Download or read book MODELISATION NUMERIQUE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L HETEROJONCTION EMETTEUR BASE D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ABDELJALIL.. SOLHI and published by . This book was released on 1993 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DONT L'EMETTEUR EST CONSTITUE D'UN MATERIAU EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) MONTRE QUE LE FACTEUR D'IDEALITE DU COURANT DE BASE I#B EST LIE EN GRANDE PARTIE AUX ETATS D'INTERFACE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE. LA QUALITE DE CELLE-CI DETERMINE LES PERFORMANCES DU TRANSISTOR. POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE CONDUCTION MIS EN JEUX DANS CES STRUCTURES, NOUS AVONS D'ABORD DEVELOPPE UN MODELE SEMI-NUMERIQUE QUI NOUS A PERMIS DE RETROUVER LES CARACTERISTIQUES I#B(V#B#E) ET D'ANALYSER L'EFFET D'UN CERTAIN NOMBRE DE PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES SUR LES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS REALISES. AFIN D'EVITER LES APPROXIMATIONS QUI ETAIENT A L'ORIGINE DE DISCORDES ENTRE LES COURBES EXPERIMENTALES ET THEORIQUES A FORTS NIVEAUX D'INJECTION, POUR TENIR COMPTE DE TOUS LES PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU A-SI:H ET POUR BATIR UN MODELE PLUS GENERAL ET APPLICABLE A D'AUTRES STRUCTURES, NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE ENTIEREMENT NUMERIQUE DE LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE A-SI:H ET DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS REALISES. A PARTIR DE L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES CE MODELE NOUS A PERMIS DE TROUVER UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURBES SIMULEES ET EXPERIMENTALES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DES LIAISONS PENDANTES DANS LES MECANISMES DE CONDUCTION DANS LE A-SI:H AINSI QUE LE ROLE NEFASTE JOUE PAR LES ETATS D'INTERFACE SUR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS

Download or read book AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by MUSTAPHA.. SAHNOUNE and published by . This book was released on 1991 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST L'AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE ET LA MODELISATION DU COURANT BASE D'UNE TELLE STRUCTURE. AYANT ANALYSE ET REUSSI A DISCRIMINER LES POINTS TECHNOLOGIQUES IMPORTANTS INFLUENCANT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE, EN PARTICULIER LA QUALITE DES OXYDES D'ISOLATION ET DE LA BASE MONOCRISTALLINE AVANT DEPOT ET LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H, NOUS AVONS PU AMELIORER LE PROCEDE DE REALISATION. AINSI NOUS AVONS OBTENU DE MEILLEURES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS, TOUT PARTICULIEREMENT UN GAIN EN COURANT DE L'ORDRE DE 1400 POUR UN NOMBRE DE GUMMEL DANS LA BASE DE 2,4.10#1#1 S.CM##4 ET UN COEFFICIENT D'IDEALITE DE L'ORDRE DE 1,5 POUR LE COURANT BASE DE L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE. POUR CE FAIRE, NOUS AVONS FAIT APPEL A UN MODELE SEMI-ANALYTIQUE DU COURANT BASE DU TRANSISTOR QUI A PERMIS D'OBTENIR UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURANTS SIMULES ET EXPERIMENTAUX. L'ANALYSE DES EFFETS DES ETATS D'INTERFACES A L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE SUR LE COURANT I#B, ET DONC SUR LE FACTEUR D'IDEALITE, A PERMIS DE CONFIRMER UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS ELECTRIQUES ET DONC D'ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES CRITIQUES SUR LES PERFORMANCES DU COMPOSANT

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ABDELMAJID.. EL GHARIB and published by . This book was released on 1989 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST LA REALISATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN A EMETTEUR ENTIEREMENT CONSTITUE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE. MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE FABRICATION. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES PREMIERS TRANSISTORS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: L'EFFET TRANSISTOR, UN GAIN EN COURANT DE 150 AYANT ETE ATTEINT; LA NECESSITE DE DIMINUER LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H DOPE. OBTENTION D'UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET D'UNE MEILLEURE CONDUCTIVITE EN JOUANT SUR LES PARAMETRES DE DEPOT. UN MODELE SIMPLE DE CONDUCTION A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES PARAMETRES PHYSIQUES IMPORTANTS QUI PEUVENT AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. DE NOUVEAUX TRANSISTORS ONT ETE FABRIQUES EN TENANT COMPTE DE CES RESULTATS. L'ANALYSE DE LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE MONTRE QUE LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H JOUE UN ROLE PREPONDERANT. UNE ETUDE EN FONCTION DU DOPAGE DE LA BASE A MONTRE QUE LES GAINS OBTENUS ETAIENT SYSTEMATIQUEMENT SUPERIEURS A LEUR CONTREPARTIE A EMETTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN

Download or read book ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN A DOUBLE HETEROJONCTION SI SIGE SI PAR SIMULATIONS MONTE CARLO written by SYLVIE.. GALDIN RETAILLEAU and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A DOUBLE HETEROJONCTION SI/SIGE/SI QUI OFFRE LES AVANTAGES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH), RAPPELES DANS LE PREMIER CHAPITRE, TOUT EN PROFITANT DE LA TECHNOLOGIE SILICIUM, PARFAITEMENT MAITRISEE. POUR COMPENSER L'ABSENCE DE DISCONTINUITE NATURELLE DE LA BANDE DE CONDUCTION AU NIVEAU DE L'HETEROJONCTION SI/SIGE, UNE COUCHE SI-P A ETE INSEREE ENTRE L'EMETTEUR ET LA BASE. NOUS ETUDIONS, EN PREMIER LIEU, L'INJECTION ET LE TRANSPORT DANS LA BASE EN SIMULANT, A L'AIDE D'UN MODELE PARTICULAIRE DE TYPE MONTE-CARLO, L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE POUR DEUX COMPOSITIONS DE LA BASE SIGE DU TRANSISTOR : L'UNE A COMPOSITION DE GERMANIUM CONSTANTE (HETEROJONCTION ABRUPTE), L'AUTRE A COMPOSITION GRADUELLE DE GERMANIUM. NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET D'UN TRANSPORT BALISTIQUE POUR AMELIORER LE COMPORTEMENT DYNAMIQUE DU TRANSISTOR. L'AVANTAGE DE LA STRUCTURE A HETEROJONCTION ABRUPTE, DU POINT DE VUE DU TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS, NOUS A CONDUIT A SIMULER LE TBH REEL ASSOCIE AFIN D'ETUDIER LES PROBLEMES DE GEOMETRIE BIDIMENSIONNELLES ET DE COLLECTION (AUTOPOLARISATION, EFFET KIRK). NOUS AVONS, EN PARTICULIER, EXAMINE LE PHENOMENE DE BARRIERE PARASITE QUI APPARAIT, EN FORTE INJECTION, A L'HETEROJONCTION BASE-COLLECTEUR EN CONCOMITANCE AVEC L'EFFET KIRK. EN DERNIER LIEU, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODE DE MESURE DIRECTE DE LA FREQUENCE DE TRANSITION, QUI NE NECESSITE AUCUNE HYPOTHESE DE SCHEMAS EQUIVALENTS, A PARTIR DE SIMULATIONS MONTE-CARLO DYNAMIQUES. LES VARIATIONS DU GAIN EN COURANT EN FONCTION DE LA FREQUENCE SONT OBTENUES EN EFFECTUANT UNE DECOMPOSITION EN SERIE DE FOURIER DES COURANTS BASE ET COLLECTEUR. NOUS AVONS OBTENU UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 70 GHZ

Download or read book Analyse du gain des transistors bipolaires metteur en silicium monocristallin et polycristallin written by Olivier Bonnaud and published by . This book was released on 1984 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA NATURE DES EMETTEURS SUR LE GAIN DES TRANSISTORS BIPOLAIRES REALISES EN TECHNOLOGIE SILICIUM. DEUX TECHNIQUES ORIGINALES DE MESURE DU GAIN INTERNE OU LOCAL D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE ONT ETE CONCUES ET MISES AU POINT, LA PREMIERE UTILISANT LE PHENOMENE D'AVALANCHE EN FAIBLE MULTIPLICATION DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, LA DEUXIEME BASEE SUR LA POLARISATION LOCALE D'UNE STRUCTURE PAR EXCITATION OPTIQUE. CES TECHNIQUES APPLICABLES A DES COMPOSANTS INTEGRES A TRES GRANDE ECHELLE (VLSI) ONT PERMIS D'ETUDIER LE ROLE DES EMETTEURS CONSTITUES EN SILICIUM MONOCRISTALLIN OU POLYCRISTALLIN. LE GAIN DE CES STRUCTURES EST MODELISE EN TENANT COMPTE DES CONNAISSANCES ACTUELLES DU COMPORTEMENT DES TRANSISTORS BIPOLAIRES ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DES MATERIAUX QUI LES CONSTITUENT (EFFETS DE FORTS DOPAGES)

Download or read book LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS written by Jean-Luc Pelouard and published by . This book was released on 1987 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SIMULATION DES PHENOMENES DE TRANSPORT. REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION INGAALAS-INGAAS-INGAALAS EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA ET TECHNOLOGIE DIFFUSEE A PARTIR DE COUCHES OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES

Download or read book SIMULATION NUMERIQUE ET CARACTERISATION D EFFETS BIDIMENSIONNELS DANS LES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by SANDRINE.. MARTIN and published by . This book was released on 1996 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE UNE ANALYSE BIDIMENSIONNELLE DU COMPORTEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE EST EFFECTUEE A LA FOIS SUR LE PLAN EXPERIMENTAL ET SUR LE PLAN THEORIQUE GRACE AU DEVELOPPEMENT D'UN SIMULATEUR NUMERIQUE BIDIMENSIONNEL PRENANT EN COMPTE LES SPECIFICITES DU SILICIUM AMORPHE, ET PLUS PARTICULIEREMENT LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE. CE SIMULATEUR NOUS PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LES MECANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU DANS DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR, A LA FOIS DANS L'OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT. LORSQUE LE TFT EST DANS L'ETAT PASSANT, NOUS POUVONS OBSERVER UNE DEGRADATION SIGNIFICATIVE DES PERFORMANCES DU TRANSISTOR EN TERME DE MOBILITE D'EFFET DE CHAMP, QUI EST ATTRIBUEE A L'EXISTENCE DE RESISTANCES D'ACCES AU CANAL DE CONDUCTION DEPUIS LES CONTACTS DE SOURCE ET DE DRAIN. APRES AVOIR ANALYSE L'ORIGINE PHYSIQUE DE TELLES RESISTANCES PARASITES, NOUS PRESENTONS LEUR SENSIBILITE AUX PARAMETRES GEOMETRIQUES ET PHYSIQUES DU TFT. EN CE QUI CONCERNE LE COMPORTEMENT DU TFT SOUS ECLAIREMENT, NOUS METTONS TOUT D'ABORD EN EVIDENCE DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT SELON LES PLAGES DE TENSION DE GRILLE CONSIDEREES. PUIS NOUS PRECISIONS LA NATURE PHYSIQUE DU COURANT DANS CHACUN DE CES REGIMES ET LE ROLE DES CONDITIONS DE POLARISATION ET D'ECLAIREMENT DU COMPOSANT, AINSI QUE L'INFLUENCE DES PARAMETRES GEOMETRIQUES ET DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES INTERNES DU TFT. ENFIN, NOUS METTONS A PROFIT L'ANALYSE DU COMPORTEMENT DU TFT SOUS ECLAIREMENT POUR ETUDIER LA STABILITE ELECTRIQUE DU COMPOSANT. PLUS PRECISEMENT, NOUS MONTRONS QU'IL EST POSSIBLE, GRACE A L'ETUDE DU COMPORTEMENT DU TFT SOUS ECLAIREMENT AVANT ET APRES CONTRAINTE, DE SEPARER LES EFFETS DE MODIFICATIONS DE LA QUALITE ELECTRONIQUE DE LA COUCHE DE SILICIUM DE CEUX DUS A L'INJECTION DE CHARGE DANS L'ISOLANT DE GRILLE

Download or read book Le Transistor Bipolaire H t rojonction Si SiGe sous contraintes lectromagn tiques des d gradations lectriques l analyse structurale written by Ali Alaeddine and published by . This book was released on 2011 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse propose une nouvelle méthodologie pour l‟étude de la fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonctions (TBHs) en technologie SiGe. L‟originalité de cette étude vient de l‟utilisation d‟une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l‟aide du banc champ proche. Ce type de contrainte a permis de dégrader les performances de ce composant en mettant en évidence certains mécanismes de défaillance. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l‟interface Si/SiO2, non seulement entre la base et l‟émetteur, mais aussi entre la base et le collecteur. Ceci est attribué à un phénomène de piégeage induit par des porteurs chauds qui ont été engendrés pendant la durée du vieillissement. Ce phénomène a été abordé par la modélisation physique en étudiant l‟influence des pièges d‟interfaces sur la dérive des performances électriques du TBH. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent être détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET (Microscope Electronique à Transmission) et des analyses EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane autour de l‟émetteur, de la base et du collecteur. Ces dégradations sont attribuées à un phénomène de migration de l‟or (Au) vers le titane (Ti) due à la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.

Download or read book Caract risation et mod lisation de transistor bipolaire double h t rojonction TBdH sur InP pour la conception de circuits haut d bit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.

Download or read book Mod lisation de la densit de courant de saturation base metteur d un transistor bipolaire de puissance written by Salima Lassoued and published by . This book was released on 1992 with total page 143 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST D'EXAMINER LES PRINCIPAUX PARAMETRES AGISSANT SUR LES VARIATIONS DU GAIN EN COURANT EN FONCTION DE LA TENSION ET DU NIVEAU D'INJECTION. ON ESSAYERA EN PARTICULIER DE VALIDER LA VALEUR DE LA DENSITE DE COURANT BASE DE SATURATION EN FONCTION DES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PASSONS EN REVUE LES STRUCTURES ET LES PRINCIPALES ETAPES DE FABRICATION DU TRANSISTOR DE PUISSANCE. LA DEUXIEME PARTIE SERA CONSACREE A EXPLIQUER SUCCINCTEMENT SES PARTICULARITES ET SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. TIRANT PROFIT DE L'ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE FAITE, NOUS PRESENTONS A LA FIN LE MODELE UTILISE DANS NOTRE PROGRAMME DE SIMULATION QUI NOUS PARAIT REPRESENTER A L'ETAT ACTUEL DES CONNAISSANCES UN BON COMPROMIS SIMPLICITE ET PRECISION, EN DETAILLANT LES POINTS PARTICULIERS ET HYPOTHESES QUI RENDENT NOTRE APPROCHE ORIGINALE. DANS LE CADRE D'UNE ANALYSE UNIDIMENSIONNELLE, UNE RESOLUTION D'UN COUPLE D'EQUATIONS DIFFERENTIELLES PERMET D'ABOUTIR A LA VALEUR DE J#S#B#E: DENSITE DE COURANT DE SATURATION. LES PHENOMENES DE FORT DOPAGE, LA REDUCTION DE LA BANDE INTERDITE, LES PHENOMENES DE RECOMBINAISONS AUGER, RECOMBINAISONS SHOCKLEY-READ ET HALL, LA DIMINUTION DE LA MOBILITE DES PORTEURS MINORITAIRES FONCTION DU DOPAGE ET LES VITESSES DE RECOMBINAISONS EN SURFACE ET EN VOLUME SONT INCLUS DANS NOTRE TRAVAIL. LES PROFILS DE DOPAGES CONSIDERES SONT CONSIDERES COMME DE TYPE GAUSSIEN. POUR VALIDER NOTRE TRAVAIL UNE COMPARAISON DE NOS RESULTATS A ETE FAITE AVEC: DES RESULTATS OBTENUS A L'AIDE DU LOGICIEL MEDUSA UTILISE PAR MOTOROLA, DES RESULTATS EXPERIMENTAUX MESURES SUR DES TRANSISTORS MOTOROLA

Download or read book Etude et d veloppement d une nouvelle architecture de transistor bipolaire h t rojonction Si written by Alexis Gauthier and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans cette thèse portent sur le développement et l'optimisation de transistors bipolaires pour les futures générations de technologies BiCMOS. La technologie de référence est le BiCMOS055 présentant des fT et fMAX de respectivement 320 et 370 GHz. Dans un premier temps, il est montré que l'optimisation du profil vertical comprenant le budget thermique, le profil de la base et du collecteur notamment permet d'atteindre une fT de 400 GHz tout en restant compatible avec les transistors CMOS. Dans un second temps, le développement d'un collecteur implanté est présenté. La co-implantation du carbone avec le phosphore permet d'obtenir des substrats sans défaut, un contrôle de la diffusion précis ainsi que des performances électriques prometteuses. Une fréquence de transition fT record de 450 GHz est notamment atteinte grâce à des règles de dessins optimisées. Un module STI peu profond (SSTI) est développé afin de compenser l'augmentation de la capacité base / collecteur liée à ce type de technologie. Dans un troisième temps, l'intégration sur silicium d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire ayant pour but de surmonter les limitations de la DPSA-SEG utilisée en BiCMOS055 est détaillée et les premiers résultats sont discutés. Cette partie démontre toutes les difficultés d'une intégration d'un transistor bipolaire de nouvelle génération dans une plateforme CMOS. La fonctionnalité de l'architecture émetteur / base est démontrée à travers des mesures dc. Pour terminer, la possibilité d'une intégration en 28 nm est évaluée à travers des travaux spécifiques, notamment au niveau des implantations à travers le SOI, et une ouverture sur les éventuelles intégrations 3D est réalisée.

Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO ONDES METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.

Download or read book Etude des d fauts induits lors de l int gration des transistors bipolaires a h t rojonction Si SiGe dans une technologie BiCMOS avanc e written by Liviu-Laurentiu Militaru and published by . This book was released on 2000 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le transistor bipolaire à hétérojonction Si/Si Ge permet d'étendre le domaine d'utilisation des technologies intégrées sur silicium vers des applications pour les télécommunications rapides. En effet, les progrès technologiques ont permis l'utilisation de l'alliage silicium-germanium (contraint sur silicium) comme base Du transistor bipolaire. L'obtention des filières technologiques stables et bien maitrisées, intégrant l'alliage silicium-germanium, est un élément majeur pour la mise en production de ce type de transistors. La possibilité de développer une filière BiCMos (association dans une même puce des transistors bipolaires et mos) intégrant les transistors bipolaires a hétérojonction Si/SiGe offre des nombreux avantages : performances dynamiques élevées, faible cout, faible consommation, haute densité d'intégration. Notre objectif a été de caractériser électriquement des transistors bipolaires a hétérojonction Si/SiGe dans le but d'identifier les effets parasites qui peuvent pénaliser les performances statiques et dynamiques de ces transistors. Cette étude comporte deux parties principales. Dans un premier temps, les caractéristiques courant-tension statiques nous ont permis d'identifier les processus physiques de conduction aux jonctions Emetteur-base et base-collecteur en fonction de la tempera ture et de la tension de polarisation. Nous avons ainsi observe que ces caractéristiques sont dégradées par la présence de centres profonds. Ensuite, par des mesures de transitoire de capacité et de bruit télégraphique, nous avons caractérisé ces défauts profonds dans le but de déterminer leur localisation spatiale et propriétés physiques (énergie d'activation, section Efficace de capture). Ces études nous ont per1v1is de mettre en évidence l'effet des défauts profonds sur les caractéristiques statiques ou sur les performances de bruit basses fréquences, ainsi que d'indiquer les étapes technologiques qui sont a leur origine.

Download or read book Caract risation de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe int gr s written by Myriam Assous and published by . This book was released on 1999 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse concerne la caractérisation de transistors 1 bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH SiGe). Mon rôle a été d'étudier certaines spécificités du comportement électrique du TBH SiGe liées à la présence d'une base épitaxiée, et de mettre ainsi en évidence ce qui apparaissait comme atypique dans le fonctionnement de ce dispositif par rapport au transistor bipolaire silicium actuel. Dans ce contexte, nous avons porté une attention particulière à l'étude du courant de fuite de la jonction base-collecteur et à l'étude de la recombinaison en base neutre. Nous nous sommes attachés à corréler nos mesures électriques à la technologie. Nous avons ainsi contribué a l'amélioration du nettoyage avant l'épitaxie et de la qualité cristalline du matériau SiGe. Nos analyses électriques de la recombinaison en base neutre nous : ont permis de mettre au point une méthode d'extraction de la durée de vie apparente des électrons dans la base neutre. Cette méthode apporte les 1 éléments de base pour formuler une modélisation du courant de recombinaison en base neutre qui peut être intégrée dans un modèle compact de TBH (utilisable pour la simulation de circuits). Enfin, nous avons fourni les grandeurs électriques de TBH SiGe pour évaluer par la simulation de circuits le gain en performances apporté par ce dispositif pour des applications radiofréquences.

Download or read book OPTIMISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS A FORT DOPAGE DE BASE written by RAMZI.. BOURGUIGA and published by . This book was released on 1994 with total page 297 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE EPITAXIALE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS A FORT DOPAGE DE BASE, AFIN DE DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT ET AMELIORER AINSI LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ETUDE ET LA QUALIFICATION D'UNE STRUCTURE TBH GAINP/GAAS REALISEE EN EPITAXIE PAR JET CHIMIQUE AVEC UNE BASE FORTEMENT DOPEE AU CARBONE. L'UTILISATION DU MATERIAU GAINP PERMET DE DISPOSER D'UNE GRAVURE SELECTIVE DU MESA D'EMETTEUR ET DE DIMINUER LE COURANT DE RECOMBINAISON DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE. UNE NOUVELLE STRUCTURE TBH AVEC UNE FINE COUCHE DE GAINP INSEREE ENTRE L'EMETTEUR EN GAALAS ET LA BASE EN GAAS A ETE ETUDIEE ET QUALIFIEE. L'EPAISSEUR DE LA COUCHE GAINP A ETE OPTIMISEE POUR REDUIRE LES RECOMBINAISONS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE TOUT EN CONSERVANT UNE FAIBLE RESISTIVITE DU CONTACT DE TYPE P DEPOSE DIRECTEMENT SUR LA COUCHE DE GAINP DE TYPE N. CETTE COUCHE DE GAINP RECOUVRE LA BASE EXTRINSEQUE ET PERMET D'ELIMINER LES COURANTS DE RECOMBINAISON DE SURFACE. DANS LA PARTIE SUIVANTE, L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DYNAMIQUES SUR LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES DU TBH A ETE ANALYSEE. NOUS AVONS DEMONTREE QUE LE TEMPS DE TRANSIT INTRINSEQUE JOUE UN ROLE PREPONDERANT. POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE, NOUS AVONS OPTIMISE UNE STRUCTURE QUI COMPORTE UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE BASE GRADUELLE EN COMPOSITION. NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE DES STRUCTURES POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR. L'ANALYSE DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE BASE-COLLECTEUR MONTRE L'INFLUENCE DU PHENOMENE DE SURVITESSE SUR LE TEMPS DE TRANSIT DANS CETTE ZONE. L'UTILISATION D'UN COLLECTEUR DE TYPE P OU DE TYPE P-N PERMET DE CONSERVER LES ELECTRONS EN REGIME DE SURVITESSE SUR UNE DISTANCE PLUS GRANDE DANS LE COLLECTEUR, CE QUI REDUIT LE TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS. POUR VALIDER CETTE ETUDE, NOUS AVONS SPECIFIE DES STRUCTURES EPITAXIALES ET REALISE DES TBH DE PETITE DIMENSION EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA. NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODOLOGIE POUR EXTRAIRE DES MESURES DYNAMIQUES LES DIFFERENTS PARAMETRES. NOUS AVONS DEMONTRE QUE LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE POUR UNE STRUCTURE TBH PRESENTANT UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE GRADUALITE DE COMPOSITION DANS LA BASE EST TRES FAIBLE, DE L'ORDRE DE 0,5 PS. CETTE VALEUR EST 60% PLUS FAIBLE QUE CELLE OBTENUE DANS UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE DE MEME EPAISSEUR (1,3 PS). NOUS AVONS EGALEMENT OBSERVE UNE FORTE REDUCTION DU TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR POUR UNE STRUCTURE A COLLECTEUR P-N, 1,5 PS CONTRE 2,6PS POUR UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE, CE QUI CORRESPOND A UNE REDUCTION DE 40%

Download or read book Modelisation de la densite de courant de saturation base emetteur d un transistor bipolaire de puissance effets de forts dopages written by Salima Lassoued and published by . This book was released on 1992 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book MODELISATION DE TRANSISTORS A HOMO ET HETERO JONCTIONS COMPATIBLES AVEC UNE FILIERE CMOS SUBMICRONIQUE written by SAIDA.. LATRECHE and published by . This book was released on 1998 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SUJET DE CETTE THESE CONCERNE L'ETUDE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SUBMICRONIQUES A EMETTEUR POLYSILICIUM, COMPATIBLES AVEC UNE TECHNOLOGIE SILICIUM CMOS (BICMOS) DU CNET DE MEYLAN, ET AU PREMIER CHEF LE DEVELOPPEMENT D'UNE MODELISATION AFFERENTE. APRES UN RAPPEL D'UNE INVESTIGATION SUR DES PROFILS MESURES (SIMS) AYANT AMENE A DEVELOPPER UN MODELE DE (CO)DIFFUSIONS, NOUS PRESENTONS DES MESURES ELECTRIQUES EN STATIQUE (CF. GUMMEL) ET EN DYNAMIQUE, CAPACITIVES ESSENTIELLEMENT. UNE DISCUSSION S'APPUIE SUR CE TRAVAIL, QUI PERMET D'ETUDIER L'INFLUENCE DE DIFFERENTES VARIANTES SUR LE PROCESS, PARTICULIEREMENT AU NIVEAU DU POLYSILICIUM ET DU COLLECTEUR, VIS A VIS, EN PARTICULIER, DU GAIN EN COURANT ET DE LA FREQUENCE DE TRANSITION. LES MESURES ELECTRIQUES METTENT AUSSI EN EXERGUE LES DEFAUTS STRUCTURELS DU COMPOSANT NOUS AVONS ALORS DEVELOPPE UN LOGICIEL NUMERIQUE BIDIMMENSIONNEL, RESOLVANT LES EQUATIONS DE POISSON ET DE CONTINUITE DES COURANTS, QUI PLUS EST COUPLEES AVEC L'EQUATION DE SCHROEDINGER. CETTE DERNIERE EST EN EFFET INTRODUITE POUR DECRIRE LE TRANSPORT TUNNEL A TRAVERS UNE FINE COUCHE D'OXYDE (TYPIQUEMENT 15 A) SOUS LE POLYSILICIUM (ELLE INDUIT UN ACCROISSEMENT DU GAIN, EN DIMINUANT LE COURANT DE TROUS DE LA BASE). LA DERNIERE PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA MODELISATION DU BICMOS A BASE SIGE, DONC D'UNE STRUCTURE A HETEROJONCTIONS, POUVANT FONCTIONNER A DE TRES HAUTES FREQUENCES (CF. CIRCUITS RF).