Download or read book Fiabilit et variabilit temporelle des technologies CMOS FDSOI 28 20nm du transistor au circuit int gr written by Damien Angot and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La course à la miniaturisation requiert l'introduction d'architectures de transistors innovantes enremplacement des technologies conventionnelles sur substrat de silicium. Ainsi la technologie UTBB-FDSOI permet d'améliorer notablement l'intégrité électrostatique et assure une transition progressive vers les structures 3D multigrilles. Ces dispositifs diffèrent des structures conventionnelles par la présence d'un oxyde enterré qui va non seulement modifier l'électrostatique mais également introduire une nouvelle interface de type Si/SiO2 sujette à d'éventuelles dégradations. Par ailleurs, la réduction des dimensions des transistors s'accompagne d'une augmentation de la dispersion des paramètres électriques. En parallèle, le vieillissement de ces transistors introduit une forme additionnelle de variabilité : la variabilité temporelle, qu'il convient d'intégrer à cette composante moyenne de dégradation. Ce travail de thèse est développé sur quatre chapitres, où nous nous intéressons dans le premier chapitre aux évolutions technologiques nécessaires pour passer des technologies CMOS standards (40LP, 28LP) à cette technologie UTBB-FDSOI. Puis dans le second chapitre, nous abordons la dégradation moyenne des transistors et l'impact de l'architecture sur la fiabilité des dispositifs, étudiés sur les mécanismes de dégradations NBTI et HCI. Le troisième chapitre donne au niveau transistor une description analytique et physique de la variabilité temporelle induite par le NBTI. Enfin, cette variabilité temporelle est intégrée au niveau cellules SRAM dans le quatrième chapitre afin de prédire les distributions des tensions minimums de fonctionnement (Vmin) des mémoires SRAM.