Download or read book Etude des m canismes de germination de la cristallisation dans un alliage Ni Si B amorphe written by Marc-Henri Zürcher and published by . This book was released on 1989 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude des m canismes de germination de la cristallisation dans un alliage Ni Si B amphore written by Marc-Henri Zürcher and published by . This book was released on 1989 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book MECANISMES DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE DE FILMS MINCES DE SILICIUM AMORPHE DEPOSES PAR LPCVD written by JEAN-PAUL.. GUILLEMET and published by . This book was released on 1994 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES CINETIQUES DE CROISSANCE, DE GERMINATION ET DE CRISTALLISATION DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE (A-SI) DEPOSES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) ONT ETE DETERMINEES PAR RECUIT IN SITU DANS UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION. LA CINETIQUE DU PROCESSUS DE CROISSANCE EST LINEAIRE, ANISOTROPE ET CARACTERISEE PAR UNE ENERGIE D'ACTIVATION (E#A) EGALE A 2,4 EV. LA LOI DE GERMINATION EST DECRITE PAR UNE LOI PUISSANCE ET L'ENERGIE D'ACTIVATION DU PROCESSUS (E#A#N) DEPEND DE LA TEMPERATURE DE DEPOT DU FILM ET DE LA NATURE DU GAZ REACTANT (E#A#N = 2,4 EV: 520C-300 MTORR, FILIERE SIH#4 ET E#A#N=4,3 EV: 465C-200 MTORR, FILIERE SI#2H#6). LA CINETIQUE DE CRISTALLISATION SUIT LA LOI D'AVRAMI D'EXPOSANT N VARIANT DE 5 A 13, SELON LES CONDITIONS DE DEPOT ET LA TEMPERATURE DE RECUIT (T#R). LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE IN SITU EN HAUTE RESOLUTION MONTRE QUE PLUSIEURS MECANISMES REGISSENT LA CROISSANCE DES GRAINS DE SILICIUM ET QUE L'EVOLUTION DU FRONT DE CROISSANCE S'EFFECTUE PAR INCORPORATION SIMULTANEE DE PLUSIEURS CENTAINES D'ATOMES. LA SPECTROSCOPIE DE PERTE D'ENERGIE DES ELECTRONS A PERMIS DE DETERMINER LA DENSITE DES FILMS AMORPHES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN ORDRE A COURTE DISTANCE. LE NOMBRE D'ATOMES CONTENUS DANS LE GERME DE TAILLE CRITIQUE EST INDEPENDANT DES PARAMETRES DE DEPOT ET DE RECUIT. LA VARIATION DE L'EXPOSANT Q DE LA LOI DE GERMINATION S'INTERPRETE PAR UNE CINETIQUE DE MISE EN AMAS DES ATOMES DE SILICIUM LORS DU DEPOT, ET PAR UNE EXODIFFUSION RAPIDE DE L'HYDROGENE POUR T#R>600C. LES TRANSISTORS ELABORES A PARTIR DES FILMS DEPOSES A 465C ET 200 MTORR (FILIERE SI#2H#6) ET RECUITS A 600C OU 750C PRESENTENT LES MEILLEURS PERFORMANCES ELECTRIQUES ET SONT CORRELEES AU MAXIMUM DE LA TAILLE DES GRAINS (D#G). CE DERNIER PARAMETRE EST LIE A DES VITESSES DE GERMINATION ET DE CROISSANCE RESPECTIVEMENT MINIMALE ET MAXIMALE. UN RECUIT ANISOTHERME EST PROPOSE AFIN D'AUGMENTER LA TAILLE DES GRAINS, DE DIMINUER LA LARGEUR DES DISTRIBUTIONS DES TAILLES ET LES TEMPS DE RECUIT

Download or read book tude de la cristallisation et de la structure des alliages amorphes Al Ni Si written by Bruno Chenal and published by . This book was released on 1988 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Étude expérimentale par diffraction de rayons X et par microscopie électronique en transmission. Mise en évidence de deux nouveaux composés cristallins métastables. Détermination de leur structure cristalline. Étude par diffraction de neutrons de différents alliages d'aluminium à l'état liquide et à l'état amorphe. L’ordre local est le même dans ces deux états désordonnés. Il n’existe pas d'ordre local unique pouvant décrire la structure de tous ces systèmes à base d'aluminium. Interprétation de la fragilisation à température ambiante des alliages amorphes Al-Ni-Si

Download or read book Synth se d alliages amorphes AI Ni Zr par broyage m canique written by Jean-Philippe Braganti and published by . This book was released on 2000 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les alliages amorphes sont caractérisés par leur état thermodynamique hors équilibre. Pour envisager des applications, il est donc nécessaire d'étudier l'évolution de ces alliages vers leur état d'équilibre thermodynamique.Dans un premier temps, la formation des alliages par mécanosynthèse a nécessité l'optimisation des conditions de broyage qui permettent à la fois d'obtenir des alliages de structure amorphe et un rendement appréciable. Nous avons ainsi démontré la possibilité de synthétiser des alliages amorphes contenant une forte teneur en élément ductile (jusqu'à 40% at. de A1) par broyage mécanique, sans l'aide d'adjuvants ni de système de cryobroyage. En outre, le suivi de la formation de l'alliage pendant le broyage a montré que celle-ci était une transformation à l' état sollde.Ensuite, deux techniques expérimentales différentes ont permis d'aborder les deux aspects de la cristallisation : cinétique et chemin de cristallisation. La première, la microcalorimétrie différentielle à balayage, a permis de déterminer les grandeurs thermodynamiques caractéristiques des alliages amorphes (température et enthalpie de cristallisation). Par corrélation avec des mesures d'enthalpie de formation d'alliage cristallin, nous aussi calculé l'enthalpie de formation de l'alliage amorphe. Les processus de cristallisation pour chaque composé mit été défInis grâce à l'exploitation des signaux calorimétriques selon les méthodes de Surinach.et de Johnson, Mehl et Avrami. Nous proposons un raisonnement permettant d'affiner lés coefficients cinétiques obtenus par les deux méthodes précédentes. La seconde technique, utilisée pour l'analyse structurale, est la diffraction en temps réel sous rayonnement X intense. Par cette méthode non conventionnelle, il nous a été alors possible de mettre en évidence des phases transitoires ou métastables qui précèdent l'établissement de l'état stable. Cette caractérisation structurale des chemins de cristallisation est un complément novateur puisque seul l'aspect cinétique des transformations est accessible par la démarche thermodynamique.

Download or read book CRISTALLISATION THERMIQUE EN PHASE SOLIDE DU SILICIUM AMORPHE DEPOSE PAR LPCVD written by MOHAMMED.. GUENDOUZ and published by . This book was released on 1990 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PORTE PRINCIPALEMENT SUR L'ANALYSE DES MECANISMES DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE, A 600#OC, DU SILICIUM AMORPHE NON DOPE ET DEPOSE PAR LPCVD ET LES EFFETS DU SUBSTRAT SUR CETTE CRISTALLISATION. APRES UN RAPPEL DE LA THEORIE CLASSIQUE DE LA GERMINATION ET LA MODELISATION DES DIFFERENTS MODES DE CROISSANCE DES GRAINS, LA CINETIQUE DE CRISTALLISATION SUR UN SUBSTRAT DE VERRE, DETERMINEE PAR D.R.X. ET M.E.T., EST PRESENTEE. LE MODE DE CRISTALLISATION (GERMINATION A L'INTERFACE, CROISSANCE TRI-DIMENSIONNELLE DES GRAINS,...) AINSI QUE LES PARAMETRES DE CETTE CRISTALLISATION (TAUX DE GERMINATION, VITESSE DE CRISTALLISATION,...) EN SONT DEDUITS. D'AUTRE PART, CE TRAVAIL MONTRE QUE LA CRISTALLISATION N'EST PAS INDEPENDANTE DE LA NATURE CHIMIQUE DU SUBSTRAT. SI L'EFFET SUR LE SILICIUM DEPOSE PAR LPCVD RESTE LIMITE A UN RAPPORT DE TAUX DE GERMINATION DE 2,5 ENTRE LES DEUX SUBSTRATS (ITO ET VERRE) QUI DONNENT LES RESULTATS LES PLUS DIFFERENTS, IL N'EN EST PAS DE MEME POUR LES COUCHES DEPOSEES PAR PECVD OU LA GERMINATION EST TRES RAPIDE SUR ITO ET TRES LENTE SUR VERRE, ENTRAINANT DES MODES DE CROISSANCE BI-DIMENSIONNELLE. ENFIN, UNE ETUDE COMPARATIVE DES RESULTATS ELECTRIQUES SUR DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES REALISES SOIT AVEC DU SILICIUM DEPOSE SOUS FORME CRISTALLINE, SOIT AVEC DU SILICIUM AMORPHE CRISTALLISE THERMIQUEMENT, EST PRESENTEE