Download or read book ETUDE DES POSSIBILITES D INTEGRATION DES LASERS A SEMI CONDUCTEURS GAAS GAALAS ET LEURS APPLICATIONS AU MULTIPLEXAGE EN LONGUEUR D ONDE written by NOUREDDINE.. BOUADMA and published by . This book was released on 1982 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES CHAMPS THERMIQUES ET ELECTRIQUES DANS LES LASERS SEMI CONDUCTEURS written by VALERIE.. LEPALUDIER and published by . This book was released on 1995 with total page 149 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE RECHERCHE CONCERNE L'ETUDE MICROTHERMIQUE DES LASERS SEMI-CONDUCTEURS A DISSIPATION THERMIQUE NON UNIFORMEMENT DISTRIBUEE. ELLE PORTE SUR LE DEVELOPPEMENT DE MODELES THEORIQUES ET DE METHODES DE CARACTERISATION THERMIQUE SPECIFIQUES. LA MISE AU POINT ET LE DEVELOPPEMENT DE CES METHODES SONT REALISES SUR LES LASERS MULTIJONCTIONS A DOUBLE HETEROSTRUCTURE DE TYPE GAALAS/GAAS. UNE MODELISATION DES CHAMPS THERMIQUES, FONDEE SUR L'UTILISATION COMBINEE DE TRANSFORMATIONS INTEGRALES A ETE MISE EN UVRE. ELLE PERMET D'ETUDIER FINEMENT LES PHENOMENES DE CONSTRICTION ET D'ANALYSER LES INTERACTIONS ENTRE LES DIFFERENTES SOURCES DE CHALEUR. L'EXPLOITATION DU MODELE MET EN EVIDENCE LE ROLE DES CARACTERISTIQUES LES PLUS SENSIBLES POUR LES REGIMES THERMIQUES STATIONNAIRE ET INSTATIONNAIRE (QUALITE DU REPORT DU COMPOSANT, METALLISATION DE LA COUCHE DE CONTACT). LE MODELE HYBRIDE A ETE CONFRONTE A UN MODELE AUX ELEMENTS FINIS. UNE METHODE DE MESURE DE TEMPERATURE EST PROPOSEE. ELLE EST FONDEE SUR LA DETECTION, APRES COUPURE DE L'ALIMENTATION DU LASER, DE LA DIFFERENCE DE POTENTIEL ELECTRIQUE DE CONTACT, CONSECUTIVE A L'INJECTION DE FAIBLE COURANT, ET DE SA THERMODEPENDANCE. LA CONTRIBUTION DE L'EFFET THERMOELECTRIQUE EST ANALYSEE FINEMENT AU MOYEN D'UN MODELE DE COUPLAGE BIDIMENSIONNEL. CE TRAVAIL PERMET D'OBTENIR DES EVOLUTIONS DE TEMPERATURE AU COURS DE COMMUTATIONS DE QUELQUES MICROSECONDES A QUELQUES MILLISECONDES. EN OUTRE, L'ANALYSE DES THERMOGRAMMES EXPERIMENTAUX CORRESPONDANT AU REFROIDISSEMENT CONSECUTIF A UNE COUPURE D'ALIMENTATION DE 100 MS PERMET DE DETERMINER LA TEMPERATURE DE JONCTION CORRESPONDANT AU REGIME STATIONNAIRE, AINSI QU'UNE CARACTERISATION THERMIQUE IN-SITU DU COMPOSANT (DIFFUSIVITE THERMIQUE DU SUBSTRAT, RESISTANCE THERMIQUE D'INTERFACE ENTRE LE LASER ET LE PLOT DIFFUSEUR)

Download or read book Propri t s optiques d empilements multicouches de semi conducteurs GaAs AlGaAs written by Yann Boucher and published by . This book was released on 1993 with total page 544 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à l'étude d'empilements multicouches de semi-conducteurs gaas/algaas, et plus particulièrement d'empilements périodiques (réflecteurs de Bragg), étudiés en tant que tels ou comme éléments intégrés à des structures plus complexes. Les structures étudiées sont caractérisées par leur spectre de réflectivité linéaire. Pour interpréter ces résultats, nous développons deux approches théoriques complémentaires: la première, basée sur un formalisme matriciel, permet de décrire exactement la propagation d'une onde optique dans une structure stratifiée quelconque et a servi de support a un programme de calcul. La seconde, en termes de couplage d'ondes, complète utilement la première en fournissant les dépendances explicites du comportement des structures en fonction des indices et des épaisseurs des matériaux choisis. Nous établissons l'expression explicite de la constante de couplage et nous exposons les principes de la synthèse des dispositifs complexes. Nous consacrons tout un chapitre aux microcavités lasers à émission surfacique. Dans un échantillon réalisé par le l.c.r. de Thomson-csf, nous avons validé la possibilité d'une émission laser biraie. Ce composant a été utilisé pour réinjecter une cavité laser saphir dopé au titane. Nous avons par ailleurs pompé la micro cavité par des impulsions optiques ultrabrèves (=100 FS) et analysé son spectre d'émission laser biraie avec une camera à balayage de fente. A l'aide d'un modèle simple, nous montrons qu'il est nécessaire de tenir compte non seulement des porteurs libres photo créés dans les puits quantiques, mais encore de ceux crées dans les barrières, suite à l'absorption par ces dernières d'une partie du flux de pompé. La prise en compte de cet effet dans nos simulations donne des résultats en bon accord avec nos observations expérimentales

Download or read book Accord en Longueurs D Onde D une Diode Laser Cavit Externe written by Véronique Zambon and published by Omniscriptum. This book was released on 2018-02-28 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les lasers accordables sur deux longueurs d'onde sont utilisés pour un vaste champ d'applications telles que la génération d'ondes térahertz, le multiplexage en longueur d'onde et la métrologie optique. Notre projet étudie l'accord sur deux longueurs d'onde d'un laser à semi-conducteurs utilisé en cavité externe avec un réseau de diffraction. Nous avons fabriqué des réseaux de diffraction qui permettent de réfléchir deux longueurs d'onde colinéairement, en configuration de Littrow. La fabrication de ces réseaux implique l'enregistrement d'un réseau à pas variable et d'un réseau à pas constant au mème endroit dans la résine photosensible. En utilisant ce type de réseau comme coupleur de la cavité externe d'une diode laser, nous avons obtenu une émission laser simultanée sur deux longueurs d'onde avec une séparation en longueur d'onde allant de 0.8 à 6.2 nm. La technique de fabrication de ces réseaux ainsi que les résultats expérimentaux obtenus avec une diode laser commerciale seront présentés.

Download or read book ETUDE DE LA PULVERISATION LASER DOUCE DES SEMICONDUCTEURS III V GAAS ET GAALAS AINSI QUE DE LEURS HETEROSTRUCTURES written by LAURENT.. VIVET and published by . This book was released on 1996 with total page 271 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS D'UNE PART DEVELOPPE LES ETUDES DEJA ENGAGEES AU GREMI CONCERNANT LA MICROANALYSE AVEC RESOLUTION EN PROFONDEUR PAR ABLATION LASER A FAIBLE ENERGIE ET SPECTROMETRIE DE MASSE PAR IONISATION LASER RESONNANTE (RIMS), EN NOUS INTERESSANT AUX SEMICONDUCTEURS III-V GAAS ET GAALAS. L'ETUDE FONDAMENTALE DES INTERACTIONS LASER/SURFACE, PAR RIMS, MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE ET SPECTROSCOPIE EDS, A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LE ROLE JOUE PAR LES DEFAUTS DE SURFACE DANS L'INITIATION DU PROCESSUS DE PULVERISATION, AINSI QUE L'EFFET THERMIQUE DE L'IRRADIATION LASER. L'EVOLUTION DU MATERIAU SOUS LE FAISCEAU LASER, EST APPARUE GOUVERNEE PAR L'EVOLUTION DES PROPRIETES THERMODYNAMIQUES ET OPTIQUES DE LA COUCHE DE SURFACE, DONT LA COMPOSITION ET LA STRUCTURE SONT PERTURBEES PAR LES TIRS LASER REPETES. DANS UN DEUXIEME TEMPS NOUS AVONS CHERCHE A CARACTERISER L'ETENDUE ET LA NATURE EXACTE DES PERTURBATIONS SUBIES PAR LE MATERIAU IRRADIE. LA MESURE DES PERTURBATIONS, PAR DES TIRS LASER REPETES, DES PROPRIETES DE PHOTOLUMINESCENCE D'UNE HETEROSTRUCTURE DE TYPE GAAS/GAALAS, COMPLETEE PAR L'OBSERVATION AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION DE LA STRUCTURE IRRADIEE, ONT PERMIS DE SUIVRE LA PROGRESSION EN PROFONDEUR DE LA COUCHE ALTEREE. DE PLUS, IL A ETE MONTRE QU'IL EXISTE UNE ENERGIE CRITIQUE POUR LAQUELLE LES TOUS PREMIERS TIRS LASER PROVOQUENT L'INTERDIFFUSION DES COUCHES DE GAAS ET GAALAS. LA TROISIEME PARTIE DU MEMOIRE CONCERNE L'INITIATION PAR IMPACT LASER (A TRES FAIBLE ENERGIE) DES MODIFICATIONS CHIMIQUES DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE GAAS EN PRESENCE DU GAZ D'AMMONIAC (NH#3) DONT LA REACTIVITE EST DECLENCHEE PAR LE FAISCEAU LASER. PLUS PARTICULIEREMENT NOUS NOUS SOMMES ATTACHES A L'ETUDE DU SCHEMA REACTIONNEL MENANT A LA FORMATION DU NITRURE DE GALLIUM (GAN). IL A ETE MONTRE, PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ASSOCIEE A LA DESORPTION LASER ET SPECTROSCOPIE D'ELECTRON AUGER, QUE LA PRODUCTION DE GAN, PAR CETTE METHODE, EST LIMITEE PAR LA FRAGILITE DU SUBSTRAT DE GAAS QUI EST RAPIDEMENT DECOMPOSE ET PULVERISE PAR LE FAISCEAU LASER.

Download or read book CONCEPTION ET MISES EN UVRE DE CIRCUITS INTEGRES GAAS POUR LA COMMANDE EN LONGUEUR D ONDE DE DIODES LASERS RAPIDEMENT ACCORDABLES written by JEAN.. HOURANY and published by . This book was released on 1996 with total page 218 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE SE SITUE DANS LE CONTEXTE DES RECHERCHES, ACTUELLEMENT INTENSIVES, SUR LES NOUVEAUX RESEAUX MULTIPOINTS DE TELECOMMUNICATIONS NUMERIQUES MULTICOLORES SUR FIBRE OPTIQUE. ELLE VISE A CONCEVOIR DES CIRCUITS INTEGRES GAAS POUR LA COMMANDE EN LONGUEUR D'ONDE DE DIODES LASERS ACCORDABLES RAPIDEMENT (EN QUELQUES NANOSECONDES). L'ASSEMBLAGE DE LA DIODE LASER ET DE SON CIRCUIT DE COMMANDE AU SEIN D'UN ENSEMBLE COMPACT EST ETUDIE POUR DEUX TYPES DE MODULES: MODULE DE CONVERSION EN LONGUEUR D'ONDE UTILISANT UN LASER DBR A 3 SECTIONS ET MODULE DE FILTRAGE EN LONGUEUR D'ONDE UTILISANT UN FILTRE DFB ORIGINAL. DANS CES MODULES, L'ACCORD RAPIDE EST EFFECTUE A L'AIDE, RESPECTIVEMENT, DE 1 ET 2 COURANTS ELECTRIQUES. DANS LE CHAPITRE II, DES BRIQUES ELECTRONIQUES DE BASE SONT PROPOSEES ET REALISEES EN UTILISANT DES TECHNOLOGIES A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (P-HEMT). LES PERFORMANCES OBTENUES SONT PRESENTEES ET COMPAREES. LES VARIATIONS BASSE-FREQUENCE DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE ET LES DISPERSIONS TECHNOLOGIQUES SONT PRISES EN COMPTE DANS LA CONCEPTION DES CES ETAGES. LE CHAPITRE III TRAITE DES ARCHITECTURES DES CIRCUITS COMPLETS. COMME PRECEDEMMENT, PLUSIEURS ARCHITECTURES ORIGINALES SONT PRESENTEES, ET TESTEES, EN UTILISANT QUATRE TECHNOLOGIES DIFFERENTES (DONT UNE TECHNOLOGIE P-HEMT DOUBLE-SEUIL). UN EFFORT PARTICULIER EST PORTE A LA REDUCTION DE LA CONSOMMATION. LE PROBLEME DE L'INTEGRATION DE CES CIRCUITS AVEC LES DIODES LASERS EST ABORDE AU CHAPITRE IV: UN CIRCUIT DE DECOUPLAGE TRES LARGE BANDE ET L'ASSEMBLAGE COMPLET DES MODULES ONT ETE OPTIMISES. DES CARACTERISATIONS EXPERIMENTALES DE PLUSIEURS TYPES DE MODULES DE CONVERSION ET DE FILTRAGE ACCORDABLE EN LONGUEUR D'ONDE SONT PRESENTEES. L'ETUDE EST FINALEMENT VALIDEE PAR L'INTEGRATION DE MODULES AU SEIN DES DEUX MATRICES EXPERIMENTALES DE COMMUTATION ATM ASSEMBLEES PAR DEUX LABORATOIRES EUROPEENS EXTERIEURS. CETTE ETUDE OUVRE LA VOIE A DES SYSTEMES FONCTIONNELS ET COMPACTS DE TRAITEMENT DES DONNEES AU SEIN DES NOUVEAUX RESEAUX DE TELECOMMUNICATIONS A HAUT DEBIT BASES SUR LE MULTIPLEXAGE ET LE ROUTAGE DE CELLULES DE DONNEES NUMERIQUES

Download or read book Contribution l tude du laser a r sonateur distribue dans l ars niure de gallium written by Marie-Antoinette Di-Forte and published by . This book was released on 1978 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Études théoriques et expérimentales. Les nouveaux points abordés sont la réalisation d'un laser a résonateur distribue dans GaAs, à fréquence accordable pompe optiquement; l'extension de cette possibilité d'accorder la longueur d'onde à un laser à semi-conducteur à résonateur distribué pompé électriquement, de manière à réaliser un multiplexage en fréquence, en évitant l'emploi de moyens technologiques complexes

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LASERS A SEMI CONDUCTEURS MULTISECTIONS EMETTANT A 1 5 MICRON ACCORDABLES EN LONGUEUR D ONDE written by Joël Jacquet (enseignant-chercheur à Supelec).) and published by . This book was released on 1992 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROGRES TECHNOLOGIQUES SPECTACULAIRES, POUR LA REALISATION DE LASERS A SEMI-CONDUCTEURS EMETTANT A 1.5 M, ONT DONNE LIEU A UNE EVOLUTION CONSIDERABLE DES SYSTEMES DE TRANSMISSION OPTIQUE. LA HAUTE PURETE SPECTRALE DES SOURCES, L'ACCOUDABILITE EN LONGUEUR D'ONDE ET LA MODULATION DE FREQUENCE PAR LE COURANT D'INJECTION DES LASERS SONT A LA BASE DE SYSTEMES DE TRANSMISSION EN MODULATION FSK UTILISANT LE MULTIPLEXAGE FREQUENTIEL ET, A LA RECEPTION, LA DETECTION HETERODYNE (DITE COHERENTE). NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE L'ETUDE DE LASERS MULTISECTIONS REPONDANT A CES CRITERES. UN MODELE SIMPLE, BASE SUR LA THEORIE DES MODES COUPLES, EST UTILISE POUR CALCULER LES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DES LASERS (COURANT DE SEUIL, RENDEMENT, LARGEUR DE RAIE, SELECTIVITE MODALE, ACCORDABILITE). CE MODELE, VALIDE POUR DES LASERS DFB, A PERMIS DE CONCEVOIR DES STRUCTURES DBR A 3 ELECTRODES. LES DBR REALISES ONT MONTRE UNE ACCORDABILITE SUPERIEURE A 4 NM ET UNE LARGEUR DE RAIE INFERIEURE A 10 MHZ SUR UNE PLAGE DE LONGUEUR D'ONDE DE 3 MM. AVEC DE TELLES PERFORMANCES, CE COMPOSANT PEUT-ETRE UTILISE COMME OSCILLATEUR LOCAL DANS UNE ARCHITECTURE RESEAU COMPORTANT PLUS DE 60 CANAUX, SEPARES DE 6 GHZ, EN MODULATION FSK A 600 MBIT/S. POUR UN TEL SYSTEME, LA SOURCE EMETTRICE DOIT PRESENTER UNE REPONSE EN MODULATION DE FREQUENCE AVEC UNE GRANDE BANDE PASSANTE ET UNE SENSIBILITE FM ELEVEE ET PLATE AVEC LA FREQUENCE. UNE MODELISATION DE STRUCTURES A PLUSIEURS SECTIONS ACTIVES, BASEE SUR LA RESOLUTION DES EQUATIONS DE CONTINUITE ET TENANT COMPTE DE LA DISTRIBUTION DE PHOTON, MONTRE QUE CES PERFORMANCES PEUVENT ETRE ATTEINTES MOYENNANT UNE OPTIMISATION DES LONGUEURS ET DES COURANTS D'INJECTION DE CHAQUE SECTION. ON A AINSI REALISE DES LASERS DBR A 4 ELECTRODES ET DES DFB A ZONE DE PHASE MODULABLE PRESENTANT UNE SENSIBILITE FM ELEVEE ET PLATE JUSQU'A 1 GHZ. UN RESEAU DE DISTRIBUTION DE 8 CANAUX EN MODULATION FSK A 600 MBIT/S ET DETECTION COHERENTE A ETE REALISE AVEC CES COMPOSANTS.

Download or read book Int gration hybride de sources laser III V sur Si par collage direct et recroissance pour les t l communications haut d bit written by Claire Besancon and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail présente une approche d'intégration de semiconducteurs III-V sur silicium. L'objectif est de réaliser des sources laser multi-longueur d'onde émettant en bande C pour les télécommunications optiques à partir d'une croissance épaisse de matériaux III-V sur fine couche d'InP collée sur silicium oxydé (InP-SiO2/Si = InPoSi).Afin d'étudier la compatibilité du procédé de collage avec l'élévation en température nécessaire à l'étape de recroissance, de l'ordre de 600°C par MOVPE, une étude de la stabilité en température des substrats InPoSi a été menée. Cette dernière a mis en évidence le délaminage de l'InPoSi avec apparition de "bulles" liée au décollement de la couche d'InP provoqué par la désorption d'hydrogène à 400°C. Une étude de la diffusion latérale de l'hydrogène le long de l'interface de collage a permis de mesurer une longueur de diffusion de l'ordre de 100 μm dans nos conditions expérimentales. Le développement de tranchées de dégazage espacées de 200 μm a ainsi permis d'effectuer la recroissance de matériaux III-V de haute qualité sur InPoSi sans apparition de défectivité de type "bulles" entre ces tranchées.Par la suite, l'amélioration constante des étapes de préparation des surfaces à coller a permis d'obtenir une qualité de matériau InPoSi optimale pour la recroissance à haute température sans faire appel à des procédés de dégazage. L'étude d'une structure active composée de multipuits quantiques (MQWs) à base de matériaux AlGaInAs a été menée par caractérisation in-situ pendant la croissance sur InPoSi. Par la mesure en temps réel de la courbure du substrat InPoSi à température d'épitaxie, une contrainte thermique de 390 ppm a été quantifiée. Cette dernière est créée par la différence de coefficients d'expansion thermique entre InP et Si. Malgré cette contrainte thermique, la recroissance d'une structure diode laser de 3 μm d'épaisseur de grande qualité cristalline a été démontrée sur InPoSi. Des lasers à contact large basée sur cette structure ont été fabriqués et les performances ont été comparées à celles obtenues pour le même composant fabriqué sur substrat InP pour référence. Des courants de seuil de 0,4 kA/cm2 à 20°C en régime pulsé ont été obtenus sur InPoSi. La comparaison des lasers sur InPoSi et InP a montré des courants de seuil, des rendements et une température caractéristique similaires. Ce résultat démontre que la structure épaisse épitaxiée sur InPoSi ne subit pas de dégradation matériau.Enfin, un nouveau procédé de croissance sélective (SAG : Selective Area Growth) a été développé spécifiquement sur InPoSi. Pour cela, la silice de l'InPoSi est déterrée localement par gravure de la couche d'InP afin d'offrir des surfaces diélectriques de tailles variables pour le procédé SAG. La variation des épaisseurs des puits quantiques obtenus par épitaxie sélective en fonction de la surface des masques permet d'atteindre une très large extension en longueur d'onde de photoluminescence, de 1490 à 1650 nm. En utilisant la SAG, des lasers Fabry-Pérot ont été fabriqués en structure shallow-ridge et des émissions laser couvrant 155 nm d'extension spectrale ont été obtenues. Pour une barrette de 500 μm de long, des courants de seuil en dessous de 30 mA à 20°C ont été obtenus en régime continu pour les lasers en bande C. A 70°C, les courants de seuil demeurent en dessous de 60 mA, ce qui traduit une très bonne tenue en température des lasers. L'ensemble de ces résultats valide la méthode d'intégration de III-V sur silicium.

Download or read book Conception et contr le in situ de l laboration de lasers cavit verticale et mission surfacique written by Laurent Couturier and published by . This book was released on 1996 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CONCEPTION ET LA MISE AU POINT DU CONTROLE IN-SITU DE LA CROISSANCE DE LASERS A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION SURFACIQUE (VCSEL). LES STRUCTURES LASER SONT ELABOREES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES A SOURCE GAZEUSE ET REALISEES PAR L'EMPILEMENT DE COUCHES MINCES A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS GAAS/ALGAAS. LEUR LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION VA DEPENDRE DIRECTEMENT DES CARACTERISTIQUES OPTIQUES DES COUCHES DEPOSEES. UNE ETUDE THEORIQUE EST D'ABORD MENEE SUR LA CONCEPTION DE CES STRUCTURES. NOUS COMMENCONS PAR DETERMINER LES CONSTANTES OPTIQUES DES MATERIAUX QUI LES COMPOSENT EN PORTANT UNE ATTENTION PARTICULIERE A L'EFFET EXCITONIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES. L'UTILISATION DU FORMALISME MATRICIEL NOUS PERMET DE DECRIRE LA PROPAGATION DES ONDES ELECTROMAGNETIQUES DANS N'IMPORTE QUELLE STRUCTURE MULTICOUCHE. NOUS POUVONS ALORS SIMULER LE COMPORTEMENT OPTIQUE DE N'IMPORTE QUEL EMPILEMENT DE COUCHES MINCES, EN PARTICULIER DES MIROIRS DE BRAGG ET DES MICROCAVITES QUE CONSTITUENT CES LASERS. UN CHAPITRE EST ENSUITE CONSACRE A L'ELABORATION DES VCSEL. UNE DESCRIPTION PRECISE DES CONTRAINTES IMPOSEES PAR LA MACHINE ET DE L'OPTIMISATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE EST PRESENTEE. CETTE ETUDE FAIT APPARAITRE LA NECESSITE DE DISPOSER D'UN MOYEN DE CONTROLE IN-SITU DES COUCHES REALISEES. LE DERNIER CHAPITRE PRESENTE LA MISE AU POINT DE LA METHODE DE CONTROLE. LA CROISSANCE EST INTERROMPUE APRES QUE LE MIROIR INFERIEUR ET LA CAVITE AIENT ETE EPITAXIES. A PARTIR D'UN SPECTRE DE REFLECTIVITE REALISE SUR CETTE STRUCTURE INCOMPLETE, UN ALGORITHME DE TYPE RECUIT SIMULE NOUS PERMET DE DETERMINER PRECISEMENT LES FLUX ET PAR CONSEQUENT LES EPAISSEURS ET LES COMPOSITIONS DES COUCHES DE LA PREMIERE PARTIE DE LA CROISSANCE. LA CORRECTION DE LA STRUCTURE EST OBTENUE PAR UNE MODIFICATION DES TEMPS D'EPITAXIE DU MIROIR SUPERIEUR. L'UTILISATION DE CETTE TECHNIQUE NOUS A PERMIS DE FIXER LA LONGUEUR D'ONDE DU PIC FABRY-PEROT DE LA STRUCTURE COMPLETE AVEC UNE PRECISION DE 0,15%

Download or read book Contribution l tude sur la conversion en longueur d onde et la r cup ration d horloge par des lasers semi conducteurs written by Pascal Landais and published by . This book was released on 1995 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DIVERSIFICATION ET L'AUGMENTATION DE L'INFORMATION A TRANSMETTRE POUSSENT A LA REALISATION DE NOUVELLES MATRICES DE COMMUTATION BASEES SUR DES TECHNIQUES OPTIQUES. CES MATRICES PRESENTENT LES AVANTAGES DE CONSERVER DE L'INFORMATION SOUS LEUR FORME OPTIQUE ET DE POUVOIR EXPLOITER, EN PLUS DES DOMAINES TEMPOREL ET SPATIAL, LE DOMAINE SPECTRAL. UN DES COMPOSANTS CLES DE LA COMMUTATION PAR ROUTAGE EN LONGUEUR D'ONDE EST DONC LE CONVERTISSEUR EN LONGUEUR D'ONDE. CE DERNIER EST REALISABLE PAR DIFFERENTS COMPOSANTS ACTIFS DONT LE LASER BISTABLE. CETTE MATRICE DE COMMUTATION PEUT AUSSI INCLURE UN DISPOSITIF TOUT-OPTIQUE DE RECUPERATION D'HORLOGE QUI PEUT ETRE CONCU A PARTIR D'UN LASER A RETROACTION DISTRIBUEE AUTOPULSANT. CETTE THESE PRESENTE L'ETUDE D'UN LASER BISTABLE POUR LA CONVERSION EN LONGUEUR D'ONDE, ET D'UN LASER AUTOPULSANT A RETROACTION DISTRIBUEE POUR LA RECUPERATION D'HORLOGE. LE LASER BISTABLE SE CARACTERISE PAR UNE SECTION DE GAIN ASSOCIEE A UNE SECTION D'ABSORBANT SATURABLE. CETTE GEOMETRIE CONFERE AU COMPOSANT UN CYCLE D'HYSTERESIS ENTRE LA PUISSANCE INJECTEE ET LA PUISSANCE EMISE. POLARISE EN-DESSOUS DE CE CYCLE, CE LASER PEUT ETRE DECLENCHE A SA PROPRE LONGUEUR D'ONDE PAR UNE PUISSANCE OPTIQUE EMISE A UNE LONGUEUR D'ONDE DIFFERENTE. LA CONVERSION EN LONGUEUR D'ONDE EST AINSI REALISEE. DIFFERENTES SOLUTIONS ONT ETE PROPOSEES ET EXPERIMENTEES POUR AUGMENTER LE DEBIT. ELLES CONSISTENT EN UN TRAITEMENT PAR PROTONS ET EN UNE TENSION NEGATIVE DE LA SECTION D'ABSORBANT SATURABLE. UNE CONVERSION EN LONGUEUR D'ONDE DE 16,4 NM A 1 GBIT/S A PU ETRE DEMONTREE. CES ETUDES EXPERIMENTALES ONT ETE CONFIRMEES PAR UNE APPROCHE THEORIQUE. L'AUTOPULSATION EST UNE MODULATION PERIODIQUE DE LA PUISSANCE EMISE PAR UN LASER COMPOSANT ALORS QUE CELUI-CI EST POLARISE PAR UN COURANT CONSTANT. SON ORIGINE DANS LES LASERS A RETROACTION DISTRIBUEE EST ENCORE OBSCURE MEME SI QUELQUES HYPOTHESES ONT ETE EMISES. UNE ETUDE DU COMPORTEMENT SPECTRAL ET TEMPOREL A ETE REALISEE PERMETTANT D'ECARTER CERTAINES HYPOTHESES. DES EXPERIENCES DE SYNCHRONISATION ONT ETE MENEES AVEC CE TYPE DE COMPOSANT, A HAUTS DEBITS POUR UNE IMPORTANTE DIFFERENCE EN LONGUEUR D'ONDE ENTRE CELLE DU LASER AUTOPULSANT ET CELLE DU SIGNAL INJECTEE. DES RESULTATS INTERESSANTS ONT ETE OBTENUS, DEMONTRANT DES POSSIBILITES D'APPLICATIONS DANS LES FUTURS SYSTEMES DE TRANSMISSION OPTIQUES.

Download or read book LASERS A SEMI CONDUCTEURS A MODULATEURS ELECTRO OPTIQUES INTEGRES POUR SYSTEMES DE TRANSMISSION OPTIQUE written by JEROME.. LANGANAY and published by . This book was released on 1994 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES SYSTEMES DE TRANSMISSION OPTIQUES ACTUELS S'ORIENTENT VERS DES DEBITS DE 2,5 A 10 GBIT/S. LA MISE EN UVRE DE NOUVELLES TECHNIQUES DE PROPAGATION UTILISANT LES IMPULSIONS SOLITONS OU LA CONVERSION DE MODULATION DE FREQUENCE PAR FIBRE DISPERSIVE (DST) S'AVERENT INTERESSANTES POUR LEUR REALISATION. BIEN QUE LARGEMENT EMPLOYEES POUR DE TELLES APPLICATIONS, LES DIODES LASERS DFB ET DBR NE PERMETTENT PAS D'OBTENIR LES PERFORMANCES ADEQUATES. L'ELABORATION D'UNE NOUVELLE SOURCE LASER COMPATIBLE AVEC CES TECHNIQUES DE TRANSMISSION FAIT L'OBJET DE CETTE THESE. L'ETUDE DE MODULATEURS ELECTRO-OPTIQUES, A L'AIDE D'UN MONTAGE EXPERIMENTAL ORIGINAL, MET EN EVIDENCE LES POSSIBILITES DE VARIATION D'ABSORPTION ET D'INDICE EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE ET DE LA LONGUEUR D'ONDE ; CES GRANDEURS ETANT PARTICULIEREMENT UTILES POUR LA CONCEPTION DE L'INTEGRATION MONOLITHIQUE DE CES MODULATEURS AVEC DES DIODES LASERS. LA MODELISATION DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES DE SOURCES LASERS ELECTRO-OPTIQUES INTEGREES SOULIGNE L'INTERET DE LEUR PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT PAR RAPPORT AUX SOURCES EXISTANTES. LES PERFORMANCES THEORIQUES OBTENUES POUR DIFFERENTS PARAMETRES GEOMETRIQUES, ELECTRIQUES ET MATERIAUX INDIQUENT LES LIMITATIONS ET LES OPTIMISATIONS POSSIBLES. LA REALISATION DES DISPOSITIFS UTILISE UN PROCEDE ORIGINAL DE COUPLAGE DIRECT ENTRE SECTIONS DE GAIN ET ELECTRO-OPTIQUES. LES PERFORMANCES EXPERIMENTALES, EN ACCORD AVEC LE MODELE, REVELENT LA QUALITE DE LA TECHNOLOGIE MISE EN UVRE ET CONFIRMENT LES POTENTIALITES NOUVELLES DE CE TYPE DE COMPOSANT POUR LES SYSTEMES DE TRANSMISSION. LES EFFETS SIMULTANES D'ELECTRO-ABSORPTION ET D'ELECTRO-REFRACTION SONT NOTAMMENT RESPONSABLES DU COMPORTEMENT PARABOLIQUE DE LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE A LA SECTION DE PHASE ET DES PROPRIETES DYNAMIQUES QUI S'ENSUIVENT. EN PARTICULIER, UN POINT DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL PAR RAPPORT A LA VARIATION DE LA FREQUENCE OPTIQUE EST IDENTIFIE. LES POSSIBILITES DE COMPENSATION DU CHIRP PAR MODULATION SIMULTANEE DES SECTIONS DE GAIN ET DE PHASE EN RESULTANT SONT ILLUSTREES PAR LA GENERATION D'IMPULSIONS SOLITONS EFFECTUEE A 5 GHZ

Download or read book ETUDE DES MECANISMES DE PHOTODETECTION DANS LES STRUCTURES LASER A SEMI CONDUCTEURS written by RADHOUANE.. DEROVICH and published by . This book was released on 1993 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN TOUT POINT DE FONCTIONNEMENT, LE LASER A SEMI-CONDUCTEURS EST CAPABLE D'INTERAGIR AVEC UNE LUMIERE QUI LUI EST INJECTEE. NOTAMMENT, IL PEUT DIRECTEMENT DETECTER LES SIGNAUX MODULES EN INTENSITE (IM) OU EN FREQUENCE (FM). CES DEUX PROPRIETES DU LASER, SONT PEU CONNUES JUSQU'A PRESENT. L'OBJET DE CETTE ETUDE A ETE D'APPROFONDIR CES PROPRIETES ET DE PROPOSER LEURS APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DE LA TRANSMISSION OPTIQUE. LES REPONSES DU LASER A L'INJECTION OPTIQUE ONT ETE ETUDIEES PAR LES EQUATIONS D'EVOLUTION COUPLEES. SUIVANT LE FONCTIONNEMENT DU LASER, CELA NOUS A PERMIS DE DEGAGER LES EXPRESSIONS D'IMPORTANTS PARAMETRES TELS QUE LE RENDEMENT DE CONVERSION EN TENSION (DV/DP#I) EN DETECTION IM, L'EFFICACITE DE DEMODULATION FM (DV/DF), L'EFFICACITE DE CONVERSION FREQUENCE-PUISSANCE OPTIQUE (DP/DF). LA DEMODULATION DE SIGNAUX OPTIQUES FM ET FSK A ETE REALISEE PAR LES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS MONOFREQUENCES. POUR LES LASERS DFB MONOSECTIONS, LES LASERS A PUITS QUANTIQUES (MQW) PRESENTAIENT ENTRE AUTRES, UNE EFFICACITE DE DEMODULATION FM (150 V/GHZ) NETTEMENT SUPERIEURE A CELLE DES LASERS A COUCHE ACTIVE MASSIVE (BULK) (50 V/GHZ). LES LASERS MULTISECTIONS MQW DFB, ONT MONTRE UNE EFFICACITE DE DEMODULATION COMPARABLE A CELLE DU LASER MONOSECTION, TOUT EN CONSERVANT LEURS AVANTAGES ESSENTIELS, DONT L'ACCORDABILITE CONTINUE EN LONGUEUR D'ONDE. PAR AILLEURS, POUR LES LASERS DEPHASES, L'EFFICACITE DE DEMODULATION FM DE LA SECTION CENTRALE, LORSQU'ELLE N'EST PAS POLARISEE, EST PARTICULIEREMENT ELEVEE (1 MV/GHZ). GRACE AU COUPLAGE DENSITE DE PORTEURS-PHOTONS, NOUS AVONS PU ETABLIR L'EFFICACITE DE CONVERSION FREQUENCE-PUISSANCE OPTIQUE DP/DF. ELLE EST PARTICULIEREMENT IMPORTANTE DANS LES LASERS MULTISECTIONS MQW DFB ET PEUT DEPASSER AISEMENT 80 W/GHZ. CETTE EFFICACITE CORRESPOND A UN DV/DF MESURE AUX BORNES D'UNE PHOTODIODE PIN SUPERIEUR A 3 MV/GHZ. UNE PREMIERE ETUDE EXPERIMENTALE DE LA TRANSMISSION DE SIGNAUX OPTIQUES FSK A ETE REALISEE AVEC DES RECEPTEURS LASER MQW DFB MONOSECTIONS ET MULTISECTIONS. NOUS AVONS REALISE DES TRANSMISSIONS A 140 MB/S AVEC DES LASERS MONOSECTIONS ET 700 MB/S AVEC DES LASERS A MULTISECTIONS OBTENANT DES SENSIBILITES RESPECTIVES DE 25,9 DBM ET DE 21,9 DBM

Download or read book Une introduction aux lasers organiques written by Azzedine Boudrioua and published by ISTE Group. This book was released on 2017-10-01 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Un des plus grands enjeux de l’optoélectronique organique est la réalisation de la première diode laser organique (en pompage électrique), qui présente un très fort potentiel pour de nombreuses applications. À l’instar de ce qui s’est produit dans le domaine de l’optoélectronique inorganique en transformant une LED en une LD, la course est engagée pour convertir une OLED en une OLD. Cela passe par le développement de solutions innovantes afin de surmonter les difficultés inhérentes aux matériaux organiques et au pompé électrique. Une introduction aux lasers organiques présente les éléments de physique, les matériaux et les technologies qui permettent de comprendre les bases de ces lasers et de saisir les progrès accomplis. Il offre également des pistes pour envisager les évolutions futures vers la diode laser organique.

Download or read book ETUDE DE LA MISE EN PHASE DE LASERS A SEMI CONDUCTEUR written by FREDERIC.. NAUDAN and published by . This book was released on 1995 with total page 238 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR ONT CONNU UN DEVELOPPEMENT SPECTACULAIRE AU COURS DES CINQ DERNIERES ANNEES. UNE TECHNOLOGIE EST PARTICULIEREMENT DEVELOPPEE: ASGAAL A LA LONGUEUR D'ONDE 800NM POUR LE POMPAGE OPTIQUE DES LASERS SOLIDES. CETTE APPLICATION A MOTIVE LE DEVELOPPEMENT DES LASERS SEMI-CONDUCTEUR A CAVITE LARGE (RUBAN LARGE ET MULTI-RUBAN) DELIVRANT DE FORTES PUISSANCES (LE WATT CW). LES TECHNIQUES DE FABRICATION PERMETTANT D'ACCROITRE LA PUISSANCE DE CES SOURCES SACRIFIENT NEANMOINS LEUR PURETE SPATIALE ET SPECTRALE. EN EFFET, UN INCONVENIENT DES LASERS A CAVITE LARGE EST LEUR FAIBLE COHERENCE SPATIALE SE TRADUISANT NOTAMMENT PAR UNE EMISSION MULTIMODE DE DIVERGENCE ANGULAIRE IMPORTANTE. IL EST DONC NECESSAIRE D'ENVISAGER DES METHODES DE MISE EN FORME SPATIALE DES FAISCEAUX LASERS. PLUS GENERALEMENT, POUR LES SOURCES MULTI-LASER, LE CONCEPT DE MISE EN PHASE DE DIODES LASERS A VU LE JOUR POUR GARANTIR UNE EMISSION LASER DE PUISSANCE ELEVEE, UNE GRANDE QUALITE DE FAISCEAU AINSI QU'UN CONTROLE ANGULAIRE EVENTUEL. DANS CE CONTEXTE, L'OBJET DU TRAVAIL EXPERIMENTAL EST LA MISE EN UVRE DE TECHNIQUES ORIGINALES POUR REDUIRE LA DIVERGENCE ET LA LARGEUR SPECTRALE DES DIODES LASER. LA PREMIERE PARTIE DE L'ETUDE EST CONSACREE A L'ANALYSE SPATIALE ET SPECTRALE DES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE. LE FACTEUR M#2 EST INTRODUIT COMME CRITERE QUANTITATIF DE QUALITE D'UN FAISCEAU LASER MULTIMODE. L'ANALYSE FINE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES MODES LATERAUX DES LASERS A CAVITE LARGE EST PROPOSEE. LA SECONDE PARTIE PRESENTE L'UTILISATION D'UNE CAVITE EXTERNE FERMEE PAR UN MIROIR PLAN OU UN RESEAU DE DIFFRACTION PERMETTANT DE FORCER L'OSCILLATION LASER SUR UN MODE LATERAL UNIQUE. NOUS ETENDONS CETTE TECHNIQUE A UNE MATRICE BIDIMENSIONNELLE DE LASERS, AFIN D'OBSERVER L'AUGMENTATION DE LA COHERENCE GLOBALE DE CETTE SOURCE. LA DERNIERE PARTIE PRESENTE UNE METHODE ORIGINALE DE FILTRAGE MODAL EN CAVITE EXTERNE FERMEE PAR UN MIROIR A CONJUGAISON DE PHASE REALISE DANS UN CRISTAL PHOTOREFRACTIF DE TITANATE DE BARYUM. CE DISPOSITIF AUTO-ADAPTATIF CONDUIT EGALEMENT A UNE EMISSION UNIMODALE POUR LE LASER A CAVITE LARGE ET A UN ACCROISSEMENT DE SA LUMINANCE D'UN FACTEUR 4,5. FINALEMENT, IL EST POSSIBLE DE REALISER DES SOURCES LASER A SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE MOPA AVEC DOUBLE PASSAGE DANS LE MILIEU AMPLIFICATEUR ET REFLEXION SUR LE MIROIR A CONJUGAISON DE PHASE. CES SOURCES SONT A LA FOIS PUISSANTES, COHERENTES ET LIMITEES PAR DIFFRACTION

Download or read book tude des propri t s spectrales d un laser semi conducteur soumis injection optique written by Marc Bondiou and published by . This book was released on 1999 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PRESENTEE PORTE SUR LES PROPRIETES SPECTRALES DE LASERS SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE DFB A 1,55 M SOUMIS A INJECTION OPTIQUE. DANS LE CAS D'UNE INJECTION SCALAIRE, QUASI-STATIQUE ET INTRAMODALE, LE TRANSFERT DES PROPRIETES SPECTRALES DU LASER MAITRE VERS LE LASER ESCLAVE A ETE ETUDIE A DIFFERENTES ECHELLES DE DESACCORD SPECTRAL ENTRE LES FREQUENCES OPTIQUES DES LASERS MAITRE ET ESCLAVE. A L'ECHELLE DU GIGAHERTZ, LE COMPORTEMENT DU LASER INJECTE A ETE DISTINGUE SUIVANT QU'IL SE TROUVE POLARISE PRES OU LOIN DU SEUIL. DANS CE DERNIER CAS, DES REGIMES DE DYNAMIQUE NON-LINEAIRE ONT ETE IDENTIFIES ET CARTOGRAPHIES. A L'ECHELLE DU MEGAHERTZ, LE TRANSFERT DE LARGEUR DE RAIE DU MAITRE VERS L'ESCLAVE A ETE VERIFIE DANS LES DEUX SENS (TRANSFERT DE PURETE ET D'IMPURETE SPECTRALE). ON A DEMONTRE EXPERIMENTALEMENT QUE LE TRANSFERT S'EFFECTUE DE MANIERE PROGRESSIVE EN FONCTION DE LA PUISSANCE INJECTEE, AUSSI BIEN PRES DU SEUIL QUE LOIN DU SEUIL. DANS CE DERNIER CAS, LA MODELISATION DU TRANSFERT PARTIEL PAR UNE FONCTION D'AIRY GENERALISEE, DECRIVANT LA DENSITE SPECTRALE DE PUISSANCE DU LASER SOLITAIRE PUIS INJECTE, REND BIEN COMPTE DU TRANSFERT PARTIEL OBSERVE. CE TRAVAIL PERMET DE MIEUX CERNER LES LIMITES DES TRANSFERTS DE QUALITES SPECTRALES (STABILITE DE FREQUENCE ET PETITE LARGEUR DE RAIE) PAR INJECTION OPTIQUE DANS UN LASER SEMI-CONDUCTEUR. IL REJOINT LES PREOCCUPATIONS DES UTILISATEURS CONCERNES PAR LE CONTROLE DES FREQUENCES OPTIQUES DANS LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS (SPECTROSCOPIE, METROLOGIE, MULTIPLEXAGE EN LONGUEUR D'ONDE POUR LES TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES SUR FIBRES). L'ACCROCHAGE DE PHASE EN REGIME DE MODULATION DE L'ESCLAVE CONCLUT AUSSI A UN TRANSFERT DE LARGEUR DE RAIE RATTACHE AUX PRECEDENTS. UNE DES PERSPECTIVES D'APPLICATION DE CE DERNIER VOLET DE L'ETUDE CONSISTE EN L'UTILISATION DU TRANSFERT POUR LA GENERATION PAR INJECTION OPTIQUE DE PORTEUSES MICRO-ONDES SPECTRALEMENT PURES.

Download or read book Optimisation d un laser semiconducteurs cavit tendue et applications written by Mimoun Mezrhab and published by . This book was released on 1996 with total page 306 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail consiste à optimiser un laser à semi-conducteurs (SC)à cavité étendue (LCE), émettant à 852 nm. Dans un LCE, on allonge la longueur de la cavité de la diode laser par une section externe spectralement sélective de quelques centimètres de long. On réalise ainsi une source laser de haute pureté spectrale, nettement meilleure que celle d'une diode ordinaire. La réduction de la largeur de raie est très efficace, elle passe de quelques MHz à des largeurs de raie inférieures à 100 kHz, et la plage d'accordabilité (discontinue) en longueur d'onde passe de quelques nm à une vingtaine de nm. La première partie de ce rapport sera consacrée à un rappel des notions de base utiles des lasers à semi-conducteurs, qui interviennent dans l'analyse des effets de feedback optique quand la diode laser sera couplée à une cavité externe, et à la description de la structure des lasers à cavité externe, en particulier, le LCE étudié. Dans la deuxième partie, après avoir présenté différentes méthodes et questions nécessaires pour mieux caractériser et optimiser les LCE, nous présentons une nouvelle structure géométrique des LCE, assurant l'alignement de la cavité à_long terme, avec la possibilité d'avoir un accord continu en fréquence sans saut de mode. Enfin, dans la troisième partie, nous concluons par des applications de ces sources laser dans les domaines de recherche qui intéressent le Laboratoire de l'Horloge Atomique. Mots clés: Diode laser, feedback optique, cavité étendue, pureté spectrale, auto-alignement, accordabilité continue, piège magnéto-optique, génération de l'harmonique 2.