Download or read book Etude et r alisation de structure base de silicium poreux en vue de la d tection de gaz written by Vladimir Polischuk and published by . This book was released on 1999 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse visait à étudier les potentialités du silicium poreux comme support d'un élément sensible pour les capteurs de gaz. Afin de comprendre les mécanismes de formation du silicium poreux nous avons eu recours à l'électrochimie fondamentale de silicium. Ainsi, les mesures I-V de l'interface silicium/solution d'acide fluorhydrique ont mis en évidence deux mécanismes compétitifs : la formation électrochimique de l'oxyde de silicium et sa dissolution par HF. De même, la nature de l'oxyde de silicium est discutée dans le cadre des diagrammes d'équilibres tension-ph du système silicium-eau. Dans le but de développer de nouveaux capteurs de gaz, nous avons élaboré des couches de silicium poreux modifiées ultérieurement par un métal catalytique. Dans le cas des structures de type diode (Pd/Sp/Si), l'épaisseur de la couche de silicium poreux contrôle les processus de transport de courant. La quantité du palladium déposée influe beaucoup sur la sensibilité des structures sous gaz. Ainsi, ce sont les structures avec une couche ultramince de palladium qui présentent les meilleures réponses à l'hydrogène. En s'appuyant sur le modelé d'une hétérojonction métal/silicium poreux/si ayant une couche mince de silicium poreux, nous avons relie ce phénomène a la variation des porteurs libres de la zone de charge d'espace du silicium. La mesure de la différence de potentiel de contact nous a permis d'étudier l'effet de l'adsorption d'hydrogène sur la surface de palladium supporte sur du silicium poreux. Malgré nos attentes, les structures a base du silicium poreux ont montré une faible amélioration de la sensibilité par rapport aux structures traditionnelles Pd/SiO2/Si. Par contre, elles étaient plus performantes en ce qui concerne la cinétique, donc le temps de réponse deux fois plus rapide.

Download or read book Etude structurale physique et lectrique de nouveaux mat riaux written by Sofiane Zairi and published by . This book was released on 2001 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne les caractéristiques pour la détection ionique, de structures silicium poreux oxydé/silicium fonctionnalisées par des molécules de calixarènes. Les sensibilités aux ions sodium de structures planes silice/silicium et de silicium poreux oxydé/silicium, fonctionnalisées avec un film mince de molécules de p-tert-butylcalix[4]arène, sont comparées. La variation du potentiel de bande plate des structures planes silice/silicium en fonction de la concentration des ions sodium est environ 56mV/pNa. Quand la porosité du silicium poreux oxydé varie de 57% à 65%, la sensibilité des structures silicium poreux oxydé fonctionnalisé/silicium varie de 180mV/pNa à 233 mV/pNa. Ce sont de très grandes valeurs de sensibilité, comparées à la loi de Nernst. Afin d'expliquer de telles réponses sub-nernstiennes, nous avons étudié l'effet des paramètres de la couche poreuse (porosité, épaisseur de la couche poreuse et surface interne) sur la sensibilité.

Download or read book ETUDES STRUCTURALES DU SILICIUM POREUX PAR TECHNIQUES DE RAYONS X written by VIRGINIE.. CHAMARD and published by . This book was released on 2000 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LA STRUCTURE DU SILICIUM POREUX (SP) PAR DES TECHNIQUES DE RAYONS X POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATION. L'ECHELLE NANOMETRIQUE DE LA STRUCTURE POREUSE NECESSITE DES MOYENS D'INVESTIGATION NON DESTRUCTIFS ET SENSIBLES A CETTE ECHELLE. DE PLUS, LE CARACTERE CRISTALLIN CONNU DANS LE CAS DU TYPE P, CONDUIT NATURELLEMENT A L'UTILISATION DE LA DIFFRACTION DES RAYONS X POUR TOUS TYPES DE SP. AINSI, NOUS AVONS SUIVI IN SITU LES DEFORMATIONS PENDANT LA FORMATION ET LA DISSOLUTION CHIMIQUE DU SP. POUR LE TYPE N, L'ETUDE SYSTEMATIQUE EN FONCTION DU TEMPS DE FORMATION, PAR DIFFRACTION ET REFLECTIVITE DE RAYONS X, COMPLETEE PAR DES MESURES DIRECTES, MONTRE DEUX TYPES DE MATERIAUX : FABRIQUE DANS L'OBSCURITE, LA STRUCTURE DU SP EST CONTINUE MAIS NON HOMOGENE EN PROFONDEUR ET LA FORMATION PRESENTE TROIS PHASES DISTINCTES DANS LE TEMPS. FABRIQUE SOUS ILLUMINATION, LA STRUCTURE, STRATIFIEE, SE COMPOSE D'UN CRATERE AU DESSUS DE COUCHES NANOPOREUSE ET MACROPOREUSE. LA DIFFUSION DES RAYONS X EST ENSUITE UTILISEE POUR LA CARACTERISATION STRUCTURALE DES DIVERS TYPES DE SP. LES REFLECTIVITES SPECULAIRE ET HORS SPECULAIRE PERMETTENT L'ETUDE DES INTERFACES DE LA COUCHE. POUR LE FRONT D'ATTAQUE DU TYPE P, LES MESURES SONT COMPAREES AU PROFIL DE LA SURFACE OBTENU DIRECTEMENT PAR MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE ET PROFILOMETRIE. DEUX ECHELLES DE STRUCTURE APPARAISSENT : UNE ECHELLE MESOMETRIQUE OU L'INTERFACE N'EVOLUE PAS AVEC LE TEMPS D'ATTAQUE, POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION AUTOUR DE 100 NM ET UNE ECHELLE MACROSCOPIQUE OU DES DEFAUTS APPARAISSENT EN COURS D'ATTAQUE POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION POUVANT ATTEINDRE 600 NM. FINALEMENT, LA DIFFUSION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE MESUREE HORS DU PLAN CONDUIT A UNE TAILLE DE PARTICULE DE QUELQUES NANOMETRES DE DIAMETRE, ET UNE FORTE CORRELATION DANS LE PLAN DE LA SURFACE EST SYSTEMATIQUEMENT OBSERVEE. LA TRANSITION ENTRE DIFFUSION DE SURFACE ET DE VOLUME EST EGALEMENT MISE EN EVIDENCE.

Download or read book Silicium poreux written by and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2021-02-15 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées: Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation: DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.

Download or read book REALISATION ET ETUDE DE STRUCTURE A MODULATION D INDICE OPTIQUE EN SILICIUM POREUX written by SUSANNA.. SETZU and published by . This book was released on 1999 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNAIT L'ETUDE DES MODULATIONS VERTICALES ET LATERALES DE L'INDICE OPTIQUE DANS LE SILICIUM POREUX. DANS LE BUT DE REALISER DES STRUCTURES OPTIQUES PERFORMANTES, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX PERTES DUES A LA RUGOSITE DES INTERFACES PRESENTES DANS LES ECHANTILLONS DE SILICIUM POREUX DE TYPE P. UNE ETUDE SUR L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE FORMATION DU SILICIUM POREUX A ETE MENEE DANS LE BUT DE REDUIRE CES PERTES. POUR LA TEMPERATURE DE FORMATION DE 35\C POUR LES COURANTS LES PLUS CRITIQUES, NOUS AVONS OBTENU UNE REMARQUABLE DIMINUTION DE LA RUGOSITE, QUI PEUT ALLER JUSQU'A UN FACTEUR 6. CETTE DIMINUTION DE LA RUGOSITE NOUS A PERMIS DE REALISER DES MIROIRS DE BRAGG ET MICROCAVITES DE TRES BONNE QUALITE OPTIQUE AVEC DES COEFFICIENTS DE REFLECTIVITE DE 99.5% ET DES LARGEURS DE MODE DE LA CAVITE DE 5 NM. LA DETERMINATION DES GRANDS COEFFICIENTS DE REFLECTIVITE EST REALISE GRACE A DES MESURES TRES PRECISES DE SPECTROSCOPIE RING DOWN AVEC UNE PRECISION DE 0.01%. LA CARACTERISATION DE CES STRUCTURES NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE UNE DIFFERENCE DES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES SIMPLES ET DES COUCHES ENTERREES, LA VARIATION DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE DE FORMATION A ETE QUANTIFIEE PAR UNE ETUDE DE LA LUMINESCENCE ET PAR LA SIMULATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE. NOUS AVONS MONTRE QUE LES MOLECULES DE COLORANT PEUVENT IMPREGNER EFFICACEMENT LES COUCHES DE SILICIUM POREUX, QU'ELLES AIENT UNE FAIBLE OU UNE GRANDE POROSITE, ET QUE L'IMPREGNATION PEUT ETRE FAVORISEE PAR L'OXYDATION PREALABLE DES COUCHES POREUSES. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE SILICIUM POREUX PEUT ETRE UNE TRES BONNE MATRICE POUR LES MOLECULES DE COLORANT QUI RESTENT SUFFISAMMENT DISPERSEES POUR POUVOIR EMETTRE DE LA LUMIERE. L'UTILISATION DE STRUCTURES DE TYPE MICROCAVITE PERMET UN RETRECISSEMENT ET UNE AMPLIFICATION DE L'EMISSION DU COLORANT. POUR CARACTERISER LA MODULATION LATERALE D'INDICE, OBTENUE PAR UNE PHOTODISSOLUTION OU PHOTOELECTROFORMATION DE LA COUCHE DE SILICIUM POREUX, NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA LUMIERE SUR LA POROSITE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DES MONOCOUCHES DE SILICIUM POREUX DE TYPE P ET DE TYPE N +, CE QUI A DETERMINE LES CONDITIONS DE FORMATION DES RESEAUX A MODULATION LATERALE D'INDICE OPTIQUE. LA DIFFRACTION DE LA LUMIERE DES ECHANTILLONS AINSI OBTENUS A ETE ETUDIEE.

Download or read book R alisation et tude de structures modulation d indice optique en silicium poreux written by Susanna Setzu (auteur(e) en physique).) and published by . This book was released on 2004 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concernait l'etude des modulations verticales et laterales de l'indice optique dans le silicium poreux. Dans le but de realiser des structures optiques performantes, nous nous sommes interesses aux pertes dues a la rugosite des interfaces presentes dans les echantillons de silicium poreux de type p. Une etude sur l'influence de la temperature de formation du silicium poreux a ete menee dans le but de reduire ces pertes. Pour la temperature de formation de 35 c pour les courants les plus critiques, nous avons obtenu une remarquable diminution de la rugosite, qui peut aller jusqu'a un facteur 6. Cette diminution de la rugosite nous a permis de realiser des miroirs de bragg et microcavites de tres bonne qualite optique avec des coefficients de reflectivite de 99.5% et des largeurs de mode de la cavite de 5 nm. La determination des grands coefficients de reflectivite est realise grace a des mesures tres precises de spectroscopie ring down avec une precision de 0.01%. La caracterisation de ces structures nous a permis de mettre en evidence une difference des proprietes optiques des couches simples et des couches enterrees, la variation de l'indice optique et de la vitesse de formation a ete quantifiee par une etude de la luminescence et par la simulation des spectres de reflectivite. Nous avons montre que les molecules de colorant peuvent impregner efficacement les couches de silicium poreux, qu'elles aient une faible ou une grande porosite, et que l'impregnation peut etre favorisee par l'oxydation prealable des couches poreuses. Ces resultats montrent que le silicium poreux peut etre une tres bonne matrice pour les molecules de colorant qui restent suffisamment dispersees pour pouvoir emettre de la lumiere. L'utilisation de structures de type microcavite permet un retrecissement et une amplification de l'emission du colorant. Pour caracteriser la modulation laterale d'indice, obtenue par une photodissolution ou photoelectroformation de la couche de silicium poreux, nous avons etudie l'influence de la lumiere sur la porosite et les proprietes optiques des monocouches de silicium poreux de type p et de type n +, ce qui a determine les conditions de formation des reseaux a modulation laterale d'indice optique. La diffraction de la lumiere des echantillons ainsi obtenus a ete etudiee.

Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX written by CENDRINE.. FAIVRE and published by . This book was released on 1998 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PROPRIETE ORIGINALE DU SILICIUM POREUX D'ETRE A LA FOIS NANOPOREUX ET MONOCRISTALLIN NOUS A PERMIS D'OBTENIR DES INFORMATIONS NOUVELLES EN UTILISANT LA DIFFRACTION DES RAYONS X. LES RESULTATS CONCERNENT L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE TYPE P#+ FORMEES SUR UN SUBSTRAT ORIENTE (111), LA MESURE DU COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE DU SILICIUM POREUX ET LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LA PRESENCE DE CDS DANS LES PORES. LA DEUXIEME MOTIVATION DE CETTE THESE CONCERNAIT L'ETUDE PLUS FONDAMENTALE DES CHANGEMENTS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX. DU POINT DE VUE DU FLUIDE, LA CALORIMETRIE DIFFERENTIELLE A ETE UTILISEE POUR MESURER LES DECALAGES EN TEMPERATURE DES TRANSITIONS DE PHASES, LIES AUX EFFETS DE CONFINEMENT. UN MODELE DECRIVANT LES MECANISMES THERMODYNAMIQUES DE LA TRANSITION CONFINEE ET TENANT COMPTE DE LA GEOMETRIE DES PORES, A PERMIS DE BIEN DECRIRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DE DEDUIRE LA DISTRIBUTION DE TAILLES DES PORES. CE TRAVAIL A PU ETRE APPLIQUE A DIFFERENTS EFFETS TELS QUE LA DISSOLUTION CHIMIQUE OU L'HOMOGENEITE DES COUCHES. DU POINT DE VUE DE LA MATRICE POREUSE, LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LES TRANSITIONS LIQUIDE-VAPEUR ET SOLIDE-LIQUIDE DU FLUIDE CONFINE ONT ETE MESUREES IN SITU PAR DIFFRACTION DES RAYONS X. DANS LE CAS DE L'ADSORPTION, LA VALEUR DE LA PRESSION DE VAPEUR CORRESPONDANT A UNE AMPLITUDE DE DEFORMATION MAXIMALE A ETE MESUREE ET RELIEE A LA TAILLE DES PORES PAR L'EQUATION DE KELVIN. EN CONSIDERANT LES PROPRIETES ELASTIQUES DU SILICIUM POREUX, LES CONTRAINTES CAPILLAIRES INDUITES PAR LA PRESENCE DE MENISQUES DANS LES PORES ONT ETE ESTIMEES LORS DE L'EVAPORATION, ET LES RESULTATS ONT PU ETRE APPLIQUES AU PROBLEME DU SECHAGE DE COUCHES TRES POREUSES. D'AUTRE PART, LA CONSTRUCTION AU COURS DE MA THESE D'UN NOUVEAU DIFFRACTOMETRE A PERMIS DE MESURER IN SITU DES DEFORMATIONS DE LA COUCHE POREUSE LORS DE LA SOLIDIFICATION DU FLUIDE ORGANIQUE AU SEIN DES PORES, LIEES A L'EXISTENCE DE CONTRAINTES CAPILLAIRES.

Download or read book Contribution l tude de structures silicium sur isolant obtenues partir de silicium poreux written by Catherine Oules-Chaton and published by . This book was released on 1991 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES PAR FORMATION ET OXYDATION DE COUCHES DE SILICIUM POREUX. LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONTRIBUE A AMELIORER LA QUALITE DES STRUCTURES OBTENUES PAR LES DEUX VOIES TECHNOLOGIQUES EXISTANTES: L'EPITAXIE DE SILICIUM SUR SILICIUM POREUX ET LA FORMATION DE COUCHES ENTERREES DE SILICIUM POREUX. DES EPITAXIES DE SILICIUM ONT ETE REALISEES PAR UNE TECHNIQUE CVD BASSE TEMPERATURE BASSE PRESSION SUR DES COUCHES DE SILICIUM POREUX FORMEES SUR SUBSTRATS FORTEMENT DOPES (P#+ ET N#+) ET SUR SUBSTRATS FAIBLEMENT DOPES (P ET N). ELLES CONDUISENT A UNE COUCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN DONT LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE DEPEND DU DOPAGE DU SUBSTRAT D'ORIGINE. CETTE QUALITE EST EXCELLENTE POUR DES COUCHES EPITAXIEES SUR SILICIUM POREUX P#+ ET SE DETERIORE FORTEMENT LORS DE L'EMPLOI DE SUBSTRATS P. TOUTEFOIS, L'UTILISATION D'UNE TECHNIQUE DE RECROISSANCE EPITAXIALE EN PHASE SOLIDE PERMET DE DIMINUER FORTEMENT LA DENSITE DE DEFAUTS DE CES COUCHES. UNE NOUVELLE PROCEDURE D'OXYDATION A ALORS ETE MISE AU POINT AFIN D'OXYDER ET DENSIFIER COMPLETEMENT LA COUCHE ENTERREE DE SILICIUM POREUX. CETTE PROCEDURE QUI COMPREND UNE ETAPE A HAUTE TEMPERATURE (1300C) CONDUIT A UNE COUCHE ENTERREE D'OXYDE PARFAITEMENT DENSE ET N'ENTRAINE PAS DE DIFFUSION DE DOPANT DE LA COUCHE DE SILICIUM POREUX DANS LA COUCHE EPITAXIEE. CETTE MEME PROCEDURE A ETE EMPLOYEE POUR LA REALISATION DE STRUCTURES SOI PAR LA DEUXIEME VOIE TECHNOLOGIQUE. ELLE CONDUIT, APRES OPTIMISATION DES CONDITIONS DE FORMTION DE LA COUCHE ENTERREE DE SILICIUM POREUX, A L'ISOLATION COMPLETE ET PLANAR D'ILOTS DE SILICIUM DE 80 M DE LARGE. DES DISPOSITIFS DE TEST ONT ALORS ETE REALISES SUR CE MATERIAU ET ONT DEMONTRE QU'IL PRESENTE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES SEMBLABLES A CELLES D'AUTRES MATERIAUX SOI

Download or read book M thodologies pour la r alisation d un substrat SERS base de silicium poreux pour la d tection de mol cules chimiques et biologiques written by Hamida Dridi and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail de cette thèse porte sur la réalisation de substrats SERS (Surface Enhanced Raman Scattering) pour la détection d'espèce chimiques et biologiques. Il s'agit de mettre en place des méthodologies utilisant comme surface de départ celle d'une couche poreuse de silicium et un effet de Plasmon de surface induit par la présence d'un métal noble en général. Les spécificités des couches poreuses qui sont d'une part une rugosité nanométrique et d'autre part une porosité et donc une surface interne modulable ont une incidence directe sur la sensibilité de détection de molécules cibles. Nous avons développé dans ce manuscrit de thèse différentes méthodes d'élaboration de substrats SERS à base de couches poreuses de silicium. Nous avons envisagé deux voies, la première se base sur l'utilisation des nanoparticules d'or en solution colloïdale. La deuxième voie, plus originale, utilise le dépôt d'or par pulvérisation cathodique sur une couche poreuse préparée sur la face rugueuse de silicium. Des résultats SERS intéressants, concernant la détection de molécules chimique (Rhodamine 6G) et biologique (Albumine Sérum Bovin), ont été décrits et expliqués permettant d'envisager diverses solutions afin de les optimiser.

Download or read book Oxydation du silicium poreux written by Jean-Jacques Yon and published by . This book was released on 1986 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES A PARTIR DE SILICIUM POREUX A CONDITION DE CONTROLER L'OXYDATION THERMIQUE DU MATERIAU. CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDATION DU SILICIUM POREUX. CE TRAVAIL A PERMIS DE FIXER LES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A LA FORMATION REPRODUCTIBLE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX HOMOGENES. L'ETUDE DETAILLEE DE L'OXYDATION DE CE MATERIAU A PERMIS DE DEGAGER UN MECANISME PHENOMENOLOGIQUE QUI REND COMPTE DE LA TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN OXYDE AUX PROPRIETES IDENTIQUES A CELLES DE LA SILICE CLASSIQUE. LE MECANISME PROCEDE PAR UNE OXYDATION CHIMIQUE COUPLEE A UNE DENSIFICATION, TRES ACTIVEE EN TEMPERATURE, DE LA SILICE. CES RESULTATS ONT ETE APPLIQUES A LA REALISATION DE STRUCTURES SOI

Download or read book PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C V written by Christine Robert-Pierrisnard and published by . This book was released on 1996 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES

Download or read book ETUDE STRUCTURALE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P PAR DIFFRACTION HAUTE RESOLUTION DES RAYONS X written by DENIS.. BUTTARD and published by . This book was released on 1997 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL A ETE CONSACREE A L'ETUDE, PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, DES DEFORMATIONS ENGENDREES PAR DES EFFETS DE SURFACE. NOUS AVONS NOTAMMENT MIS EN EVIDENCE, GRACE A DES MESURES IN SITU SOUS ULTRA VIDE, QUE LA DILATATION QUI EXISTE POUR UN ECHANTILLON FRAICHEMENT PREPARE EST DUE AUX LIAISONS SI-H#X PRESENTES A LA SURFACE DES CRISTALLITES DE SILICIUM. NOUS AVONS D'AUTRE PART ETUDIE LA PASSIVATION DU SILICIUM POREUX PAR OXYDATION DES CRISTALLITES DE SILICIUM QUI SE TRADUIT PAR UNE DILATATION SUPPLEMENTAIRE A LA DILATATION ORIGINELLE DU PARAMETRE DE MAILLE CRISTALLIN. LE REMPLISSAGE DES PORES PAR UN DEPOT DE GERMANIUM A ENFIN ETE ETUDIE, MONTRANT UNE EPITAXIE DU GERMANIUM JUSQU'AU FOND DES PORES. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL DE THESE PRESENTE LES MESURES DE DIFFUSION DIFFUSE AUX PIEDS DES PICS DE BRAGG, ET LES INFORMATIONS STRUCTURALES QUI EN RESULTENT, POUR DES ECHANTILLONS FRAICHEMENT PREPARES. POURLES COUCHES DE TYPE P#-, LES CRISTALLITES SONT ISOTROPES AVEC UN DIAMETRE DE L'ORDRE DE 3 NM. LES COUCHES DE TYPE P#+ SE PRESENTENT DE MANIERE DIFFERENTE AVEC DES CRISTALLITES ANISOTROPES DE 10 NM DIAMETRE. UNE CONTRIBUTION ISOTROPE PEU INTENSE ANALOGUE AU P#- EST AUSSI PRESENTE, CE QUI SUGGERE LA PRESENCE DE PETITS OBJETS EGALEMENT DANS LE P#+. LA DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL REGROUPE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ET DES SUPER-RESEAUX DE SILICIUM POREUX, PAR DIFFRACTION ET REFLECTIVITE DES RAYONS X. UNE ANALYSE QUANTITATIVE DES DONNEES A ETE REALISEE SYSTEMATIQUEMENT PAR SIMULATION NUMERIQUE. LES COUCHES MINCES SONT DE BONNE QUALITE BIEN CRISTALLINES ET LA RUGOSITE DES INTERFACES RESTE FAIBLE. UN RESULTAT IMPORTANT EST L'EXISTENCE D'UNE COUCHE DE TRANSITION DE 10-20 NM A L'INTERFACE POREUX/MASSIF, AINSI QUE LA PRESENCE D'UN FILM DE SURFACE DE FAIBLE POROSITE DANS LE CAS DU MATERIAU DE TYPE P#+. L'ANALYSE DES SUPER-RESEAUX DEMONTRE LEUR BONNE QUALITE, QUI SE MANIFESTE PAR LA PRESENCE DE PICS SATELLITES TRES FINS ASSOCIE A LA SUPER-STRUCTURE. LE CHANGEMENT DE POROSITE ENTRE LES COUCHES S'ETALE ICI ENCORE SUR UNE ZONE DE TRANSITION DE L'ORDRE DE 14 NM.

Download or read book Caract risation de la phase solide et transferts de gaz dans les milieux poreux insatur s written by and published by . This book was released on 2009 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette étude est de préciser le lien existant entre la microstructure porale des matériaux cimentaires et leurs propriétés diffusives au gaz en fonction de la localisation de la phase aqueuse dans les pores et de la saturation globale du matériau. Les matériaux cimentaires étudiés sont des pâtes de ciment et des mortiers. Pour répondre à l'objectif de l'étude, les matériaux étudiés sont caractérisés de façon détaillée en croisant plusieurs techniques expérimentales : porométrie au mercure, porométrie à l'eau, thermoporométrie, sorption d'azote et désorption de vapeur d'eau. D'un autre côté, des essais de diffusion sur les matériaux conservés à l'humidité relative contrôlée permettent de déterminer l'évolution de la diffusivité en fonction de l'état de saturation en mesurant le coefficient de diffusion effectif à l'hydrogène grâce à la chromatographie en phase gazeuse. Ces résultats expérimentaux constituent aussi la base de données permettant une comparaison à une approche par simulation numérique. La modélisation numérique approche les phénomènes de transfert par la combinaison de la diffusion ordinaire et de la diffusion de Knudsen à travers des modèles de milieu poreux et tient compte de la tortuosité et du niveau de saturation du milieu poreux.

Download or read book Optimisation des propri t s du silicium poreux pour l int gration de composants RF passifs written by Benjamin Bardet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'intégration monolithique de filtres et de diodes contre les décharges électrostatiques sur silicium est une solution à bas cout et fiable pour protéger les interfaces de transfert de données des appareils nomades. La formation de caissons isolants de silicium poreux sous les filtres permet d'améliorer en partie leur performance. Cette thèse avait pour but de poursuivre l'intégration de démonstrateurs RF sur silicium poreux et de proposer des voies de fonctionnalisation du matériau en vue d'optimiser les caractéristiques des filtres. Tout d'abord, les configurations bénéfiques d'intégration de caissons poreux à un filtre de mode commun (ECMF) ont été étudiées. Ensuite, une optimisation de l'étape d'oxydation post-anodisation a été réalisée afin d'améliorer la qualité et la stabilité de l'isolation électrique. Pour cela, les mécanismes d'oxydation, les propriétés chimiques et les propriétés électriques du silicium mésoporeux oxydé ont été mises en perspective avec la nature du traitement appliqué. Enfin, l'insertion dans les pores de nanoparticules ferromagnétiques de forte perméabilité a été menée dans le but d'augmenter la densité d'inductance par unité de surface.

Download or read book Etude structurale du silicium poreux de type p par diffraction haute r solution des rayons X written by Denis Buttard (auteur en physique de la matière).) and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La premiere partie de ce travail a ete consacree a l'etude, par diffraction des rayons x, des deformations engendrees par des effets de surface. Nous avons notamment mis en evidence, grace a des mesures in situ sous ultra vide, que la dilatation qui existe pour un echantillon fraichement prepare est due aux liaisons si-h#x presentes a la surface des cristallites de silicium. Nous avons d'autre part etudie la passivation du silicium poreux par oxydation des cristallites de silicium qui se traduit par une dilatation supplementaire a la dilatation originelle du parametre de maille cristallin. Le remplissage des pores par un depot de germanium a enfin ete etudie, montrant une epitaxie du germanium jusqu'au fond des pores. La deuxieme partie de ce travail de these presente les mesures de diffusion diffuse aux pieds des pics de bragg, et les informations structurales qui en resultent, pour des echantillons fraichement prepares. Pourles couches de type p#-, les cristallites sont isotropes avec un diametre de l'ordre de 3 nm. Les couches de type p#+ se presentent de maniere differente avec des cristallites anisotropes de 10 nm diametre. Une contribution isotrope peu intense analogue au p#- est aussi presente, ce qui suggere la presence de petits objets egalement dans le p#+. La derniere partie de ce travail regroupe l'etude des couches minces et des super-reseaux de silicium poreux, par diffraction et reflectivite des rayons x. Une analyse quantitative des donnees a ete realisee systematiquement par simulation numerique. Les couches minces sont de bonne qualite bien cristallines et la rugosite des interfaces reste faible. Un resultat important est l'existence d'une couche de transition de 10-20 nm a l'interface poreux/massif, ainsi que la presence d'un film de surface de faible porosite dans le cas du materiau de type p#+. L'analyse des super-reseaux demontre leur bonne qualite, qui se manifeste par la presence de pics satellites tres fins associe a la super-structure. Le changement de porosite entre les couches s'etale ici encore sur une zone de transition de l'ordre de 14 nm

Download or read book Contribution la mise au point de m thodes de contr le et de caract risation de guides d ondes composites silicium poreux et silice poreuse written by Marzouk Kloul and published by . This book was released on 2005 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nos travaux s’inscrivent dans le cadre du programme de recherche interrégional Bretagne-Pays de la Loire intitulé : « Matériaux composites silicium poreux-polymères présentant des propriétés d'optique non linéaire en vue d'applications en télécommunications et capteurs ». L’objectif de ce programme est l’élaboration et la caractérisation d’un matériau composite silicium poreux-polymère doté de propriétés optiques non-linéaires. L’élaboration des échantillon de silicium poreux a été effectué au Laboratoire d’optronique de Lannion. Les travaux de thèse ont porté sur la caractérisation optique d’échantillons de silicium poreux et de silice poreuse non remplis ainsi que de matériaux composites obtenus en introduisant différents polymères et molécules dans les pores. Les expériences ont été réalisées au sein de deux laboratoires, le Laboratoire de Physique de L’Etat condensé de l’Université du Maine (LPEC) et le Laboratoire des Propriétés Optiques des Matériaux et Applications d’Angers (POMA). Au LPEC, nos études avaient pour but le développement de techniques permettant l’étude du remplissage, la détermination des épaisseurs et les propriétés optiques linéaires des échantillons. Ainsi, l’une des techniques basée sur l’utilisation d’un spectromètre Raman couplé avec un dispositif de translation motorisé, nous a permis d’étudier l’homogénéité du remplissage de monocouches ainsi que de bicouches remplies avec différents polymères et molécules tel que le DR1, et le PPV. Le remplissage avec le DR1 a été effectué à Lannion alors que le remplissage avec le PPV a été réalisé à l’institut des matériaux de Nantes. D’autre part nous avons mis au point une technique interférométrique qui nous a permis de déterminer les l’indices de réfraction, les coefficients d’extinction et les épaisseurs des échantillons précédents avec une grande précision. Pour ce faire, nous avons développé un programme d’analyse qui permet d’effectuer des régressions sur les données expérimentales. Parallèlement, nous avons étudié les propriétés d’optique non-linéaire des échantillons précédents en utilisant la technique de I-Scan mise au point au POMA d’Angers. Cette technique Nous a permis de montrer que les indices non-linéaires des échantillons analysés étaient 103 fois plus grands que celui du silicium massif.

Download or read book ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN written by STEPHANE.. BASTIDE and published by . This book was released on 1995 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS