Download or read book Etude dans le silicium de l interaction des impuret s et des d fauts produits par irradiation written by Alain Brelot and published by . This book was released on 1972 with total page 53 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des d fauts introduits par irradiation dans le silicium written by Keiji Matsui and published by . This book was released on 1965 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude de la diffusion des impuret s dopantes dans le silicium written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX

Download or read book Contribution l tude des d fauts cr s par irradiation lectronique dans des alliages semiconducteurs silicium germanium de type N et P written by Jean-Jacques Goubet and published by . This book was released on 1998 with total page 623 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de cette etude est de caracteriser les defauts crees par irradiation electronique dans des couches epitaxiees d'alliage silicium-germanium de type n et p. Apres une analyse des donnees rapportees dans la litterature concernant les defauts profonds ponctuels et etendus dans le silicium (si), le germanium (ge) et l'alliage silicium-germanium (sige), les techniques de mesure sont presentees avec un examen particulier des effets parasites rencontres qui necessitent une modification des modeles classiques d'interpretation des mesures experimentales. Enfin, nous presentons les resultats obtenus pour des couches relaxees d'alliage si#0#.#7ge#0#.#3 de type n et pour des couches contraintes ou relaxees d'alliages de type p contenant de 2 a 30% de ge. A l'aide des techniques capacite-tension, c(v), et courant-tension, i(v), nous montrons que les degats d'irradiation (accroissement du courant des diodes en inverse et en direct, augmentation de la compensation du materiau) sont d'autant plus importants que le taux de ge est faible. Une determination systematique de la position des niveaux d'energie et de la section apparente de capture des defauts natifs et d'irradiation a l'aide de la spectroscopie de transitoires de capacite (deep level transient spectroscopy) d'une part, et une etude des taux d'introduction, des profils sous la surface des couches d'alliage et de la stabilite thermique des defauts d'irradiation d'autre part, nous a permis de proposer une identification pour chacun des centres observes par comparaison avec les resultats presentes dans la litterature pour les defauts dans si, ge et sige.

Download or read book Contribution l tude de la mobilit des d fauts introduits par irradiation dans le silicium written by Edith Davoust and published by . This book was released on 1963 with total page 82 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Propri t des d fauts lacunaires dans le carbure de silicium written by Florence Linez and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium est un des materiaux envisages pour des applications nucleaires tels que les reacteurs a fission de 4eme generation et les reacteurs a fusion. Dans ce cadre, le SiC serait soumis a des conditions extremes de temperatures et d'irradiation ainsi qu'a la presence de gaz issus des produits de fission ou d'activation qui necessitent de comprendre comment les proprietes physiques du SiC pourraient evoluer. Dans le present travail nous nous sommes attaches a etudier les phenomenes se deroulant a l'echelle atomique qui modifient la microstructure et peuvent degrader les proprietes macroscopiques. La premiere partie de cette these est consacree a la caracterisation de l'endommagement et notamment des defauts lacunaires crees dans le SiC par irradiation avec des ions lourds a differentes energies et differentes fluences au moyen de la spectroscopie d'annihilation de positons (PAS) complete par la spectrometrie Raman. Les resultats de cette etude mettent en evidence que l'importante perte d'energie electronique associee aux irradiations avec des ions lourds modifie la nature et la distribution des defauts en-dessous de 0.2 dpa. Au-dela, l'impact n'est pas visible. Pour un endommagement a fort dpa en regime de collisions elastiques, l'amorphisation peut etre atteinte. Elle se caracterise par la formation de volumes libres equivalents a l'hexalacune. La deuxieme partie est consacree a l'etude de l'interaction de l'helium avec les defauts lacunaires dans des echantillons de SiC implantes He 50 keV a deux fluences. La distribution des defauts lacunaires etudiee par PAS evolue avec la temperature et deux stades d'evolution majeurs ont ete mis en evidence, celui a plus haute temperature depend de la fluence. Des mesures de thermodesorption ont montre que le second stade coincidait avec la desorption de l'helium. Enfin, des mesures de RBS et NRA en mode canalisee ont permis de localiser l'helium dans la maille cristalline et d'observer qu'une fraction migrait en quittant des sites interstitiels tetraedriques a une temperature correspondante au premier stade.

Download or read book D fauts dans le silicium de type P irradi par protons written by Serge Mottet (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA FORMATION DES DEFAUTS PAR IRRADIATION EN PROTONS DE FAIBLE OU MOYENNE ENERGIE, COMPRISES ENTRE 20 KEV ET 10 MEV, DANS LE SILICIUM DE BASE DES PHOTOPILES. DETERMINATION DE LA NATURE DES DEFAUTS ET DE LEURS CINETIQUES DE FORMATION. ETUDE DES DUREES DE VIE DES PORTEURS DE CHARGES DANS LES PHOTOPILES IRRADIEES ET DE LEUR EVOLUTION DANS DES MATERIAUX PRESENTANT DIFFERENTS CONTENUS EN IMPURETES. DESCRIPTION DES MESURES DE CAPACITE DE JONCTION MISES EN OEUVRE POUR L'IDENTIFICATION DES NIVEAUX D'ENERGIE ASSOCIES AUX DEFAUTS.

Download or read book COMPARAISON DES EFFETS D IRRADIATION DANS DU SILICIUM DE HAUTE RESISTIVITE UTILISE DANS LA FABRICATION DE DETECTEURS A SEMI CONDUCTEURS written by PAOLO.. MANCIACALLI and published by . This book was released on 1997 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'IRRADIATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM DE TRES HAUTE RESISTIVITE PAR DES PARTICULES RAPIDES PROVOQUE DES DOMMAGES. LA COMPREHENSION DES PROCESSUS MICROSCOPIQUES DE FORMATION DE DEFAUTS PERMET D'ABORDER L'ETUDE DU COMPORTEMENT DES DETECTEURS, FABRIQUES A PARTIR DE CE SUBSTRAT, QUI SERONT UTILISES DANS LES ACCELERATEURS DE LA NOUVELLE GENERATION (LHC, SSC). L'IRRADIATION SYSTEMATIQUE DE SILICIUM DE TRES HAUTE RESISTIVITE ET DE DETECTEURS AVEC DES IONS LOURDS DU GANIL, DES NEUTRONS RAPIDES ET DES ELECTRONS ENERGETIQUES NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE D'IMPORTANTS CHANGEMENTS DES PROPRIETES DU MATERIAU APRES UNE FORTE DOSE D'IRRADIATION. LES MESURES D'EFFET HALL SUR LE SUBSTRAT IRRADIE MONTRENT QU'AU DELA D'UNE CERTAINE FLUENCE CRITIQUE, QUI DEPEND DU TYPE DE PROJECTILE, LE SILICIUM SE STABILISE DANS UN ETAT QUASI-INTRINSEQUE, DONT LES CARACTERISTIQUES NE DEPENDENT PAS DU PROJECTILE UTILISE. CET ETAT EST DU A UNE COMPENSATION DU MATERIAU DE DEPART PAR DES CONCENTRATIONS IMPORTANTES DE CENTRES PROFONDS. CES CENTRES ONT PU ETRE IDENTIFIES PAR DLTS ET PHOTOLUMINESCENCE : IL S'AGIT DE DEFAUTS COMPLEXES LIES A LA LACUNE (LACUNE-OXYGENE, LACUNE-PHOSPHORE, BILACUNE, ....). LE CHANGEMENT DES PROPRIETES DU SUBSTRAT PROVOQUE UNE MODIFICATION DES PROPRIETES DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES IRRADIES COMME LE MONTRENT LEURS CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION ET CAPACITE-TENSION.

Download or read book tude de la diffusion de l hydrog ne dans le silicium written by Abdelhamid Chari and published by . This book was released on 1988 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne le comportement physico-chimique de l’hydrogène dans le silicium.Dans une première partie, nous avons décrit par des techniques de mesure électrique l’interaction entre l’hydrogène et les dopants. Nous avons observé que l'hydrogène désactivait une proportion importante des accepteurs peu profonds dans le silicium.L'étude du comportement en diffusion de l’hydrogène dans le silicium montre que le processus de diffusion dépend fortement du type de conductivité et surtout du taux de dopape.Les mesures d'absorption infrarouge ont montré que l’hydrogène formé de complexe (Si H---B) neutre dans lequel la liaison de l’hydrogène se fait principalement avec le bore.La deuxième partie de ce travail concerne l'activité électrique du joint de flexion symétrique Σ=25 du silicium. Brut de croissance, ce joint est inactif. Il devient actif à la suite de traitements thermiques adéquats. Cette activité électrique a été corrélée à la présence de cuivre ségrégé ou précipité dans le joint.La passivation par l’hydrogène de cette activité électrique est sélective.

Download or read book tude par photoconductivit de d fauts dans le silicium p et le silicium n dop au lithium irradi s written by Monique Cherki and published by . This book was released on 1970 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude des effets d irradiation dans le polytype cubique du carbure de silicium par les techniques spectroscopiques de photoluminescence et de r sonance paramagn tique lectronique written by Jérémie Lefevre and published by . This book was released on 2015 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail expérimental a consisté en l'étude des défauts ponctuels induits par une irradiation électronique dans la structure cristallographique cubique du carbure de silicium (SiC) au moyen des techniques spectroscopiques de photoluminescence à basse température (LTPL) et de résonance paramagnétique électronique (RPE). Le premier de ces deux outils de mesures a permis d'estimer l'énergie seujl de deplacement dans le sous-réseau silicium puis d'analyser la stabilité thermique des défauts d'irradiation dans le domaine des basses températures (10 - 300K) puis dans la gamme des hautes températures (300 - 1400 K). Par ailleurs, sur la base d'un modèle théorique récent, cette thèse a corroboré la proposition de l'antisite de silicium isolé pour le centre D1 dont la persistance au-delà de la température nominale de fonctionnement des réacteurs nucléaires à fission de génération IV, pour lequel SiC est en partie destiné, se révèle particulièrement problématique. Des mesures entreprises par RPE sous illumination ont enfin permises de détecter un nouveau défaut dans son état métastable de spin S=1, possiblement associé à une configuration d'interstitiel de silicium.

Download or read book tude de l interaction d une onde de charge d espace dans le silicium avec une onde lectromagn tique retard e written by Tanos Hafiz El-Khoury and published by . This book was released on 1977 with total page 4 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE REALISEE EN VUE DE LA CONCEPTION D'UN TUBE A ONDES PROGRESSIVES A L'ETAT SOLIDE UTILISANT L'INTERACTION D'UN FAISCEAU D'ELECTRONS DANS UN SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE ONDE ELECTROMAGNETIQUE RETARDEE PAR UNE STRUCTURE A RETARD. ON PRESENTE D'ABORD UNE SYNTHESE DES DIFFERENTES THEORIES PUIS UNE ETUDE UNIDIMENSIONNELLE DE L'ONDE DE CHARGE D'ESPACE DANS UN MILIEU INFINI EN CAS DE COLLISIONS DOMINANTES SUIVIE D'UNE ETUDE BIDIMENSIONNELLE DES ONDES DE SURFACE DANS LE CAS OU LE SEMICONDUCTEUR EST COUVERT OU NON DE METAL; ON PRESENTE ENFIN LE DISPOSITIF REALISE AVEC UN BARREAU DE SILICIUM ET UNE LIGNE EN PEIGNE.

Download or read book ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE DANS LE SILICIUM SOUS IRRADIATION DE PROTONS written by F.. VOILLOT SAINT YVES and published by . This book was released on 1977 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.

Download or read book Contribution a l etude des defauts crees par irradiation electronique dans des alliages semiconducteurs silicium germanium de type N et P written by Jean-Jacques Goubet and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DE L ENDOMMAGEMENT INDUIT DANS LE SILICIUM PAR DES IONS LOURDS DE GRANDE ENERGIE written by PATRICK.. MARY and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES ECHANTILLONS DE SILICIUM ONT ETE IRRADIES AVEC DES FAISCEAUX D'IONS KRYPTON (3.7 GEV), XENON (3.5 GEV) ET URANIUM (3.8 GEV). L'ENDOMMAGEMENT A ETE SUIVI PENDANT L'IRRADIATION A L'AIDE DE LA MESURE DE LA RESISTANCE ELECTRIQUE DES ECHANTILLONS. LES MESURES D'EFFET HALL ONT MONTRE QUE L'AUGMENTATION DE LA RESISTANCE EST PRINCIPALEMENT DUE A LA COMPENSATION DU DOPANT. LA METHODE DLTS A PERMIS DE MONTRER QUE LES PRINCIPAUX DEFAUTS INDUITS ETAIENT IDENTIQUES AUX DEFAUTS CREES PAR DES PARTICULES LEGERES (ELECTRONS): V-O, V-V... LES PROFILS DE CONCENTRATION, DETERMINES PAR LA METHODE DDLTS, METTENT BIEN EN EVIDENCE L'INFLUENCE DE LA MIGRATION DES LACUNES SUR LA FORMATION DES COMPLEXES A LA TEMPERATURE AMBIANTE. UNE SIMULATION DES COURBES R-T A D'UNE PART PERMIS DE DETERMINER LES TAUX DE CREATION DE CHAQUE TYPE DE DEFAUT ET D'AUTRE PART DE MONTRER QUE LA LACUNE ISOLEE EST LE PRINCIPAL DEFAUT CREE DANS LE SILICIUM DE TYPE N PAR LES IRRADIATIONS REALISEES A 77 K. CES TAUX DE CREATION, NORMALISES PAR LA SECTION EFFICACE DE DEPLACEMENT, ONT ETE COMPARES AUX TAUX DE CREATION DES COMPLEXES INDUITS PAR IRRADIATION AUX ELECTRONS; IL APPARAIT QUE LA FORTE EXCITATION ELECTRONIQUE DANS L'INTERVALLE 3,7-29 MEV/M, EST INEFFICACE VIS-A-VIS DE LA CREATION DE DEFAUTS DANS LE SILICIUM

Download or read book Influence des interactions impuret d faut et impuret impuret sur le rendement de conversion des cellules photovolta ques au silicium cristallin written by Sébastien Dubois and published by . This book was released on 2007 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but de comprendre comment les interactions entre les impuretés et les défauts influencent le rendement des cellules solaires au silicium. Après avoir analysé comment une impureté dissoute impacte les propriétés des cellules, nous avons combiné des simulations et des résultats expérimentaux afin d’étudier l’influence des impuretés métalliques sur les cellules au silicium monocristallin. Nous avons obtenu des informations sur l’or, le chrome, et établi l’évolution du rendement des cellules avec les concentrations en fer et or. Le fer est bien toléré, grâce aux effets getter. Ce n’est pas le cas de l’or, diffusant trop lentement. L’hydrogénation est limitée. L’étude a été transposée au multicristal. Le fer semble bien toléré, grâce aux effets getter et à l’hydrogénation, alors efficace. En présence de diffuseurs lents, ce matériau se dégrade thermiquement. Le silicium de type n pourrait résoudre ce problème puisqu’il est peu sensible aux impuretés métalliques.

Download or read book Jonctions ultra minces dans le silicium written by Larbi Laanab and published by . This book was released on 1993 with total page 272 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DE JONCTIONS ULTRA-MINCES DANS LE SILICIUM ELABOREES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT THERMIQUE RAPIDE. NOUS AVONS MONTRE QU'UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION PERMET D'ELIMINER L'EFFET DE CANALISATION, DE REDUIRE LA DIFFUSION ANORMALE ET D'ELIMINER LES DEFAUTS DU CENTRE DE LA JONCTION. NEANMOINS LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE, NECESSAIRE A L'ACTIVATION DU BORE, ABOUTIT A LA FORMATION D'UNE BANDE DE DEFAUTS EOR AU-DESSOUS DE L'ANCIENNE INTERFACE C/A. CES DEFAUTS DEGRADENT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA JONCTION ET AUGMENTENT SON COURANT DE FUITE. DANS UNE PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET PAR SIMULATION (MODELE CDED) L'AMORPHISATION DU SILICIUM PAR BOMBARDEMENT D'IONS ISOELECTRONIQUES (SI#+, GE#+, SN#+). CETTE ETUDE A ABOUTI A UNE MISE EN FORME ANALYTIQUE DE LA VARIATION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE AMORPHE EN FONCTION DES PARAMETRES D'IMPLANTATION (DOSE ET ENERGIE). CES RESULTATS PEUVENT ETRE EXPLOITES DANS UN SIMULATEUR DE PROCEDE. NOUS AVONS ENSUITE MONTRE, EN UTILISANT DES TECHNIQUES DE MET, QUE LES DEFAUTS EOR SONT BOUCLES DE DISLOCATION DE NATURES INTERSTITIELLES, LOGEANT DANS DES PLANS (111) ET AYANT DES VECTEURS DE BURGERS DE TYPE A/3111 OU A/2110. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES PRINCIPAUX MODELES, ISSUS DE LA LITTERATURE, QUI DECRIVENT LA FORMATION DE CES DEFAUTS. APRES AVOIR TESTE LA VALIDITE DE CHAQUE MODELE NOUS AVONS MONTRE QUE SEUL LE MODELE DIT D'EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA DENSITE D'EOR EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION. NOUS AVONS ENFIN ETUDIE LA VARIATION DE L'EXTENSION DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EN FONCTION DE LA RAIDEUR DU PROFIL DE BORE. NOUS MONTRONS AINSI QU'IL EST POSSIBLE DE CHOISIR DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION QUI PERMETTENT LA FORMATION DE DEFAUTS D'EOR HORS DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE