Download or read book Diode Schottky sur silicium amorphe hydrog n written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1979 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RAPPELS THEORIQUES SUR LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. ETUDE THEORIQUE DE LA DIODE SCHOTTKY SUR SIH. PREPARATION DU MATERIAU ET DES DIODES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES DIODES. PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES. EFFET D'UN ECLAIREMENT PLUS OU MOINS PROLONGE
Download or read book DIODES SCHOTTKY SUR SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by Tahar Abachi and published by . This book was released on 1987 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DEPOSEES PAR DECHARGE PLASMA ONT ETE CARACTERISEES PAR MESURES D'ABSORPTIONS OPTIQUE, IR, DE SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS (ESCA XPS), DE RESISTIVITE ET DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE AINSI QUE PAR ETUDE DE DIODES SCHOTTKY
Download or read book Capacitance spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes and high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Olga Maslova and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l'étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d'une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d'états dans le gap du a-Si:H est d'une grande importance car il s'agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d'étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d'états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l'étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d'extraire la densité d'états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l'étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l'existence d'une couche d'inversion forte à l'interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu'un des ces échelons est attribué à l'activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l'autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d'inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l'objet d'une discussion. Nous mettons en relief le fait que l'approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l'existence de la couche d'inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d'inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d'inversion forte dans les échantillons étudiés.
Download or read book Etude des centres profonds du silicium amorphe hydrog ne a Si H par des mesures d admittances de diodes Schottky written by Jean-Paul Kleider and published by . This book was released on 1987 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DDétermination des caractéristiques du silicium amorphe hydrogène par mesure et analyse des admittances de diodes Schottky fournies sur ce matériau: densité d'états en-dessous et au niveau de fermi avec section de capture efficace des électrons et énergie d'activation du matériel
Download or read book MESURE DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES TROUS DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A PARTIR DE LA PHOTOREPONSE SPECTRALE DE DIODES SCHOTTKY written by MOHAMED.. HADRAMI and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES (ICI LES TROUS), LP, EST UN PARAMETRE ESSENTIEL DES PHOTOPILES. L'EXPERIENCE SPV (SURFACE PHOTOVOLTAGE) DERIVEE DE LA PHOTOREPONSE SPECTRALE, EST UNE TECHNIQUE PERMETTANT DE DETERMINER DIRECTEMENT CE PARAMETRE. CETTE TECHNIQUE A ETE LARGEMENT UTILISEE DANS LE CAS DES SILICIUMS CRISTALLINS. NOTRE TRAVAIL A CONSISTE A ETUDIER L'ADAPTATION DE CETTE TECHNIQUE AU CAS DES SEMICONDUCTEURS A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, NOS MESURES AYANT ETE EFFECTUEES SUR DES DIODES SCHOTTKY. POUR DE TELS MATERIAUX, IL EST NECESSAIRE DE REDUIRE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE ET, POUR CE FAIRE, ON ECLAIRE LA DIODE PAR UN FLUX CONTINU DE FORTE INTENSITE, SUPERPOSE A UN FAISCEAU DE TEST MONOCHROMATIQUE DE FAIBLE INTENSITE. POUR DISTINGUER LES DEUX FAISCEAUX, ON DOIT DONC UTILISER UNE TECHNIQUE DE MODULATION ET DE DEMODULATION SYNCHRONE. NOUS AVONS COMPLETEMENT AUTOMATISE CETTE EXPERIENCE. CECI NOUS A PERMIS D'ETUDIER EN DETAIL L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE MESURE TELS QUE L'INTENSITE DU FLUX CONTINU ET LA FREQUENCE DE MODULATION DU FAISCEAU DE TEST. EN ETUDIANT L'INFLUENCE DE L'INTENSITE DU FLUX CONTINU, NOUS AVONS MONTRE QUE LA MESURE OBTENUE EST UNE VALEUR APPARENTE DE LP, DIMINUANT LORSQUE L'INTENSITE AUGMENTE ET DEVENANT INDEPENDANTE DE CELLE-CI A PARTIR D'UNE CERTAINE INTENSITE (DE L'ORDRE DE 1 SOLEIL, SOIT 100 MW?CM##2 ENVIRON). PAR AILLEURS, NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX NOUS ONT AMENES A PRENDRE EN COMPTE L'INFLUENCE DU CONTACT ARRIERE DE LA DIODE QUI PEUT APPORTER UNE CONTRIBUTION PERTURBANT LA MESURE. CECI NOUS A CONDUIT A APPLIQUER UNE METHODE DE MESURE DIFFERENTIELLE, AVEC LA PRESENCE D'UN TROISIEME FLUX CONTINU, AFIN DE S'AFFRANCHIR DE L'INFLUENCE DU CONTACT ARRIERE. ENFIN NOUS AVONS UTILISE CETTE TECHNIQUE POUR ETUDIER L'INFLUENCE DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS DES ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM AMORPHES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QUE LA LONGUEUR DE DIFFU
Download or read book Fonctionnement photovolta que de diodes Schottky sur silicium amorphe hydrog n et cristallin written by Régine Basset and published by . This book was released on 1980 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE CINETIQUE DES ETATS A L'INTERFACE SILICIUM-ISOLANT SUR LA REPONSE PHOTOVOLTAIQUE DES DIODES MIS SUR CRISTAL. ETUDE DES DIODES SCHOTTKY SUR ASIH. RAPPEL DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE ASIH, ET ANALYSE THEORIQUE DE LA DIODE SCHOTTKY ASIH. PREPARATION DU MATERIAU ET DES DIODES ET METHODES EXPERIMENTALES UTILISEES. INTERPRETATION DES CARACTERISTIQUES I(V) DES DIODES SOUS LUMIERE. ANALYSE DES RDTS DE COLLECTION DES PORTEURS EN FONCTION DE L'ABSORPTION OPTIQUE
Download or read book Catalogue EUR Documents written by Commission of the European Communities and published by . This book was released on 1980 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Diode Schottky sur silicium amorphe hydrog n written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1979 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book R ponse spectrale des diodes schottky sur silicium amorphe hydrog n written by Mario Miki Yoshida and published by . This book was released on 1984 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Etude de la diode Schottky photovolta que sur silicium amorphe hydrog n written by Simon Deleonibus and published by . This book was released on 1982 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA CINETIQUE DES ETATS PROFONDS DANS ASIH ET DU TRANSPORT DANS LA DIODE SCHOTTKY SUR ASIH. DEFINITION D'UN NOUVEAU MOYEN DE CARACTERISATION DU PROFIL DE DENSITES D'ETATS AUTOUR DU NIVEAU DE FERMI ET ETUDE DE LA DIODE EN REGIME DE FORTE INJECTION LIMITEE PAR LA CHARGE D'ESPACE. ETUDE DES PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES DES DIODES ETUDIEES ET DES EFFETS INDUITS PAR LA LUMIERE DANS ASIH
Download or read book Energy written by and published by . This book was released on 1979 with total page 890 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A selection of annotated references to unclassified reports and journal articles that were introduced into the NASA scientific and technical information system and announced in Scientific and technical aerospace reports (STAR) and International aerospace abstracts (IAA).
Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Download or read book Contribution l tude de la densit d tats localis s du silicium amorphe hydrog n written by Jean Dijon and published by . This book was released on 1984 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU
Download or read book Euroabstracts written by and published by . This book was released on 1983 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Download or read book Contribution l tude de m thodes de caract risation de diodes barri re de Schottky labor es sur silicium amorphe hydrog n written by Pierre Capdevila and published by . This book was released on 1979 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
