Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION D UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by Mohamed Jalal Termanini and published by . This book was released on 1987 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS, UN AVANT PROJET D'UN TRANSISTOR DESTINE A L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE A ETE PROPOSE. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DES COUCHES NECESSAIRES AUX DISPOSITIFS, EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, DEPOT EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANOMETALLIQUES. CES ETUDES ONT PERMIS D'AFFINER CHACUNE DES METHODES ET DE DEFINIR DANS CHAQUE CAS LES CONDITIONS OPTIMALES DE REALISATION. ENFIN, NOUS AVONS ANALYSE ET COMPARE LES DIFFERENTS PROCEDES MIS A NOTRE DISPOSITION POUR REALISER ENTIEREMENT LES TRANSISTORS, UN PROCESSUS OPTIMUM A AINSI PU ETRE DEFINI. LES DISPOSITIFS REALISES SONT PRESENTES ET LES RESULTATS OBTENUS DISCUTES, OUVRANT LA VOIE AU DEVELOPPEMENT DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES ASGA

Download or read book Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfr quence de puissance h t rojonction GaAs GaAlAs written by Hugues Granier and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.

Download or read book Technologie et physique de transistors bipolaires h t rojonction Si SiGeC auto align s tr s hautes performances written by Benoît Barbalat and published by . This book was released on 2006 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour objet l'étude et la réalisation en milieu industriel de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC à très hautes performances pour les applications de télécommunications et de détection radar. Le premier chapitre rappelle la théorie de fonctionnement du transistor bipolaire, aussi bien en régime statique qu'en régime dynamique. Nous présentons ensuite un historique des technologies de fabrication des TBH SiGe, en expliquant les choix pris en faveur d'un auto-alignement complet et d'une épitaxie sélective de la base. Les performances obtenues dans cette étude sont comparées à l'état de l'art. Le chapitre III a pour objet l'optimisation classique du transistor bipolaire, et nous démontrons comment, par différentes optimisations du profil vertical et de l'extension latérale du composant nous avons pu augmenter les performances de 200GHz jusqu'à 300GHz. Le chapitre IV traite de l'optimisation de la tenue en tension par des procédés technologiques en rupture avec l'optimisation standard du transistor. Des améliorations significatives de la tenue en tension ont pu être démontrées, ce qui permet d'obtenir des produits fTxBVceo à l'état de l'art. Le dernier chapitre étudie le comportement du TBH en fonction de la température : Nous décrivons tout d'abord l'auto-échauffement du transistor, et son impact sur les performances dynamiques, nous terminons par l'étude du transistor bipolaire aux températures cryogéniques. Les performances étant fortement améliorées à basse température, nous en tirons de l'extraction des différents retards du composant des perspectives d'amélioration des temps de transit, pour atteindre des performances ultimes.

Download or read book OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAAS GAALAS written by HUGUES.. GRANIER and published by . This book was released on 1995 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.

Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO HETEROJONCTION DANS LE CADRE D UNE TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE BICMOS written by HATEM.. BOUSSETTA and published by . This book was released on 1995 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE DE L'ETUDE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A BASES EPITAXIEES FORTEMENT DOPEES REALISES DANS LA TECHNOLOGIE BICMOS DU CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS DE MEYLAN. GRACE AU FORT DOPAGE DE LA BASE, LE FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS SE RAPPROCHE DE CELUI DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS ; POUR CETTE RAISON ON LES NOMME TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO HETEROJONCTION. APRES AVOIR PRESENTE LA NOUVELLE STRUCTURE EMETTEUR-BASE ET LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION BICMOS, NOUS DECRIVONS LES TECHNIQUES ET LES OUTILS DE CARACTERISATION MIS EN JEU. DANS UN PREMIER TEMPS, L'ETUDE PORTE SUR LA DEFINITION DES CONDITIONS D'EPITAXIE ET LES REGLAGES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES POUR INTEGRER LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A PSEUDO-HETEROJONCTION DANS LE PROCEDE DE FABRICATION BICMOS. L'ETUDE EFFECTUEE SUR L'ORIGINE DU DYSFONCTIONNEMENT A FAIBLE INJECTION DES TRANSISTORS REALISES ET LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES RESPONSABLES DES COURANTS DE FUITE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS MURES ET NON MURES ONT PERMIS DE CERNER LES PROBLEMES POSES PAR L'INTEGRATION PUIS D'APPORTER DES SOLUTIONS POUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. L'ETUDE DU FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF A PORTE SUR LES PROPRIETES PHYSIQUES DE LA BASE ET EN PARTICULIER LE RETRECISSEMENT DE LA BANDE INTERDITE SOUS L'EFFET DES FORTS DOPAGES. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE ORIGINALE D'EXTRACTION DE CE RETRECISSEMENT BASEE SUR L'EVOLUTION DU COURANT COLLECTEUR EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. A PARTIR DE CETTE METHODE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUE LES TRANSISTORS FABRIQUES FONCTIONNENT EFFECTIVEMENT SUR LE PRINCIPE DES DISPOSITIFS A HETEROJONCTION. CETTE ETUDE A PERMIS UNE DESCRIPTION PRECISE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A TOUTE TEMPERATURE

Download or read book Conception et r alisation de transistors bipolaires hyperfr quence de puissance h t rojonction GaAs GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book OPTIMISATION ET COMPARAISON DE TECHNOLOGIES AUTOALIGNEES POUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS GAALAS written by VERONIQUE.. AMARGER and published by . This book was released on 1993 with total page 258 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA FINALITE DE CETTE THESE EST D'OPTIMISER ET DE COMPARER DES TECHNOLOGIES AUTOALIGNEES POUR LA FABRICATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH) GAALAS/GAAS EN TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE. NOUS AVONS CENTRE NOTRE ETUDE SUR 2 TECHNOLOGIES : UNE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE IMPLANTEE ET UNE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE DOUBLE MESA (PHBT). DANS LE CADRE DU DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE IMPLANTEE, NOUS AVONS OPTIMISE LE CONTACT D'EMETTERU EN GEMOW, QUI PERMET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT EN JOUANT LE ROLE DE MASQUE PENDANT L'IMPLANTATION DE TYPE P. NOUS AVONS OPTIMISE LES CONDITIONS DE DEPOT DES FILMS DE W ET DE MO POUR REDUIRE LA CONTRAINTE, LA RESISTIVITE ET LA CONTAMINATION OXYGENE. AU COURS DE CETTE ETUDE, NOUS AVONS MONTRE L'IMPORTANCE DU CONTROLE DE LA TEMPERATURE DU PORTE-SUBSTRAT. D'AUTRE PART, NOUS AVONS OPTIMISE LES PARAMETRES DE L'IMPLANTATION MG, PERMETTANT DE CONTACTER LA BASE DEPUIS LE HAUT DE LA STRUCTURE, AINSI QUE LE RECUIT D'ACTIVATION ASSOCIE. PARALLELEMENT, NOUS AVONS OPTIMISE LES ETAPES ELEMENTAIRES PERMETTANT DE REALISER DES TBH EN TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE DOUBLE MESA, A PARTIR D'UNE NOUVELLE STRUCTURE EPITAXIALE ELABOREE AU CNET. NOUS AVONS ETUDIE LE CONTACT D'EMETTEUR QUI SERT DE MASQUE POUR L'AUTOALIGNEMENT ; CE CONTACT EN W EST DEPOSE SUR UNE COUCHE EN GAINAS N+. LA GRAVURE DU MESA D'EMETTEUR A ETE OPTIMISEE POUR OBTENIR DES FLANCS RENTRANTS, CE QUI PERMET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT DE LA METALLISATION DE BASE PAR RAPPORT A LA METALLISATION D'EMETTEUR. DES DISPOSITIFS TBH ONT ETE REALISES : LA TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE IMPLANTEE RESTE DIFFICILE A MAITRISER ; TANDIS QUE LA NOUVELLE TECHNOLOGIE DOUBLE MESA (PHBT) EST SIMPLE ET PERMET DE REALISER DES COMPOSANTS A HAUTES PERFORMANCES FREQUENTIELLES.

Download or read book OPTIMISATION D UNE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE POUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS GAALAS written by JEAN-MICHEL.. COLLUMEAU and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE THESE EST L'OPTIMISATION D'ETAPES TECHNOLOGIQUES CRITIQUES PERMETTANT LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS EN STRUCTURE AUTOALIGNEE: L'ELABORATION DU CONTACT OHMIQUE D'EMETTEUR GEMOW STABLE A HAUTE TEMPERATURE ET SA GRAVURE EN T. CONCERNANT LA REALISATION DU CONTACT, UNE ETUDE DU DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DES DEUX PRINCIPAUX CONSTITUANTS (W, MO) A ETE MENEE ET A ABOUTI A LA MISE AU POINT DE PARAMETRES DE DEPOT PERMETTANT D'OBTENIR DES FILMS PEU TENDUS ET PEU RESISTIFS. LES DIFFERENTS PARAMETRES CARACTERISANT LE RECUIT DU CONTACT, AINSI QUE L'EPAISSEUR DE CHAQUE COUCHE ONT EGALEMENT ETE OPTIMISES DE MANIERE A OBTENIR A LA FOIS UN BON MASQUE POUR L'IMPLANTATION ET UN CONTACT OHMIQUE PRESENTANT UNE FAIBLE RESISTIVITE. D'AUTRE PART, LA GRAVURE IONIQUE REACTIVE DE CHACUN DES TROIS CONSTITUANTS A ETE ETUDIEE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE GRAVURE SUR LE DEGRE D'ANISOTROPIE ET LA FORMATION DE RESIDUS A ETE ETABLIE. CETTE ETUDE A PERMIS DE METTRE AU POINT LA GRAVURE EN FORME DE T, NECESSAIRE POUR NOTRE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, DU CONTACT GEMOW. L'OPTIMISATION DE CES DEUX ETAPES A PERMIS L'ASSEMBLAGE D'UNE FILIERE AUTOALIGNEE. DES TRANSISTORS DE GRANDE, PUIS DE FAIBLE DIMENSION ONT ETE REALISES AVEC CETTE TECHNOLOGIE. LES CARACTERISTIQUES STATIQUES ET DYNAMIQUES DE CES TRANSISTORS ONT ETE MESUREES MONTRANT LA FAISABILITE ET L'EFFICACITE D'UNE TELLE TECHNOLOGIE

Download or read book Etude et d veloppement d une nouvelle architecture de transistor bipolaire h t rojonction Si written by Alexis Gauthier and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans cette thèse portent sur le développement et l'optimisation de transistors bipolaires pour les futures générations de technologies BiCMOS. La technologie de référence est le BiCMOS055 présentant des fT et fMAX de respectivement 320 et 370 GHz. Dans un premier temps, il est montré que l'optimisation du profil vertical comprenant le budget thermique, le profil de la base et du collecteur notamment permet d'atteindre une fT de 400 GHz tout en restant compatible avec les transistors CMOS. Dans un second temps, le développement d'un collecteur implanté est présenté. La co-implantation du carbone avec le phosphore permet d'obtenir des substrats sans défaut, un contrôle de la diffusion précis ainsi que des performances électriques prometteuses. Une fréquence de transition fT record de 450 GHz est notamment atteinte grâce à des règles de dessins optimisées. Un module STI peu profond (SSTI) est développé afin de compenser l'augmentation de la capacité base / collecteur liée à ce type de technologie. Dans un troisième temps, l'intégration sur silicium d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire ayant pour but de surmonter les limitations de la DPSA-SEG utilisée en BiCMOS055 est détaillée et les premiers résultats sont discutés. Cette partie démontre toutes les difficultés d'une intégration d'un transistor bipolaire de nouvelle génération dans une plateforme CMOS. La fonctionnalité de l'architecture émetteur / base est démontrée à travers des mesures dc. Pour terminer, la possibilité d'une intégration en 28 nm est évaluée à travers des travaux spécifiques, notamment au niveau des implantations à travers le SOI, et une ouverture sur les éventuelles intégrations 3D est réalisée.

Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS GAAS written by DAVID.. ANKRI and published by . This book was released on 1980 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDES DE NOUVELLES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES QUI ONT CONDUIT A DES REALISATIONS ENCOURAGEANTES EN HF ET EN PHOTOTRANSISTOR RAPIDE. POTENTIALITES DU TRANSISTOR A HETEROJONCTION PAR RAPPORT AUX TRANSISTORS A HOMOJONCTION SILICIUM. TRAVAIL EXPERIMENTAL DEPUIS L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE JUSQU'AU DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES. CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR, ET ANALYSE DES DIFFERENTES COMPOSANTES DE COURANT QUI LIMITENT L'EFFICACITE D'INJECTION DES TRANSISTORS. PRESENTATION DES MESURES DYNAMIQUES. PERSPECTIVES D'APPLICATIONS ET DE PERFORMANCES POSSIBLES DE TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS-BAAS, DOMAINES D'APPLICATION

Download or read book Contribution l tude des transistors bipolaires h t ro jonction pour la r alisation d amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v

Download or read book D veloppement et tude de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe C pour les technologies BiCMOS millim triques written by Boris Geynet and published by . This book was released on 2008 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonctions (TBH) Si/SiGe:C disponibles aujourd'hui dans les technologies BiCMOS atteignent des fréquences de coupure fT et fmax supérieures à 200GHz. Cela leur permet d'adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu'à 100GHz telles que les radars anticollision pour l'automobile et les communications optiques et sans fil à haut débit. Cette thèse a pour objet le développement et l'étude de TBH Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques. Après un rappel des principes de fonctionnement du transistor bipolaire, nous montrons les méthodes de fabrication, caractérisation et modélisation des dispositifs de dernière génération. Les architectures choisies et les performances obtenues par les principaux acteurs du marché sont détaillées. Nous présentons ensuite des études menées pour le développement de la technologie BiCMOS9MW de STMicroelectronics. Une version faible-coût du TBH rapide ainsi qu'un dispositif haute-tension compatible avec la technologie sont présentés et les résultats à l'état de l'art obtenus sur les deux architectures sont montrés. Nous étudions également l'impact des variations des paramètres technologiques et de la géométrie des dispositifs sur les principales caractéristiques de ces composants. La dernière partie de ce travail de thèse est consacrée au développement de nouvelles solutions technologiques afin d'améliorer encore la fréquence de transition des TBH Si/SiGe:C. Un optimisation du profil vertical du TBH a pu être réalisée grâce au développement d'un nouveau module de collecteur utilisant une épitaxie sélective et la réduction du budget thermique vu par les dispositifs durant leur fabrication. Cette dernière étude a permis d'atteindre une fréquence de transition fT· supérieure à 400GHz à température ambiante, ce qui représente la meilleure performance obtenue à ce jour pour un transistor en technologie silicium.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA written by BAMUENI.. BIMUALA and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE DE REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE A ETE ETUDIEE. L'ISOLATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UNE IMPLANTATION DE BORE ET DE PROTON DONT L'OPTIMISATION A ETE FAITE AVEC L'OBJECTIF D'ASSURER UNE STABILITE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE. UNE DIFFUSION DE ZINC PERMET DE CONTACTER LA COUCHE DE BASE ET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT ENTRE LES CONTACTS D'EMETTEUR ET DE BASE. CES DEUX CONTACTS OHMIQUES SONT REALISES AVEC LE MEME METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE. LA DIFFUSION DE ZINC FORME UNE COUCHE P#+ DANS LA ZONE EXTRINSEQUE DU TBH DONT LE DOPAGE EST ELEVE (10#2#0 CM##3), LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE EST AINSI TRES REDUITE. L'OPTIMISATION DE LA REALISATION DU CONTACT OHMIQUE DE BASE EN TUNGSTENE A ETE ETUDIEE SUR PLUSIEURS COUCHES DE GAAS INITIALEMENT DOPEES PAR DU ZINC (EPITAXIE MOCVD) ET DU BE (EPITAXIE MBE) AVEC DES CONCENTRATIONS VARIABLES DE 5 10#1#8 CM##3 A 5 10#1#9 CM##3. LA DIFFUSION DU ZINC DANS DES COUCHES DOPEES AVEC DU BE EST DIFFERENTE, SUIVANT QUE LA CONCENTRATION INITIALE DU DOPANT EST SUPERIEURE OU INFERIEURE A 3 10#1#9 CM##3. DANS TOUS LES CAS LA RESISTIVITE DE CONTACT EST DE L'ORDRE DE 10##6 CM#2. LA DIFFUSION DU ZINC A ETE EGALEMENT ETUDIEE SUR LE GA#1#-#XAL#XAS EN FONCTION DE LA FRACTION D'ALUMINIUM. DES RESISTIVITES DE CONTACT DE 10##6 CM#2 SONT EGALEMENT OBTENUES POUR DES FRACTIONS D'ALUMINIUM A 0,15. UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE, DONT LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION AVEC CES NOUVELLES ETAPES ELEMENTAIRES EST DECRITE, A ETE REALISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 41 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 37 GHZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION E-B EST DE 220 M#2 ET B-C DE 820 M#2. POUR CE TYPE DE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, AVEC DES CONTACTS DE BASE ET D'EMETTEUR EN METAL REFRACTAIRE, MALGRE L'IMPORTANCE DES SURFACES DE JONCTION, NOS RESULTATS SE SITUENT AU MEILLEUR NIVEAU ET SONT COMPARABLES A CEUX OBTENUS PAR NTT (AVEC UNE SURFACE DE JONCTION B-C QUATRE FOIS PLUS PETITE). DES PERFORMANCES ENCORE PLUS ELEVEES POURRONT ETRE ATTEINTES PAR UNE REDUCTION DES SURFACES DE JONCTION DU TRANSISTOR

Download or read book Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire h t rojonction pour l amplification de puissance haut rendement written by Alain Mallet and published by . This book was released on 1996 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)

Download or read book CONCEPTION ET REALISATION D UNE CHAINE D EMISSION TRES HAUT DEBIT A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS written by MOHSINE.. MENOUNI and published by . This book was released on 1996 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE CIRCUITS ULTRA-RAPIDES POUR COMMUNICATIONS OPTIQUES A TRES HAUT DEBIT (10-20 GBIT/S). IL TRAITE PARTICULIEREMENT DES CIRCUITS RELATIFS A LA CHAINE D'EMISSION: LE MULTIPLEXEUR ET LE CIRCUIT DE COMMANDE DU LASER. LA CONCEPTION EST BASEE SUR L'UTILISATION DE LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAINP/GAAS. LE MEMOIRE TRAITE TOUT D'ABORD DU PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET DE LA MODELISATION DU TBH. IL PASSE EN REVUE LES DIFFERENTES TECHNOLOGIES UTILISEES POUR LA REALISATION DU TBH, NOTAMMENT LA TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE DU CNET-BAGNEUX METTANT EN UVRE DES ESPACEURS. UNE ETUDE QUALITATIVE DU FONCTIONNEMENT DE LA LOGIQUE RAPIDE ECL, PRESENTEE DANS LE CADRE DE LA PORTE INVERSEUSE DE BASE, PERMET DE DETERMINER L'INFLUENCE DES PARAMETRES ELECTRIQUES, GEOMETRIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU TRANSISTOR SUR LE TEMPS DE PROPAGATION ET DE PRECISER QUELQUES FACTEURS D'OPTIMISATION DE LA VITESSE DES CIRCUITS LOGIQUES. LE MANUSCRIT DECRIT ENSUITE UNE METHODOLOGIE GENERALE DE CONCEPTION DES CIRCUITS ULTRA-RAPIDES QUI S'EST CONCRETISEE PAR LA REALISATION D'UN CIRCUIT SELECTEUR A 20 GBIT/S ET D'UN DIVISEUR DE FREQUENCE STATIQUE A 12 GHZ UTILISANT DES TRANSISTORS DE FREQUENCE DE TRANSITION DE 50 GHZ. CES RESULTATS, COMPLETES PAR DES SIMULATIONS, MONTRENT QU'UN CIRCUIT MULTIPLEXEUR AVEC SYNCHRONISATION EN SORTIE DEVRAIT FONCTIONNER AU DESSUS DE 10 GBIT/S. L'OPTIMISATION DE L'ARCHITECTURE DU CIRCUIT DE COMMANDE DU LASER A PERMIS D'ATTEINDRE UN DEBIT DE 16 GBIT/S AVEC UNE AMPLITUDE DE 2 VOLT SUR 50 OHM. CE CIRCUIT A ETE HYBRIDE AVEC UNE DIODE LASER TRES LARGE BANDE POUR REALISER UN MODULE D'EMISSION OPTIQUE MONTRANT UN FONCTIONNEMENT CORRECT A 14 GBIT/S

Download or read book LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS written by Jean-Luc Pelouard and published by . This book was released on 1987 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SIMULATION DES PHENOMENES DE TRANSPORT. REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION INGAALAS-INGAAS-INGAALAS EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA ET TECHNOLOGIE DIFFUSEE A PARTIR DE COUCHES OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES

Download or read book ANALYSE ET OPTIMISATION DES PERFORMANCES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS GAAS written by Christian Gérard and published by . This book was released on 1987 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE LA MODELISATION ET LA CONCEPTION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS DONT LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ONT ETE OPTIMISEES POUR APPLICATIONS EN MICROONDES. UNE MODELISATION A ETE EFFECTUEE POUR PRENDRE EN COMPTE TOUS LES ELEMENTS PARASITES QUI LIMITENT LES PERFORMANCES DE CE TYPE DE DISPOSITIF TANT DU POINT DE VUE DE LA FREQUENCE DE COUPURE QUE DE LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION. UNE EXPLOITATION SYSTEMATIQUE DU MODELE, A L'AIDE DE LOGICIELS DE SIMULATION, PERMET DE TROUVER LES DIMENSIONNEMENTS OPTIMAUX DU TRANSISTOR EN TENANT COMPTE DE L'ETAT DE L'ART TECHNOLOGIQUE ACTUEL. UN JEU DE MASQUES EST PRESENTE QUI PERMET LA REALISATION DE 36 TRANSISTORS DIFFERENTS AVEC 3 TECHNOLOGIES POSSIBLES. LES PREMIERS RESULTATS PARTIELS OBTENUS AVEC CE JEU DE MASQUES MONTRENT QUE, MEME AVEC UNE STRUCTURE DE COUCHES NON OPTIMALE, LES FREQUENCES MAXIMALES ATTEINTES DEPASSENT LES 20 GHZ AVEC DES DIMENSIONS LARGEMENT SUPERIEURES AU MICRON