Download or read book Oxydation du silicium par plasma d oxygene written by Christine Martinet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacre a l'etude de l'oxyde de silicium realise par oxydation plasma a basse temperature dans un reacteur a resonance cyclotronique electronique repartie. Nous nous sommes interesses aux cinetiques de croissance en anodisation plasma (tension appliquee au substrat superieure au potentiel plasma) a courant constant qui decrivent bien un modele de diffusion d'ions o#- assistee champ. Mais, nous avons mis en evidence l'existence d'un premier regime, ou la tension reste constante, qui correspondrait a la formation d'une couche conductrice d'epaisseur 10-15 nm due aux photons u.v. Energetiques du plasma d'oxygene. Nous avons caracterisé physiquement nos oxydes plasmas. La methode d'absorption infrarouge s'est revelee tres adaptee a l'etude des couches minces de silice, en tenant compte des effets geometriques, mis en evidence par calcul et experimentalement, provoquant un deplacement fictif du pic du mode principal optique transverse (to) avec l'epaisseur d'oxyde, tandis que la position du pic du mode optique longitudinal (lo) reste invariante. La position des pics des modes lo et to nous permet de determiner l'angle moyen si-o-si et la densite de la silice. Les oxydes plamas montrent une position de ces deux pics tres deplacee par rapport aux oxydes thermiques laissant presager des oxydes denses. La reflectometrie x s'est revelee tres sensible a la rugosite de surface de l'oxyde tandis qu'il est difficile d'obtenir des valeurs precises pour les autres parametres (rugosite d'interface sio#2/si, densite). Les resultats des mesures sur les oxydes anodiques en absorption infrarouge et en reflectometrie x montrent une inhomogeneite en epaisseur. Enfin, des mesures c(v) montrent une caracteristique convenable bien que ces oxydes soient contamines par les metaux constituant le reacteur.

Download or read book OXYDATION DU SILICIUM PAR PLASMA D OXYGENE written by CHRISTINE.. MARTINET and published by . This book was released on 1995 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR

Download or read book ETUDE DU PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM EN PLASMA HELICON O 2 TEOS written by FREDERIC.. NICOLAZO and published by . This book was released on 1997 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DU PROCEDE D'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE EN PLASMA DE MELANGE OXYGENE/TETRAETHOXYSILANE (TEOS), DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HAUTE DENSITE, BASSE PRESSION DE TYPE HELICON. CE REACTEUR FONCTIONNE EN COUPLAGE INDUCTIF POUR LES PUISSANCES SUPERIEURES A 300 WATTS, AVEC DE FORTES DENSITES ELECTRONIQUES ET DE FAIBLES POTENTIELS. L'ETUDE DES PLASMAS D'OXYGENE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ET SONDE DE LANGMUIR A PERMIS DE DETERMINER L'ION MAJORITAIRE ET LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PLASMA. IL EST MONTRE QUE L'ACTINOMETRIE PEU ETRE UTILISEE POUR MESURER LA DENSITE D'ATOMES D'OXYGENE. ON OBTIENT DES TAUX DE DISSOCIATION DE LA MOLECULE INFERIEURS A 10%. ON EN DEDUIT UN COEFFICIENT DE RECOMBINAISON DES ATOMES D'OXYGENE SUR LES PAROIS EN ACIER DE L'ORDRE DE 0,1. LA CONNAISSANCE DE LA DENSITE DU PLASMA ET DE LA CONCENTRATION DES ATOMES D'OXYGENE EN FONCTION DE LA PUISSANCE, DE LA PRESSION ET DE LA POSITION DANS LE REACTEUR A PERMIS DE DETERMINER LES FLUX DE PARTICULES ET DE DEFINIR DES CONDITIONS FAVORABLES AU DEPOT. L'INTRODUCTION DU TEOS DANS LES PLASMAS D'OXYGENE PROVOQUE UNE DIMINUTION DE LA DENSITE ET DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE. LES SPECTRES D'EMISSION OPTIQUE SONT SOIGNEUSEMENT INDEXES. LES VARIATIONS DES INTENSITES D'EMISSIONS DES ESPECES DETECTEES SONT CORRELEES A LA MODIFICATION DE LA COMPOSITION DE LA COUCHE MINCE OBTENUE. LES FILMS DEPOSES SUR SILICIUM SONT CARACTERISES PAR ABSORPTION INFRAROUGE, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE LIQUIDE (P-ETCH). LES OXYDES DE SILICIUM OBTENUS DANS LES MELANGES O2/TEOS SONT DE BONNE QUALITE POUR DES TAUX DE TEOS INFERIEURS A 0,1, LORSQUE LA CINETIQUE EST LIMITEE PAR LE FLUX DE PRECURSEUR SUR LA SURFACE. POUR LES TAUX PLUS ELEVES, LA VITESSE DE DEPOT SATURE ET LES ELEMENTS CARBONES SONT OBSERVES DANS LES COUCHES.

Download or read book ETUDE DE LA MODIFICATION DES SURFACES DE SILICIUM ET D OXYDE DE SILICIUM SOUMISES A DES PLASMAS DE TRIFLUOROMETHANE ET D OXYGENE written by Abdeljalil Rhounna and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE ETUDE EST D'ACQUERIR UNE CONNAISSANCE APPROFONDIE DU MECANISME D'INTERACTION ENTRE LES PLASMAS DE CHF::(3) ET D'O::(2) ET LES SURFACES DE SI ET SIO::(2). DEUX TECHNIQUES EXPERIMENTALES ONT ETE UTILISEES : LA SPECTROMETRIE DE MASSE DU GAZ IONISE ET LA SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS DES SURFACES APRES TRAITEMENT PAR PLASMA

Download or read book Oxydation basse temp rature assist e par plasma des alliages silicium germanium written by Claude Tételin and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Deux aspects fondamentaux de l'oxydation basse température assistée par plasma d'oxygène des alliages silicium germanium ont été étudies: la nature chimique de l'oxyde et les cinétiques d'oxydations de ces alliages. La nature de l'oxyde forme varie en fonction du temps d'oxydation. Dans un premier temps, l'oxyde forme est du dioxyde de silicium (sio#2) et le germanium s'accumule a l'interface oxyde/substrat. Nous avons montre, que cette accumulation se fait sous la forme d'une couche de germanium pur. Dans un deuxième temps, le germanium s'incorpore au dioxyde de silicium sous forme d'agrégats avant d'être oxydé et de diffuser vers la surface externe de l'oxyde. En oxydation assistée par oxygène atomique, nous avons montre que les alliages sige s'oxydent plus vite qu'un substrat de silicium. Ceci est attribué à la fragilisation des liaisons du substrat due à la présence de germanium. Dans le cas de l'anodisation, les alliages sige ne s'oxydent également plus vite que le silicium. Nous avons montré que le mécanisme limitant la réaction d'anodisation est la relaxation de contrainte entre l'oxyde et le substrat. La qualité électronique des oxydes formes à partir de sige est moins bonne que ceux formes à partir de silicium mais nous pouvons envisager une amélioration de cette qualité grâce a des traitements thermiques appropries.

Download or read book DEPOT D OXYDE DE SILICIUM DANS UN REACTEUR PLASMA MICRO ONDES DE GRAND DIAMETRE EN MELANGE HEXAMETHYLDISILOXANE OXYGENE written by NADIA.. BENISSAD and published by . This book was released on 1999 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE A POUR BUT D'ETUDIER LE PROCEDE DE DEPOT, DANS UN REACTEUR PLASMA DE COUCHES MINCES D'OXYDES DES SILICIUM. LA SOURCE EST UNE DECHARGE MICRO-ONDES ENTRETENUE PAR UNE ONDE DE SURFACE A 2,45 GHZ. LE SUBSTRAT EST PLACE EN PROCHE POST-DECHARGE ET N'EST DONC PAS EXPOSE A UNE TEMPERATURE ELEVEE. LES GAZ UTILISES SONT L'ARGON, L'OXYGENE ET UN ORGANOSILICIE, L'HEXAMETHYLDISILOXANE HMDSO : O(SI(CH 3) 3) 2. CETTE ETUDE A ETE CONSACREE AUSSI BIEN A LA CARACTERISATION DE LA PHASE GAZEUSE, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SPECTROMETRIE DE MASSE, QU'A L'ANALYSE DES COUCHES MINCES PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE ET GRAVURE CHIMIQUE. LA DILUTION DU MONOMERE HMDSO DANS LE MELANGE GAZEUX INITIAL INFLUE CONSIDERABLEMENT SUR LES ESPECES PRESENTES DANS LA PHASE GAZEUSE ET DONC SUR LA NATURE DU MATERIAU DEPOSE. A FORTE DILUTION DE L'ORGANOSILICIE DANS L'OXYGENE, LE HMDSO EST FRAGMENTE ET OXYDE ET ON OBTIENT DES COUCHES MINCES DE TYPE SIO 2. MAIS LORSQUE L'OXYGENE EST DILUE DANS LE MONOMERE, LA DISSOCIATION DE CE DERNIER N'EST PAS SUFFISANTE ET ON DEPOSE ALORS DES FILMS A CARACTERE ORGANIQUE SIO XC YH Z. DES CORRELATIONS ENTRE LA PRESENCE DES ESPECES EXCITEES OH ET CH DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION RESPECTIVEMENT DE SILANOL ET D'HYDROCARBURES DANS LES COUCHES MINCES ONT PU ETRE ETABLIES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PUISSANCE MICRO-ONDES ET DE LA PRESSION SUR LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET LES FILMS ELABORES. CELA A PERMIS DE FAIRE APPARAITRE DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR : NOUS AVONS CONSTATE L'EXISTENCE D'UNE PRESSION MAXIMALE AU DESSUS DE LAQUELLE DES POUDRES SE FORMENT DANS LE GAZ ET LES PROPRIETES DE CES FILMS SONT ALTEREES. DE MANIERE GENERALE, LES COUCHES MINCES SE SONT REVELEES POREUSES. MAIS, GRACE A LA POLARISATION RADIO-FREQUENCE (13,56 MHZ) DU PORTE-SUBSTRAT, IL A ETE POSSIBLE D'ELABORER DES FILMS PLUS DENSES ET CE A DES VITESSES PLUS RAPIDES (300 NM/MIN).

Download or read book PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES PAR PLASMA BASSE TEMPERATURE D OXYGENE written by DIDIER.. GOGHERO and published by . This book was released on 2001 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AU DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM ET D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM DANS UN REACTEUR HELICON (13,56 MHZ). DES COUCHES DE SIO 2, PROCHES DE LA SILICE THERMIQUE, SONT OBTENUES EN UTILISANT UN TRES FAIBLE POURCENTAGE DE TETRAETHOXYSILANE (TEOS). UNE ANALYSE DU PLASMA A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SONDE DE LANGMUIR POUR ETUDIER LES PERTURBATIONS EVENTUELLES DE LA POLARISATION RADIOFREQUENCE DU SUBSTRAT ET DE LA PRESSION SUR LA DECHARGE. L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION ET L'ANALYSE XPS ONT ETE UTILISES POUR L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE SIO 2. NOUS AVONS DISTINGUE, POUR CETTE ETUDE, LE PROCEDE D'OXYDATION DE CELUI DE DEPOT PLASMA ET NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QU'IL PEUR EXISTER UN LIEN ENTRE CES DEUX PHENOMENES LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE SUR UN ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM. NOUS AVONS EGALEMENT OPTIMISE NOS CONDITIONS DE DEPOT EN VUE D'OBTENIR UNE INTERFACE OXYDE/SUBSTRAT DE BONNE QUALITE ELECTRIQUE ET POUR CONSTITUER UNE SOLUTION POSSIBLE AU PROBLEME DE L'OXYDATION DIRECTE DE SIGE. ENFIN, NOUS NOUS ATTACHES A ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LES RESULTATS D'ANALYSE STRUCTURALE ET ELECTRIQUE.

Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée and published by . This book was released on 1999 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.

Download or read book MECANISMES D OXYDATION ET CARACTERISATION DE COUCHES D OXYDE REALISEES A BASSE TEMPERATURE PAR ANODISATION PLASMA DE SILICIUM MONO ET POLY CRISTALLIN GERMANIUM ET ALLIAGES SIGE written by HELENE.. PLANTIER NIEL and published by . This book was released on 1999 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MANUSCRIT S'INSERE DANS LE CADRE DES RECHERCHES MENEES SUR LA REALISATION D'OXYDES, DITS BASSE TEMPERATURE (ENVIRON 100\C), DESTINES AUX COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OXYDATION PAR PLASMA D'OXYGENE A ETE ETUDIEE SUR DIFFERENTS MATERIAUX : LE SILICIUM MONO-CRISTALLIN ET POLY-CRISTALLIN, LE GERMANIUM ET DES ALLIAGES SIGE. NOUS AVONS TOUT D'ABORD DECRIT ET DISCUTE LES MECANISMES D'OXYDATION THERMIQUES ET PLASMA, ET NOUS AVONS PRESENTE LES CINETIQUES EXPERIMENTALES DE CROISSANCE D'OXYDE. NOUS AVONS ENSUITE COMPARE LES CARACTERISTIQUES DES OXYDES THERMIQUES ET PLASMA, ET MIS EN EVIDENCE DES DIFFERENCES DE STRUCTURE INTERNE. EN PARTICULIER, GRACE AUX EXPERIENCES ET AUX SIMULATIONS DES SPECTRES INFRAROUGES, NOUS AVONS DETERMINE L'ANGLE DES LIAISONS SI-O-SI ET GE-O-GE, LES CONSTANTES DE FORCES CENTRALE ET NON CENTRALE, ET IDENTIFIE LES BANDES D'ABSORPTION ASSOCIEES AUX DIFFERENTS MODES DE VIBRATION DES ATOMES. DE PLUS, LA VARIATION DE LA FREQUENCE DE VIBRATION DES MODES TO ET LO AVEC L'EPAISSEUR, INDIQUE QUE LES OXYDES PLASMA N'ONT PAS UNE STRUCTURE INTER ATOMIQUE HOMOGENE SUR LA TOTALITE DE L'EPAISSEUR. CETTE INHOMOGENEITE EST EGALEMENT OBSERVEE PAR SPECTROMETRIE AUGER. FINALEMENT, LES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES (C(V), I(V)) ONT MONTRE QU'IL ETAIT DIFFICILE DE DISSOCIER L'INFLUENCE DES EFFETS DU PLASMA, DES CONDITIONS DE REALISATION (EN SALLE BLANCHE OU HORS SALLE BLANCHE). TOUTEFOIS, LES CARACTERISTIQUES DE NOS OXYDES PLASMA SONT PROCHES DE CELLES OBTENUES POUR LES OXYDES SIO 2 DEPOSES EN SALLE BLANCHE, CE QUI CONSTITUE UN RESULTAT TRES PROMETTEUR.

Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée (microélectronicien).) and published by . This book was released on 1999 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES

Download or read book Chimie en micro lectronique written by LE TIEC Yannick and published by Lavoisier. This book was released on 2013-07-01 with total page 386 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.

Download or read book Conf rence Internationale Sur Ellipsom trie Et Autres M thodes Optiques Pour L analyse Des Surfaces Et Films Minces written by and published by . This book was released on 1983 with total page 568 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude des plasmas organosilici s dilu s en oxyg ne utilis s pour la d position d oxyde de silicium written by David Magni and published by . This book was released on 2001 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book OXYDATION ET REDUCTION DE SEMI CONDUCTEURS SOUS IRRADIATION DE BASSE ENERGIE written by PHILIPPE.. PAGNOD-ROSSIAUX and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'OXYDATION PLASMA DU SILICIUM ET DU NETTOYAGE DE SURFACES DE SEMI-CONDUCTEURS (SI, GAAS, INP) EN PLASMAS D'HYDROGENE. LES MODIFICATIONS PHYSICO-CHIMIQUES DES SURFACES SONT SUIVIES PAR SPECTROSCOPIES D'ELECTRONS AUGER ET DE PERTE D'ENERGIE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES MATERIAUX TRAITES SONT ANALYSEES PAR L'INTERMEDIAIRE DES CAPACITES M.O.S.-TUNNEL OU DE DIODES SCHOTTKY. IL EST MONTRE DANS UNE PREMIERE PARTIE QUE, DANS DES CONDITIONS IDENTIQUES, UNE SURFACE DE SI IRRADIEE PAR DES IONS ARGON DE BASSE ENERGIE (15 EV-80 EV) S'OXYDE SELON UN PROCESSUS SIMILAIRE A CELUI D'UNE OXYDATION SOUS IRRADIATION ELECTRONIQUE (PRECEDEMENT ANALYSEE DANS LE CADRE DE LA THEORIE DE MOTT SUR L'OXYDATION BASSE TEMPERATURE DES METAUX). CONJOINTEMENT, UN PIC D'ETATS D'INTERFACE DONT L'AMPLITUDE CROIT AVEC L'ENERGIE DES IONS EST MIS EN EVIDENCE DANS LA PARTIE SUPERIEURE DE LA BANDE INTERDITE. DANS LA SECONDE PARTIE, L'ANALYSE AUGER DES SURFACES EN FONCTION DE LA DUREE D'EXPOSITION A UN FAISCEAU D'IONS H#2#+ MONTRE QUE LES PROCESSUS CHIMIQUES (FORMATION D'HYDRURES) PREDOMINENT. CECI EST PARTICULIEREMENT VERIFIE EN CE QUI CONCERNE LES COMPOSES III-V, POUR LESQUELS IL EST MONTRE QUE LA REACTION DE REDUCTION S'ARRETE SUR UN PLAN DE L'ELEMENT III (GA, IN). LES RUGOSITES DE SURFACE N'EVOLUENT PAS DE MANIERE SENSIBLE AU COURS DE L'IRRADIATION. LE CAS DE GAAS POSSEDE LA PARTICULARITE SUIVANTE: AU COURS D'UNE IRRADIATION A TEMPERATURE AMBIANTE, LE TAUX DE COUVERTURE EN OXYGENE PRESENTE UN MINIMUM. CE PHENOMENE EST INTERPRETE PAR UNE PLUS GRANDE REACTIVITE VIS-A-VIS DE H#2O D'UNE SURFACE HYDROGENEE PAR RAPPORT A UNE SURFACE NUE. L'ANALYSE DE DIODES SCHOTTKY ELABOREES SUR DES ECHANTILLONS DESOXYDES PAR DES IONS H#2#+ MONTRE D'IMPORTANTES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES MATERIAUX TRAITES

Download or read book Etudes des plasmas organoscilici s dilu s en oxyg ne utilis s pour la d position d oxyde de silicium written by David Magni and published by . This book was released on 2001 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Extraction de bore par oxydation du silicium liquide pour applications photovolta ques written by Mathieu Vadon and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'extraction du bore du silicium liquide est une étape d'une chaîne de procédés de purification de silicium de qualité suffisante pour les applications photovoltaïques. Cette thèse étudie en priorité le procédé dit "gaz froid" qui consiste en l'injection d'un mélange de gaz Ar-H2-H2O sur du silicium liquide chauffé électromagnétiquement. Une deuxième méthode similaire ("procédé plasma") où on injecte un plasma thermique issu d'un mélange Ar-H2-O2 a également été étudiée. Un modèle est nécessaire afin d'optimiser le procédé pour économiser de l'énergie.Les trois objectifs du modèle sont la prédiction du flux de silicium issu de la surface (vitesse d'oxydation), du flux de bore issu de la surface (pour avoir la vitesse de purification), et du seuil de passivation. Le seuil de passivation est la limite de concentration d'oxydant au-delà de laquelleil apparait une couche de silice passivante qui empêche la purification. Afin de minimiser la consommation d'énergie en accélérant le procédé, on cherche à injecter une concentration d'oxydant juste en dessous du seuil de passivation.De précédentes études ont montré que le facteur limitant pour les flux de bore et de silicium est le transport d'oxydant dans la phase gaz. Ainsi, nous avons fait un modèle monodimensionnel réactif-diffusif à l'équilibre thermodynamique de la couche limite gazeuse. Selon ce modèle, l'effet de la formation d'aérosols de silice est de diviser par deux le flux d'oxydant vers la surface, ce qui sert aux simulations CFD. Cet effet des aérosols de silice sur les flux d'oxydant peut aussi se retrouver si on enlève l'hypothèse d'équilibre thermodynamique des aérosols de silice avec la phase gaz, ce qui est confirmé par des simulations CFD et des expériences.Pour ce qui concerne l'estimation de la vitesse de purification, les données les plus réalistes concernant l'enthalpie de formation de HBO(g) et le coefficient d'activité du bore dans le silicium liquide ont été sélectionnées. Nous obtenons une bonne prédiction de la vitesse de purification à différentes températures et concentrations d'oxydant, y compris pour le cas plasma que nous avons étudié, en utilisant ces données thermodynamiques et en supposant que les produits de réaction de surface SiO(g) et HBO(g) diffusent de manière similaire. Ces coefficients de transfert identiques pour HBO(g) et SiO(g) peuvent s'expliquer par une précipitation simultanée et commune de HBO(g) et SiO(g), selon des mécanismes de germination et croissance restant à déterminer.Un dispositif expérimental de lévitation électromagnétique de silicium sous un jet oxydant a été monté. La mesure et le contrôle de température d'une bille de silicium ont été mis en oeuvre ce qui permettra la mesure sans contaminations de données thermodynamiques concernant les impuretés .Le seuil de passivation mesuré sur quelques expériences disponibles peut être prédit par notre modèle d'oxydation (associé au facteur deux représentant les aérosols de silice), si on l'associe à un critère proposé dans la littérature, qui couple la fraction du flux d'oxydant arrivant à la surface à une loi d'équilibre entre SiO(g), Si(l) et SiO2(s/l). Nous montrons dans cette thèse que la couche passivante n'est compatible avec des aérosols de silice que si ces aérosols ne sont pas en équilibre avec la phase gaz. La cinétique de formation des aérosols de silice doit donc être étudiée plus en détails.

Download or read book Simulation num rique par m thode Monte Carlo de la gravure du silicium en plasma fluor written by Grégory Marcos and published by . This book was released on 2002 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le projet de cette thèse porte sur l'étude de la gravure sèche de tranchées fines et profondes dans du silicium. Ce type de procédé est utilisé dans la fabrication des dispositifs de puissance. Le protocole expérimental s'appuie sur un procédé plasma cryogénique au cours duquel une décharge radiofréquence de SF6/O2 est initiée dans un réacteur ICP. A partir des résultats fournis par l'étude empirique, le travail de recherche a consisté en l'élaboration d'un modèle de gravure basé sur la méthode Monte Carlo. Ce simulateur est composé d'un module calculant les fonctions de distribution du flux d'ions incident. Il intègre leur trajectoire dans la gaine plasma en considérant les processus de collisions élastiques et à transfert de charge. Suivant les conditions initiales du procédé, il fournit donc des données cinétiques d'entrée au module de déplacement du substrat. Le modèle de gravure décrit les principaux mécanismes de surface produits par les espèces réactives (atomes de fluor et d'oxygène, dont le flux est supposé isotrope) et le bombardement ionique. Il introduit l'adsorption/désorption, la gravure chimique spontanée, la pulvérisation préférentielle, la réflexion isotrope ou spéculaire des particules, le redépôt des produits de gravure et la croissance de la couche de passivation. Utilisé comme outil d'analyse et de recherche prédictive, ce modèle a permis de montrer l'incidence de certains paramètres dans la croissance de défauts de gravure. Ainsi, la réflexion des ions sur les flancs inclinés du masque constitue l'une des causes de formation du bowing (sur-gravure latérale). L'intensité de l'undercut (gravure sous masque) dépend étroitement des propriétés du flux de neutres et de sa réactivité avec le substrat. Par comparaison avec l'expérience, il apparaît que le redépôt, responsable de la rugosité et du rétrécissement des motifs, est peu important. Enfin, le simulateur révèle une forte corrélation entre le régime de passivation et les cinétiques de gravure.