Download or read book PROPRIETES DES ALLIAGES AMORPHES SILICIUM ETAIN EN RELATION AVEC LEURS CONDITIONS DE PREPARATION ET PHENOMENES DE CRISTALLISATION written by Patrick Raboisson and published by . This book was released on 1986 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE MATERIAUX PREPARES PAR PULVERISATION DIODE RADIOFREQUENCE. ON ETUDIE PLUS PARTICULIEREMENT, DU POINT DE VUE STRUCTURAL L'ENVIRONNEMENT DES ATOMES D'ETAIN PAR EFFET MOESSBAUER ET L'INCORPORATION D'HYDROGENE PAR ABSORPTION IR. DU POINT DE VUE ELECTRONIQUE, LES MESURES MONTRENT QUE LA BANDE INTERDITE OPTIQUE EST AJUSTABLE DANS UNE LARGE GAMME DE VALEURS ET LES MESURES ELECTRIQUES INDIQUENT UNE FORTE DENSITE D'ETATS ACCEPTEURS AU-DESSUS DE LA BANDE DE VALENCE, RESPONSABLE D'UNE CHUTE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES D ALLIAGES AMORPHES SILICIUM AZOTE PREPARES PAR PULVERISATION REACTIVE written by Amina Mezhoudi and published by . This book was released on 1986 with total page 390 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE, DE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET DE L'ABSORPTION IR INFLUENCE DE LA TENEUR EN AZOTE SUR LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE; MISE EN EVIDENCE D'UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE D'ETATS PROCHES DU NIVEAU DE FERMIS ET D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE. EFFETS D'UN DOPAGE AU BORE. MISE EN EVIDENCE D'UNE DISTRIBITION DE NIVEAUX PROFONDS SUR LESQUELS SE PRODUIT LA RECOMBINAISON DES PORTEURS MAJORITAIRES. RELATIONS ENTRE LES PROPRIETES DES COUCHES MINCES ET LES CONDITIONS DE PREPARATION

Download or read book Synth se d alliages amorphes AI Ni Zr par broyage m canique written by Jean-Philippe Braganti and published by . This book was released on 2000 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les alliages amorphes sont caractérisés par leur état thermodynamique hors équilibre. Pour envisager des applications, il est donc nécessaire d'étudier l'évolution de ces alliages vers leur état d'équilibre thermodynamique.Dans un premier temps, la formation des alliages par mécanosynthèse a nécessité l'optimisation des conditions de broyage qui permettent à la fois d'obtenir des alliages de structure amorphe et un rendement appréciable. Nous avons ainsi démontré la possibilité de synthétiser des alliages amorphes contenant une forte teneur en élément ductile (jusqu'à 40% at. de A1) par broyage mécanique, sans l'aide d'adjuvants ni de système de cryobroyage. En outre, le suivi de la formation de l'alliage pendant le broyage a montré que celle-ci était une transformation à l' état sollde.Ensuite, deux techniques expérimentales différentes ont permis d'aborder les deux aspects de la cristallisation : cinétique et chemin de cristallisation. La première, la microcalorimétrie différentielle à balayage, a permis de déterminer les grandeurs thermodynamiques caractéristiques des alliages amorphes (température et enthalpie de cristallisation). Par corrélation avec des mesures d'enthalpie de formation d'alliage cristallin, nous aussi calculé l'enthalpie de formation de l'alliage amorphe. Les processus de cristallisation pour chaque composé mit été défInis grâce à l'exploitation des signaux calorimétriques selon les méthodes de Surinach.et de Johnson, Mehl et Avrami. Nous proposons un raisonnement permettant d'affiner lés coefficients cinétiques obtenus par les deux méthodes précédentes. La seconde technique, utilisée pour l'analyse structurale, est la diffraction en temps réel sous rayonnement X intense. Par cette méthode non conventionnelle, il nous a été alors possible de mettre en évidence des phases transitoires ou métastables qui précèdent l'établissement de l'état stable. Cette caractérisation structurale des chemins de cristallisation est un complément novateur puisque seul l'aspect cinétique des transformations est accessible par la démarche thermodynamique.

Download or read book Propri t s physiques des alliages amorphes hydrog n s silicium carbone written by Martin Peter Schmidt and published by . This book was released on 1988 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA DEPOSITION PAR DECHARGE LUMINESCENTE A RADIOFREQUENCE DANS DES MELANGES DE SILANE ET METHANE ET DES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRONIQUES ASSOCIEES. EFFET DE LA PUISSANCE DE DEPOSITION ET DE LA COMPOSITION CHIMIQUE DE LA PHASE GAZEUSE. ON DEDUIT LA DENSITE D'ETATS A PARTIR DE MESURES D'ABSORPTION ET D'EMISSION DE RX. MISE EN EVIDENCE DE PROPRIETES OPTIQUES ANORMALES POUR UNE CONCENTRATION SUPERIEURE A 20% DE CARBONE

Download or read book CONTRIBUTIONS A L ETUDE DE LA MICROSTRUCTURE ET DES PROPRIETES OPTIQUES DU SILICIUM AMORPHE ET MICROCRISTALLIN written by HAMID.. TOUIR and published by . This book was released on 1997 with total page 251 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST DE MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES PHYSIQUES QUI REGISSENT, D'UNE PART LA MICROSTRUCTURE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DU SI TANT AMORPHE (A-SI 1 XH X) QUE MICROCRISTALLIN (C-SI), D'AUTRE PART LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL PAR RECUIT THERMIQUE AINSI QUE L'HYDROGENATION DE LA MATRICE AMORPHE. LES FILMS DE A-SI(: H) ETUDIES DANS CE TRAVAIL, SONT PREPARES PAR PULVERISATION R.F. ASSISTEE PAR MAGNETRON (RF MS). CES FILMS ONT ETE CARACTERISES PAR PLUSIEURS TECHNIQUES : DIFFRACTION DES RAYONS X (XRD), DIFFUSION RAMAN, SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRAROUGE (IR), MESURES OPTIQUES EN TRANSMISSION COMPLETEES PAR LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). POUR LES FILMS DE A-SI NON HYDROGENES DEPOSES ET RECUITS THERMIQUEMENT DANS DES CONDITIONS ORIGINALES UN SPECTRE D'ABSORPTION OPTIQUE VOISIN DE CEUX DE FILMS DE A-SI : H OPTIMISES PREPARES PAR DECOMPOSITION DE SILANE ASSISTEE PAR PLASMA (PECVD) A ETE OBTENUE (600\C, 6 H) : FAIBLE ABSORPTION A BASSE ENERGIE ET BORD EXPONENTIEL BIEN VISIBLE. CECI SUGGERE QUE LE RECUIT DE A-SI PEUT ETRE COMPETITIF PAR RAPPORT = L'HYDROGENATION POUR REDUIRE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES (DEFAUTS) DANS LE GAP. EN ENTRE, LE FAIBLE GAP DE CES FILMS PAR RAPPORT A CELUI DE A-SI : H EST UN AVANTAGE POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUE. DES FAIBLES DENSITES D'ETATS DE DEFAUTS ONT ETE EGALEMENT OBSERVEES DANS DES FILMS DE A-SI : H DEPOSES A GRANDES VITESSES DANS DES CONDITIONS DE VIDE SECONDAIRE ET DEPOSES. CE MATERIAU EST COMPARABLE AU A-SI : H PREPARE PAR PECVD DANS UN ENVIRONNEMENT ULTRAVIDE. CE RESULTAT MONTRE QUE LA RF MS PEUT ETRE UNE TECHNIQUE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR L'OBTENTION DE A-SI : H DE QUALITE ELECTRONIQUE AVEC DES GRANDES VITESSES DE DEPOT. MAIS IL FAUDRAIT POUR CELA UTILISER DES CHAMBRE DE DEPOT EQUIPEES DE LA TECHNOLOGIE ULTRAVIDE. DANS LE CAS DES FILMS DE A-SI 1 XH X, DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ONT ETE DETECTEES PAR DES MESURES DE XRD ET DE DIFFUSION RAMAN. CES DOMAINES DESORDONNES AU VOISINAGES DES CAVITES ONT ETE IDENTIFIES A TRAVERS L'ANALYSE D'UNE PART DU PROFIL DU PREMIER HALO DU SPECTRE DE XRD ET D'AUTRE PART DU DE LA PARTIE BASSES FREQUENCES DU SPECTRE RAMAN. LA DIMINUTION DE CES INHOMOGENEITES, EN FONCTIONS DES CONDITIONS DE PREPARATIONS, SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DES ETATS LOCALISES DANS LE GAP. LORSQU'IL EXISTE EGALEMENT UNE HETEROGENEITE CHIMIQUE MISE EN EVIDENCE PAR LA PRESENCE DES BANDES IR A 2090 ET 2000 CM - 1, ATTRIBUEES RESPECTIVEMENT A H LIE DANS LES GROUPEMENTS (SIH 2) N ET SIH, UNE CORRELATION A ETE ETABLIE ENTRE L'ABSORPTION INTEGREE DE LA COMPOSANTE A 2090 CM - 1 ET LES INHOMOGENEITES STRUCTURALES VUES PAR DIFFUSION RAMAN, CE QUI SUGGERE QUE LES GROUPEMENTS (SIH 2) N SONT LOCALISES DANS CES DOMAINE DESORDONNES. L'EXISTENCE DE FORTES CONCENTRATIONS TOTALES D'HYDROGENE (H LIE ET H 2) DANS LES FILMS DE A-SI : H QUI PRESENTENT CEPENDANT DE NOMBREUSES LIAISONS PENDANTES (DB) LAISSE PENSER QU'IL Y A UN EQUILIBRE ENTRE DB ET H 2. UN MODELE A 2 NIVEAUX, QUI TIENT EN TENANT COMPTE DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ET CHIMIQUES, A ETE DEVELOPPE POUR EXPLIQUER AUSSI BIEN LE DEGRE DE PASSIVATION DES DB QUE LA STABILITE DE CES FILMS. DANS LE CAS DES FILMS DE C-SI OBTENUS PAR RECUIT DES FILMS PRESENTANT DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES (POUR A-SI) ET CHIMIQUES (POUR A-SI : H), UNE BI-DISPERSION DE LA TAILLE DES GRAINS A ETE IDENTIFIEE PAR XRD ET DIFFUSION RAMAN. CETTE BI-DISPERSION RESULTE D'UN EFFET DE MEMOIRE DES INHOMOGENEITES DE LA PHASE AMORPHE DE DEPART. LA DISTORSION MOYENNE DES ANGLES DE LIAISONS, , DANS CES FILMS DE C-SI, A ETE CARACTERISEE PAR DIFFUSION RAMAN. LE DECALAGE DU PIC CRISTALLIN NE PEUT PAS ETRE INTERPRETE COMME DU A L'EFFET DE LA TAILLE DES GRAINS ESTIMEE PAR XRD. IL S'EXPLIQUE PLUTOT PAR L'EFFET DES CONTRAINTES DANS LES JOINTS DE GRAINS ET/OU A L'INTERIEUR DES GRAINS. UN MODELE DEVELOPPE POUR PRENDRE EN COMPTE DE CET EFFET INDIQUE DES VARIATIONS DE DE L'ORDRE DE 1 A 2\. LE CALCUL DE LA DENSITE D'ETATS DE PHONONS INCOMPLETE G Q M A X LIMITEE AU CENTRE DE LA ZONE DE BRILLOUIN (DE RAYON Q M A X) MONTRE QUE LE MAXIMUM DE G Q M A X SE DEPLACE VERS LES BASSES FREQUENCES QUAND Q M A X AUGMENTE. CE RESULTAT PEUT EXPLIQUER LE DEPLACEMENT DU PIC AMORPHE DES SPECTRES RAMAN DU C-SI, PAR RAPPORT A SA POSITION DANS LES FILMS AMORPHES. LE BORD D'ABSORPTION OPTIQUE DES FILMS DU C-SI EST DECALE VERS LES BASSES ENERGIES PAR RAPPORT AU MONOCRISTAL. CE DEPLACEMENT A ETE INTERPRETE PAR UN EFFET DU DESORDRE QUI SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DE LA COHERENCE DES FONCTIONS D'ONDE ELECTRONIQUES ET QUI SE TRADUIT PAR LE BROUILLAGE DES BANDES DE CONDUCTION.

Download or read book PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES ET MAGNETIQUES D ALLIAGES AMORPHES ZR 1 X FE X written by MOHAMED.. ELHAFIDI and published by . This book was released on 1985 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE ZR::(1-X)FE::(X) POUR X=20; 24; ET 26%. DANS CE DOMAINE DE CONCENTRATIONS LE CONFLIT ENTRE PROPRIETES MAGNETIQUES ET SUPRACONDUCTRICES EST DETERMINANT ET DEPEND FORTEMENT DE LA METHODE D'ELABORATION DE L'ALLIAGE AMORPHE. LA DISPARITION DE LA SUPRACONDUCTIVITE DANS LES ALLIAGES TREMPES A PARTIR DU LIQUIDE EST DUE ESSENTIELLEMENT AU REMPLISSAGE DE BANDE, ALORS QUE DANS LES ALLIAGES OBTENUS PAR PULVERISATION ELLE A POUR ORIGINE L'EXISTENCE DE CORRELATIONS MAGNETIQUES PROUVEES PAR UN COMPORTEMENT DE VERRE DE SPIN. L'EXISTENCE DE SPINS LIBRES DUS A LA FRUSTRATION ET AU DESORDRE A ETE REVELEE A BASSE TEMPERATURE POUR LES ALLIAGES X=26 ET X=28% PULVERISES. L'EXISTENCE DE PAIRES DE FER ANTIFERROMAGNETIQUES PROUVE LEUR CARACTERE BEAUCOUP PLUS DESORDONNNE QUE LES ALLIAGES TREMPES. UN RECUIT A 250C NE LES FAIT PAS EVOLUER VERS UN ETAT SEMBLABLE A CELUI DES AMORPHES TREMPES

Download or read book Propri t s supraconductrices et magn tiques d alliages amorphes Zr 1 x Fe x written by Mohamed El Hafidi and published by . This book was released on 1985 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE ZR::(1-X)FE::(X) POUR X=20; 24; ET 26%. DANS CE DOMAINE DE CONCENTRATIONS LE CONFLIT ENTRE PROPRIETES MAGNETIQUES ET SUPRACONDUCTRICES EST DETERMINANT ET DEPEND FORTEMENT DE LA METHODE D'ELABORATION DE L'ALLIAGE AMORPHE. LA DISPARITION DE LA SUPRACONDUCTIVITE DANS LES ALLIAGES TREMPES A PARTIR DU LIQUIDE EST DUE ESSENTIELLEMENT AU REMPLISSAGE DE BANDE, ALORS QUE DANS LES ALLIAGES OBTENUS PAR PULVERISATION ELLE A POUR ORIGINE L'EXISTENCE DE CORRELATIONS MAGNETIQUES PROUVEES PAR UN COMPORTEMENT DE VERRE DE SPIN. L'EXISTENCE DE SPINS LIBRES DUS A LA FRUSTRATION ET AU DESORDRE A ETE REVELEE A BASSE TEMPERATURE POUR LES ALLIAGES X=26 ET X=28% PULVERISES. L'EXISTENCE DE PAIRES DE FER ANTIFERROMAGNETIQUES PROUVE LEUR CARACTERE BEAUCOUP PLUS DESORDONNNE QUE LES ALLIAGES TREMPES. UN RECUIT A 250C NE LES FAIT PAS EVOLUER VERS UN ETAT SEMBLABLE A CELUI DES AMORPHES TREMPES

Download or read book tude de la structure et des propri t s magn tiques hyperfines d alliages amorphes m tal de transition Fe Co Ni metallo de B Si P written by Jean-Marie Dubois and published by . This book was released on 1981 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: GENERALITES SUR LES ALLIAGES AMORPHES M::(1-X)X::(X) ET PRESENTATION DE L'ETUDE: TENDANCE A LA VITRIFICATION ET STABILITE THERMIQUE, PROPRIETES MAGNETIQUES, STRUCTURE, ALLIAGES AMORPHES CO::(1-X)B::(X) ET FE::(1-X)B::(X). METHODES D'ETUDE: DIFFUSION DES NEUTRONS POLARISES, SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION DU RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE, EXPLOITATION NUMERIQUE DES SPECTRES MOESSBAUER. CONDITIONS EXPERIMENTALES: PREPARATION DES ALLIAGES CRISTALLINS, TREMPE DEPUIS L'ETAT LIQUIDE, CARACTERISATION DE L'ETAT AMORPHE, TEXTURES MAGNETIQUES, APPAREILLAGE. ETUDE PAR SPECTROMETRIE MOESSBAUER DE COMPOSES CRISTALLINS M::(1-X)X::(X). ETUDE DES ALLIAGES AMORPHES CO::(1-X)B::(X) ET FE::(1-X)B::(X). ETABLISSEMENT D'UN MODELE DE STRUCTURE DES ALLIAGES AMORPHES M::(1-X)X::(X) ET CONFIRMATIONS EXPERIMENTALES DE CE MODELE

Download or read book tude de la cristallisation et de la structure des alliages amorphes Al Ni Si written by Bruno Chenal and published by . This book was released on 1988 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Étude expérimentale par diffraction de rayons X et par microscopie électronique en transmission. Mise en évidence de deux nouveaux composés cristallins métastables. Détermination de leur structure cristalline. Étude par diffraction de neutrons de différents alliages d'aluminium à l'état liquide et à l'état amorphe. L’ordre local est le même dans ces deux états désordonnés. Il n’existe pas d'ordre local unique pouvant décrire la structure de tous ces systèmes à base d'aluminium. Interprétation de la fragilisation à température ambiante des alliages amorphes Al-Ni-Si

Download or read book ETUDE DE LA CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PYROLYSE DE DISILANE PAR LPCVD DANS DES CONDITIONS ULTRA PURES APPLICATION A LA REALISATION DE TRANSISTORS MOS EN COUCHE MINCES written by Thierry Kretz (ingénieur en nanotechnologies).) and published by . This book was released on 1993 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A GROS GRAINS, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE REALISEES DANS UN REACTEUR DE TYPE UHVCVD ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES MATERIAUX AMORPHES ELABORES A PARTIR DU GAZ DISILANE, DECOMPOSE A DES TEMPERATURES VARIANT DE 460 A 540C, SONT COMPARES AUX DEPOTS A BASE DE GAZ SILANE OBTENUS PAR PYROLYSE A 550C. LES ANALYSES SIMS REVELENT QUE LES CONCENTRATIONS EN OXYGENE ET EN CARBONE DANS CES DEPOTS SONT DE PLUS DE DEUX ORDRES DE GRANDEUR INFERIEURES A CELLES RAPPORTEES DANS LA LITTERATURE POUR DES DEPOTS LPCVD. PAR SPECTROMETRIE RAMAN, NOUS MONTRONS QUE POUR UNE VITESSE DE DEPOT IDENTIQUE, LE SILICIUM AMORPHE REALISE A PARTIR DU GAZ DISILANE PRESENTE UN DEGRE DE DESORDRE STRUCTURAL SUPERIEUR AU SILICIUM AMORPHE GENERE PAR LE GAZ SILANE. LA CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE DES COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE EST ENSUITE ETUDIEE. L'EVOLUTION DE LA TEXTURE 111 DES COUCHES POLYCRISTALLINES EN FONCTION DES CONDITIONS DE DEPOT EST DETERMINEE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X DANS LA CONFIGURATION (-2). UNE METHODE DE SUIVI IN SITU (DANS LE FOUR DE RECUIT) DE L'EVOLUTION DE LA CONDUCTANCE DES COUCHES, EN FONCTION DE LA DUREE DE RECUIT, COMBINEE AVEC DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA VARIATION DE LA TAILLE DES GRAINS, POUR DIFFERENTES TEMPERATURES DE CRISTALLISATION, NOUS PERMET DE REMONTER AUX ENERGIES D'ACTIVATION DU TAUX DE NUCLEATION, E#N, ET DE LA VITESSE DE CROISSANCE, E#G, DES CRISTALLITES. LES VALEURS DE E#N ET E#G SONT EN BONNE CORRELATION AVEC LA DIFFERENCE DE TAILLE DE GRAINS (PLUS D'UN ORDRE DE GRANDEUR) OBSERVEE ENTRE LES COUCHES A BASE DE SILANE ET CELLES A BASE DE DISILANE. FINALEMENT NOUS MONTRONS QUE L'UTILISATION DU GAZ DISILANE PERMET D'AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES (MOBILITE, TENSION DE SEUIL, PENTE SOUS LE SEUIL) DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN

Download or read book Properties of Amorphous Silicon and Its Alloys written by T. M. Searle and published by Inst of Engineering & Technology. This book was released on 2011-12 with total page 428 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A useful data review of the important properties of a-Si, a knowledge of which is necessary for the planning, modelling and interpretation of experiments. - Engineering Science and Engineering Journal

Download or read book Elaboration caract risation et tude des propri t s structurales et magn tiques des alliages amorphes terre rare silicium written by Patrick Simonnin and published by . This book was released on 1984 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Fabrication et caract risation de nanocristaux de silicium encapsul s dans des matrices silici es amorphes written by Jérémy Barbé and published by . This book was released on 2013 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.

Download or read book Alliages silicium germanium polymorphes en couches minces pour applications photovolta ques written by Marie-Estelle Gueunier and published by . This book was released on 2003 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Fabrication of high-efficiency stable multijunction solar cells requires low optical band gap materials. Thus, hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys (a-SiGe:H) are of great interest for photovoltaic applications since the band gap can be decreased by increasing the germanium content. However, on one band, the addition of germanium in the silicon network was shown in the past to lead to a drastic deterioration of the electronic properties. On the other hand, improved electronic properties and stability had been observed on a new material, called hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H). This material was deposited by PECVD in high pressure and high hydrogen dilution conditions. The aim of this thesis was to explore similar conditions of high pressure and high hydrogen dilution for the fabrication of SiGe alloys, with the hope that the improved properties observed on pm-Si:H could be extended to these alloys. The optical, structural, defect-related and transport properties of different series of alloys have been studied by a set of complementary techniques. The modulated photocurrent technique was particularly studied and some new developments were brought to this technique. We find that these new SiGe alloys exhibit some specific properties attributed to the peculiar hydrogen microstructure, which justifies that these alloys have been designed as hydrogenated polymorphous silicon-germanium alloys (pm-SiGe:H). First results of p-i-n diodes for which pm-SiGe:H alloys were incorporated in the intrinsic layer are also presented here. The efficiency of such devices is comparable to that of amorphous alloys (around 7%) and does not reveal the improved properties of the polymorphous material. We have identified that this is due to problems at the p/i interface. Solving these problems should greatly increase the performance of the devices.

Download or read book CRISTALLISATION THERMIQUE EN PHASE SOLIDE DU SILICIUM AMORPHE DEPOSE PAR LPCVD written by MOHAMMED.. GUENDOUZ and published by . This book was released on 1990 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PORTE PRINCIPALEMENT SUR L'ANALYSE DES MECANISMES DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE, A 600#OC, DU SILICIUM AMORPHE NON DOPE ET DEPOSE PAR LPCVD ET LES EFFETS DU SUBSTRAT SUR CETTE CRISTALLISATION. APRES UN RAPPEL DE LA THEORIE CLASSIQUE DE LA GERMINATION ET LA MODELISATION DES DIFFERENTS MODES DE CROISSANCE DES GRAINS, LA CINETIQUE DE CRISTALLISATION SUR UN SUBSTRAT DE VERRE, DETERMINEE PAR D.R.X. ET M.E.T., EST PRESENTEE. LE MODE DE CRISTALLISATION (GERMINATION A L'INTERFACE, CROISSANCE TRI-DIMENSIONNELLE DES GRAINS,...) AINSI QUE LES PARAMETRES DE CETTE CRISTALLISATION (TAUX DE GERMINATION, VITESSE DE CRISTALLISATION,...) EN SONT DEDUITS. D'AUTRE PART, CE TRAVAIL MONTRE QUE LA CRISTALLISATION N'EST PAS INDEPENDANTE DE LA NATURE CHIMIQUE DU SUBSTRAT. SI L'EFFET SUR LE SILICIUM DEPOSE PAR LPCVD RESTE LIMITE A UN RAPPORT DE TAUX DE GERMINATION DE 2,5 ENTRE LES DEUX SUBSTRATS (ITO ET VERRE) QUI DONNENT LES RESULTATS LES PLUS DIFFERENTS, IL N'EN EST PAS DE MEME POUR LES COUCHES DEPOSEES PAR PECVD OU LA GERMINATION EST TRES RAPIDE SUR ITO ET TRES LENTE SUR VERRE, ENTRAINANT DES MODES DE CROISSANCE BI-DIMENSIONNELLE. ENFIN, UNE ETUDE COMPARATIVE DES RESULTATS ELECTRIQUES SUR DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES REALISES SOIT AVEC DU SILICIUM DEPOSE SOUS FORME CRISTALLINE, SOIT AVEC DU SILICIUM AMORPHE CRISTALLISE THERMIQUEMENT, EST PRESENTEE

Download or read book MECANISMES DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE DE FILMS MINCES DE SILICIUM AMORPHE DEPOSES PAR LPCVD written by JEAN-PAUL.. GUILLEMET and published by . This book was released on 1994 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES CINETIQUES DE CROISSANCE, DE GERMINATION ET DE CRISTALLISATION DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE (A-SI) DEPOSES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) ONT ETE DETERMINEES PAR RECUIT IN SITU DANS UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION. LA CINETIQUE DU PROCESSUS DE CROISSANCE EST LINEAIRE, ANISOTROPE ET CARACTERISEE PAR UNE ENERGIE D'ACTIVATION (E#A) EGALE A 2,4 EV. LA LOI DE GERMINATION EST DECRITE PAR UNE LOI PUISSANCE ET L'ENERGIE D'ACTIVATION DU PROCESSUS (E#A#N) DEPEND DE LA TEMPERATURE DE DEPOT DU FILM ET DE LA NATURE DU GAZ REACTANT (E#A#N = 2,4 EV: 520C-300 MTORR, FILIERE SIH#4 ET E#A#N=4,3 EV: 465C-200 MTORR, FILIERE SI#2H#6). LA CINETIQUE DE CRISTALLISATION SUIT LA LOI D'AVRAMI D'EXPOSANT N VARIANT DE 5 A 13, SELON LES CONDITIONS DE DEPOT ET LA TEMPERATURE DE RECUIT (T#R). LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE IN SITU EN HAUTE RESOLUTION MONTRE QUE PLUSIEURS MECANISMES REGISSENT LA CROISSANCE DES GRAINS DE SILICIUM ET QUE L'EVOLUTION DU FRONT DE CROISSANCE S'EFFECTUE PAR INCORPORATION SIMULTANEE DE PLUSIEURS CENTAINES D'ATOMES. LA SPECTROSCOPIE DE PERTE D'ENERGIE DES ELECTRONS A PERMIS DE DETERMINER LA DENSITE DES FILMS AMORPHES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN ORDRE A COURTE DISTANCE. LE NOMBRE D'ATOMES CONTENUS DANS LE GERME DE TAILLE CRITIQUE EST INDEPENDANT DES PARAMETRES DE DEPOT ET DE RECUIT. LA VARIATION DE L'EXPOSANT Q DE LA LOI DE GERMINATION S'INTERPRETE PAR UNE CINETIQUE DE MISE EN AMAS DES ATOMES DE SILICIUM LORS DU DEPOT, ET PAR UNE EXODIFFUSION RAPIDE DE L'HYDROGENE POUR T#R>600C. LES TRANSISTORS ELABORES A PARTIR DES FILMS DEPOSES A 465C ET 200 MTORR (FILIERE SI#2H#6) ET RECUITS A 600C OU 750C PRESENTENT LES MEILLEURS PERFORMANCES ELECTRIQUES ET SONT CORRELEES AU MAXIMUM DE LA TAILLE DES GRAINS (D#G). CE DERNIER PARAMETRE EST LIE A DES VITESSES DE GERMINATION ET DE CROISSANCE RESPECTIVEMENT MINIMALE ET MAXIMALE. UN RECUIT ANISOTHERME EST PROPOSE AFIN D'AUGMENTER LA TAILLE DES GRAINS, DE DIMINUER LA LARGEUR DES DISTRIBUTIONS DES TAILLES ET LES TEMPS DE RECUIT

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES EN FONCTION DE LA COMPOSITION DES ALLIAGES AMORPHES SILICIUM CARBONE PREPARES PAR DECHARGE LUMINESCENTE written by Martin Peter Schmidt and published by . This book was released on 1984 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURES DE CONDUCTIVITE, DE PHOTOCONDUCTIVITE STATIONNAIRE ET TRANSITOIRE, ET D'ABSORPTION OPTIQUE DANS A-SI::(X)C::(1-X):H. LA CONDUCTIVITE PRESENTE DEUX REGIMES D'ACTIVATION THERMIQUE ENTRE 270 ET 470 K. CECI PERMET D'ESTIMER LA LARGEUR DES QUEUES DE BANDE DUES AU DESORDRE. L'ABSORPTION OPTIQUE AUX BASSES ENERGIES MONTRE LA PRESENCE D'UNE FORTE DENSITE D'ETATS VERS 1,2 EV AU-DESSOUS DE LA BANDE DE CONDUCTION QUI AUGMENTE AVEC LA TENEUR EN CARBONE