Download or read book ETUDE OPTIQUE DES GAZ D ELECTRONS DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS A MODULATION DE DOPAGE written by HUGUES.. PERIC and published by . This book was released on 1993 with total page 203 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EXCITATIONS ELECTRONIQUES D'UN GAZ D'ELECTRONS BI-DIMENSIONNEL (GE2D), CONFINE DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE, SONT ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION RAMAN ET PHOTOLUMINESCENCE. L'OBSERVATION EN DIFFUSION INTER-SOUS-BANDES D'EXCITATIONS INDIVIDUELLES A UNE PARTICULE (SPE) EN PLUS DES EXCITATIONS COLLECTIVES DE DENSITE DE CHARGE OU DE DENSITE DE SPIN, NOUS A PERMIS DE MESURER L'AMPLITUDE RELATIVE DES INTERACTIONS COULOMBIENNES DIRECTE ET D'ECHANGE-CORRELATION DANS LES GE2D DE FORTE DENSITE. L'ABSENCE DE REGLES DE SELECTION POUR LA RAIE SPE, SONT ELARGISSEMENT CARACTERISTIQUE EN FONCTION DU VECTEUR D'ONDE RAMAN, SON ENERGIE VOISINE DE LA DISTANCE INTER-SOUS-BANDES, ONT PERMIS DE DEMONTRER LE CARACTERE EXCITATION A UNE PARTICULE DE CETTE RAIE. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE L'INFLUENCE DE LA DUREE DE VIE DES ETATS ELECTRONIQUES SUR LA FORME DE RAIE DE LUMINESCENCE ET SUR LE SIGNAL SPE. EN DIFFUSION INTRA-SOUS-BANDE, ON A OBSERVE POUR LA PREMIERE FOIS DES TRANSITIONS A UNE PARTICULE ENTRE LES SOUS-BANDES DE SPINS OPPOSES DANS LA PREMIERE SOUS-BANDE DE CONDUCTION DU PUITS DE GAAS. ON A PU EN DEDUIRE, L'UNIQUE MESURE A CHAMP MAGNETIQUE NUL, DE L'ENERGIE LIEE A CE DEDOUBLEMENT DE SPIN, ET DONT L'ORIGINE SE TROUVE DANS L'ABSENCE DE SYMETRIE D'INVERSION DANS LES COMPOSES ZINC DE BLENDE. DANS LA DERNIERE PARTIE DE LA THESE, NOUS AVONS VALIDE, VIA LE DEPLACEMENT DES SIGNAUX RAMAN, LE CONCEPT DE MODULATION DE LA DENSITE DU GE2D SOUS L'EFFET D'UNE GRILLE SCHOTTKY SEMI-TRANSPARENTE. NOUS AVONS ENFIN EXPLORE DIFFERENTES VOIES DEVANT MENER A L'OBSERVATION D'EFFETS UNI-DIMENSIONNELS DANS UN GAZ D'ELECTRONS

Download or read book ANALYSE DU COUPLAGE D UN GAZ D ELECTRONS BIDIMENSIONNELS AVEC LES PHONONS OPTIQUES LONGITUDINAUX DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE GAAS GAALAS written by Christian Guillemot and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'INTERACTION D'UN GAZ D'ELECTRONS BIDIMENSIONNELS AVEC LES MODES DE VIBRATION LONGITUDINAUX OPTIQUES (LO) D'UN PUITS QUANTIQUE GAAS/GAALAS EST ETUDIEE A TRAVERS L'ANALYSE D'EXPERIENCES DE TRANSPORT SOUS FORT CHAMP ELECTRIQUE. COMME LES FREQUENCES DE VIBRATION LO DES MATERIAUX MASSIFS SONT DIFFERENTES, LES MODES PROPRES DE VIBRATION LO D'UN PUITS QUANTIQUE NE PEUVENT SE PROPAGER DANS TOUTE L'HETEROSTRUCTURE ET PRENNENT UN CARACTERE BIDIMENSIONNEL. LEUR DETERMINATION PAR UN MODELE DE CONTINUUM CONDUIT A LA REFORMULATION DE L'INTERACTION DE FROHLICH. SOUS FORT CHAMP ELECTRIQUE, LA SEPARATION DES DEPLACEMENTS ELECTRONIQUES EN UN MOUVEMENT QUASI-CLASSIQUE DU CENTRE DE MASSE ET EN UN GAZ D'ELECTRONS RELATIFS MET EN EVIDENCE LE ROLE DE LA VITESSE DE DERIVE DANS LA DETERMINATION DU TAUX D'EMISSION DE PHONONS LO PAR LES ELECTRONS. LORSQUE L'INTERACTION DE FROHLICH EST TRAITEE LINEAIREMENT, L'ACCORD AVEC L'EXPERIENCE SUR LA VITESSE DE DERIVE D'UNE PART ET SUR LE TAUX DE RELAXATION D'ENERGIE D'AUTRE PART, REQUIERT LA PRESENCE DE PHONONS CHAUDS DONT LA POPULATION EST DEFINIE PAR UN TEMPS DE VIE DE 5 PICOSECONDES. LA FONCTION DE DISTRIBUTION ELECTRONIQUE S'ECARTE DE LA FONCTION D'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE D'UNE QUANTITE EGALE AU PRODUIT DU TAUX DE DIFFUSION SUR LES PHONONS PAR LE TEMPS DE VIE COULOMBIEN DES ETATS ELECTRONIQUES. L'ECART A LA FONCTION D'EQUILIBRE EST FAIBLE. DANS LE TRAITEMENT NON LINEAIRE DE L'INTERACTION DE FROHLICH, L'ENSEMBLE DES ELECTRONS RELATIFS ET DES MODES LO CONSTITUE UN SYSTEME STATISTIQUE INDISSOCIABLE. L'INTRODUCTION DE NOUVEAUX MODES LO CONSTITUEE PAR DEUX TRANSFORMATIONS UNITAIRES SUCCESSIVES PERMET LA MISE EN EVIDENCE DES TERMES DE L'INTERACTION DE FROHLICH RESPONSABLES DE LA RELAXATION DE CE SYSTEME. LE COUPLAGE FORT DES ELECTRONS ET DES PHONONS LO REDUIT LE TAUX D'EMISSION DE PHONONS LO

Download or read book RELAXATION DES ELECTRONS CHAUDS DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE GAAS GAALAS written by MARC.. NICOLARDOT and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX DEJA PUBLIES SUR LA RELAXATION DES ELECTRONS CHAUDS DANS LES PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE GAAS GAALAS ONT MONTRE QU'UN TEMPS DE RELAXATION MOYEN PEUT CARACTERISER LES TRANSFERTS D'ENERGIE ENTRE LE GAZ D'ELECTRONS BIDIMENSIONNEL ET LES PHONONS OPTIQUES LONGITUDINAUX. L'ANALYSE DES RESULTATS PRECEDEMMENT OBTENUS A PARTIR DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE N'AVAIT PAS PERMIS JUSQU'ICI D'EXPLIQUER LES GRANDES DIFFERENCES OBSERVEES SUR LES TEMPS DE RELAXATION MESURES NI LE FAIT QUE CE TEMPS DE RELAXATION PEUT ETRE SUPERIEUR D'UN ORDRE DE GRANDEUR A CELUI DU GAAS MASSIF. NOTRE APPROCHE EXPERIMENTALE A CONSISTE A ETUDIER SIMULTANEMENT LES TRANSFERTS D'ENERGIE ENTRE LE GAZ D'ELECTRONS CHAUDS ET LES PHONONS, ET LES PROPRIETES DE TRANSPORT SOUS CHAMP ELECTRIQUE ELEVE (1KV/CM). L'ANALYSE DES RESULTATS REPOSE SUR UNE MODELISATION QUANTIQUE DES PROPRIETES DE TRANSPORT SOUS CHAMP ELECTRIQUE ELEVE. DANS CE MODELE, L'ETAT DU GAZ D'ELECTRONS EST DEFINI PAR LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE ET LA VITESSE MOYENNE DE DERIVE DES PORTEURS. LES INTERACTIONS AVEC LES IMPURETES IONISEES, LES PHONONS ACOUSTIQUES ET LES DIFFERENTS MODES DE PHONONS OPTIQUES LONGITUDINAUX SONT PRISES EN COMPTE: MODES GUIDES DANS LE PUITS DE GAAS ET MODES D'INTERFACE. LES TRANSITIONS INTERBANDES INDUITES PAR LE COUPLAGE ELECTRON-PHONON SONT EGALEMENT CONSIDEREES. LES PHENOMENES DE PHONONS CHAUDS SONT CARACTERISES PAR LE TEMPS DE RELAXATION PHONON-PHONON. LES RESULTATS OBTENUS EXPERIMENTALEMENT PEUVENT S'EXPLIQUER PAR DEUX EFFETS ANTAGONISTES: 1) D'UNE PART LA PRESENCE DE PHONONS CHAUDS D'INTERFACE QUI AUGMENTE LE TEMPS DE RELAXATION POUR LES TRANSFERTS D'ENERGIE ET CONDUIT A UNE MOBILITE ELECTRONIQUE MOYENNE PLUS ELEVEE, A UNE TEMPERATURE ELECTRONIQUE DONNEE; 2) D'AUTRE PART L'EFFET DE LA VITESSE MOYENNE DES PORTEURS QUI FAVORISE L'EMISSION DE PHONONS EN REDUISANT LE TEMPS DE RELAXATION ELECTRON-

Download or read book ETUDE OPTIQUE DES PUITS QUANTIQUES GAAS GAALAS written by HONG WU.. LIU and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETUDES OPTIQUES DE TRANSPORT VERTICAL DANS UN SYSTEME DE DOUBLE PUITS QUANTIQUES ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE GA#0#.#7AL#0#.#3AS/GAAS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES RESONANCES DE TRANSFERT D'ELECTRONS, DE TROUS ET D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE. CES RESULTATS SONT COMPARES A DES CALCULS DES TEMPS TUNNEL ASSISTES PAR LES DEFAUTS DU SYSTEME OU LES PHONONS. LES ETUDES DE PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE ONT MONTRE LA LEVEE PARTIELLE DES REGLES DE SELECTION EN PRESENCE DE PORTEURS AINSI QUE L'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE RADIATIVE DUE AUX EFFETS A N CORPS

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT VERTICAL ET DU POMPAGE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS GAALAS written by Pierre Rolland and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EFFETS EXCITONIQUES SUR LE TRANSFERT INTERPUITS SONT ETUDIES DANS UNE STRUCTURE A DOUBLE PUITS QUANTIQUE ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE. L'EVOLUTION DE L'INTENSITE ET DU TEMPS DE DECROISSANCE DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE PERMET DE REPERER DES RESONANCES ENTRE NIVEAUX EXCITONIQUES DIRECTS ET CROISES. UNE COMPARAISON SATISFAISANTE EST ALORS EFFECTUEE ENTRE NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET UN CALCUL DE TEMPS DE TRANSFERT TUNNEL ASSISTE. SELON LE TYPE DE RESONANCE, SOIT LES ELECTRONS ET LES TROUS TRANSFERENT A TRAVERS LA BARRIERE, SOIT SEULS LES ELECTRONS PASSENT D'UN PUITS A L'AUTRE. DANS CE CAS, LE SYSTEME PRESENTE UN COMPORTEMENT NON LINEAIRE AVEC LA PUISSANCE D'EXCITATION. LA RELAXATION DE SPIN DANS LES PUITS QUANTIQUES EST ETUDIEE EN MESURANT LE TAUX DE POLARISATION DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE. LA PRESENCE DE DEUX TYPES DE PORTEURS ET DE L'EFFET EXCITONIQUE NOUS AMENENT A SEPARER CETTE ETUDE EN TROIS PARTIES. LA RELAXATION DU SPIN DES ELECTRONS LIBRES EST D'ABORD ETUDIEE SUR DE RECOMBINAISONS DE TYPE ELECTRON-ACCEPTEUR. NOS RESULTATS MONTRENT ALORS QUE LE MECANISME D'YAKONOV-PEREL PEUT ETRE EN PARTIE RESPONSABLE DE LA DEPOLARISATION DES ELECTRONS. LA DYNAMIQUE DU SPIN DES TROUS EST ENSUITE ETUDIEE DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE DE TYPE N. L'EFFET DE MELANGE DE BANDE DE VALENCE EXPLIQUE EN PARTIE LA DEPOLARISATION DES TROUS. ENFIN, LA DIVERSITE DES RESULTATS OBTENUS SUR DES TRANSITIONS EXCITONIQUES REND DIFFICILE TOUTES SPECULATIONS THEORIQUES

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE written by Jean Orgonasi and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS ETUDIONS LES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS A MODULATION DE DOPAGE PAR DES TECHNIQUES DE LUMINESCENCE ET DE SPECTROSCOPIE D'EXCITATION A 2 K. NOUS OBSERVONS TROIS EFFETS MAJEURS SPECIFIQUES AUX PUITS DOPES: L'AFFAIBLISSEMENT, VOIRE LA DISPARITION DES EFFETS EXCITONIQUES, UN DECALAGE VERS LE ROUGE DE TOUTES LES ENERGIES DE TRANSITION PAR RAPPORT A CELLES OBTENUES SUIVANT UN CALCUL AUTO-COHERENT SUIVANT L'APPROXIMATION DE HARTRE, VALIDE A DENSITE ELECTRONIQUE NULLE. ON INTERPRETE CES PHENOMENES EN TENANT COMPTE DES INTERACTIONS COULOMBIENNES A N-CORPS. NOUS DECRIVONS LES SPECTRES PAR LE CALCUL DEJA MENTIONNE ET UNE DIMINUTION APPARENTE DE L'ENERGIE DE LA BANDE INTERDITE PROVENANT DES EFFETS A N-CORPS. EN FAISANT VARIER LE NOMBRE DE PORTEURS DANS NOS STRUCTURES, NOUS ETUDIONS LA DEPENDANCE FONCTIONNELLE DE CETTE DIMINUTION PAR RAPORT A LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES PUITS. NOS RESULTATS SONT EN ACCORD AVEC LES CALCULS THEORIQUES EXISTANTS. ENFIN, NOUS CONFIRMONS LA DESCRIPTION THEORIQUE DE LA BANDE DE VALENCE PAR DES EXPERIENCES DE MAGNETO-LUMINESCENCE

Download or read book ETUDE PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D HETEROSTRUCTURES GAAS GAALAS A PUITS QUANTIQUES NON DOPEES ET DOPEES AU SILICIUM OU AU BERYLLIUM written by DOMINIQUE.. BOFFETY and published by . This book was released on 1994 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES UNIQUES OU MULTIPLES, ELABOREES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES, SONT ETUDIEES PAR DEUX METHODES SPECTROSCOPIQUES CLASSIQUES, LA PHOTOLUMINESCENCE ET LA REFLECTIVITE, ET, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR UNE TECHNIQUE ORIGINALE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT). ELLES SONT NON DOPEES OU DOPEES AVEC DES ATOMES DONNEURS (SILICIUM) OU ACCEPTEURS (BERYLLIUM). POUR CE TYPE DE STRUCTURES SEMICONDUCTRICES, REALISEES SUR SUBSTRATS ABSORBANTS DANS LE DOMAINE D'ENERGIE DES TRANSITIONS DES PUITS, LA FORME INHABITUELLE DES SIGNAUX OBSERVES DANS LES SPECTRES D'AODT S'EXPLIQUE PRINCIPALEMENT PAR DES VARIATIONS DE L'INTENSITE LUMINEUSE REFLECHIE PAR LES INTERFACES AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES. LES SIGNAUX D'AODT SONT COMPLEMENTAIRES DE CEUX DE REFLECTIVITE. LA MODELISATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE A PERMIS DE DETERMINER LA POSITION EN ENERGIE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. L'ALLURE DES SIGNAUX D'AODT ET DE REFLECTIVITE EST TRES SENSIBLE A L'EPAISSEUR DE LA COUCHE BARRIERE DE SURFACE. DES RECOMBINAISONS D'EXCITONS LIES A DES IMPURETES SUPERFICIELLES NEUTRES (DX, AX) ET NIVEAU D'IMPURETE-NIVEAU DE CONFINEMENT FONDAMENTAL DES PORTEURS (DH, EA) SONT IDENTIFIEES EN ANALYSANT LE COMPORTEMENT DES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS DOPES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA PUISSANCE D'EXCITATION. L'ENERGIE DE LOCALISATION DE L'EXCITON SUR LE DONNEUR NEUTRE, SITUE AU CENTRE DES PUITS, PASSE PAR UN MAXIMUM, VERS 100A, LORSQUE LA LARGEUR DE PUITS DIMINUE TANDIS QU'UNE EVOLUTION STRICTEMENT MONOTONE EST OBSERVEE, ENTRE 300 ET 50A, POUR L'EXCITON PIEGE SUR L'ACCEPTEUR NEUTRE. ELLE DECROIT QUAND LA ZONE DE DOPAGE S'ELOIGNE DU CENTRE DES PUITS. LES VARIATIONS AVEC L'EPAISSEUR DES PUITS, ENTRE 28 ET 300A, DE L'ENERGIE DE LIAISON DE L'ATOME DE BERYLLIUM DANS SON ETAT FONDAMENTAL, DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT, S'AVERENT ETRE EN EXCELLENT ACCORD AVEC LES THEORIES RECENTES, CONFIRMANT LA BONNE LOCALISATION DU DOPAGE AU CENTRE DES PUITS, MEME DANS CEUX DE PLUS FAIBLE EPAISSEUR (N0 MONOCOUCHES). DES TRANSITIONS DITES A DEUX TROUS IMPLIQUANT CETTE IMPURETE SONT DETECTEES, POUR LA PREMIERE FOIS PAR PHOTOLUMINESCENCE, DANS UN SYSTEME DE BASSE DIMENSIONALITE

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS GAALAS DANS LE DOMAINE DE L INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE written by Nathalie Herschkorn and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE CDTE CONTENANT UN GAZ D ELECTRONS BIDIMENSIONNEL written by STEPHANE.. LOVISA and published by . This book was released on 1998 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES OPTIQUES ET MAGNETO-OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE CDTE CONTENANT UN GAZ D'ELECTRONS BIDIMENSIONNEL ONT ETE ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION ET D'EMISSION, EN FONCTION DE LA CONCENTRATION DES ELECTRONS. UNE PREMIERE ETUDE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION, EFFECTUEE SUR UNE SERIE D'ECHANTILLONS A DENSITE ELECTRONIQUE FIXE, A MONTRE QUE LA MASSE EFFECTIVE DES ELECTRONS DEPEND FORTEMENT DE LEUR CONCENTRATION. DES CALCULS TENANT COMPTE DES EFFETS A N CORPS EXPLIQUENT BIEN CETTE RENORMALISATION DE MASSE. PAR AILLEURS, DES DISPOSITIFS SCHOTTKY ONT ETE REALISES QUI PERMETTENT DE VARIER CONTINUMENT LA DENSITE DU GAZ D'ELECTRONS DANS UN PUITS QUANTIQUE DE CDTE A L'AIDE D'UNE TENSION INVERSE APPLIQUEE. L'ETUDE DES PROPRIETES DE MAGNETO-ABSORPTION EN FONCTION DE LA DENSITE A MENE A UNE MODELISATION DE LA FORCE D'OSCILLATEUR DE L'EXCITON CHARGE NEGATIVEMENT OU TRION. LES SPECTRES D'ABSORPTION OBTENUS EN CHAMP NUL SUR DES ECHANTILLONS POSSEDANT DES DESORDRES ELECTROSTATIQUES DIFFERENTS ONT MONTRE L'APPARITION DE ZONES ISOLANTES POUR UNE VALEUR DU RAPPORT DE LA DENSITE D'ELECTRONS ET DU PARAMETRE DE DESORDRE EXACTEMENT EGALE A CELLE PREVUE PAR LA THEORIE RECENTE D'EFROS. LA TRANSITION OPTIQUE TEMOIGNANT DE L'APPARITION DE CES ZONES EST ATTRIBUEE A UN TRION A N CORPS.

Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER RESEAUX GAAS ALAS EN PROPAGATION GUIDEE written by VASSILIKI.. VOLIOTIS and published by . This book was released on 1994 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES

Download or read book Etude optique des doubles puits quantiques GaAs GaAl As written by Philippe Bonnel and published by . This book was released on 1991 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A DOUBLES PUITS QUANTIQUES REALISEES A BASE DES COMPOSES GAAS ET (GAAL)AS). CES SYSTEMES SONT MODELISES PAR LE FORMALISME DES FONCTIONS ENVELOPPES ET ANALYSES PAR DIVERSES TECHNIQUES DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE. LES RELATIONS DE DISPERSION DES SOUS-BANDES DE VALENCE, POUR UN VECTEUR D'ONDE DE PROPAGATION DANS LE PLAN DES COUCHES, SONT CALCULEES DE MANIERE EXACTE. LE TRANSFERT DE PROBABILITE DE PRESENCE D'UN PUITS VERS L'AUTRE, QUE PEUT ENGENDRER L'AUGMENTATION DU VECTEUR D'ONDE K PERPENDICULAIRE OU L'APPLICATION D'UNE CONTRAINTE MECANIQUE EXTERNE, EST MIS EN EVIDENCE. NOUS EFFECTUONS UNE COMPARAISON, TENANT COMPTE DES EFFETS EXCITONIQUES, ENTRE CES RESULTATS THEORIQUES ET LES MESURES OPTIQUES

Download or read book Etude par pompage optique des puits quantiques contraints Ga1 xInxAs GaAs written by Fredj Hassen and published by . This book was released on 1994 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE, PAR POMPAGE OPTIQUE, DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES PUITS QUANTIQUES (PQ) CONTRAINTS GA#1#-#XIN#XAS/GAAS. CE MEMOIRE EST CONSTITUE DE DEUX PARTIES: LA PREMIERE EST UNE ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE DE BANDES DES PQ CONTRAINTS (ENERGIE DE CONFINEMENT ET FONCTION D'ONDE CORRESPONDANTE). LA DEUXIEME EST L'ETUDE EXPERIMENTALE DE CES PQ. ON A MIS EN EVIDENCE LA RELAXATION INCOMPLETE DU SPIN DES TROUS. LE TAUX DE POLARISATION DE LA LUMINESCENCE EST UN CARACTERE INTRINSEQUE DE CHAQUE PUITS. ON A FORMULE UN CRITERE POUR L'IDENTIFICATION DE LA DELOCALISATION DES TROUS LEGERS. ON A INTRODUIT LES EFFETS DE LA SEGREGATION SUPERFICIELLE D'INDIUM DANS UN MODELE DE CALCUL POUR IDENTIFIER LES DIFFERENTES RAIES OBSERVEES DANS DES PUITS ETROITS (LW

Download or read book Etude des effets de quasi bidimensionnalit sur les propri t s optiques d h t rostructures puits quantiques de GaAs Ga0 Al0 3As written by Albert Hameury and published by . This book was released on 1991 with total page 316 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST RELATIVE AUX PROPRIETES OPTIQUES, A TEMPERATURE AMBIANTE, DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GA#0#.#7AL#0#.#3AS PREPARES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. LES EFFETS DE QUASI-BIDIMENSIONNALITE ONT ETE ANALYSES, VIA LA REFLECTANCE EN INCIDENCE NORMALE, D'UNE PART DANS L'IR EN BORD DE BANDE D'ABSORPTION (TRANSITIONS EXCITONIQUES AU POINT GAMMA DE LA ZONE DE BRILLOUIN) ET D'AUTRE PART, DANS LE PROCHE UV (TRANSITIONS AU POINT L). POUR REALISER LES MESURES DE REFLECTANCE ENTRE 1.2 ET 3.6 EV, DEUX SPECTROPHOTOMETRES PILOTES PAR MICROORDINATEUR ONT ETE MIS AU POINT. LE PREMIER A PERMIS D'EFFECTUER DES MESURES ABSOLUES SUR TOUT LE DOMAINE SPECTRAL. LE SECOND, NECESSITANT UNE REFERENCE, MAIS BEAUCOUP PLUS DISPERSIF, A ETE UTILISE POUR RESOUDRE LES STRUCTURES DANS LE DOMAINE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. DES TRIPLE-PUITS ET DES MONO-PUITS ONT ETE ETUDIES. POUR CES DERNIERS, IL A ETE POSSIBLE, VIA UN TRAITEMENT MATHEMATIQUE ADEQUAT, (ANALYSE DE KRAMERS-KRONIG, PROGRAMME MULTICOUCHE ET ANALYSE NUMERIQUE DE TYPE NEWTON-RAPHSON) D'EXTRAIRE LA FONCTION DIELECTRIQUE EPSILON 2 DU GAAS DANS LES PUITS. LES POSITIONS ENERGETIQUES DES STRUCTURES EXCITONIQUES ONT ETE COMPAREES A CELLES OBTENUES PAR PHOTOLUMINESCENCE SUR LES MEMES ECHANTILLONS ET AUX RESULTATS D'UN CALCUL FAISANT APPEL A UN MODELE SIMPLE DE PUITS CARRE DANS L'APPROXIMATION DE LA MASSE EFFECTIVE

Download or read book ETUDES DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS GAAS ET DE SUPERRESEAUX GAAS ALAS ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS written by MOHAMED.. REZKI and published by . This book was released on 1997 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE, PAR PHOTOLUMINESCENCE, REFLECTIVITE ET ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT), DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INGAAS/GAAS ET DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS. L'ANALYSE DES LARGEURS DES RAIES DE LUMINESCENCE ET DES DECALAGES DE STOKES, POUR UNE SERIE D'ECHANTILLONS DE COMPOSITION D'INDIUM VOISINE DE 12%, MONTRE QUE L'ARRET DE CROISSANCE EST INEFFICACE POUR DES PUITS RELATIVEMENT LARGES. LE MEME TYPE D'ANALYSE MET EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE AU-DELA D'UNE EPAISSEUR DE PUITS DE 6 MC POUR DES ECHANTILLONS A 35% D'INDIUM. L'AJUSTEMENT DES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT, GRACE AU MODELE THEORIQUE INCLUANT LES EFFETS DE LA CONTRAINTE ET DE LA SEGREGATION D'INDIUM, A PERMIS DE DETERMINER AVEC UNE BONNE PRECISION LE DECALAGE RELATIF DE BANDE DE CONDUCTION Q#C (0,640,01). LA CROISSANCE DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS EST UNE IDEE ORIGINALE. ELLE UTILISE LES EFFETS DE CONTRAINTES INDUITES PAR LE DESACCORD ENTRE GAAS/ALAS ET INGAAS, POUR MODIFIER L'ORDONNANCEMENT DES NIVEAUX D'ENERGIE DANS LE SYSTEME GAAS/ALAS. SI LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES (2 A 6 MC) SONT INDIRECTS (X#X#Y) LORSQU'ILS SONT EPITAXIES SUR SUBSTRAT GAAS, ILS DEVIENNENT PSEUDODIRECTS (X#Z) LORSQU'ILS SONT ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS. LA SPECTROSCOPIE DE PIEZOMODULATION, SELECTIVE DANS LA SEPARATION TROUS LOURDS-TROUS LEGERS, A ETE DECISIVE POUR L'IDENTIFICATION DE LA TRANSITION FONDAMENTALE (ELECTRONS X#Z-TROUS LEGERS) DANS LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS ETUDIES. LE CALCUL DE L'ENERGIE DE CETTE TRANSITION A NECESSITE L'INCLUSION DU COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE.

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS INP ET INAS GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE written by PIERRE.. DISSEIX and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS. LES PARTICULARITES DE CES DEUX SYSTEMES SONT, D'UNE PART, LE FORT DESACCORD DE MAILLE (-3,2% POUR INAS/INP ET -7,2% POUR INAS/GAAS), ET D'AUTRE PART, LES FAIBLES VALEURS DE L'ENERGIE DE BANDE INTERDITE ET DU COUPLAGE SPIN-ORBITE D'INAS CONDUISANT A DES MASSES EFFECTIVES PEU ELEVEES ET A UN COUPLAGE INTER-BANDES IMPORTANT. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ET DE REFLECTIVITE ONT ETE EFFECTUEES SUR DES PUITS QUANTIQUES SIMPLES INAS/INP D'UNE A TROIS MONOCOUCHES D'EPAISSEUR, ELABORES PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES, ET SUR DES MULTI-PUITS QUANTIQUES INAS/GAAS D'ENVIRON UNE MONOCOUCHE D'EPAISSEUR, REALISES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. DIFFERENTES TRANSITIONS LIEES AUX PUITS D'INAS ONT ETE OBSERVEES ET LA SPECTROSCOPIE D'AODT A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS DANS LE SYSTEME INAS/INP, LA TRANSITION EXCITONIQUE IMPLIQUANT LES TROUS LEGERS. L'AJUSTEMENT DES ESTIMATIONS THEORIQUES AUX ENERGIES DES TRANSITIONS OBSERVEES A CONDUIT A LA DETERMINATION PRECISE DES DECALAGES DE BANDES AUX INTERFACES INAS/INP ET INAS/GAAS ET A L'OBTENTION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION LIE A LA REPARTITION DE L'INDIUM DANS LES MULTI-PUITS D'INAS/GAAS. LA MODELISATION NUMERIQUE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE MODELES INCLUANT DE FACON SATISFAISANTE LES EFFETS CONJUGUES DES FORTES CONTRAINTES ET DES COUPLAGES ENTRE BANDES. EN PARTICULIER, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE PROCEDURE DE CALCUL PERMETTANT LA DETERMINATION CORRECTE DES ETATS DE VALENCE DANS UN PUITS QUANTIQUE CONTRAINT ET INCLUANT LE COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE QUI INTERVIENT PAR INTERACTION #K.#P VIA D'AUTRES BANDES ELOIGNEES

Download or read book PHOTOEMISSION DE PUITS QUANTIQUES ET DE SUPERRESEAUX GAAS GAALAS EN ETAT D AFFINITE ELECTRONIQUE NEGATIVE written by ROMUALD.. HOUDRE and published by . This book was released on 1985 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UN PREMIER TEMPS, ON ETUDIE LA LUMINESCENCE , EN LUMIERE POLARISEE CICULAIREMENT, DANS DES PUITS QUANTIQUES GA::(1-X)AL::(X)AS/GAAS/GA::(1-X)AL::(X)AS. ON A OBSERVE DES POLARISATIONS DE LUMINESCENCE SUPERIEURES AU CAS DE GAAS MASSIF. CET EFFET EST DU A LA LEVEE DE DEGENERESCENCE DES BANDES DE VALENCE DE TROUS LOURDS ET DE TROUS LEGERS EN K=O. DANS UN DEUXIEME TEMPS, ON ETUDIE LA PHOTOEMISSION, PAR MISE EN ETAT D'AFFINITE ELECTRONIQUE NEGATIVE (AEN), DE PUITS QUANTIQUES ET DE SUPERRESEAUX. ON PRESENTE LA PREMIERE EVIDENCE EXPERIMENTALE DU TRANSPORT D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL A PARTIR D'ETATS QUANTIQUES DANS UN SUPERRESEAU OU UN PUITS QUANTIQUE VERS UNE SURFACE EN AEN. PUIS ON DEVELOPPE UN MODELE POUR ANALYSER LES DONNEES EXPERIMENTALES ET ON MONTRE QUE L'INTENSITE DE L'EFFET OBSERVE EST EN ACCORD AVEC LES PREDICTIONS THEORIQUES. ON EXPOSE ENFIN DES RESULTATS PRELIMINAIRES D'ANALYSE EN ENERGIE DES ELECTRONS PHOTOEMIS A PARTIR D'UN SUPERRESEAU. CETTE EXPERIENCE ORIGINALE PERMET LA MISE EN EVIDENCE DE LA QUANTIFICATION EN SOUS-BANDES DANS LA BANDE DE CONDUCTION D'UN SUPERRESEAU ET LA MESURE DIRECTE DE L'ENERGIE DE CONFINEMENT DE LA 1ERE SOUS BANDE DE CONDUCTION

Download or read book Propri t s optiques de puits quantiques GaInAsN GaAs written by Tarik Bouragba and published by . This book was released on 2006 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des propriétés optiques de puits quantiques contraints GaInAsN/GaAs élaborés par épitaxie sous jets moléculaires. Les transitions interbandes du puit GaInAsN sont étudiés par photoluminescence et absorption optique traitée thermiquement. Les énergies correspodantes sont calculées grâce à un modèle k.p. à 10 bandes traitant simultanément la contrainte et le couplage entre états électroniques de l'azote et de la bande de conduction de GaInAs. Le décalage des bandes de conduction contraint GaInAsN/GaAs et de la masse effective des porteurs sont déterminés. La force d'oscillateur et l'élargissement inhomogène des excitons ainsi que le coefficient d'absorption des puits sont extraits des spectres. Un recuit provoque un décalage vers le bleu des énergies de transition, qui résulte de l'interdiffusion In/Ga et du réarrangement local autour de l'azote.Cette réorganisation atomique conduit à une diminution du couplage de l'azote avec la bande de conduction