Download or read book Research and Development on Single Crystal High Resistivity Cadmium Telluride for Use as a Gamma ray Spectrometer written by Kenneth R. Zanio and published by . This book was released on 1971 with total page 136 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Pr paration et tude des propri t s de diodes au tellurure de plomb et au tellurure de cadmium en vue d une utilisation en spectrom trie nucl aire written by René Lançon and published by . This book was released on 1968* with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude Par Spectrometrie M ssbauer D Emission Du Sulfure de Cadmium written by Hssaine Amamou and published by Omniscriptum. This book was released on 2010-08 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le d veloppement tr s remarqu des technologies bas es sur l' lectronique, l'optique et l'opto lectronique a t rendu possible gr ce aux avanc es r alis es dans les domaines de conception des semi-conducteurs et de compr hension de leurs propri t s lectroniques, optiques et structurales. L' tude de ces compos s se trouve confront e des probl mes li s la pr sence et la diffusion des imperfections. L' tude des semi-conducteurs en couches minces constitue depuis longtemps un axe majeur de la recherche scientifique. Les m thodes VPE et CVD sont tr s utilis es pour la croissance cristalline et la spectrom trie M ssbauer occupe une place particuli re dans l' tude et la d tection des d fauts. Ce livre donne un r sum sur la nature des inperfections et leurs m canismes de diffusion dans les semi-conducteurs. Il pr sente galement une explication d taill e du principe de l'effet M ssbauer et de la technique de spectrom trie M ssbauer. Une autre grande partie de ce livre est consacr e la pr sentation d'une tude d taill e sur la conception par la m thode VPE-CVD des couches minces du sulfure de cadmium (CdS) et leurs analyses par spectrom trie M ssbauer.

Download or read book Pr paration et tude des propri t s de diodes au tellurure de plomb et au tellurure de cadmium en vue d une utilisation en spectrom trie nucl aire written by René Lançon and published by . This book was released on 1968 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ELABORATION ET CARACTERISATION DE TELLURURE DE CADMIUM ETUDE DE SPECTROMETRES NUCLEAIRES written by Alain Cornet and published by . This book was released on 1976 with total page 79 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RAPPEL DES PROPRIETES THERMODYNAMIQUES DU SYSTEME CADMIUM-TELLURE ET PROCEDES DE CRISTALLOGENESE MIS AU POINT AU LABORATOIRE. METHODES DE CARACTERISATION DES DIVERS TYPES DE CRISTAUX ET ELABORATION D'UN SCHEMA DES NIVEAUX A PARTIR DUQUEL ON ETABLIT UN MODELE THEORIQUE QUI DECRIT LA COMPENSATION DES DEFAUTS NATIFS DU MATERIAU PAR DES IMPURETES. RESULTATS DE SPECTROMETRIE GAMMA REALISEE AVEC DE TELS DETECTEURS.

Download or read book Etude et caract risation du tellurure de cadmium par photoconductivit en vue de son application la d tection de rayonnement X written by LOICK.. VERGER and published by . This book was released on 1992 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA PHOTOCONDUCTION EN VOLUME DU TELLURURE DE CADMIUM (CDTE) EN VUE DE SON APPLICATION A LA DETECTION DE RAYONNEMENT X. LA PREMIERE PARTIE COMPREND UNE PRESENTATION DU CDTE, UNE ETUDE THEORIQUE DE LA PHOTO-CONDUCTION ET UNE DESCRIPTION DE LA MODELISATION. APRES UN BREF RAPPEL DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DU CDTE, NOUS DECRIVONS TROIS METHODES DE CROISSANCE DU CDTE (TRAVELING HEATER METHOD (T.H.M.), BRIDGMAN (B.), HIGH PRESSURE BRIDGMAN (H.P.B.). UNE PREMIERE MODELISATION PERMET DE CALCULER LE TAUX DE GENERATION DE PORTEURS DANS LE PHOTOCONDUCTEUR A PARTIR DU SPECTRE THEORIQUE D'EMISSION DE LA SOURCE DE RAYONNEMENT. UNE DEUXIEME MODELISATION EVALUE LA REPONSE TRANSITOIRE DU PHOTOCONDUCTEUR A UNE SOURCE IMPULSIONNELLE. TOUTE LA CHAINE D'ACQUISITION SOURCE X/FILTRE/PHOTOCONDUCTEUR ET AINSI SIMULEE. LA SECONDE PARTIE RASSEMBLE DIVERSES CARACTERISTIQUES DES MATERIAUX CDTE AINSI QUE DES CONTACTS METAL-SEMICONDUCTEUR. LA TROISIEME PARTIE EST LA PLUS IMPORTANTE DU DOCUMENT. ELLE PORTE SUR LA CARACTERISATION DU CDTE LORSQU'IL EST SOUMIS A DIFFERENTES SOURCES DE RAYONNEMENT ALLANT DU CONTINU JUSQU'A DES IMPULSIONS DE 40 PS. LES REPONSES TRANSITOIRES SONT ETUDIEES EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE, DE LA DOSE ABSORBEE ET DU TYPE DE CONTACT MS. NOUS OBTENONS UNE BONNE CORRELATION ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LA MODELISATION. LA MESURE DU SIGNAL INTEGRE EN REGIME PULSE PERMET UNE ETUDE PLUS SYSTEMATIQUE DU CDTE. UNE CONFIGURATION OPTIMALE DU DETECTEUR EST PROPOSEE DANS LE CADRE DE L'APPLICATION DU CDTE EN TOMOGRAPHIE X INDUSTRIELLE