Download or read book EFFET DE LA STRUCTURE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES D OLIGOMERES CONJUGUES SEMI CONDUCTEURS APPLICATION A LA REALISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET DE DIODE ELECTROLUMINESCENTES written by RIADH.. HAJLAOUI and published by . This book was released on 1995 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE STRUCTURALE DES POLYMERES CONJUGUES MONTRE QUE LEUR DESORDRE MOLECULAIRE ET STRUCTURAL LIMITE LA QUALITE DE LEUR PROPRIETES ELECTRONIQUES, ET RESTREINT DONC LEUR EVENTUELLE APPLICATION A DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'UTILISATION DE SYSTEMES MOLECULAIRES STRUCTURALEMENT BIEN DEFINIS DEVRAIT PAR CONTRE PERMETTRE DE S'AFFRANCHIR DE CES DEFAUTS CHIMIQUES ET PHYSIQUES, ET D'AMELIORER AINSI L'EFFICACITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS CES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS. CETTE DEMARCHE EST ILLUSTREE ICI PAR L'ETUDE DU SEXITHIOPHENE (6T) ET DE SES DERIVES SUBSTITUES. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A LA DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES DE PREPARATION DES FILMS MINCES, PUIS DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES REALISES A PARTIR DE CES SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES, TELS QUE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHE MINCE ET DIODES ELECTROLUMINESCENTES. L'ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET OPTIQUES A MIS EN EVIDENCE QUE CES FILMS SONT POLYCRISTALLINS, ET QUE L'ORIENTATION DES CHAINES MOLECULAIRES SUR LE SUBSTRAT EST CONTROLEE PAR LA NATURE DU SUBSTRAT, PAR LA TEMPERATURE DE DEPOT ET PAR LA POSITION DE SUBSTITUTION DE GROUPES ALKYLES SUR CETTE MOLECULE (6T). LES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DU SEXITHIOPHENE ET DE SES DERIVES MONTRENT QUE POUR LE , -DIHEXYL-SEXITHIOPHENE, LA CONDUCTIVITE PRESENTE UNE ANISOTROPIE IMPORTANTE, ALORS QUE B,B'-DIHEXYL-SEXITHIOPHENE SE COMPORTE COMME UN ISOLANT. LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT UTILISEE LORS DU DEPOT DU FILM INFLUE SUR LA CONDUCTIVITE ET SUR LA MOBILITE DU SEXITHIOPHENE. LA MOBILITE PLUS FAIBLE DE 6T A TEMPERATURE AMBIANTE EST ATTRIBUEE A UNE PLUS GRANDE CONCENTRATION DE DEFAUTS TELS QUE JOINTS DE GRAINS. LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES, DONT LES COUCHES ACTIVES SONT CONSTITUEES DE SEXITHIOPHENE OU DE L'UN DE SES DERIVES, MONTRENT UN EFFET REDRESSEUR (SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE-P). LES CARACTERISTIQUES TRANSITOIRES MONTRENT UN COURANT CAPACITIF BREF, SUIVI D'UN COURANT PERMANENT DONNANT LIEU A EMISSION LUMINEUSE. DANS UNE STRUCTURE BICOUCHE, ON REMARQUE UNE AUGMENTATION DE L'EMISSION LUMINEUSE ET UNE AUGMENTATION DU RENDEMENT D'ELECTROLUMINESCENCE PAR RAPPORT A LA STRUCTURE MONOCOUCHE. L'INTENSITE DU SPECTRE D'ELECTROLUMINESCENCE ENREGISTRE POUR LA STRUCTURE BICOUCHE DANS LA GAMME 500-700 NM MONTRE QU'EN BAISSANT LA TEMPERATURE L'EMISSION AUGMENTE, CECI EST ATTRIBUE A UNE DIMINUTION DU RENDEMENT DES TRANSITIONS NON RADIATIVES

Download or read book Synth se et caract risations des propri t s spectroscopiques et lectroniques d oligom res fonctionnalis s de thioph ne written by Françoise Deloffre and published by . This book was released on 1996 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail a été de chercher à élucider les relations entre d'une part la structure et d'autre part les propriétés électriques et optiques de semi-conducteurs organiques, en vue de réaliser des dispositifs moléculaires pour l'électronique et l'optoélectronique. La disubstitution en bout de chaine de sexithiophenes par des groupes aliphatiques linéaires conduit à une augmentation importante de l'ordre cristallin, dans des films minces réalisés à partir de ces composés, attribuée à la forte reconnaissance des groupes alkyles lipophiles. Cette organisation structurale se traduit par une anisotropie élevée des propriétés de transport de charge (conductivité et mobilité) et par une valeur très élevée de la mobilité qui s'approche de celle du silicium amorphe hydrogène. Ainsi, ces résultats ont abouti à des transistors à effet de champ possédant des mobilités dix fois supérieures à celle du sexithiophene non substitué. Sur le plan des propriétés optiques, les fortes interactions intermoléculaires sont interprétées en termes d'un dédoublement de Davydov des niveaux électroniques, qui entraine une extinction quasi-totale de la photoluminescence, à partir du niveau excité de plus faible énergie. Par ailleurs, une même disubstitution par des groupes aliphatiques ramifiés ou encore la fonctionnalisation en position latérale par des groupes alkyles provoquent une diminution des interactions entre chaines conjuguées. Cet écartement, dû aux encombrements stériques des substituants, entraine un affaiblissement des propriétés de transport de charge, en particulier de la conductivité et de la mobilité. Par contre, cet espacement des chaines moléculaires tend à conférer aux molécules des propriétés de système isolé, caractérisé par une photoluminescence élevée. L'utilisation de ces matériaux, alliés à des composes transporteurs de charge, a permis l'élaboration de diodes electroluminescentes. Ces travaux sur les effets de substitution contrôlée sur un semi-conducteur organique conjugué mettent en évidence l'intérêt d'une approche de type ingénierie moléculaire, qui permet de contrôler les propriétés soit électriques, soit optiques ou électro-optiques de tels semi-conducteurs

Download or read book OLIGOMERES SEMI CONDUCTEURS written by XUE-ZHOU.. PEN and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE MEMOIRE RAPPELLE CE QU'IL FAUT SAVOIR SUR LES MATERIAUX MOLECULAIRES ET LEURS PROPRIETES DE TRANSPORT DE CHARGE ELECTRONIQUE. LES TECHNIQUES EXPERIMENTALES UTILISEES POUR REALISER LES DIODES ET LES TRANSISTORS A BASE DE MATERIAUX ORGANIQUES SONT EGALEMENT EXPOSEES. ENSUITE, LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE STRUCTURES OR/SEXITHIENYLE/OR ONT ETE MESUREES ET SONT EN BON ACCORD AVEC LES PREDICTIONS DU MODELE PREALABLEMENT ETABLI. LA MOBILITE DES PORTEURS DE CHARGE A ETE DEDUITE ET SE REVELE THERMIQUEMENT ACTIVEE: CE FAIT EST ATTRIBUE A LA PRESENCE D'UN PIEGE PEU PROFOND (0,2 EV AU-DESSUS DU BORD DE BANDE DE VALENCE). LE ROLE DE L'OXYGENE COMME CENTRE COMPENSATEUR DE PIEGES PERMET D'EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION SOUS ATMOSPHERE REDUITE. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHE MINCE UTILISANT DES ISOLANTS INORGANIQUES ET ORGANIQUES (MISFET-TFTS) A BASE D'OLIGOMERES SEMI-CONDUCTEURS ONT ETE REALISES ET ETUDIES. LES RESULTATS MONTRENT QU'IL EST POSSIBLE D'AMELIORER LES PERFORMANCES DES FETS PAR LE CHANGEMENT DU SEMI-CONDUCTEUR ET DE L'ISOLANT DE GRILLE UTILISES. ENFIN, LE PROBLEME DE L'OPTIMISATION DES TFTS EST ABORDE PAR UNE ANALYSE CRITIQUE DES PROPRIETES DES SEMI-CONDUCTEURS MOLECULAIRES ET CELLES DES ISOLANTS

Download or read book Fonctionnalisation du distyryl bithioph ne written by Yahia Didane and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La recherche de nouveaux semi-conducteurs organiques de type p et n stables à l'air, pour la réalisation de transistors à base de couche mince organique (OTFTs), demeure un enjeu majeure pour le développement de l'électronique organique. Récemment, il a été montré au laboratoire que les distyryl-oligothiophènes constituent une nouvelle classe de semi-conducteurs organiques de type p qui conduisent à des OTFTs présentant de très bonnes mobilités des porteurs de charge associées à une stabilité exceptionnelle des performances électriques à l'air au cours du temps. Au cours de ce travail de thèse plusieurs voies de synthèse ont été développées afin de fonctionnaliser le distyryl-bithiophène (DS2T) avec différents groupements fonctionnels dans le but d'évaluer leurs impacts sur les propriétés électriques des OTFTs. Après, un premier chapitre qui rappelle brièvement l'enjeu économique lié au développement des transistors basés sur les semi-conducteurs organiques et les différents points clés à résoudre, le second chapitre est consacré à la fonctionnalisation du DS2T par des groupements électro-attracteurs du type perfluoroalkyle ou cyano afin d'obtenir des semi-conducteurs de type n. Contrairement à ce qui était attendu, le comportement en film mince révèle un caractère soit isolant soit de type p. Outre les résultats expérimentaux, une étude en « Density Functional Theory » (DFT) visant à mieux comprendre les effets de ces groupements sur le DS2T est décrite. Au cours de la troisième partie, le DS2T a été fonctionnalisé aux extrémités par des chaînes hexyles pour permettre la fabrication des OTFTs par la voie liquide. Les processus de fabrication décrits offrent l'avantage d'être peu onéreux, tout en tirant parti des propriétés de cristal liquide pour une organisation moléculaire optimale dans la phase solide. Les performances des OTFTs préparés à la tournette, par dépôt par goutte et par jet de matière sont décrites et comparées à celles obtenues pour un OTFT préparé par évaporation sous vide. Enfin au cours de la dernière partie, une stratégie de synthèse a été développée pour rigidifier le coeur bithiophène dans le but d'accroître la planéité du semi-conducteur et donc d'améliorer l'empilement de type p dans la phase solide. Tout ceci affin d'accroitre les performances électriques des OTFTs. La structure RX du composé ponté (kite-DS2T) révèle une forme concave totalement inattendue dans la série oligothiophène. Malgré cette forme, a priori pénalisante, une amélioration par un facteur 5 de la mobilité de type p a été obtenue par comparaison au DS2T. Enfin, au cours de la dernière partie de ce chapitre, une première tentative de transformation au niveau moléculaire de ce nouveau semi-conducteur est décrite pour passer d'un système de type p à un système de type n.

Download or read book Etude des transistors effet de champ organiques written by Marjorie Morvan and published by . This book was released on 2020 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'utilisation de Transistors à Effet de Champ Organiques (OFETs) est de plus en plus attractive grâce à la possibilité de production de composants plus légers, fabriqués à un moindre coût et sur des substrats flexibles. Le fait de pouvoir coupler une fonction émission de lumière à une fonction transistor rend son utilisation d'autant plus intéressante. C'est le cas des applications d'affichage, où les pixels sont réalisés par une technologie de matrice active à diodes électroluminescentes organiques (AMOLED). Le fait d'avoir un OFET électroluminescent permet de combiner un OFET avec une diode électroluminescente organique (OLED) et donc de simplifier la conception, les étapes de fabrication ainsi que d'augmenter la durée de vie des pixels. Durant cette thèse, l'étude et la fabrication des OFETs émetteurs de lumière ont été menés selon deux approches. La première est basée sur l'étude d'OFETs ambipolaires à base de N,N'-ditridecyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide (PTCDI-C13), un semi-conducteur de type-n, et de pentacène, un semi-conducteur de type-p, ce qui constitue une première étape à l'obtention d'OFET électroluminescent. La fabrication et la caractérisation de ces OFETs ambipolaires ont été réalisées pour la première fois dans l'équipe de recherche du laboratoire. Une étude de leur structure a été menée pour trouver les paramètres idéaux à l'obtention d'un transport de charges équilibré. La structure optimisée est une structure bicouche avec une épaisseur de pentacène de 8 nm et une épaisseur de PTCDI-C13 de 20 nm. L'ajout d'une couche émettrice entre les deux semi-conducteurs n'a pas permis d'obtenir une émission de lumière à cause du piégeage de charges trop important. Cependant, ce travail a ouvert de nouvelles perspectives pour les futurs travaux sur les OFETs ambipolaires. La deuxième approche pour étudier les OFETs émetteurs de lumière est plus innovante grâce au changement de la structure des transistors organiques classiques par une structure verticale. Cette structure présente l'avantage de pouvoir intégrer facilement une structure OLED et d'avoir une émission de lumière homogène sur une grande surface. Le principe de fonctionnement est totalement différent des OFETs classiques : ici, la modulation du courant ne se fait plus par un contrôle de la conductivité dans un canal semi-conducteur, mais par un contrôle de l'injection de charges au niveau de l'électrode source. L'étude de cette structure a permis d'obtenir des transistors organiques lumineux. Ensuite, l'étude des mécanismes d'injection de charges a permis de mieux comprendre le fonctionnement de ces transistors. Plusieurs matériaux ont été testés en tant qu'électrode source : l'or, l'argent, l'aluminium et l'ITO (Indium Tin Oxyde). Cela a permis de déterminer le mécanisme d'injection mis en jeu, soit l'injection de charges par la modulation de l'effet tunnel grâce à la courbure de bande induite par l'effet de grille dans la couche semi-conductrice proche de l'interface. Il a également été identifié que la qualité de l'interface électrode source/semi-conducteur joue un rôle majeur puisqu'une mauvaise qualité d'interface entraîne une diminution drastique des performances.

Download or read book Semi conducteurs organiques d riv s de syst mes conjugu s bi et tridimensionnels written by Sophie Roquet and published by . This book was released on 2005 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la synthèse de différentes séries de systèmes conjugués bi et tridimensionnels afin d'aboutir à de nouvelles classes de matériaux semi-onducteurs organiques présentant des propriétés optiques et de transport de charge isotropes. Une première partie est consacrée à la synthèse de systèmes conjugués dérivés du 3,4-phénylénedioxythiophène afin d'aboutir à des polymères et oligomères solubles analogues du poly(3,4-éthylènedioxythiophène) mais dépourvus de carbones sp3. La plus large partie de ce travail décrit la synthèse de différentes séries de molécules de structure tridimensionnelle construites par fixation de systèmes conjugués linéaires sur un noeud central (silicium, carbone, phosphore et azote). Sur la base de l'analyse des propriétés électroniques et physico-chimiques de ces différentes classes de composés, les systèmes dérivés de la triphénylamine ont fait l'objet d'un travail de synthèse plus poussé et plusieurs de ces composés ont été utilisés comme matériau actif pour la réalisation de dispositifs organiques tels que transistors à effet de champ et cellules solaires.

Download or read book Transistor Effet De Champ Nanotubes De Carbone written by Fouad Sabry and published by One Billion Knowledgeable. This book was released on 2022-07-27 with total page 541 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Qu'est-ce qu'un transistor à effet de champ à nanotube de carbone Un transistor à effet de champ à nanotube de carbone, également connu sous le nom de CNTFET, est une sorte de transistor à effet de champ qui utilise un nanotube de carbone unique ou un réseau de nanotubes de carbone comme matériau de canal à la place du silicium en vrac, comme cela se fait dans la construction MOSFET conventionnelle. Depuis leur première exposition en 1998, la technologie CNTFET a connu des avancées significatives. Comment vous en bénéficierez (I) Insights et validations sur les sujets suivants : Chapitre 1 : Transistor à effet de champ à nanotube de carbone Chapitre 2 : Nanotube de carbone Chapitre 3 : JFET Chapitre 4 : Barrière Schottky Chapitre 5 : Mobilité électronique Chapitre 6 : Systèmes nanoélectromécaniques Chapitre 7 : Tension de seuil Chapitre 8 : Transistor à effet de champ organique Chapitre 9 : Conduction balistique Chapitre 10 : Cellule solaire hybride Chapitre 11 : Applications potentielles des nanotubes de carbone Chapitre 12 : Les nanotubes de carbone dans le photovoltaïque Chapitre 13 : Propriétés optiques des nanotubes de carbone Chapitre 14 : Nanomoteur à nanotubes de carbone Chapitre 15 : NanoIntegris Chapitre 16 : Conduction balistique dans les nanotubes de carbone à simple paroi Chapitre 17 : Transistor à effet de champ tunnel Chapitre 18 : Tran à effet de champ sistor Chapitre 19 : Nanotubes de carbone dans les interconnexions Chapitre 20 : Synthèse de nanotubes de carbone Chapitre 21 : Réseaux de nanotubes de carbone alignés verticalement (II) Répondre aux principales questions du public sur les transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. (III) Exemples concrets d'utilisation du transistor à effet de champ à nanotubes de carbone dans de nombreux domaines. ( IV) 17 annexes pour expliquer, brièvement, 266 technologies émergentes dans chaque industrie pour avoir une compréhension complète à 360 degrés des technologies des transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. À qui ce livre est destiné Professionnels, étudiants de premier cycle et diplômés, passionnés, amateurs et ceux qui veulent aller au-delà des connaissances ou des informations de base pour tout type de transistor à effet de champ à nanotubes de carbone.

Download or read book Composants lectroniques et nano structures base de mat riaux organiques mol culaires written by Kamal Lmimouni and published by . This book was released on 2006 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis ces dernières années, de nombreux travaux sur les matériaux organiques semiconducteurs et les architectures moléculaires ont permis la réalisation d'une nouvelle génération de composants (diodes électroluminescentes, transistors à effet de champ, cellules photovoltaïques, etc ... ) Les applications de ces dispositifs sont diverses et variées: les écrans plats organiques, l'adressage actif, les capteurs chimiques et biologiques, les cartes d'identification radiofréquence (RFID), etc..... Outre cet intérêt industriel, ces composants peuvent être également utilisés comme moyen d'étude des propriétés de transport électronique dans ces matériaux. La première partie de ce travail est dédiée aux diodes électroluminescentes organiques OLED. Nous proposons entre autre, l'utilisation d'une électrode de carbone adamantin DLC de faible valeur d'affinité électronique comme couche d'injection dans ces OLEDs. Nous réduisons ainsi les tensions de fonctionnement et augmentons de plus d'un ordre de grandeur les intensités de courant dans les diodes. Nous présentons également la réalisation de diodes à base de nouveaux copolymères thienylène-phénylènes et montrons des émissions de ces OLED dans les trois couleurs fondamentales du spectre visible. La deuxième partie concerne la réalisation de composants organiques bistables pour l'adressage d'écrans OLEDs. Nous mettons en évidence la réalisation d'une nouvelle architecture qui fonctionne avec une seule couche de matériau organique dans laquelle des nano particules métalliques ont été insérées par évaporation sous vide. Différentes caractérisations ont été menées sur ces dispositifs afin de comprendre la nature du courant dans les deux états de fonctionnement (haute et basse impédance) ainsi que le phénomène et les conditions de basculement du bistable. La troisième partie regroupe les travaux effectués dans le cadre de l'étude du transport à l'échelle nanométrique des structures organiques. Pour cela, nous présentons les étapes de réalisation de nano transIstors organiques à effet de champ et d'architectures moléculaires spécifiques (îlots mono moléculaires de pentacène). Outre la caractérisation électrique de ces structures, nous utilisons des techniques de caractérisation par sonde locale en champ proche (AFM, EFM, KPFM) afin d'établir la relation entre la morphologie des assemblages moléculaires et leurs propriétés de transport électronique. Nous mettons en évidence, à titre d'exemple, le caractère ambipolaire (transport P et N) dans ces architectures. Ce travail est accompagné par des simulations de type Monte Carlo effectuées en collaboration avec l'université de Rome.

Download or read book tude de l influence de la structure de polym res Pi conjugu s base de 2 7 carbazole sur les propri t s lectroniques dans les dispositifs photovolta ques written by Alexandre Michaud and published by . This book was released on 2009 with total page 324 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours des dernières années, de nombreux développements ont été réalisés dans le domaine de l'électronique organique par l'utilisation des polymères [pi]-conjugués. De meilleures performances en cellules photovoltaïques, en transistors organiques à effet de champ (OFET) et en diode électroluminescentes (DEL) ont été atteintes et de nouveaux matériaux ont émergé. Les polymères et oligomères à base de 2,7-carbazole, récemment développés, ont donné de bons résultats en OFET ainsi qu'en DEL, et ce, en raison de leur bonne mobilité en ce qui concerne les trous d'électrons. Ils n'ont toutefois pas encore été exploités en cellules photovoltaïques. De plus, de par leur structure, les polymères à base de 2,7-carbazole seraient supposés avoir des propriétés semblables au fluorène et pouvoir présenter un état liquide cristallin. Pour pouvoir être utilisés en cellules photovoltaïques, la largeur de bande interdite des polymères à base de 2,7-carbazole a d'abord dû être diminuée en copolymérisant différents comonomères, à base de thiophène. Cela a mené avec succès à des matériaux possédant une largeur de bande interdite (Eg) située entre 1,7 et 2,3 eV, ce qui a permis d'obtenir un taux de conversion énergétique de 0,8 % avec le PCPTDO. Pour améliorer la valeur de Eg ainsi que la solubilité des matériaux, de nouvelles chaînes latérales et de nouveaux comonomères ont été utilisés. Des chaînes branchées, alkyles et aryles, ont été greffées en position N du carbazole et le 4', 7'-di-2-thienyl-2', r, 3'-benzothiadiazole a été utilisé comme comonomère. Un taux de conversion énergétique de 3,6 % a été obtenu avec le PCDTBT Cgg et des indices d'organisation ont pu être décelés par l'observation de biréfringence en microscopie optique polarisée. Dans le but d'étudier une large gamme de comonomères et leur effet sur les propriétés électroniques et morphologique, une nouvelle série de copolymères a été synthétisée. Bien que les performances n'aient pas été améliorées, il a été possible de déterminer que l'état liquide cristallin existait pour le PCDTBT et le PCDTQx et que l'effet de celui-ci sur les propriétés des dispositifs était important. Il a été conclu que cet état liquide cristallin était dû à la solubilité ainsi qu'à la symétrie des polymères. Finalement, une tentative d'induire une organisation a été réalisée à l'aide de la technique de Langmuir-Blodgett sur des copolymères étalons de 2,7-carbazole et de fluorène. Cette technique s'est avérée peu efficace pour les dispositifs photovoltaïques, mais intéressante pour les transistors organiques à effet de champ.

Download or read book Analyse de la structure locale et propri t s optiques de semiconducteurs nitrures pour le d veloppement des diodes lectroluminescentes efficaces au del du vert written by Nicolas Chery and published by . This book was released on 2018 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les puits quantiques InGaN/GaN montrent la plus grande efficacité connue dans le bleu-UV et le défi actuel dans ce type de matériau est de pousser leur émission vers les grandes longueurs d'ondes. Ceci serait possible en augmentant la composition en indium, mais il faut alors gérer les contraintes résultantes. Ce travail a mis en œuvre la microscopie électronique en transmission et la diffraction des rayons X pour déterminer la composition chimique à l'intérieur des couches InGaN, le taux de relaxation et le type de défauts présents. Les résultats montrent qu'il n'y a pas de fluctuations de composition en indium dans les couches d'InGaN étudiées avec des taux d'indium de l'ordre de 20%. Ainsi, la différence d'émission des échantillons pourrait s'expliquer par la variation d'épaisseur des puits quantiques InGaN et laprésence de défauts. En effet, plusieurs types de défauts ont été observés et caractérisés tels que les pinholes ou des domaines de défauts plans selon leur origine. Dans les multicouches InGaN/GaN avec couches AlGaN compensatrices de contrainte,la diffraction des rayons X a montré que lorsque l'épaisseur des couches d'AlGaN augmente en gardant constante l'épaisseur entre les couches actives d'InGaN (avec une valeur d'environ 16-17 nm), les puits quantiques sont totalement contraints dans le plan de croissance et en dehors. Par microscopie électronique, nous montrons queleur relaxation se fait par formation aussi bien de défauts en domaines plans que de dislocation de type a. Ces dislocations se propagent des pits quantiques vers la surface, et la densité des défauts augmente avec l'épaisseur des couches d'AlGaN.

Download or read book Corr lation entre les propri t s optiques la structure lectronique et la morphologie des semi conducteurs organiques pi conjugu s written by Fatima Bencheikh and published by . This book was released on 2015 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le développement de la technologie des cellules photovoltaïques organiques nécessite des compétences diverses liées à l'ingénierie moléculaire, à l'ingénierie des interfaces, au contrôle et à la caractérisation de la morphologie des films, à l'optimisation de la structure du dispositif et à la compréhension de la photo-physique des matériaux utilisés. Dans ce contexte, le travail présenté dans cette thèse contribue à la compréhension des propriétés photo-physiques des matériaux organiques [pi]-conjugués et propose des outils de caractérisations optiques pour le suivi de la morphologie de ces matériaux. Dans un premier temps, une méthodologie rigoureuse de détermination des indices optiques des films organiques par ellipsométrie a été proposée. Les modèles utilisés en ellipsométrie ont ainsi été choisis en tenant compte des propriétés physiques des matériaux organiques [pi]-conjugués ce qui a permis de remonter à la structure électronique de dérivés de fullèrenes (PC60BM et PC70BM). Dans un second temps, nous avons associé des données ellipsométriques à des mesures complémentaires d'absorbance et de photoluminescence dans le cas de deux copolymères (PTB7 et PTB7-Th) en films et en solutions afin d'isoler les interactions inter et intra-chaînes. Nous avons démontré que la photo-physique de ces copolymères diffère de celle du P3HT. Nous avons montré que même en solution dans le chlorobenzène, le PTB7 et le PTB7-Th s'agrègent fortement. Ces agrégats, de type H, se cassent plus facilement dans les solutions de chlorobenzène à base de PTB7-Th que dans celles à base de PTB7.

Download or read book ETUDES DES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES DES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS III V DOPES AUX IONS TERRES RARES EN VUE DE LA REALISATIONN DE DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS written by DJELLOUL.. SEGHIER and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS PRESENTONS LES RESULTATS DES ETUDES DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE ET ELECTRONIQUE REALISEES SUR LES SEMICONDUCTEURS III-V (INP, GAAS, GAALAS) DOPES AUX IONS TERRES RARES (YB, ER, EU...). LE BUT DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE DE LA FAISABILITE DE NOUVEAUX COMPOSANTS ELECTROLUMINESCENTS REALISES A BASE DE CES MATERIAUX. SUR INP DOPE YB, NOUS AVONS MONTRE PAR SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE QUE L'ION YB#3#+ SE COMPORTE COMME UNE IMPURETE ISOVALENTE CAPABLE DE PIEGER A LA FOIS LES ELECTRONS ET LES TROUS. CETTE CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE EST EXPLOITEE POUR DISCUTER LES PROPRIETES OPTIQUES DE L'ION YB#3#+. DANS CE CADRE NOUS PROPOSONS UN MODELE POUR L'EXCITATION ET LA DESEXCITATION DE LA LUMINESCENCE INTRINSEQUE DE LA TERRE RARE. CE MODELE EST UTILISE POUR INTERPRETER LES RESULTATS OBTENUS SUR LES MATERIAUX GAAS ET GAALAS DOPES ER. A L'AIDE DE CETTE ANALYSE NOUS AVONS PU MONTRER DANS LE CAS DU MATERIAU GAALAS:ER QUE LA SECTION EFFICACE D'EMISSION STIMULEE QUE NOUS AVONS MESUREE (10##1#9 CM#2) EST BIEN TROP FAIBLE POUR ENVISAGER DES APPLICATIONS LASER. EN CE QUI CONCERNE LES APPLICATIONS DIODE ELECTROLUMINESCENTE, LES MECANISMES DE PERTES NON RADIATIVES DE TYPE AUGER QUE NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE PAR DES TECHNIQUES OPTIQUES REDUISENT CONSIDERABLEMENT LE RENDEMENT QUANTIQUE DE CES DISPOSITIFS. A LA LUMIERE DE CES RESULTATS, NOUS DISCUTONS LES POTENTIALITES DE CES MATERIAUX

Download or read book Caract risation lectrique et optique d h t rostructures Si SiGe Si pour applications aux transistors effet de champ canal p SiGe grille isol e ou non isol e written by Hugo Gamez-Cuatzin and published by . This book was released on 1998 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous avons étudié les propriétés optiques et électroniques des hétérostructures Si/SiGe dans le but de les appliquer aux dispositifs de la microélectronique silicium. Nous avons analysé le comportement de ces hétérostructures dans le transistor à effet de champ (TEC). L'hétérostructure a été étudiée principalement par photoluminescence et par DLTS. Nous avons mis en évidence l'effet de la température d'épitaxie de l'alliage SiGe : les couches déposées à des températures Tc proches de 610 °c présentent une forte concentration de défauts profonds. La qualité des couches est améliorée par le dépôt à plus haute température (Tc=700 °C). Nous avons déduit la discontinuité de bandes de valence (ΔEv) entre le Si et le Si Ge des caractérisations opto-électroniques de puits quantiques Si/SiGe intégrés dans les capacités métal-oxydesemiconducteur (MOS). Nous avons mis au point une technologie de fabrication de TECs sur une structure à dopage modulé Si/SiGe en configuration de grille non isolée (Schottky). Les composants ont été caractérisés par mesures de courant-tension, spectroscopie de transitoires de courant et mesures de dispersion de conductance. Un courant de fuite important est présent dans ces composants. L'isolement de la grille est une alternative pour s'affranchir de ce problème. Ainsi, sur les transistors à effet de champ à canal p-SiGe à grille isolée (MOS) nous avons mesuré le courant d'émission de porteurs en provenance du puits Si/SiGe. L'ensemble de ces résultats contribue à la compréhension des phénomènes physiques impliqués dans les composants à hétérostructures Si/SiGe.

Download or read book Propri t s opto lectroniques de LEDs nanofils coeur coquille InGaN GaN written by Pierre Lavenus and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nitrures d'éléments III, à savoir GaN, InN, AlN et leurs alliages, forment une famille de matériaux semi-conducteurs dont les propriétés sont particulièrement intéressantes pour la réalisation de diodes électroluminescentes (LEDs). Leur intérêt réside en particulier dans leur bande interdite qui est directe et qui couvre une large bande spectrale de l'infrarouge (0,65eV pour InN) à l'ultraviolet (6,2eV pour AlN). En raison de l'absence de substrats accordés en maille avec ces matériaux, les couches minces hétéroépitaxiées de nitrure sont généralement touchées par des problèmes de qualité cristalline. Grâce au phénomène de relaxation des contraintes en surface, les nanofils offrent une solution prometteuse pour résoudre ce problème. Ils combinent de nombreux autres avantages : en comparaison des couches minces, l'efficacité quantique interne des LEDs peut être améliorée (surface effective plus importante permettant de diminuer l'effet Auger à courant injecté identique, absence de champ de polarisation en utilisant les facettes non polaires des nanofils) et l'extraction des photons est facilitée par l'effet guide d'onde des nanofils. Cependant, une des difficultés est de parvenir à contrôler la synthèse de ces nano-objets pour garantir une homogénéité des propriétés structurales d'un fil à l'autre et au sein d'un même fil. Dans ce contexte, mon travail de thèse a consisté à étudier d'un point de vue expérimental et théorique l'impact des inhomogénéités structurales sur les propriétés optoélectroniques de dispositifs à nanofils de type LED. J'ai pu mettre en évidence et modéliser un effet de concentration du courant dans les régions riches en indium lorsque les courants injectés sont modérés. Pour de forts courants, le courant se concentre à proximité du contact sur la coquille dopée p. Théoriquement, j'ai montré que la dérive des porteurs de charge dans les puits quantiques et leur diffusion unipolaire et ambipolaire en présence d'un gradient de compositions des puits étaient négligeables. Par ailleurs, je me suis également intéressé à l'interprétation des caractéristiques courant-tension. A l'aide d'un modèle simple, j'ai également identifié la présence de courant de fuite par effet tunnel dans des structures présentant une densité importante de défaut. Dans une seconde partie de ma thèse, je me suis également intéressé à la caractérisation de nanofils à structure coeur-coquille par la technique de courant induit par faisceau d'électrons (Electron Beam Induced Current). La dépendance des cartographies EBIC en fonction de la tension appliquée et de l'énergie du faisceau incident a été modélisée. Ce travail m'a notamment amené à proposer une nouvelle méthode de caractérisation permettant de cartographier les résistivités du coeur et de la coquille des nanofils.

Download or read book Ing nierie mol culaire d oligothioph nes pour l lectronique plastique written by Yohann Nicolas and published by . This book was released on 2004 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les systèmes conjugués font l'objet d'un effort croissant de recherche motivé par la possibilité de réaliser de nouveaux dispositifs électroniques en mettant à profit leur propriété de semi-conducteur associée à la flexibilité des matériaux organiques. Ce travail porte sur la synthèse et la caractérisation de nouveaux oligothiophènes mono (1D) ou bidimensionnels (2D). Après une introduction aux systèmes conjugués, la première partie bibliographique est consacrée aux voies de synthèse des poly- et oligothiophènes ainsi qu'à leurs applications en électronique plastique. La deuxième partie est relative à la synthèse d'oligothiophènes 1D substitués en positions terminales par des motifs benzo[b]thiophène ou naphto[b]thiophène dans le but d'analyser l’influence de ces groupes sur les propriétés électroniques de ces systèmes conjugués, leur stabilité thermique et la structure des films correspondants. La dernière partie de ce travail porte sur le développement et la caractérisation d'une série d'oligothiophènes 2D de symétrie C3h avec un cœur de type trithiénobenzène. L'analyse de leurs propriétés électroniques et celle de l'organisation moléculaire de films réalisés à partir de ces composés a montré que les oligothiophènes 2D étaient particulièrement adaptés à l'élaboration de cellules photovoltaïques performantes alors que les oligothiophènes 1D, décrits précédemment, constituaient des semi-conducteurs de choix pour la réalisation de transistors organiques à effet de champ.

Download or read book R alisation et caract risation de composants luminescents base de semiconducteurs organiques written by Laurent Berthelot and published by . This book was released on 1999 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur l'étude de diodes électroluminescentes organiques (OLED). L'accent a été mis sur la compréhension des caractéristiques de transport ainsi que le contrôle de la couleur. Deux types de composants luminescents très différents ont été réalisés et étudiés : des OLED à hétérojonctions PVK/Alq3 et des diodes hybrides GaN/Organiques. Dans un premier temps, les différentes familles de matériaux ainsi que leurs principales caractéristiques sont présentées. Nous décrivons ensuite l'état de l'art et les limitations de ces structures organiques. La partie expérimentale décrit en détail la technologie des composants, les matériaux utilisés, leurs méthodes de mise en oeuvre ainsi que les caractéristiques physiques et électro-optiques effectuées. Les propriétés électriques et électro-optiques des OLED ont été étudiées en fonction des divers paramètres de réalisation : traitement des substrats, choix de conducteur de trous, épaisseur des couches, nature de l'hétérostructure. Les résultats ont été analysés sur la base des modèles de conduction compatibles avec les semi-conducteurs organiques (charge d'espace ou mobilité dépendante du champ électrique) afin d'identifier les modes de conduction dominants. Dans le but de contrôler la couleur d'émission, deux méthodes ont été évaluées : le dopage d'une des couches de transport par un colorant laser et l'utilisation de couche de recombinaison (oligomère de PPV) insérée entre les deux couches de transport. Les couleurs ont pu être ajustées du vert vers l'orange. Des structures hybrides intégrant des diodes GaN et de matériaux luminescents organiques et inorganiques ont été réalisées. Des composants émettant soit une lumière blanche soit une lumière contrôlable du bleu à l'orange ont été obtenus.

Download or read book Organic Solid State Lasers written by Sébastien Forget and published by Springer. This book was released on 2013-07-03 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.