Download or read book Etude de la diffusion induite par recuit laser semi continu de quelques impuret s m talliques dans le silicium written by Claude Leray (ingénieur).) and published by . This book was released on 1984 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEVELOPPEMNT D'UN MODELE QUI PERMET DE DEFINIR UNE TEMPERATURE ET UN TEMPS EFFECTIFS DE RECUIT. MISE AU POINT D'UN MONTAGE EXPERIMENTAL UTILISE POUR ETUDIER LA DIFFUSION PAR LASER DE FE, AL ET TI DANS LE SILICIUM. LES COEFFICIENTS DE DIFFUSION OBTENUS SONT EN BON ACCORD AVEC LES VALEURS DEJA CONNUES POUR LE MONOCRISTAL. ON DETERMINE LA DIFFUSION INTERGRANULAIRE DE AL DANS SI POLYCRISTALLIN

Download or read book Etude des d fauts induits par recuit laser excim re dans le silicium written by Richard Monflier and published by . This book was released on 2019 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.

Download or read book DIFFUSION INDUITE D IMPURETES DANS LE SILICIUM PAR LASER PULSE written by Eric Fogarassy and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EXAMEN DES MECANISMES FONDAMENTAUX DE L'INTERACTION D'UNE IMPULSION LASER AVEC UN SEMICONDUCTEUR ET PRESENTATION DES RESULTATS D'UN MODELE THERMIQUE DE RECUIT LASER. DESCRIPTION DES CONDITIONS EXPERIMENTALES ET DES DIFFERENTES METHODES D'ANALYSE DES COUCHES TRAITEES PAR LASER PULSE. REVUE DES PRINCIPAUX RESULTATS EXPERIMENTAUX. ETUDE DU COEFFICIENT DE SEGREGATION INTERFACIAL ET DE LA SOLUBILITE LIMITE DES DOPANTS DANS LE SILICIUM RECUIT LASER. CONSTRUCTION D'UN MODELE DE LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER. DISCUSSION DE L'ENSEMBLE DES PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHOTOVOLTAIQUES DES JONCTIONS FABRIQUEES PAR DIFFUSION LASER

Download or read book ETUDE PAR DIFFUSION CENTRALE DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT DOPEES OBTENUES PAR DIVERS TRAITEMENTS LASERS written by Salah Belazreg and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COUCHES DOPEES SONT REALISEES SOIT PAR DEPOT DE COUCHE DE DOPANT ET DIFFUSION INDUITE PAR LASER, SOIT PAR IMPLANTATION DE DOPANT SUIVIE D'UN RECUIT LASER. POUR LES COUCHES FORMEES PAR DEPOT, LE DOPANT EST D'ABORD SOUS FORME DE GROS GRAINS, PUIS APRES TRAITEMENT LASER UNE COUCHE DE SURFACE EST MISE EN EVIDENCE. POUR LES COUCHES OBTENUES APRES IMPLANTATION, ON MONTRE L'INSTABILITE DE L'INTERFACE SOLIDE-LIQUIDE LORS DE LA RECRISTALLISATION CONSECUTIVE A LA FUSION RAPIDE

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DU SILICIUM DOPE PAR DEPOT ET RECUIT LASER written by FREDERIC.. BROUTET and published by . This book was released on 1983 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE DES EFFETS LIES A LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER. MISE EN EVIDENCE DE CELLULES DE SEGREGATION ANALOGUES A CELLES CREEES APRES IMPLANTATION ET RECUIT LASER POUR UN DOPAGE A L'INDIUM ET AU GALLIUM, ET DE STRUCTURES ORIGINALES DE SEGREGATION POUR LE BISMUTH. PARFAITE RECRISTALLISATION DE L'ECHANTILLON. PROPOSITION D'UN MODELE SIMPLIFIE DECRIVANT LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER

Download or read book Etude des d fauts lectriques dans le silicium recuit par laser written by Mohamed Kechouane and published by . This book was released on 1983 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE SILICIUM VIERGE ET IMPLANTE-RECUIT PAR LASER CONTINU, PAR DLTS. DANS SI VIERGE, LE RECUIT CREE DEUX CENTRES PROFONDS E(0,45) ET E(0,22) ASSOCIES RESPECTIVEMENT AU COMPLEXE LACUNE-PHOSPHORE ET AU CHROME INTERSTITIEL. L'ETUDE DES JONCTIONS IMPLANTEES RECUITES PAR LASER CONTINU, REVELE LA PRESENCE DE DEUX DEFAUTS PRINCIPAUX H(0,1) ET H(0,44) ATTRIBUES RESPECTIVEMENT AU FER INTERSTITIEL ET AUX PAIRES D'IONS FE::(1)**(+)-B::(5)**(-). L'ETUDE DE SI DE TYPE P RECUIT PAR LASER MONTRE QUE LES DEFAUTS RESIDUELS DANS LES JONCTIONS IMPLANTEES RECUITES SONT CEUX QUI SONT INTRODUITS PAR LE LASER

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Molecular Beam Epitaxy written by John Wilfred Orton and published by . This book was released on 2015 with total page 529 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book is a history of Molecular Beam Epitaxy (MBE) as applied to the growth of semiconductor thin films (note that it does not cover the subject of metal thin films). It begins by examining the origins of MBE, first of all looking at the nature of molecular beams and considering their application to fundamental physics, to the development of nuclear magnetic resonance and to the invention of the microwave MASER. It shows how molecular beams of silane (SiH4) were used to study the nucleation of silicon films on a silicon substrate and how such studies were extended to compound semiconductors such as GaAs. From such surface studies in ultra-high vacuum the technique developed into a method of growing high quality single crystal films of a wide range of semiconductors. Comparing this with earlier evaporation methods of deposition and with other epitaxial deposition methods such as liquid phase and vapour phase epitaxy (LPE and VPE). The text describes the development of MBE machines from the early 'home-made' variety to that of commercial equipment and show how MBE was gradually refined to produce high quality films with atomic dimensions. This was much aided by the use of various in-situ surface analysis techniques, such as reflection high energy electron diffraction (RHEED) and mass spectrometry, a feature unique to MBE. It looks at various modified versions of the basic MBE process, then proceed to describe their application to the growth of so-called 'low-dimensional structures' (LDS) based on ultra-thin heterostructure films with thickness of order a few molecular monolayers. Further chapters cover the growth of a wide range of different compounds and describe their application to fundamental physics and to the fabrication of electronic and opto-electronic devices. The authors study the historical development of all these aspects and emphasise both the (often unexpected) manner of their discovery and development and the unique features which MBE brings to the growth of extremely complex structures with monolayer accuracy.

Download or read book Forest Fire Research written by Universidade de Coimbra and published by . This book was released on 2010 with total page 355 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Water Treatment Handbook written by and published by . This book was released on 2007 with total page 932 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: