES DE CES MODULATEURS A TRANSFERT DE CHARGES SONT PRESENTEES ET ANALYSEES, NOTAMMENT UN DETECTEUR BICOLORE. NOUS AVONS EGALEMENT REALISE DES MODULATEURS UTILISANT LA DEPLETION DE PUITS SIMPLES GRACE A UN CONTACT SCHOTTKY, A TEMPERATURE AMBIANTE. EN MODULATION TOUT OPTIQUE, LA TRANSMISSION INFRAROUGE EST CONTROLEE PAR UNE INJECTION OPTIQUE DE PORTEURS DANS DES PUITS NON DOPES. EN UTILISANT DES DOUBLES PUITS SOUS CHAMP, OU LES ELECTRONS ET LES TROUS SONT SEPARES POUR AUGMENTER LEUR TEMPS DE VIE, ON OBTIENT UNE AMELIORATION DES PROFONDEURS DE MODULATION DE PLUS DE DEUX ORDRES DE GRANDEUR PAR RAPPORT AUX PUITS SIMPLES. CELA NOUS A PERMIS DE REALISER UN DETECTEUR INFRAROUGE NON DOPE, POMPE OPTIQUEMENT. DIFFERENTES SOLUTIONS PERMETTANT DE SEPARER LES ELECTRONS ET LES TROUS SANS APPLIQUER DE CHAMP SONT ANALYSEES: NOTAMMENT, L'UTILISATION DU TRANSFERT DES ELECTRONS VIA LES VALLEES X DE BARRIERES EN ALAS, A PERMIS D'AMELIORER LES PERFORMANCES. DANS TOUTES CES STRUCTURES, L'IMPORTANCE DES EFFETS DE CHARGE D'ESPACE EST ANALYSEE. L'EFFICACITE D'UN CONTROLE OPTIQUE DES DISPOSITIFS ELECTRO-OPTIQUES (MODULATEURS OU DETECTEURS), PAR CHANGEMENT DE LEUR IMPEDANCE, EST DEMONTREE, PERMETTANT D'ATTEINDRE DE TRES BASSES PUISSANCES DE COMMANDE (DE L'ORDRE DU W). NOUS AVONS EGALEMENT CALCULE ET OPTIMISE LA SUSCEPTIBILITE NON LINEAIRE DE STRUCTURES ASYMETRIQUES A PUITS QUANTIQUES, POUR DES ENERGIES VOISINES DU GAP

Download or read book OPTICAL PROPERTIES OF CDTE CDZNTE QUANTUM WELLS AND SUPERLATTICES written by Hélène Tuffigo and published by . This book was released on 1990 with total page 221 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL APPORTE UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET SUPERRESEAUX DE SEMICONDUCTEURS. LE SYSTEME QUE NOUS AVONS ETUDIE, CDTE/CDZNTE, REUNIT LES CARACTERISTIQUES SUIVANTES: IL S'AGIT D'UN SYSTEME CONTRAINT POSSEDANT UN FAIBLE DECALAGE DE BANDE DE VALENCE; DE PLUS, L'INTERACTION COULOMBIENNE DE LA PAIRE ELECTRON-TROU FORMANT UN EXCITON EST IMPORTANTE, DU MEME ORDRE QUE LES ENERGIES DE CONFINEMENT DES PORTEURS. NOUS AVONS ETUDIE A L'AIDE DE DIFFERENTES TECHNIQUES DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE UNE SERIE DE PUITS QUANTIQUES SIMPLES CDTE/CDZNTE, D'EPAISSEUR VARIANT ENTRE 1000 ET 20 ANGSTROMS. LES SPECTRES DES PUITS LES PLUS LARGES SONT CARACTERISES PAR LA PRESENCE DE NOMBREUSES RAIES FINES CORRESPONDANT AUX ETATS QUANTIFIES DU MOUVEMENT DU CENTRE DE MASSE DE L'EXCITON DANS LA COUCHE DE CDTE. CE NOUVEAU TYPE DE QUANTIFICATION SE TRANSFORME EN LA DESCRIPTION PLUS HABITUELLE DE L'EXCITON BIDIMENSIONNEL FORME A PARTIR D'UN ELECTRON ET D'UN TROU QUANTIFIES SEPAREMENT, AU FUR ET A MESURE QUE L'EPAISSEUR DE PUITS DIMINUE. NOUS PRESENTONS EGALEMENT LES RESULTATS DE SPECTROSCOPIE QUE NOUS AVONS OBTENUS SUR UNE SERIE DE SUPERRESEAUX DE TYPE MIXTE: DU FAIT DES SIGNES OPPOSES DE LA CONTRAINTE DANS LES COUCHES DE CDTE ET CDZNTE, LES ELECTRONS ET LES TROUS SONT CONFINES DANS LES COUCHES DE CDTE (EXCITON DE TYPE UN, DIRECT DANS L'ESPACE REEL) ALORS QUE LES TROUS LEGERS SONT CONFINES DANS LES COUCHES DE CDZNTE (EXCITON DE TYPE DEUX, INDIRECT DANS L'ESPACE REEL). NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DEUX PARAMETRES SUR LA STRUCTURE DE BANDE DE CES SUPERRESEAUX: LA PERIODE ET LA DEFORMATION

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE CDTE CONTENANT UN GAZ D ELECTRONS BIDIMENSIONNEL written by STEPHANE.. LOVISA and published by . This book was released on 1998 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES OPTIQUES ET MAGNETO-OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE CDTE CONTENANT UN GAZ D'ELECTRONS BIDIMENSIONNEL ONT ETE ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION ET D'EMISSION, EN FONCTION DE LA CONCENTRATION DES ELECTRONS. UNE PREMIERE ETUDE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION, EFFECTUEE SUR UNE SERIE D'ECHANTILLONS A DENSITE ELECTRONIQUE FIXE, A MONTRE QUE LA MASSE EFFECTIVE DES ELECTRONS DEPEND FORTEMENT DE LEUR CONCENTRATION. DES CALCULS TENANT COMPTE DES EFFETS A N CORPS EXPLIQUENT BIEN CETTE RENORMALISATION DE MASSE. PAR AILLEURS, DES DISPOSITIFS SCHOTTKY ONT ETE REALISES QUI PERMETTENT DE VARIER CONTINUMENT LA DENSITE DU GAZ D'ELECTRONS DANS UN PUITS QUANTIQUE DE CDTE A L'AIDE D'UNE TENSION INVERSE APPLIQUEE. L'ETUDE DES PROPRIETES DE MAGNETO-ABSORPTION EN FONCTION DE LA DENSITE A MENE A UNE MODELISATION DE LA FORCE D'OSCILLATEUR DE L'EXCITON CHARGE NEGATIVEMENT OU TRION. LES SPECTRES D'ABSORPTION OBTENUS EN CHAMP NUL SUR DES ECHANTILLONS POSSEDANT DES DESORDRES ELECTROSTATIQUES DIFFERENTS ONT MONTRE L'APPARITION DE ZONES ISOLANTES POUR UNE VALEUR DU RAPPORT DE LA DENSITE D'ELECTRONS ET DU PARAMETRE DE DESORDRE EXACTEMENT EGALE A CELLE PREVUE PAR LA THEORIE RECENTE D'EFROS. LA TRANSITION OPTIQUE TEMOIGNANT DE L'APPARITION DE CES ZONES EST ATTRIBUEE A UN TRION A N CORPS.

Download or read book Propri t s optiques de puits quantiques GaInAsN GaAs written by Tarik Bouragba and published by . This book was released on 2006 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des propriétés optiques de puits quantiques contraints GaInAsN/GaAs élaborés par épitaxie sous jets moléculaires. Les transitions interbandes du puit GaInAsN sont étudiés par photoluminescence et absorption optique traitée thermiquement. Les énergies correspodantes sont calculées grâce à un modèle k.p. à 10 bandes traitant simultanément la contrainte et le couplage entre états électroniques de l'azote et de la bande de conduction de GaInAs. Le décalage des bandes de conduction contraint GaInAsN/GaAs et de la masse effective des porteurs sont déterminés. La force d'oscillateur et l'élargissement inhomogène des excitons ainsi que le coefficient d'absorption des puits sont extraits des spectres. Un recuit provoque un décalage vers le bleu des énergies de transition, qui résulte de l'interdiffusion In/Ga et du réarrangement local autour de l'azote.Cette réorganisation atomique conduit à une diminution du couplage de l'azote avec la bande de conduction

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DE SEMI CONDUCTEURS COMPOSES III V ET DE PUITS QUANTIQUES PAR PHOTOLUMINESCENCE ET EXCITATION DE LA PHOTOLUMINESCENCE written by Didier Moroni and published by . This book was released on 1987 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: IDENTIFICATION DES TYPES DE RECOMBINAISON ENTRE 2 ET 300K DANS LES COUCHES EPAISSES DE GAINAS ET GAINP EPITAXIEES SUR LEUR SUPPORT RESPECTIF INP ET GAAS. ETUDE DE L'ORIGINE DE LA LUMINESCENCE ET VARIATION EN FONCTION DE L'EPAISSEUR DU TAUX DE CAPTURE DES PORTEURS DE LA BARRIERE DANS LES PUITS QUANTIQUES INGAAS/INP. DETERMINATION DU COEFFICIENT D'INTERDIFFUSION DE AL ET GA AUX INTERFACES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS GAAS ELABORES SOUS JETS MOLECULAIRES written by CEDRIC.. MONIER and published by . This book was released on 1995 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL A PORTE SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS IN#XGA#1#-#XAS/GAAS. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, DE REFLECTIVITE ET D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ONT ETE EFFECTUEES, AUX TEMPERATURES DE L'HELIUM LIQUIDE, SUR DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ELABORES RESPECTIVEMENT PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES (EJM) ET PAR EJM A PARTIR D'ORGANO-METALLIQUES (EJMOM). L'ANALYSE SPECTRALE (ENERGIES ET LARGEURS DES SIGNAUX) DES ECHANTILLONS EJM CONFIRME CLAIREMENT QUE LA TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE, PAR FORMATION D'ILOTS COHERENTS (SANS DISLOCATIONS), EST REPOUSSEE ET QUE LES PHENOMENES DE SEGREGATION DES ATOMES D'INDIUM CONNAISSENT UNE LIMITATION LORSQU'ON ELOIGNE LE SYSTEME DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE, EN REDUISANT LA TEMPERATURE DE CROISSANCE OU EN AUGMENTANT LA VITESSE DE CROISSANCE. LES RESULTATS OBTENUS SUR LES ECHANTILLONS EJMOM REVELENT UN EXCELLENT CONTROLE DE L'EPAISSEUR DES PUITS ; L'OBSERVATION DE RAIES DISCRETES DE PHOTOLUMINESCENCE, ATTRIBUEES A DES FLUCTUATIONS D'EPAISSEURS DES PUITS D'UNE MONOCOUCHE (MC), TEMOIGNE DE LA BONNE QUALITE DES INTERFACES (LARGES ETENDUES DES TERRASSES DANS LE PLAN DE CROISSANCE). DES MECANISMES DE TRANSFERTS INTERPUITS, PAR ACTIVATION THERMIQUE DES EXCITONS, SONT MIS EN EVIDENCE ET MODELISES. DANS LA GAMME D'EPAISSEUR DES PUITS (3-16 MC), UNE COMPARAISON ENTRE LES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT ET CELLES CALCULEES EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE CONTRAINTE ET DE SEGREGATION A PERMIS DE FIXER, POUR LES DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ETUDIES, UNE VALEUR COMMUNE DU DECALAGE DE BANDES RELATIF Q#C DE 0,640,01 DANS LE DOMAINE DE COMPOSITION 0,2

Download or read book Effets d interruptions de croissance sur les propri t s optiques des puits quantiques ultra minces GaInAs InP written by Sandrine Juillaguet and published by . This book was released on 1992 with total page 181 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ET A MULTI-PUITS QUANTIQUES (MPQS) ULTRAMINCES UTILISEES NOTAMMENT POUR LES CIRCUITS DESTINES A LA TELECOMMUNICATION PAR FIBRES OPTIQUES FONCTIONNANT DANS LA GAMME DE 1.38 M, NECESSITENT UN CONTROLE RIGOUREUX DE LA MORPHOLOGIE DES INTERFACES. DANS CE BUT, NOUS AVONS ETUDIE UNE SERIE DE MPQS GAINAS/INP (0

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book COLOQ 6 written by Alain Aspect and published by . This book was released on 2000 with total page 294 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book III Nitride Semiconductors written by M.O. Manasreh and published by Elsevier. This book was released on 2000-12-06 with total page 463 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Research advances in III-nitride semiconductor materials and device have led to an exponential increase in activity directed towards electronic and optoelectronic applications. There is also great scientific interest in this class of materials because they appear to form the first semiconductor system in which extended defects do not severely affect the optical properties of devices. The volume consists of chapters written by a number of leading researchers in nitride materials and device technology with the emphasis on the dopants incorporations, impurities identifications, defects engineering, defects characterization, ion implantation, irradiation-induced defects, residual stress, structural defects and phonon confinement. This unique volume provides a comprehensive review and introduction of defects and structural properties of GaN and related compounds for newcomers to the field and stimulus to further advances for experienced researchers. Given the current level of interest and research activity directed towards nitride materials and devices, the publication of the volume is particularly timely. Early pioneering work by Pankove and co-workers in the 1970s yielded a metal-insulator-semiconductor GaN light-emitting diode (LED), but the difficulty of producing p-type GaN precluded much further effort. The current level of activity in nitride semiconductors was inspired largely by the results of Akasaki and co-workers and of Nakamura and co-workers in the late 1980s and early 1990s in the development of p-type doping in GaN and the demonstration of nitride-based LEDs at visible wavelengths. These advances were followed by the successful fabrication and commercialization of nitride blue laser diodes by Nakamura et al at Nichia. The chapters contained in this volume constitutes a mere sampling of the broad range of research on nitride semiconductor materials and defect issues currently being pursued in academic, government, and industrial laboratories worldwide.

Download or read book Organic Solid State Lasers written by Sébastien Forget and published by Springer. This book was released on 2013-07-03 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.

Download or read book X Ray and Neutron Reflectivity Principles and Applications written by Jean Daillant and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2003-07-01 with total page 347 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The reflection of and neutrons from surfaces has existed as an x-rays exp- imental for almost it is in the last technique fifty Nevertheless, only years. decade that these methods have become as of enormously popular probes This the surfaces and interfaces. to be due to of several appears convergence of intense different circumstances. These include the more n- availability be measured orders tron and sources that can over (so reflectivity x-ray many of and the much weaker surface diffuse can now also be magnitude scattering of thin films and studied in some the detail); growing importance multil- basic the realization of the ers in both and technology research; important which in the of surfaces and and role roughness plays properties interfaces; the of statistical models to characterize the of finally development topology its and its characterization from on roughness, dependence growth processes The of and to surface scattering experiments. ability x-rays neutro4s study four five orders of in scale of surfaces over to magnitude length regardless their and also their to ability probe environment, temperature, pressure, etc. , makes these the choice for buried interfaces often probes preferred obtaining information about the microstructure of often in statistical a global surfaces, the local This is manner to complementary imaging microscopy techniques, of such studies in the literature witnessed the veritable by explosion published the last few Thus these lectures will useful for over a resource years.