Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE FILMS MINCES DE FULLERENES ET D EXOFULLERENES HETEROEPITAXIES SUR SUBSTRATS SEMI CONDUCTEUR ET METALLIQUE written by Véronique Langlais and published by . This book was released on 1996 with total page 124 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES FULLERENES ET LEURS DERIVES. ALORS QUE PLUSIEURS TRAVAUX ONT ETE MENES EN PES ET HREELS, PEU D'ETUDES SUR LES BANDES DE CONDUCTION ONT ETE REALISEES JUSQU'A PRESENT. LA DISPERSION DES BANDES DE CONDUCTION D'UN FILM DE C#7#0(111) EPITAXIE SUR DEUX SUBSTRATS A ETE ETUDIEE PAR PHOTOEMISSION INVERSE RESOLUE ANGULAIREMENT. UN NOUVEL ETAT ELECTRONIQUE VENANT DU TRANSFERT DE CHARGE DU METAL VERS LES MOLECULES DE C#7#0 EST OBSERVE. EN RECOUPANT LES RESULTATS PES ET HREELS, UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE CE SYSTEME A PU ETRE OBTENUE. SELON LA TENDANCE ACTUELLE DE LA RECHERCHE SUR LES FULLERENES, LA PARTIE PRINCIPALE DE CETTE THESE S'INTERESSE AUX DERIVES DE C#6#0. D'ABORD, LA CROISSANCE EPITAXIALE DE TROIS EXOFULLERENES DU TYPE C#6#0-(NH(CHCOO-R)#2) A ETE REALISEE PAR DEPOT SOUS VIDE SUR GES(001) ET AU(110)(2/). BASEE SUR DES ANALYSES XPS ET LEED, NOUS AVONS PROUVE QUE LES EXOFULLERENES FORMENT UN ARRANGEMENT HEXAGONAL COMPACT SUR LA SURFACE, LAISSANT LES GREFFONS HORS DU PLAN (111). LES BANDES DE VALENCE DE CES SYSTEMES ONT ETE ETUDIEES EN PHOTOEMISSION (DESY/HAMBOURG). LA RELAXATION DE LA CAGE DE FULLERENE DUE A LA PRESENCE DES GREFFONS A ETE MISE EN EVIDENCE PAR UN DECALAGE ENERGETIQUE DE 0.4 EV DE L'ETAT HOMO. LE TRANSFERT DE CHARGE DE SUBSTRAT VERS LES EXOFULLERENES ET LA REDISTRIBUTION DE CETTE CHARGE SUR LES LIAISONS DE LA CAGE ONT ETE ETUDIES EN DETAIL. DE PLUS, L'INFLUENCE DU GREFFON SUR LA CAGE A ETE REVELEE PAR COMPARAISON DES STRUCTURES DE LA BANDE DE VALENCE DE DEUX DERIVES. UN TRANSFERT DE CHARGE LOCAL ENTRE LES ELECTRONS DU CYCLE PHENYL ET LA CAGE DE FULLERENE A CLAIREMENT ETE MONTRE. LES BANDES DE CONDUCTION DE CES SYSTEMES ONT AUSSI ETE ETUDIEES

Download or read book Propri t s physiques de films minces de phtalocyanines adsorb es sur des semi conducteurs III V written by Eric Salomon and published by . This book was released on 2005 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce mémoire, nous présentons une étude des propriétés physiques (ordre, structures vibrationnelle et électronique) en surface et à l'interface de films minces de phtalocyanines (Pcs) adsorbées sur des surfaces (001) de semi-conducteurs III-V (InSb, InAs). Nous avons utilisé les techniques d'analyse de surfaces suivantes : la microscopie à effet tunnel (STM), la diffraction d'électrons lents (LEED), la spectroscopie de perte d'énergie d'électrons lents à haute résolution (HREELS) et la spectroscopie d'absorption de rayons X (NEXAFS). Sur InSb(001)-4x2/c(8x2), les données STM et LEED montrent que les molécules s'adsorbent préférentiellement sur les rangées d'Indiun du substrat. En monocouche, les Pcs adoptent une reconstruction (4nx3), caractérisée par un ordre unidimensionnel à grande échelle suivant la direction [110]. Les mesures effectuées par HREELS et NEXAFS révèlent que les molécules s'adsorbent "à plat" sur la surface. De plus, elles montrent qu'il n'y a aucune modification des modes propres ni des molécules ni du substrat, sous l'effet de l'adsorption. Ainsi, nous suggérons que leur interaction est faible (physisorption). Ces résultats ont été observés pour trois différents systèmes : PbPc, SnPc, H2Pc adsorbées sur InSb. Sur InAs(001)-4x2/c(8x2), les mesures STM et LEED révèlent que l'arrangement moléculaire est similaire à celui décrit précédemment. Cependant, les données HREELS présentent des différences notables par rapport à celles enregistrées sur InSb. Elles semblent indiquer l'existence d'une interaction molécule-substrat plus importante (chimisorption ?)

Download or read book EFFET DE LA STRUCTURE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES D OLIGOMERES CONJUGUES SEMI CONDUCTEURS APPLICATION A LA REALISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET DE DIODE ELECTROLUMINESCENTES written by RIADH.. HAJLAOUI and published by . This book was released on 1995 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE STRUCTURALE DES POLYMERES CONJUGUES MONTRE QUE LEUR DESORDRE MOLECULAIRE ET STRUCTURAL LIMITE LA QUALITE DE LEUR PROPRIETES ELECTRONIQUES, ET RESTREINT DONC LEUR EVENTUELLE APPLICATION A DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'UTILISATION DE SYSTEMES MOLECULAIRES STRUCTURALEMENT BIEN DEFINIS DEVRAIT PAR CONTRE PERMETTRE DE S'AFFRANCHIR DE CES DEFAUTS CHIMIQUES ET PHYSIQUES, ET D'AMELIORER AINSI L'EFFICACITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS CES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS. CETTE DEMARCHE EST ILLUSTREE ICI PAR L'ETUDE DU SEXITHIOPHENE (6T) ET DE SES DERIVES SUBSTITUES. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A LA DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES DE PREPARATION DES FILMS MINCES, PUIS DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES REALISES A PARTIR DE CES SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES, TELS QUE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHE MINCE ET DIODES ELECTROLUMINESCENTES. L'ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET OPTIQUES A MIS EN EVIDENCE QUE CES FILMS SONT POLYCRISTALLINS, ET QUE L'ORIENTATION DES CHAINES MOLECULAIRES SUR LE SUBSTRAT EST CONTROLEE PAR LA NATURE DU SUBSTRAT, PAR LA TEMPERATURE DE DEPOT ET PAR LA POSITION DE SUBSTITUTION DE GROUPES ALKYLES SUR CETTE MOLECULE (6T). LES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DU SEXITHIOPHENE ET DE SES DERIVES MONTRENT QUE POUR LE , -DIHEXYL-SEXITHIOPHENE, LA CONDUCTIVITE PRESENTE UNE ANISOTROPIE IMPORTANTE, ALORS QUE B,B'-DIHEXYL-SEXITHIOPHENE SE COMPORTE COMME UN ISOLANT. LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT UTILISEE LORS DU DEPOT DU FILM INFLUE SUR LA CONDUCTIVITE ET SUR LA MOBILITE DU SEXITHIOPHENE. LA MOBILITE PLUS FAIBLE DE 6T A TEMPERATURE AMBIANTE EST ATTRIBUEE A UNE PLUS GRANDE CONCENTRATION DE DEFAUTS TELS QUE JOINTS DE GRAINS. LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES, DONT LES COUCHES ACTIVES SONT CONSTITUEES DE SEXITHIOPHENE OU DE L'UN DE SES DERIVES, MONTRENT UN EFFET REDRESSEUR (SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE-P). LES CARACTERISTIQUES TRANSITOIRES MONTRENT UN COURANT CAPACITIF BREF, SUIVI D'UN COURANT PERMANENT DONNANT LIEU A EMISSION LUMINEUSE. DANS UNE STRUCTURE BICOUCHE, ON REMARQUE UNE AUGMENTATION DE L'EMISSION LUMINEUSE ET UNE AUGMENTATION DU RENDEMENT D'ELECTROLUMINESCENCE PAR RAPPORT A LA STRUCTURE MONOCOUCHE. L'INTENSITE DU SPECTRE D'ELECTROLUMINESCENCE ENREGISTRE POUR LA STRUCTURE BICOUCHE DANS LA GAMME 500-700 NM MONTRE QU'EN BAISSANT LA TEMPERATURE L'EMISSION AUGMENTE, CECI EST ATTRIBUE A UNE DIMINUTION DU RENDEMENT DES TRANSITIONS NON RADIATIVES

Download or read book Etude des propri t s physico chimiques d interfaces par photo mission written by Djawhar Ferrah and published by . This book was released on 2013 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse est d'étudier les propriétés physico-chimiques des surfaces et des interfaces des couches minces par spectroscopie de photoémission (XPS), diffraction des photoélectrons (XPD), et la photoémission résolue en temps (PTR). Les expériences sont réalisées en utilisant une source standard des rayons X AlKa à l'INL ou les rayons X mous auprès du synchrotron Soleil. La première étude sur le système Pt/ Gd203/ Si(111) a montré que le transfert de charge entre le Pt et 0 à l'interface Pt/Gd203 implique un déplacement chimique de niveau Pt4f sans modification des caractéristiques de la composante métallique des spectres XPS. L'étude XPD montre que Pt se cristallise partiellement en deux domaines : [110] Pt(111) // [110] Gd203 (111) et [101] Pt(111) / / [110] Gd203 (111). De plus, une autre phase ordonnée d'oxyde de platine Pt02 à l'interface a été observée. A travers la caractérisation de la morphologie déterminée par la technique AFM et XPD, nous avons discuté l'adhésion aux interfaces métal/oxyde. La deuxième étude traite l'évolution d'interface d'un système modèle : métal non réactive/ semi-conducteur, dépendent fortement des conditions thermodynamiques. Nous avons étudié la couche mince d'Au déposée sur le substrat Si(001) par photoémission résolue en temps (TEMPO- synchrotron Soleil). L'étude XPS, montre avant le recuit la formation de l'oxyde native Si02 sur l'heterostructure à température ambiante. La désorption de cet oxyde se produit à faible température et induit une décroissance de l'intensité des photoélectrons durant le temps de recuit. La désorption de l'oxyde Si02 et la formation de l'alliage AuSi sont responsables de la gravure et la formation des puits de forme cubique à la surface de Si due à l'activité catalytique de l'Au. La troisième étude concerne la croissance du graphène à partir de cristal de SiC(0001)- face Si par décomposition thermique. Le niveau de coeur C1s résolu en trois composantes principales sont associées au carbone de 6H-SiC, de graphène, et l'interface graphène/ 6H-SiC (0001). L'intensité de chaque composante est rapportée en fonction de l'angle polaire (azimutale) pour différents angles azimutales (polaire). Les mesures XPD fournissent des informations cristallographiques qui indiquent clairement que les feuillets de graphène sont organisés en structure graphite sur le substrat 6H-SiC (0001). Cette organisation résulte de l’effondrement de la maille de substrat. Enfin, le découplage à l'interface graphène/ 6H-SiC (0001) par l'oxygène a été étudié par XPS. La dernière étude concerne la croissance du film mince d'InP par MBE sur le substrat SrTi03 (001). L'intégration des semi-conducteurs III-V sur le Si, en utilisant la couche tampon d'oxyde SrTi03 est l'objet des intenses recherches, en raison des applications prometteuses dans le domaine de nano-optoélectronique. Les niveaux de coeur O1s, Sr3d, Ti2p, In3d, P2p ont été analysés et rapportés en fonction de l'angle azimutale à différents angles polaires. La comparaison des courbes XPD azimutales de Sr3d et In3d montre que les ilots InP sont orientées (001) avec la relation d'épitaxie; [110]InP(001 )/ / [100]! SrTi03 (001). La caractérisation morphologique par AFM montre des ilots InP facettés régulièrement dispersée à la surface.

Download or read book Etude des propri t s lectroniques de couches minces de CZTSSe written by Raphaël Fillon and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse ont pour but d'étudier les propriétés électroniques de cellules photovoltaïques à base de couches minces de CZTSSe. L'objectif principal est d'identifier les défauts cristallographiques et de déterminer leur influence sur le fonctionnement des cellules solaires afin de mettre en oeuvre des stratégies de synthèse du CZTSSe pour le rendre compétitif par rapport aux autres matériaux en couches minces du photovoltaïque. La première phase du travail a consisté à élaborer le matériau et à l?intégrer dans une cellule solaire. Le CZTSSe est synthétisé par un procédé en deux étapes: le dépôt des précurseurs sous vide suivi d'un recuit sous atmosphère de sélénium. La deuxième phase du travail a concerné la caractérisation électrique des cellules sous obscurité. Pour cela des mesures de capacité en fonction de la tension et des mesures d'admittance sont effectuées en température. Les interprétations brutes des mesures sont menées en assimilant la cellule à une jonction n+p. Ce modèle s'avère insuffisant pour expliquer complètement les mesures expérimentales, ce qui nous a conduit, dans une troisième phase à une analyse plus détaillée. Pour cela, un calcul de l'admittance à partir des équations de base des semi-conducteurs a été développé. De cette manière, il est possible de sélectionner les contributions au signal qui sont incorporées au modèle. Initialement seule la contribution des défauts est intégrée. La prise en compte de fluctuations de potentiel améliore l'ajustement entre les données expérimentales et calculées. Toutefois une troisième composante doit être incluse pour rendre compte de la réponse diélectrique du CZTSSe. Cette composante à l'origine d'une variation en puissance de la conductivité avec la fréquence est caractéristique d'un mécanisme de hopping. L'incorporation de cette contribution dans la modélisation de l'admittance met en évidence que la conductivité dans le CZTSSe est due à un transport par états localisés, expliquant ainsi sa faible valeur.

Download or read book Etude exp rimentale de la microstructure et des propri t s lectriques et optiques de couches minces et de nanofils d oxydes m talliques d Bi2O3 et ZnO synth tis s par voie lectrochimique written by Kévin Laurent and published by . This book was released on 2008 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'intérêt porté sur la miniaturisation des systèmes par la communauté scientifique est grand, que ce soit pour des raisons de mobilité, d'économie d'énergie ou d'innovation technologique. L'objectif de cette thèse est de déterminer les caractéristiques physiques et structurales des couches minces et des nanofils d'oxydes métalliques synthétisés par la méthode électrochimique. La première partie de cette thèse est consacrée à l'oxyde de bismuth en phase delta. Les couches minces élaborés par électrochimie sont de très bonne qualité cristalline, et seul la phase delta- Bi2O3 est présente. Le caractère nano structuré des couches minces est mis en évidence par les expériences de microscopie électronique en transmission (MET) et participe à la stabilisation de cette phase à température ambiante. Les mesures de conductivité réalisées par spectroscopie d'impédance complexe montrent un comportement différent selon la nature du substrat utilisé. Nous observons une excellente conductivité électrique des dépôts réalisés sur les substrats en argent doré (4·10-3 S·cm-1), alors que les dépôts obtenus sur l'inox montre un comportement très résistif (10-7 S·cm-1). La seconde partie de cette étude concerne l'oxyde de zinc. Les conditions d'élaboration par électrochimie influence les propriétés structurales et physiques des couches minces obtenues. Les différents traitements thermiques réalisés sur les couches minces de ZnO ont permis d'améliorer la qualité optique des couches et de modifier la structure du ZnO par incorporation d'azote lors de recuit dans l'ammoniaque. La dernière partie est consacrée à la synthèse et à la caractérisation de nanofils de ZnO élaborés par la méthode « template ». Cette méthode nous a permis de confiner la croissance par électrochimie dans des pores de différents diamètres. Les observations réalisés par MET et MET en Haute Résolution montrent que les nanofils obtenus sont monocristallins et de bonne qualité. Les propriétés d'émission observées en PL sont très proches des propriétés d'émission des couches minces.