Download or read book Mod le de structure de bande et transport lectronique en champ fort dans les semiconducteurs III V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 1996 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN CHAMP FORT DANS LES MATERIAUX TROIS-CINQ, A L'AIDE D'UN MODELE ORIGINAL DE LA STRUCTURE DE BANDE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES REND COMPTE DE LA STRUCTURE DE BANDE REELLE AVEC SUFFISAMMENT DE PRECISION, TOUT EN NE NECESSITANT PAS UN IMPORTANT VOLUME DE CALCUL. DANS LE PREMIER CHAPITRE APRES AVOIR RAPPELE LES ASPECTS THEORIQUES FONDAMENTAUX DU TRANSPORT ELECTRONIQUE, NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX MODELES DE STRUCTURE DE BANDE. PUIS NOUS RAPPELONS SOMMAIREMENT LES PRINCIPAUX MECANISMES D'INTERACTIONS DANS LE MATERIAU MASSIF. L'IONISATION PAR CHOC, PHENOMENE IMPORTANT EN CHAMP FORT, EST PARTICULIEREMENT DECRITE. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU DEVELOPPEMENT DU MODELE DES VALLEES ETENDUES. LE MODELE PREND AUSSI BIEN EN COMPTE LA PREMIERE BANDE DE CONDUCTION QUE LA SECONDE BANDE. IL DECRIT CORRECTEMENT LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES DIRECTIONS PRINCIPALES ET AU VOISINAGE DES PRINCIPAUX MINIMA ET MAXIMA D'ENERGIE. LA DENSITE D'ETATS QUI EN DECOULE PERMET D'EN DEDUIRE DES PROBABILITES D'INTERACTION REALISTES SUR TOUTE LA GAMME D'ENERGIE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES EST ENSUITE MIS EN UVRE DANS LA METHODE MONTE-CARLO AFIN DE PROCEDER A LA SIMULATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE. LE TROISIEME CHAPITRE ETUDIE LE TRANSPORT DANS LES MATERIAUX GAAS ET INP, CE QUI PERMET DE PRESENTER DES GRANDEURS IMPORTANTES COMME L'ENERGIE MOYENNE, LA VITESSE DE DERIVE STATIONNAIRE, LE LIBRE PARCOURS MOYEN, ET LE COEFFICIENT D'IONISATION PAR CHOC. L'IONISATION PAR CHOC EST DETAILLEE, ET LE ROLE DE LA DEUXIEME BANDE CONDUCTION DANS CE PHENOMENE EST VERIFIE

Download or read book Mod le de structure de bande et transport lectronique en champ fort dans les semiconducteurs III V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail presente une etude theorique du transport electronique en champ fort dans les materiaux trois-cinq, a l'aide d'un modele original de la structure de bande. Le modele des vallees etendues rend compte de la structure de bande reelle avec suffisamment de precision, tout en ne necessitant pas un important volume de calcul. Dans le premier chapitre apres avoir rappele les aspects theoriques fondamentaux du transport electronique, nous presentons les principaux modeles de structure de bande. Puis nous rappelons sommairement les principaux mecanismes d'interactions dans le materiau massif. L'ionisation par choc, phenomene important en champ fort, est particulierement decrite. Le deuxieme chapitre est consacre au developpement du modele des vallees etendues. Le modele prend aussi bien en compte la premiere bande de conduction que la seconde bande. Il decrit correctement la structure de bande dans les directions principales et au voisinage des principaux minima et maxima d'energie. La densite d'etats qui en decoule permet d'en deduire des probabilites d'interaction realistes sur toute la gamme d'energie. Le modele des vallees etendues est ensuite mis en uvre dans la methode monte-carlo afin de proceder a la simulation du transport electronique. Le troisieme chapitre etudie le transport dans les materiaux gaas et inp, ce qui permet de presenter des grandeurs importantes comme l'energie moyenne, la vitesse de derive stationnaire, le libre parcours moyen, et le coefficient d'ionisation par choc. L'ionisation par choc est detaillee, et le role de la deuxieme bande conduction dans ce phenomene est verifie.

Download or read book Masters Abstracts International written by and published by . This book was released on 1994 with total page 1192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book tude comparative des propri t s de transport non stationnaire dans diff rents semiconducteurs compos s III V written by Catherine Bru-Chevallier and published by . This book was released on 1988 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DANS LE CAS DES COMPOSES GAAS, INP, GAINAS ET D'UNE HETEROJONCTION GAAS/GAALAS PAR MESURE DE PHOTOCOURANT DANS DES ECHANTILLONS DE DIMENSIONS SUBMICRONIQUES. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT EXPLOITES PAR SIMULATION NUMERIQUE PAR UN PROGRAMME MONTE CARLO. ON DECRIT LES PROPRIETES DE LA STRUCTURE DE BANDE, LES CARACTERISTIQUES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE STATIONNAIRE ET HORS D'EQUILIBRE

Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1983 with total page 390 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Transport Properties of LaTio3 souscrit And a Study of Correlation Effects written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse étudie les propriétés électroniques de deux systèmes à fortes corrélations électroniques dont la densité de porteurs a été modifiée de façon contrôlée. Dans le premier système, la modification par dopage chimique du contenu en oxygène de couches minces de LaTiO3, un isolant de Mott, permet d'obtenir un système métallique dont les propriétés de transport (résistivité et effet Hall) peuvent être expliquées par un modèle de transport polaronique. Dans le deuxième système, l'effet de champ ferroélectrique est utilisé pour modifier le nombre de porteurs dans des couches ultra-minces ([plus petit que] 10nm) de NdBa2Cu3O--, un supraconducteur à haute température critique. Cette dernière technique a permis d'induire un changement de la température critique supraconductrice et une transition entre un état supraconducteur et un état isolant. L'étude de l'effet Hall, sous effet de champ, indique que le nombre de porteurs dans ces systèmes supraconducteurs ne change pas en fonction de la température.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES MULTI COUCHES A BASE DE SEMI CONDUCTEURS III V written by JOCELYN.. ACHARD and published by . This book was released on 1997 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE TRANSPORT DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS III-V PRESENTANT PLUSIEURS CANAUX DE CONDUCTION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE, A PARTIR DE MODELES THEORIQUES DECRIVANT LES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS, DE DEVELOPPER UNE METHODE EXPERIMENTALE PERMETTANT DE DETERMINER LES DENSITES DE PORTEURS ET LES MOBILITES POUR UN SYSTEME MODELISE PAR PLUSIEURS COUCHES EN PARALLELES. CETTE METHODE S'APPUIE SUR DES MESURES DE MAGNETORESISTANCE ET D'EFFET HALL POUR DES VALEURS DU CHAMP MAGNETIQUE INFERIEURES A 1 T. EN CE QUI CONCERNE LA MODELISATION, CE TRAVAIL S'APPUIE SUR LA TECHNIQUE DES SPECTRES DE MOBILITE ET SUR DES AJUSTEMENTS NON-LINEAIRES DU TENSEUR DE CONDUCTIVITE REDUIT. NOUS PRESENTONS UNE VALIDATION THEORIQUE PUIS EXPERIMENTALE POUR DES STRUCTURES TESTS PERMETTANT AINSI DE METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DE RESOLUTION ET DE SENSIBILITE DE LA METHODE. CE TYPE DE CARACTERISATION ELECTRONIQUE NECESSITE LE DEPOT DE CONTACTS OHMIQUES, EN PARTICULIER SUR DES STRUCTURES PEU DOPEES (1.10#1#5CM#-#3). UNE ETUDE PREALABLE A DONC ETE REALISEE. DES PSEUDO-JONCTIONS SCHOTTKY, NECESSAIRES A LA REALISATION DES STRUCTURES TESTS POUR LES MESURES CAPACITIVES ONT EGALEMENT ETE REALISEES. DES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR DES STRUCTURES COMPLEXES TELLES QUE DES H.E.M.T. ET DES PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ONT PU METTRE EN EVIDENCE L'INTERET DE LA METHODE ET LES INFORMATIONS COMPLEMENTAIRES QU'ELLE AMENE PAR RAPPORT AUX MESURES CAPACITIVES.

Download or read book Dynamics of Multi photon Processes in Semiconductor Heterostructures written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La présente thèse est dédiée à l'étude de la dynamique des processus à plusieurs photons dans les hétérostructures à semi-conducteurs. Une description de la dépendance temporelle est importante pour une compréhension détaillée de la réponse transitoire de semi-conducteurs excités par des impulsions optiques ultracourtes. Dans la première partie de la thèse, nous développons un modèle phénoménologique basé sur un ensemble d'équations de bilan, afin d'étudier le gain à deux photons dégénérés dans une microcavité à semi-conducteurs. L'amplification prédite par le modèle est relativement faible (~2%) et limitée principalement par la relaxation intra-bande des porteurs, qui débouche sur une saturation rapide. Dans la seconde partie, nous développons une théorie générale pour la dynamique des processus à plusieurs photons dans les semi-conducteurs. Elle permettra d'accéder à des effets complexes, liés à la cohérence entre les bandes, qui ne sont pas inclus dans les habituels coefficients d'absorption ou susceptibilités. Dans ce contexte, nous dérivons un ensemble d'équations de Bloch effectives à plusieurs bandes, incluant des processus résonants à plusieurs photons induits par deux impulsions électromagnétiques linéairement polarisées, de fréquence ω1 et ω2, avec ħω1 et 2ħω2 proches de l'énergie de la bande interdite (ou "gap"). L'approche proposée présente essentiellement deux avantages. Premièrement, la description de la dynamique est restreinte à un nombre limité de bandes. Toutefois, les bandes éliminées ne sont pas négligées, mais includes de manière consistante dans les processus d'ordre supérieur. Deuxièmement, toutes les quantités apparaissant dans les équations de Bloch effectives varient sur la même échelle de temps, ce qui permet une intégration numérique beaucoup plus efficace. Le courant de polarisation dépendant du temps, ainsi que certaines susceptibilités, sont dérivés de manière consistante avec les approximations précédentes, et sont discut.

Download or read book DC and AC Transport in Field effect Controlled LaAlO3 SrTiO3 Interface written by Alexis Jouan and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse est consacrée à l'étude des propriétés de transport statique et dynamique du gaz d'électrons bidimensionnel supraconducteur à l'interface LaAlO3/SrTiO3. Dans un premier temps, nous étudions l'effet du désordre microscopique induit par le dopage en Chrome, sur la supraconductivité et le couplage spin-orbite en fonction de la densité de porteur modulée par effet de champ. Dans une géométrie de grille locale au-dessus du gaz, nous montrons le contrôle électrostatique de la transition supraconducteur-isolant. De même, nous analysons l'ajustement du couplage spin-orbite contrôlé par effet de champ. A l'aide de méthodes de nanofabrication par lithographie électronique, nous démontrons la première réalisation d'un point critique quantique dans LaAlO3/SrTiO3. En changeant le confinement latéral et le niveau de Fermi par effet de champ, nous sommes capables de régler le nombre de canaux conducteurs dans l'état normal et de mesurer la quantification de la conductance. Enfin, nous présentons des mesures radio-fréquence qui donnent accès aux propriétés dynamiques du gaz supraconducteur. L'évolution de la conductivité en fonction de la densité de porteurs et de la température est comparée avec la théorie standard BCS/Mattis-Bardeen d'une part, et avec la théorie BKT d'autre part.

Download or read book TRANSPORT ELECTRONIQUE EN REGIME DE MOBILITE written by SALEHEDDINE.. ELLEUCH and published by . This book was released on 1994 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN REGIME DE MOBILITE DANS LES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS III-V MASSIFS ET LEURS HETEROSTRUCTURES. UN OUTIL DE MODELISATION, DEDIE A L'EXPLOITATION DES EXPERIENCES DE HALL, A ETE DEVELOPPE. LA MOBILITE ELECTRONIQUE Y EST CALCULEE PAR LA RESOLUTION NUMERIQUE (METHODE ITERATIVE) DE L'EQUATION DE BOLTZMANN LINEARISEE. CECI PERMET DE DECRIRE CONVENABLEMENT LE TRANSPORT SUR UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURE ET DE CONCENTRATION DE PORTEURS. LE MODELE INCLUT LES INTERACTIONS SUIVANTES: IMPURETES NEUTRES ET IONISEES, ALLIAGE, RUGOSITE D'INTERFACE, ACOUSTIQUE, PIEZOELECTRIQUE ET OPTIQUE POLAIRE. LES MATERIAUX MASSIFS SONT MODELISES A L'AIDE DE TROIS VALLEES DANS LA BANDE DE CONDUCTION ET DEUX DANS LA BANDE DE VALENCE, LES HETEROSTRUCTURES A L'AIDE DE DEUX SOUS-BANDES DANS LA VALLEE CENTRALE. POUR LES MATERIAUX MASSIFS, LES MOBILITES CALCULEES ONT ETE VALIDEES AVEC LES MEILLEURS RESULTATS DE LA LITTERATURE. DANS LE CAS DES PUITS QUANTIQUES, LES EFFETS DUS A LA DEGENERESCENCE, A L'ECRANTAGE, A LA CONCENTRATION DE PORTEURS, A LA TEMPERATURE ET AUX TRANSITIONS INTER SOUS-BANDES ONT ETE ETUDIES. LES COMPORTEMENTS SPECIFIQUES DES INTERACTIONS DUES A LA RUGOSITE D'INTERFACE ET AUX PHONONS OPTIQUES ONT ETE EXAMINES. LES MOBILITES HALL MESUREES SUR DES HETEROSTRUCTURES INALAS/INGAAS/INALAS DONT LE TAUX D'INDIUM DANS LE PUITS VARIE DE 0.53 A 0.75, ONT ETE INTERPRETEES. L'IMPORTANCE DE LA RUGOSITE DES INTERFACES SUR LA MOBILITE A ETE EVALUEE AINSI QUE SON EVOLUTION AVEC LE TAUX D'INDIUM. LE BON ACCORD ENTRE LES MOBILITES CALCULEES ET CELLES MESUREES PAR EFFET HALL NOUS A PERMIS DE VALIDER LES MODELES UTILISES DANS LA SIMULATION ET DE PROPOSER DES STRUCTURES OPTIMISEES PRESENTANT SOIT DES CONDUCTANCES MAXIMALES A TEMPERATURE AMBIANTE (STRUCTURE POUR TRANSISTORS) SOIT DES MOBILITES MAXIMALES A BASSE TEMPERATURE (STRUCTURE D'ETUDES)

Download or read book Les mat riaux semi conducteurs written by M. Rodot and published by . This book was released on 1965 with total page 316 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Double gate single electron transistor written by Mohamed Amine Bounouar and published by . This book was released on 2013 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mod lisation de la Mobilit Des lectrons Dans Les Semiconducteurs written by COLLECTIF. and published by Omniscriptum. This book was released on 2010-11 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent ètre utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.

Download or read book M canismes de recombinaison des paires lectron trou associ s aux dislocations dans les semiconducteurs III V written by Adel Miri and published by . This book was released on 1995 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis plusieurs années, le contraste E.B.I.C ou CL effectué sur des dislocations [Alpha] et [Béta] , a fait l'objet de plusieurs études en fonction de l'injection et de la température. L'interprétation de ces résultats expérimentaux nécessite un support théorique ; pour cela plusieurs modèles physiques du contraste E.B.I.C ont été développé. Malheureusement aucun de ces modèles ne permet de déterminer quantitativement et de manière auto-cohérente, l'efficacité de recombinaison des dislocations. Dans ce mémoire, nous citons d'abord les propriétés les plus importantes des différents champs électriques associés aux dislocations, ensuite, nous introduisons les concepts physiques concernant la recombinaison non radiative en présence d'un champ électrique, clairement établis par Abakumov et al. Ces travaux nous ont permis de proposer un modèle physique, conduisant à déterminer de manière auto-cohérente, l'efficacité de recombinaison des porteurs minoritaires d'une dislocation due à l'existence d'un champ électrique entourant la ligne de la dislocation. En reliant le coefficient de capture auto-cohérent à la force du défaut établie par Donolato, nous obtenons les valeurs quantitatives du contraste E.B.I.C des dislocations. Dans le cas de GaAs, l'interprétation des résultats expérimentaux de contraste E.B.I.C des dislocations à l'aide de ce modèle, constitue une des rares vérifications des calculs ab-initio de structures de bande des dislocations de Jones et al. De plus, nous montrons théoriquement, pour la première fois, que l'augmentation du contraste E.B.I.C des dislocations décorées, peut être simplement interprétée par une réduction de la densité de donneurs au voisinage de la dislocation. En se fondant sur le nouveau modèle de la structure de bande des dislocations [Alpha] et [Béta] et , et compte tenu de la physique des dislocations de désadaptation de réseau situées à l'interface d'un puits quantique (InGaAs/GAs), nous montrons que les mécanismes de recombinaison des porteurs minoritaires sont de nature extrinsèque.

Download or read book DETERMINATION EXPERIMENTALE DE LA STRUCTURE DE BANDES DES SUPERRESEAUX II VI A BASE DE COMPOSES DU MERCURE written by JOSIANE.. MANASSES and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SUPERRESEAUX DE TYPE III HG(ZN)TE-CDTE. CES HETEROSTRUCTURES SONT REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET PRESENTENT DE TRES GRANDES MOBILITES ELECTRONIQUES. DES MESURES DE TRANSPORT MENEES DANS LA GAMME DE TEMPERATURE 1,5-300 K SUR DES SUPERRESEAUX HGZNTE-CDTE DE TYPE N MONTRENT QUE CES ECHANTILLONS SONT SEMIMETALLIQUES A BASSE TEMPERATURE ET SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES DEGENERES POUR DES TEMPERATURES SUPERIEURES A 100 K. L'ENERGIE DE FERMI DANS CES STRUCTURES EST DETERMINEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. NOUS AVONS REALISE DES EXPERIENCES DE MAGNETOTRANSMISSION DANS L'INFRAROUGE LOINTAIN DANS LA GAMME DE TEMPERATURE 1,5-300 K AVEC LE CHAMP MAGNETIQUE B APPLIQUE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT A L'AXE DE CROISSANCE DES SUPERRESEAUX. L'INTERPRETATION DES EXPERIENCES DANS LE CADRE DE NOS MODELES THEORIQUES (MODELE MULTIBANDES DES FONCTIONS ENVELOPPES) PERMET DE DETERMINER LA NATURE SEMIMETALLIQUE OU SEMICONDUCTRICE A TRES BASSE TEMPERATURE DES ECHANTILLONS AINSI QUE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LA STRUCTURE DE BANDES DES SUPERRESEAUX ETUDIES. NOUS AVONS AINSI PU METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE TRANSITION SEMIMETAL-SEMICONDUCTEUR INDUITE PAR LA TEMPERATURE. NOUS AVONS EGALEMENT OBTENU L'ORDRE DE GRANDEUR DES ENERGIES PLASMA DANS NOS SYSTEMES ET DISCUTE L'INFLUENCE DES EFFETS MAGNETOPLASMA SUR NOS MESURES

Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique du fer cobalt et nickel dans les semiconducteurs II VI written by Wafaa Khattou and published by . This book was released on 1996 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU FER, COBALT ET NICKEL DANS LES SEMI-CONDUCTEURS II-VI. DANS UN PREMIER TEMPS NOUS AVONS PRESENTE LES MODELES CLASSIQUES BASES SUR L'APPROXIMATION MOLECULAIRE TELS QUE LA THEORIE DU CHAMP CRISTALLIN ET LA THEORIE DU CHAMP DU LIGAND. CES MODELES BIEN QU'ILS ARRIVENT A OBTENIR DES RESULTATS SATISFAISANTS QUANT AUX EXPERIENCES D'ABSORPTION, SONT INCAPABLES DE DECRIRE DANS LEUR ENSEMBLE LES SPECTRES DE PHOTOEMISSION. DANS UN DEUXIEME TEMPS NOUS AVONS EXPLICITE LE MODELE SUR LEQUEL NOUS AVONS BASE NOTRE ETUDE: LE MODELE D'INTERACTION DE CONFIGURATIONS. CE MODELE EST UTILISE EN LIAISON AVEC LE HAMILTONIEN D'IMPURETE D'ANDERSSON. IL TIENT COMPTE DES ETATS EXCITES EN SUPERPOSANT A LA CONFIGURATION DE BASE COMPLETEMENT IONIQUE CELLE DES ETATS DIT DE TRANSFERT DE CHARGE OBTENUS PAR TRANSFERT D'ELECTRONS DES LIGANDS VERS LE METAL DE TRANSITION. DANS NOTRE ETUDE NOUS MODELISONS LE CRISTAL PAR UN CLUSTER CONSTITUE DU METAL DE TRANSITION ENTOURE DE CES QUATRE PREMIERS VOISINS (COORDINATION TETRAEDRIQUE). LES PARAMETRES AJUSTABLES DU MODELE SONT: L'ENERGIE DE TRANSFERT DE CHARGE, LES INTEGRALS DE TRANSFERT, LE PARAMETRE DU CHAMP CRISTALLIN ET L'ENERGIE DE MOTT-HUBBARD. CES PARAMETRES SONT OBTENUS PAR COMPARAISON DES SPECTRES D'ABSORPTION ET PHOTOEMISSION THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX. ET ENFIN, NOUS AVONS ETUDIE L'EVOLUTION DES PARAMETRES DU MODELE AVEC LA NATURE DU COMPOSE AINSI QUE LA DETERMINATION DES CONSTANTES D'ECHANGE

Download or read book Etude sous champ magn tique intense du transport vertical dans les h t rojonctions semiconducteurs III V written by Alain Celeste and published by . This book was released on 1990 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA QUANTIFICATION DES ETATS ELECTRONIQUES PAR UN CHAMP MAGNETIQUE INTENSE EST UTILISEE POUR METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE DE ZONES LOCALES D'ACCUMULATION DE CHARGES D'ESPACE DANS LES DIODES A DOUBLE BARRIERE A EFFET TUNNEL RESONNANT, ET POUR EN MESURER LA DENSITE. CES MESURES PERMETTENT DE DECRIRE LA DISTRIBUTION DE LA CHUTE DE POTENTIEL DANS L'ENSEMBLE DE LA STRUCTURE. CETTE QUANTIFICATION PERMET AUSSI D'EFFECTUER UNE SPECTROSCOPIE DES PROCESSUS DE DIFFUSION INTERVENANT LORS DES TRANSITIONS PAR EFFET TUNNEL, ET PERMET D'IDENTIFIER LA NATURE ET LES MODES DE PHONON INTERVENANT DANS LES PROCESSUS DE COLLISION INELASTIQUES. L'ETUDE SYSTEMATIQUE DE DEUX STRUCTURES QUASIMENT IDENTIQUES, NE DIFFERANT L'UNE DE L'AUTRE QUE PAR LA HAUTEUR ENERGETIQUE DE L'UNE DES BARRIERES, PERMET DE METTRE EN EVIDENCE UN EFFET DE TAILLE DE LA BARRIERE SUR LE COUPLAGE DES ELECTRONS AUX DIFFERENTS MODES DE PHONON PRESENTS DANS LA STRUCTURE. LA NATURE SEQUENTIELLE DU TRANSPORT DANS LES DIODES A DOUBLE BARRIERE EST MISE EN EVIDENCE. ENFIN, L'ETUDE DE L'EVOLUTION SOUS CHAMP MAGNETIQUE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE SUPERRESEAUX SPECIFIQUES, PERMET DE CONFIRMER QUE LA DYNAMIQUE PARTICULIERE DES ELECTRONS ACCELERES DANS LA MINIBANDE DU SUPERRESEAU, EST A L'ORIGINE DES ZONES DE SATURATION ET DE RESISTANCE DIFFERENTIELLE NEGATIVE APPARAISSANT DANS CES CARACTERISTIQUES