Download or read book Etude des conditions de synth se et de recristallisation par recuit rapide apr s implantation d azote forte dose dans du silicium written by Talal Chamas and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D IMPLANTATION DANS LE SILICIUM written by OLUSEYI.. ADEKOYA and published by . This book was released on 1987 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE
Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE
Download or read book Recrystallization of L 605 Cobalt Superalloy During Hot working Process written by Julien Favre and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'alliage L-605 est un superalliage base cobalt combinant une haute résistance et une bonne ductilité, de plus il est biocompatible et présente une bonne résistance a la corrosion. Dû a son inertie chimique dans le corps humain, ce matériau a été utilise avec succès pour fabriquer des valves cardiaques et des stents. Le contrôle de la microstructure peut influencer grandement les propriétés mécaniques : notamment un raffinement des grains est susceptible d'augmenter d'avantage la résistance et serait intéressant pour permettre de fabriquer des stents selon une architecture plus fine. L'ajustement de la distribution de taille de grains à travers le phénomène de recristallisation lors de la déformation à chaud apparait comme une solution pratique pour ajuster les propriétés mécaniques du matériau. Pour contrôler la microstructure et choisir les conditions de procédé optimales, les mécanismes mis en jeu lors de la recristallisation dynamique et l'effet des conditions de déformation sur la taille de grain doivent être compris et prévisibles par des outils théorique. Les propriétés mécaniques du matériau à haute température sont déterminées par des essais de compression à chaud. L'évolution microstructurale du matériau lors de la compression est analysée par microscopie optique et électronique (EBSD, TEM). Le phénomène de recristallisation dynamique continue est mis en évidence, et procède par nucléation de nouveaux grains aux joints de grain. La corrélation entre le comportement mécanique à chaud et l'évolution microstructurale est déterminée expérimentalement. Les conditions optimales de déformation impliquant la recristallisation dynamique sont déterminées, et la microstructure résultante est étudiée en détail. De nouveaux outils théoriques permettant de prévoir les conditions de recristallisation et d'extraire les paramètres physiques du matériau a partir des données expérimentales sont proposés. Enfin, la recristallisation dynamique est modélisée analytiquement, et permet de prédire le comportement mécanique et l'évolution de la taille de grain lors de la déformation.
Download or read book CARACTERISATIONS PHYSICO CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE COUCHES DE SI 3N 4 REALISEES PAR IMPLANTATION D AZOTE A FORTE DOSE DANS DU SILICIUM written by HAMID.. AMIDI and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS EVALUONS LES POTENTIALITES DE LA TECHNIQUE SIMNI POUR LA REALISATION DE SUBSTRATS SOI. POUR CELA, NOUS AVONS CARACTERISE DIFFERENTS SUBSTRATS SIMNI EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION ET DE RECUIT. L'ANALYSE SIMS DES SUBSTRATS SIMNI A MONTRE QU'UNE FAIBLE DOSE (5.10#1#7N#+.CM##2) N'EST PAS SUFFISANTE POUR FORMER UNE COUCHE ENTERREE DE NITRURE. A FORTE DOSE (2.10#1#8N#+.CM##2), LA COUCHE ENTERREE DE NITRURE EST COMPARABLE AU NITRURE STCHIOMETRIQUE DU POINT DE VUE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE. LES MESURES J(V) EFFECTUEES SUR LES SUBSTRATS SIMNI NOUS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN COURANT DE FUITE IMPORTANT A TRAVERS LA COUCHE ENTERREE DE NITRURE ET D'IDENTIFIER LE MECANISME DE LA CONDUCTION DANS LA COUCHE ISOLANTE. LE FILM SUPERFICIEL DE SILICIUM EST CARACTERISE A PARTIR DES MESURES DE RESISTIVITE ET D'EFFET HALL. LES RESULTATS OBTENUS A PARTIR DE CES MESURES MONTRENT L'INVERSION DU TYPE DU FILM DE SILICIUM DUE A UNE ACTIVATION D'UN BON NOMBRE D'AZOTE APRES UN RECUIT A HAUTE TEMPERATURE. LE FILM SUPERFICIEL DE SILICIUM MALGRE SON DOPAGE ELEVE PRESENTE UNE QUALITE ELECTRIQUE COMPARABLE A CELLE DU SILICIUM MASSIF. CE TRAVAIL CONSTITUE DONC UN ENSEMBLE DE RESULTATS DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EVALUER LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES SUBSTRATS SIMNI EN FONCTION DES CONDITIONS D'ELABORATION
Download or read book Jonctions ultra minces dans le silicium written by Larbi Laanab and published by . This book was released on 1993 with total page 272 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DE JONCTIONS ULTRA-MINCES DANS LE SILICIUM ELABOREES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT THERMIQUE RAPIDE. NOUS AVONS MONTRE QU'UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION PERMET D'ELIMINER L'EFFET DE CANALISATION, DE REDUIRE LA DIFFUSION ANORMALE ET D'ELIMINER LES DEFAUTS DU CENTRE DE LA JONCTION. NEANMOINS LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE, NECESSAIRE A L'ACTIVATION DU BORE, ABOUTIT A LA FORMATION D'UNE BANDE DE DEFAUTS EOR AU-DESSOUS DE L'ANCIENNE INTERFACE C/A. CES DEFAUTS DEGRADENT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA JONCTION ET AUGMENTENT SON COURANT DE FUITE. DANS UNE PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET PAR SIMULATION (MODELE CDED) L'AMORPHISATION DU SILICIUM PAR BOMBARDEMENT D'IONS ISOELECTRONIQUES (SI#+, GE#+, SN#+). CETTE ETUDE A ABOUTI A UNE MISE EN FORME ANALYTIQUE DE LA VARIATION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE AMORPHE EN FONCTION DES PARAMETRES D'IMPLANTATION (DOSE ET ENERGIE). CES RESULTATS PEUVENT ETRE EXPLOITES DANS UN SIMULATEUR DE PROCEDE. NOUS AVONS ENSUITE MONTRE, EN UTILISANT DES TECHNIQUES DE MET, QUE LES DEFAUTS EOR SONT BOUCLES DE DISLOCATION DE NATURES INTERSTITIELLES, LOGEANT DANS DES PLANS (111) ET AYANT DES VECTEURS DE BURGERS DE TYPE A/3111 OU A/2110. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES PRINCIPAUX MODELES, ISSUS DE LA LITTERATURE, QUI DECRIVENT LA FORMATION DE CES DEFAUTS. APRES AVOIR TESTE LA VALIDITE DE CHAQUE MODELE NOUS AVONS MONTRE QUE SEUL LE MODELE DIT D'EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA DENSITE D'EOR EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION. NOUS AVONS ENFIN ETUDIE LA VARIATION DE L'EXTENSION DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EN FONCTION DE LA RAIDEUR DU PROFIL DE BORE. NOUS MONTRONS AINSI QU'IL EST POSSIBLE DE CHOISIR DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION QUI PERMETTENT LA FORMATION DE DEFAUTS D'EOR HORS DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE
Download or read book Etude d un proc d de recristallisation de plaquettes de silicium fritt pour la r alisation de cellules solaires photovolta ques written by Pierre Bellanger (Spécialiste en matériaux).) and published by . This book was released on 2010 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Aujourd'hui dans le domaine du photovoltaïque, les différentes étapes de fabrication de plaquettes de silicium restent trop chères, principalement en raison d'une forte consommation d'énergie et de matière première. En effet, environ 50 % de silicium est perdu durant l'étape de sciage des lingots et parmi les différentes voies explorées qui permettent d'éviter cette étape, le frittage de poudre de silicium est très prometteur pour la production de plaquettes de grande surface. L'entreprise S'tile située à Poitiers développe un nouveau procédé de fabrication de plaquettes composé de deux étapes : une étape de frittage basée sur la compression de poudre de silicium à haute température et une étape de recristallisation qui est nécessaire pour obtenir une structure cristalline adaptée à la réalisation de cellules photovoltaïque. Dans ce travail de thèse, l'échantillon est recristallisé par ZMR (Zone metting recristallisation) ou par FWR (Full Wafer Recristallisation). Dans un premier temps, une caractérisation structurale et chimique du matériau est réalisée. Les caractérisation électriques du matériau sont alors mesurées et la mobilité atteint des valeurs de 150 et 250 cm^(2).V^(-1 ).s^(-1) respectivement sur les échantillons recristallisés par FWR et par ZMR. Le dopage de type p est compris entre 5*10^(16) et 3*10^(17) at/cm3. La durée de vie atteint des valeurs de l'ordre de la microseconde. Après fabrication de cellules, un rendement de 8,9 % est obtenu en utilisant un procédé simplifié sans texturation. D'autres caractérisations comme la réponse spectrale, la thermographie infrarouge et la mesure de Suns-Voc sont aussi réalisées.
Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d aluminium dans le carbure de silicium pour la r alisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.
Download or read book Etude de l implantation azote dans le SiC 6H written by Patrick Thomas and published by . This book was released on 1998 with total page 434 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM (SIC) EST UN SEMICONDUCTEUR QUI POSSEDE DE GRANDES QUALITES ELECTRIQUES ET UNE GRANDE ROBUSTESSE PARTICULIEREMENT BIEN ADAPTEES A DES UTILISATIONS EN MILIEUX EXTREMES (HAUTES TEMPERATURES, HAUTES FREQUENCES, FORTES PUISSANCES, ENVIRONNEMENT NUCLEAIRE OU CORROSIF). PARMI TOUS LES POLYTYPES DU CARBURE DE SILICIUM, LES POLYTYPES HEXAGONAUX (6H ET 4H) SONT DESTINES AUX APPLICATIONS MICROELECTRONIQUES. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DU POLYTYPE HEXAGONAL 6H. POUR REALISER DES COUCHES DE TYPE N, LE DOPANT PRIVILEGIE EST L'AZOTE. A CAUSE DE LA FAIBLE VALEUR DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DANS CE MATERIAU, L'AZOTE NE PEUT ETRE INCORPORE PAR DIFFUSION. ON EMPLOIE DONC LE PROCEDE D'IMPLANTATION IONIQUE POUR REALISER DES COUCHES ACTIVES DE TYPE N DOPEES AZOTE. RECEMMENT, LE LETI (CEA-GRENOBLE), A REALISE DES COMPOSANTS A BASE DE 6H-SIC IMPLANTES AZOTE, EN FAISANT VARIER LES CONDITIONS D'IMPLANTATIONS (DOSES, LARGEUR DU PROFIL PLAT TEMPERATURE D'IMPLANTATION, TEMPERATURE ET TEMPS DE RECUIT). EN COLLABORARAION AVEC CE LABORATOIRE, NOUS AVONS PROCEDE A UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PAR DES MESURES D'EFFET HALL SUR UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURE (10 K-1 000 K). PARALLELEMENT A CES RESULTATS EXPERIMENTAUX NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE THEORIQUE DE LA MOBILITE ET DU NOMBRE DE PORTEURS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. CETTE SIMULATION NOUS PERMET DE DETERMINER LA CONCENTRATION DE DONNEURS ELECTRIQUEMENT ACTIFS, LES NIVEAUX D'ENERGIE QUI LEUR SONT ASSOCIES ET LA COMPENSATION DU MATERIAU. ON CONSTATE UNE DIMINUTION DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DU DONNEUR INCORPORE QUAND ON AUGMENTE LA DOSE. DANS LE MEME TEMPS, LA COMPENSATION DU MATERIAU AUGMENTE. LES MESURES OPTIQUES DE PHOTOLUMINESCENCE QUE NOUS AVONS REALISE CORROBORENT CES RESULTATS. ON OBSERVE UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE DE DEFAUTS ACCEPEURS AVEC L'AUGMENTATION DE DOSE. L'ETUDE DES NIVEAUX D'ENERGIE MONTRE QUE L'AZOTE EN SITE HEXAGONAL A UNE NATURE HYDROGENOIDE (100 MEV) : L'ENERGIE D'ACTIVATION DIMINUE AVEC LA CONCENTRATION DE DOPANTS. PAR CONTRE, L'AZOTE EN SITE CUBIQUE (140 MEV) A UN CARACTERE PLUS PROFOND. L'ENERGIE D'ACTIVATION DIMINUE PEU ENTRE 10#1#7 ET 10#1#9 CM#-#3. ENFIN, LE RAPPORT DES ATOMES D'AZOTE EN SITE HEXAGONAL ET CUBIQUE EST D'ENVIRON 1/10.
Download or read book IMPLANTATION DE METAUX AL CU NI ET GAZ RARE XE DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by BRAHIM.. BOUBEKER and published by . This book was released on 1985 with total page 101 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE LA PRECIPITATION DE DIFFERENTES IMPURETES METALLIQUES IMPLANTEES DANS DU SILICIUM MONO ET POLYCRISTALLIN. LES FORTES DOSES UTILISEES AMORPHISENT LA CIBLE SI L'IMPLANTATION EST REALISEE A 300K, CE QUI N'EST PAS LE CAS A 600K. LA TEMPERATURE DE RECRISTALLISATION DES ECHANTILLONS IMPLANTES A FROID DEPEND A DOSE COMPARABLE DE LA NATURE DU METAL IMPLANTE: 850K POUR LE NICKEL ET SEULEMENT 650K POUR LE CUIVRE. DANS LES ECHANTILLONS IMPLANTES A CHAUD ON OBSERVE POUR LE CUIVRE ET L'ALUMINIUM UNE PRECIPITATION SOUS FORME DE PLAQUETTES COHERENTES. LES PLANS D'HABITAT SONT 111 AVEC LE CUIVRE ET 113 AVEC L'ALUMINIUM. NOUS AVONS OBSERVE UNE CORRELATION ENTRE LA NATURE DES MACLES ET LA DENSITE DES PRECIPITES D'ALUMINIUM: UN ECART A LA RELATION DE COINCIDENCE ENTRAINE L'APPARITION DE ZONES NON DENUDEES. EN DEUXIEME PARTIE; NOUS AVONS ETUDIE L'IMPLANTATION A 600K DE XE. A L'ISSUE DE RECUITS POST-IMPLANTATION, IL APPARAIT, A PARTIR DE 1050K, DES PRECIPITES VOLUMIQUES DE STRUCTURE C.F.C. EN EPITAXIE AVEC LA MATRICE DE SILICIUM. IL S'AGIT VRAISEMBLABLEMENT COMME DANS LE CAS DES METAUX, DE XE SOLIDE SOUS UNE PRESSION DE L'ORDRE DE 20 KBAR
