Download or read book Etude du transport dans les couches minces de silicium sur isolant et dans les couches d inversion des TMOS written by Gérard Ghibaudo and published by . This book was released on 1984 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: 1. ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOS) ET DANS LES COUCHES D'INVERSION A L'INTERFACE SI-SIO::(2) DES TRANSISTORS MOS. L'UTILISATION DU FORMALISME GENERALISE DE TRANSPORT DE KUBO-GREENWOOD AUTORISE UNE DESCRIPTION GLOBALE DES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE OU LA CONCENTRATION DES PORTEURS DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT DANS LES TMOS. REVUE DES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES ET ELECTRIQUES DU SILICIUM SUR SAPHIR FABRIQUE EN FRANCE DEPUIS 15 ANS. 2. ETUDE DE LA CINETIQUE D'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM EN OXYGENE SEC. MODELE GENERAL D'OXYDATION TENANT COMPTE DES CONTRAINTES MECANIQUES ET DE LEUR RELAXATION PAR FLUAGE VISQUEUX PENDANT LA CROISSANCE DE L'OXYDE. CE MODELE PERMET LA DESCRIPTION QUANTITATIVE DU REGIME INITIAL D'OXYDATION ANORMALEMENT RAPIDE A FAIBLE EPAISSEUR D'OXYDE, ET DES VARIATIONS DE LA CONSTANTE CINETIQUE PARABOLIQUE AVEC LA TEMPERATURE D'OXYDATION
Download or read book Mod lisation du transport lectronique et de l accumulation de la charge dans les isolants en couches minces written by Anne-Charlotte Amiaud and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les matériaux diélectriques sont présents dans de nombreux dispositifs en microélectronique. Ces derniers peuvent être soumis à de fortes contraintes électriques impactant leur durée de vie. Le stress électrique peut en effet provoquer le claquage du diélectrique ou la modification des performances des composants par accumulation de charges. Dans ces travaux de thèse, différentes méthodes de caractérisation et d'analyse physique ont été utilisées pour étudier la structure des échantillons et identifier les mécanismes en jeu dans le processus d'accumulation de charges dans des couches minces de nitrure de silicium. Puis un code de simulation modélisant les phénomènes de transport de charges dans les isolants a été développé. Le modèle prend en compte des phénomènes de transport par effet tunnel et par effet thermique, dans le volume du diélectrique et aux interfaces isolant-métal. Il permet d'étudier l'évolution de grandeurs physiques (courants, charge, champ électrique) en fonction du temps et de la profondeur dans la couche mince diélectrique. Des résultats de mesures sur des composants capacitifs ont pu être reproduits grâce aux simulations. Cet outil permet d'estimer l'intérêt d'un matériau diélectrique relativement à la fiabilité de composants capacitifs. Il peut également être utilisé en amont afin de définir un matériau aux propriétés idéales pour l'application visée ou aider au dimensionnement de dispositifs en microélectronique.
Download or read book ETUDE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DE LA FORMATION DES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM POUR LA MICROELECTRONIQUE APPLICATION AU SYSTEME NH 3 SILICIUM MONOCRISTALLIN written by KHALID.. CHAFIK and published by . This book was released on 1994 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM OCCUPENT UNE PLACE ESSENTIELLE DANS LA MISE AU POINT DES STRUCTURES (EN PARTICULIER DES MEMOIRES) UTILISEES EN MICRO-ELECTRONIQUE SUR SILICIUM. DEPUIS LE TOUT DEBUT DE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, PLUSIEURS AUTEURS ONT PORTE LEUR ATTENTION SUR LES REACTIONS CHIMIQUES QUI POUVAIENT SE PRODUIRE PENDANT LA FORMATION DE L'ISOLANT. GENERALEMENT, CES ETUDES ONT UTILISE DES MODELES ASSEZ ELOIGNES DE LA REALITE CHIMIQUE, ET LES PHENOMENES DE CROISSANCE DE CES COUCHES ISOLANTES RESTENT ENCORE MAL EXPLIQUES. NOUS AVONS DONC DECIDE D'ABORDER LA FORMATION DE FILMS MINCES ISOLANTS DU POINT DE VUE DE LA REACTION CHIMIQUE ET NOUS AVONS DEVELOPPE UNE APPROCHE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DU PROBLEME. ETANT DONNE LE GRAND NOMBRE DE REACTIFS CHIMIQUES POUVANT ETRE UTILISES POUR DEPOSER DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, NOUS AVONS INITIALEMENT LIMITE NOTRE ETUDE A LA FORMATION DE NITRURE(S) DE SILICIUM SUR DU SILICIUM MONOCRISTALLIN (100)-(21) EN UTILISANT L'AMMONIAC NH#3 COMME GAZ NITRURANT. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE DE SURFACE TENANT COMPTE A LA FOIS DE CONSIDERATIONS CRISTALLOGRAPHIQUES ET DE CALCULS DE THERMODYNAMIQUE CLASSIQUE. LE MODELE MONTRE QUE LA SURFACE DE SILICIUM EST FORTEMENT MODIFIEE, NON SEULEMENT SUR LE PREMIER PLAN, MAIS AUSSI EN PROFONDEUR: DEUX PLANS DE SILICIUM CONTIENNENT DE L'AZOTE. LE MODELE EST EN TRES BON ACCORD AVEC CE QUI A ETE OBSERVE EXPERIMENTALEMENT DANS LA LITTERATURE. IL MONTRE AUSSI QUE LA CROISSANCE DU NITRURE NE PEUT PAS ETRE HOMOGENE ET QU'AINSI, LE MODELE DE PRIGOGINE NE PEUT PAS S'APPLIQUER. NOUS AVONS REPRIS ET AMELIORER LE MODELE EN UTILISANT DES PROGRAMMES DE CALCULS D'EVENTUALITE DE REACTIONS CHIMIQUES PAR MINIMISATION DE L'ENTHALPIE LIBRE. CES CALCULS CONFIRMENT LES RESULTATS INITIAUX. ILS APPORTENT DES PRECISIONS QUANT AUX ESPECES FORMEES A HAUTES TEMPERATURES. LA VALIDITE DES MODELES ALLIANT ETUDES STRUCTURALES ET THERMODYNAMIQUES CLASSIQUES EST DISCUTEE
Download or read book Etude des propri t s de transport dans des couches de silicium d sordonn es par implantation ionique forte dose written by Constantinos Christofides and published by . This book was released on 1986 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES MESURES D'EFFET HALL EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE. EFFET DE LA TEMPERATURE DE RECUIT SUR LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE. LES MECANISMES DE COLLISION SONT MODIFIES POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES A 500-600**(O)C. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR DES MODELES BASES SUR L'ORDRE A COURTE ET LONGUE PORTEE
Download or read book ETUDE PAR TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE DANS LES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ET D OXYDE DE TANTALE SUR SILICIUM written by FRANCOIS.. ROCHET and published by . This book was released on 1981 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ET STRUCTURE DES COUCHES MINCES DE SILICIUM DEPOSEES PAR DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE written by René Bisaro and published by . This book was released on 1987 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TAILLE DES GRAINS, LA TEXTURE, LA MORPHOLOGIE DE SURFACE, LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET L'ABSORPTION OPTIQUE SONT ETUDIES EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT. L'OPTIMUM DES PROPRIETES DE TRANSPORT DES COUCHES POLYCRISTALLINES EST LIE A UN REGIME DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE. ETUDE DU PROCESSUS DE CRISTALLISATION, EFFET D'IMPURETES DOPANTES. ON MET EN EVIDENCE L'EFFET DES LIAISONS DISPONIBLES ET DE LEUR ETAT DE CHARGE SUR LE MECANISME DES CRISTALLISATION
Download or read book Transport Properties of LaTio3 souscrit And a Study of Correlation Effects written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse étudie les propriétés électroniques de deux systèmes à fortes corrélations électroniques dont la densité de porteurs a été modifiée de façon contrôlée. Dans le premier système, la modification par dopage chimique du contenu en oxygène de couches minces de LaTiO3, un isolant de Mott, permet d'obtenir un système métallique dont les propriétés de transport (résistivité et effet Hall) peuvent être expliquées par un modèle de transport polaronique. Dans le deuxième système, l'effet de champ ferroélectrique est utilisé pour modifier le nombre de porteurs dans des couches ultra-minces ([plus petit que] 10nm) de NdBa2Cu3O--, un supraconducteur à haute température critique. Cette dernière technique a permis d'induire un changement de la température critique supraconductrice et une transition entre un état supraconducteur et un état isolant. L'étude de l'effet Hall, sous effet de champ, indique que le nombre de porteurs dans ces systèmes supraconducteurs ne change pas en fonction de la température.
Download or read book Etude des proprietes de siliciures semiconducteurs en couches minces written by Lyad Ali and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Couches minces en silicium microcristallin pr par es par d p t chimique en phase vapeur par filament chaud de l analyse des propri t s des couches la r alisation des cellules solaires written by Chisato Niikura and published by . This book was released on 2001 with total page 286 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.
Download or read book Etude des propri t s de transport dans des mat riaux semiconducteurs en couches minces pour utilisation comme photoanodes dans les cellules de conversion de l nergie solaire written by Pierre Keou and published by . This book was released on 1989 with total page 306 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DES CONDITIONS DE DEPOT ET DE LEURS INFLUENCES SUR LES PROPRIETES DE COUCHES MINCES SEMICONDUCTRICES D'ITO, DE WSE#2 ET DE SITIO#3. ETUDE DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET ABSORPTION OPTIQUE. MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF EXPERIMENTAL POUR LES MESURES DE L'EFFET HALL
Download or read book DIFFUSION DU SILICIUM DANS LES COUCHES MINCES D ALUMINIUM CUIVRE DES CIRCUITS INTEGRES written by P.. DUMOULIN and published by . This book was released on 1975 with total page 33 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PRINCIPAUX OBJECTIFS ENVISAGES DANS CETTE ETUDE: LA QUANTIFICATION DES PRINCIPAUX PHENOMENES REGISSANT LA DIFFUSION DU SILICIUM DANS LE FILM ALUMINIUM-CUIVRE, L'EXAMEN DE LA REPARTITION DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DANS LE DOMAINE DES T 250-500**(O)C ET LE CALCUL DE L'ENERGIE D'ACTIVATION CORRESPONDANTE; LA DETERMINATION DU ROLE JOUE PAR LE CUIVRE, PRESENT DANS L'ALUMINIUM SOUS FORME DE SOLUTION SOLIDE ET DE PRECIPITES AL::(2)CU. L'ETUDE PRESENTE NE CONCERNE QU'UNE ETAPE DE L'ELABORATION DU SEMICONDUCTEUR. LA DIFFUSION DU SILICIUM DANS LE FILM CONDUCTEUR A DES CONSEQUENCES SUR LES ETAPES SUIVANTES DU PROCEDE (GRAVURE CHIMIQUE DES MICROCIRCUITS D'ALUMINIUM CUIVRE, DEPOT D'UN DEUXIEME NIVEAU D'ALUMINIUM, EN CONTACT AVEC LE 1ER A TRAVERS UNE COUCHE DE SILICE). APPROCHE DE CES DIVERS PROBLEMES METTANT EN EVIDENCE L'ASPECT PLUS GENERAL DE CETTE ETUDE LOCALISEE
Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES COUCHES MINCES DE MONOXYDE DE SILICIUM written by Thien Phap Nguyen and published by . This book was released on 1987 with total page 478 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION THERMIQUE DE LA POUDRE DE MONOXYDE DE SILICIUM DANS DES CONDITIONS PRECISES SOUS FORME DE STRUCTURES SYMETRIQUES AL-SIO-AL OU DISSYMETRIQUES AL-SIO-NI
Download or read book Technologie et propri t s de transport dans les couches paisses de silicium poreux written by Stéphnie Périchon and published by . This book was released on 2001 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium meso-poreux, obtenu par attaque électrochimique du silicium monocristallin, présente une conductivité thermique proche de celle de l’oxyde de silicium. C’est donc un excellent candidat pour assurer l’isolation thermique des micro-capteurs sur silicium tout en garantissant la stabilité mécanique de la micro-structure. Une méthode d’anodisation pulsée, double face du silicium a été mise au point afin d’obtenir des couches de silicium poreux épaisses et homogènes en profondeur permettant même d’anodiser toute l’épaisseur du substrat. Leur caractérisation thermique a été réalisée par spectroscopie micro-Raman afin de déterminer les paramètres d’anodisation (densité de courant, durée) et les traitements d’oxydation post-anodisation conduisant à une conductivité thermique optimale, inférieure à 1 W/m.K. Les résultats expérimentaux corroborent notre modèle théorique du transport thermique dans ce matériau nano-structuré. L’optimisation technologique des couches de silicium poreux localisées à la surface du substrat est obtenue en terme de stabilisation physico-chimique par oxydation à basse température et d’encapsulation par un film diélectrique. La modélisation analytique et la simulation par éléments finis du support thermique du micro-capteur ont conduit à la définition de son architecture. Enfin, deux microsystèmes pour la mesure de la conductivité thermique tissulaire sont conçus et réalisés sur des caissons de silicium poreux oxydés de 100 μm d’épaisseur : une structure mini-invasive en forme d’aiguille et une structure de surface à symétrie cylindrique. Les éléments actifs du micro-capteur sont déposés et lithographiés à la surface du silicium poreux : deux thermistances en polysilicium implanté phosphore et une thermopile polysilicium N+/aluminium à 5 ou 11 jonctions. Les résultats expérimentaux ont montré l’efficacité de l’isolation thermique du silicium poreux oxydé et dégagé les perspectives d’optimisation pour diverses filières de micro-dispositifs thermiques.
Download or read book Etude des ph nom nes de transport au voisinage d une surface ou d un interface written by Mohamed Charef (Electronicien).) and published by . This book was released on 1983 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Pour étudier les propriétés et prévoir les performances d'un composant il est nécessaire d'en posséder un modèle théorique qui décrive son comportement le plus précisément possible et qui permette une meilleure compréhension des phénomènes physiques qui régissent son fonctionnement. La méthode utilisée est celle de Monte Carlo où le comportement des porteurs soumis aux champs électriques appliqués et recréé sur l'ordinateur à l'aide de tirages de nombres pseudo-aléatoires. Le composant considéré est un transistor MOS en régime d'inversion. Dans l'étape de mise au point, nous nous sommes intéressés à l'influence d'une surface limitant le matériau semiconducteur sur le comportement des porteurs dans un champ électrique parallèle à cette surface. Ensuite, nous avons considéré l'influence du champ électrique transversal nécessaire à créer l'inversion. Pour celà nous proposons trois modèles de dynamique électronique. L'un tient compte du caractère quantique du mouvement des électrons perpendiculairement à l'interface. Un second modèle, classique, considère l'interface comme un miroir parfait sur lequel les électrons se réfléchissent de façon spéculaire ou diffuse. Un troisième modèle, classique également, tient compte de la structure de l'interface de façon plus réaliste que le modèle précédent par la présence d'une couche nonstoechismétrique dans l'interface Si/SiOx/SiO2 où 0
Download or read book Transport magn to lectrique dans les couches minces de silicium sur saphir written by Jong-Hyun Lee and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'AUTEUR PRESENTE LES PROFILS PUREMENT EXPERIMENTAUX DES COEFFICIENTS MAGNETOELECTRIQUES MESURES SUR DES STRUCTURES MOS/SSI OU L'EPAISSEUR DE LA COUCHE ACTIVE EST MODULEE PAR EFFET DE CHAMP. L'INTERPRETATION DES RESULTATS OBTENUS METTRA EN EVIDENCE UNE MODIFICATION STRUCTURELLE DE LA BANDE DE CONDUCTION DU SILICIUM, ENGENDREE PAR LES CONTRAINTES S'EXERCANT A L'INTERFACE SILICIUM-SAPHIR. ON PRESENTE LES MESURES DE CONDUCTIVITE, CAPACITE ET EFFET HALL EFFECTUEES A DIFFERENTES TEMPERATURES ENTRE 77 K ET 300 K ET POUR DIFFERENTES PROFONDEURS A L'INTERIEUR DU FILM
Download or read book ETUDE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD written by Fekri Karray and published by . This book was released on 1986 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR DIFFRACTION RX ET D'ELECTRONS ET PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE DEPOT SUR LA STRUCTURE DE SI. DETERMINATION DE LA DIMENSION MOYENNE DES GRAINS A PARTIR D'UN TRAITEMENT STATISTIQUE. MESURE DE CETTE DIMENSION EN FONCTION DE LA CONCENTRATION EN DOPANT, DE LA TEMPERATURE DE DEPOT, DE LA POSITION DES WAFERS DANS LE FOUR. CARACTERISATION ELECTRIQUE
Download or read book Transport magn to lectrique dans les couches minces de silicium sur saphir written by Lee Jong-Hyun and published by . This book was released on 1981 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
