Download or read book Diffusion acceleree et transitoire du bore dans le silicium influence des defauts etendus et de la surface de la plaquette written by Mourad Omri and published by . This book was released on 1999 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Mod lisation de la diffusion acc l r e et transitoire du bore implant basse nergie dans les dispositifs submicroniques silicium written by Ambre Dusch and published by . This book was released on 2002 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est une contribution à l'étude des jonctions ultra minces p+n par implantation de bore sous forme B+ et BF2+ dans du silicium cristallin ou préamorphisé, suivie d'un recuit thermique rapide. Le premier chapitre traite des aspects technologiques et physiques des jonctions p+n. Nous nous sommes intéressés au phénomène de canalisation du bore et au choix de l'élaboration de ces jonctions. Le chapitre II présente les lois et mécanismes de diffusion des dopants, ainsi qu'un historique. La diffusion accélérée et transitoire est expliquée, ainsi que les défauts impliqués. Le chapitre III représente le cœur de notre travail : La première partie justifie le choix de l'outil PROMIS. La deuxième développe les phénomènes incorporés au modèle général à travers la modélisation de M. Uematsu. Enfin, en dernière partie, la diffusion du bore dans le cas d'une implantation de BF2+ est modélisée par la prise en compte de complexes impliquant le fluor et le bore en position interstitielle.
Download or read book Oxydation du silicium written by Georges Charitat and published by . This book was released on 1982 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SILICIUM, DOPE PAR IMPLANTATION DE BORE EST RECUIT SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE DE VAPEUR D'EAU. LES PROFILS DE REDISTRIBUTION, CARACTERISES PAR SONDE IONIQUE METTENT EN EVIDENCE UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION DU BORE POUR LES ZONES OXYDEES PAR RAPPORT AUX ZONES PROTEGEES DE L'OXYDATION. CE PHENOMENE EST RELIE A UNE GURSATURATION EN INTERSTITIELS DE SILICIUM GENERES A L'INTERFACE SI-SIO::(2), DANS LE SILICIUM, LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE. UNE ETUDE ORIGINALE DE L'EVOLUTION DES CONTRAINTES DANS LE SILICIUM EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES DE DIFFUSION EST PROPOSEE METTANT EN JEU LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS L'OXYDE PAR FLUX VISQUEUX DE CELUI-CI. CE MODELE PERMET DE DECRIRE PARFAITEMENT LE COMPORTEMENT QUALITATIF DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, MAIS LE MANQUE DE DONNEES SUR LA VISCOSITE DE L'OXYDE ET LES CONTRAINTES ENGENDREES DANS LE SIO::(2) NE PERMETTENT PAS UNE VERIFICATION QUANTITATIVE DE NOTRE THEORIE. D'AUTRE PART, LA SEGREGATION DU BORE A L'INTERFACE SI-SIO::(2) EST ETUDIEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE POUR DES OXYDES STATIQUES. UNE EXPRESSION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION, M, EN FONCTION DES PRESSIONS REGNANTES DANS L'OXYDE EST DONNEE. CELLE-CI PERMET DE DECRIRE LES VARIATIONS DE M AVEC LA TEMPERATURE OBSERVEES EXPERIMENTALEMENT
Download or read book Mod lisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la r alisation de jonctions fines written by Frédéric Boucard and published by . This book was released on 2003 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse présente la modélisation d'une étape particulière des procédés mis en œuvre en microélectronique: la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est consacré à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites, en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts {113}, boucles de dislocation) dans la diffusion accélérée et transitoire du bore. Ces travaux ont consisté à modéliser la croissance compétitive de type maturation d'Ostwald que se livrent ces agglomérats au cours du recuit et à le coupler à la diffusion du dopant. De plus, on a pu observer lors d'implantations à forte dose, la formation d'agglomérats de bore engendrant une immobilisation et une inactivation du dopant. Pour intégrer la formation de ces agglomérats, nous avons considéré la formation d'amas mixte de bore et d'interstitiels de type BnIm. A partir de récents calculs ab-initio tirés de la littérature, nous avons pu extraire les énergies de formation ainsi que les différents états de charges de ces amas mixtes de bore et d'interstitiels. Ce dernier modèle, couplé aux deux autres, a été validé à partir de divers résultats expérimentaux.
Download or read book Contribution la mod lisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium written by Eric Vandenbossche and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.
Download or read book Mod lisation et caract risation des ph nom nes de diffusion du bore dans le silicium written by André Dequidt and published by . This book was released on 1973 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Contribution l tude de la diffusion des atomes de bore dans le silicium written by Jean Bodinaud and published by . This book was released on 1972 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Ing nierie de d fauts ponctuels pour le contr le de la diffusion et de l activation du Bore dans le Silicium written by and published by . This book was released on 2007 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réalisation des futurs transistors MOS exige la formation de jonctions de plus en plus minces et de plus en plus dopées. Pour fabriquer des jonctions p+/n le Bore est implanté puis recuit, et c'est au cours de ce recuit qu'apparaissent des anomalies de diffusion, alors que le Bore reste peu activé. Ces problèmes sont dus à la présence et à l'évolution de fortes sursaturations d'interstitiels de Silicium. Nous proposons alors, dans le cadre de cette thèse, de développer des stratégies d'ingénierie de défauts ponctuels afin de contrôler la diffusion et l'activation du Bore dans le Silicium au cours du recuit. Dans le cas où nous sursaturons en Silicium interstitiels la région où est implanté le Bore, la diffusion du Bore est accélérée, alors que sous certaines conditions le taux d'activation du Bore se dégrade. La présence de fortes concentrations de lacunes, injectées avant l'implantation du Bore ou pendant le recuit, permet de réduire et quelquefois de supprimer la diffusion du Bore tout en améliorant son activation. Nous comparons ces situations hors-équilibre et jetons les bases d'une modélisation des phénomènes. L'ingénierie de lacunes apparaît comme une voix prometteuse pour la réalisation de jonctions performantes.
Download or read book ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE DANS LE SILICIUM SOUS IRRADIATION DE PROTONS written by F.. VOILLOT SAINT YVES and published by . This book was released on 1977 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.
Download or read book D termination de profil de diffusion de bore dans le silicium l aide de l analyseur ionique Castaing Slodzian written by and published by . This book was released on 1972 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book D termination de profil de diffusion de bore dans le silicium l aide de l analyseur ionique Castaing Slodzian written by Jean-Baptiste Quoirin and published by . This book was released on 1972 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Proc d s thermiques rapides written by Francois Marou and published by . This book was released on 1990 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE
Download or read book Dictionary of Building and Civil Engineering written by Don Montague and published by Taylor & Francis. This book was released on 1996 with total page 472 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.
Download or read book An Introduction to Differential Manifolds written by Jacques Lafontaine and published by Springer. This book was released on 2015-07-29 with total page 408 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book is an introduction to differential manifolds. It gives solid preliminaries for more advanced topics: Riemannian manifolds, differential topology, Lie theory. It presupposes little background: the reader is only expected to master basic differential calculus, and a little point-set topology. The book covers the main topics of differential geometry: manifolds, tangent space, vector fields, differential forms, Lie groups, and a few more sophisticated topics such as de Rham cohomology, degree theory and the Gauss-Bonnet theorem for surfaces. Its ambition is to give solid foundations. In particular, the introduction of “abstract” notions such as manifolds or differential forms is motivated via questions and examples from mathematics or theoretical physics. More than 150 exercises, some of them easy and classical, some others more sophisticated, will help the beginner as well as the more expert reader. Solutions are provided for most of them. The book should be of interest to various readers: undergraduate and graduate students for a first contact to differential manifolds, mathematicians from other fields and physicists who wish to acquire some feeling about this beautiful theory. The original French text Introduction aux variétés différentielles has been a best-seller in its category in France for many years. Jacques Lafontaine was successively assistant Professor at Paris Diderot University and Professor at the University of Montpellier, where he is presently emeritus. His main research interests are Riemannian and pseudo-Riemannian geometry, including some aspects of mathematical relativity. Besides his personal research articles, he was involved in several textbooks and research monographs.
Download or read book Gas cooled Nuclear Reactors written by France. Commissariat à l'énergie atomique and published by . This book was released on 2006 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Aeronomy written by P. M. Banks and published by Elsevier. This book was released on 2013-09-24 with total page 445 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Aeronomy, Part A is an attempt to make a comprehensive exposition of the processes in aeronomy, the study of composition, movement, and thermal balance of the upper regions of the planetary atmosphere. The text covers topics such as atmospheric regions and atmospheric density, the temperature and molecular mass of the atmosphere; the permanent constituents and the molecular and isotonic composition of the homosphere; and the transition from the homosphere to the heterosphere. Also covered are topics such as the temperature gradient and energies in the thermosphere, conditions at 200km and above 250km, solar radiation and ionization, and aeronomic reactions. The book is recommended for scientists, especially natural physicists, who would like to know more about the field of aeronomy and its advances.
Download or read book UCRL written by U.S. Atomic Energy Commission and published by . This book was released on 19?? with total page 26 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
