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Book D  veloppement et   tude de transistors bipolaires    h  t  rojonctions Si SiGe C pour les technologies BiCMOS millim  triques

Download or read book D veloppement et tude de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe C pour les technologies BiCMOS millim triques written by Boris Geynet and published by . This book was released on 2008 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonctions (TBH) Si/SiGe:C disponibles aujourd'hui dans les technologies BiCMOS atteignent des fréquences de coupure fT et fmax supérieures à 200GHz. Cela leur permet d'adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu'à 100GHz telles que les radars anticollision pour l'automobile et les communications optiques et sans fil à haut débit. Cette thèse a pour objet le développement et l'étude de TBH Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques. Après un rappel des principes de fonctionnement du transistor bipolaire, nous montrons les méthodes de fabrication, caractérisation et modélisation des dispositifs de dernière génération. Les architectures choisies et les performances obtenues par les principaux acteurs du marché sont détaillées. Nous présentons ensuite des études menées pour le développement de la technologie BiCMOS9MW de STMicroelectronics. Une version faible-coût du TBH rapide ainsi qu'un dispositif haute-tension compatible avec la technologie sont présentés et les résultats à l'état de l'art obtenus sur les deux architectures sont montrés. Nous étudions également l'impact des variations des paramètres technologiques et de la géométrie des dispositifs sur les principales caractéristiques de ces composants. La dernière partie de ce travail de thèse est consacrée au développement de nouvelles solutions technologiques afin d'améliorer encore la fréquence de transition des TBH Si/SiGe:C. Un optimisation du profil vertical du TBH a pu être réalisée grâce au développement d'un nouveau module de collecteur utilisant une épitaxie sélective et la réduction du budget thermique vu par les dispositifs durant leur fabrication. Cette dernière étude a permis d'atteindre une fréquence de transition fT· supérieure à 400GHz à température ambiante, ce qui représente la meilleure performance obtenue à ce jour pour un transistor en technologie silicium.

Book   tudes et d  veloppement de transistors bipolaires Si SiGe

Download or read book tudes et d veloppement de transistors bipolaires Si SiGe written by Élodie Canderle and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail de cette thèse s'inscrit dans le contexte du développement de la technologie BiCMOS055 en plateforme 300 mm, première technologie BiCMOS en nœud 55 nm au monde, avec des fréquences caractéristiques fT / fMAX = 320 / 370 GHz. Une première partie présente l'étude de différentes solutions visant à réduire la résistance de base extrinsèque de l'architecture DPSA-SEG afin d'améliorer la fréquence maximale d'oscillation fMAX. Nous montrons alors que changer la nature des matériaux n'apporte pas d'amélioration, mais que l'ajout de différents recuits après réalisation de la base intrinsèque permet d'augmenter significativement les performances du transistor tout en restant compatible avec les transistors MOS. La seconde partie de ce travail s'est attachée à démontrer les potentialités d'un transistor avec un module collecteur totalement implanté, où couche enterrée et tranchées d'isolation profondes ont été retirées. Les résultats obtenus montrent qu'il est possible, en optimisant le dessin des structures, d'obtenir des fT et fMAX atteignant respectivement 96% et 91% des paramètres de la technologie de référence. Enfin la dernière partie présente l'étude de l'impact des interconnexions métalliques sur les paramètres électriques du transistor sous-jacent. Il en ressort que la contrainte mécanique a un impact significatif, mais que les interconnexions influencent peu le comportement thermique du composant.

Book D  veloppement et   tude de transistors bipolaires    h  t  rojonctions Si SiGeC de type pnp sur substrats SOI minces

Download or read book D veloppement et tude de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGeC de type pnp sur substrats SOI minces written by Julien Duvernay and published by . This book was released on 2008 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Récemment, les transistors bipolaires de type pnp sur silicium ont connu un regain d’intérêt avec le développement des technologies BiCMOS complémentaires. De plus, en utilisant un substrat SOI mince au lieu d’un substrat massif, les caractéristiques des transistors MOS et des composants passifs s’en trouvent améliorées. Le travail effectué durant cette thèse a pour objet la mise au point et l’étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur SOI mince performants, en vue de leur intégration dans une technologie BiCMOS SiGe complémentaire sur SOI mince

Book Transistor bipolaire Si SiGe C en n  ud CMOS avanc   pour applications  sub  millim  triques

Download or read book Transistor bipolaire Si SiGe C en n ud CMOS avanc pour applications sub millim triques written by Thomas Lacave and published by . This book was released on 2011 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe offerts dans les technologie BiCMOS actuellement en production atteignent des fréquences maximales d’oscillation fMAX proches de 300 GHz. Il est ainsi possible d’adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu’à 100 GHz, telles que les radars anticollision pour automobiles (77 GHz), les communications optiques (100 Gb/s) et sans fil haut débit (60 GHz) avec ces technologies BiCMOS. L’objectif des travaux présentés dans ce manuscrit était d’améliorer les performances en fréquences des TBH Si/SiGe, et plus particulièrement fMAX, afin de préparer la prochaine génération de technologie BiCMOS. Tout d’abord, les principes de fonctionnement du transistor bipolaire sont rappelés et l’architecture du composant étudié est présentée. Les différents paramètres définissant le profil de dopage sont étudiés et leurs influences sur les performances fréquentielles du transistor et notamment sur le compromis entre la fréquence de transition du gain en courant fT et fMAX. sont détaillées. La réduction des dimensions latérales du transistor dont le but est de diminuer les résistances et capacités parasites a fait l’objet d’une étude dont les résultats ont montré les bénéfices, mais également les limitations, quant à l’augmentation de fMAX. Ces études ont permis de démontrer la faisabilité d’intégrer un TBH de fT ~ 300 GHz et fMAX ~ 400 GHz dans un nœud CMOS 55 nm. Enfin, les différentes générations de composant mis au point pendant ces travaux, pour lesquelles des valeurs de fT entre 250 GHz et 320 GHz, et des valeurs de fMAX entre 330 GHz et 420 GHz, sont comparées entre elles ainsi qu’à la technologie BiCMOS9MW (fT = 220 GHz, fMAX = 280 GHz) actuellement en production. Cette comparaison concerne les performances en bruit et en puissance (grand signal) aux fréquences millimétriques. Les bénéfices de nos travaux ont également été démontrés à travers les résultats de circuits réalisés par des partenaires universitaires. Un de ces circuits a notamment été utilisé pour la fabrication d’un démonstrateur d’imagerie active à 160 GHz.

Book D  veloppement et   tude de transistors bipolaires    h  t  rojonctions Si SiGe verticaux sur substrats SOI minces

Download or read book D veloppement et tude de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe verticaux sur substrats SOI minces written by Grégory Avenier and published by . This book was released on 2006 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications radio-fréquences nécessitent le développement de technologies BiCMOS sur SOI. Cette étude a pour objectif l'intégration d'un transistoir bipolaire dans une technolgie 0.13um sur substrat SOI. Le choix de l'architecture s'est porté sur une structure émetteur-base auto-alignée et un collecteur implanté. Les transistoirs fabriqués ont montré un comportement particulier résultant de la faible épaisseur du collecteur, localisé dans la couche supérieure du SOI. Ce fonctionnement atypique a pu être expliqué grâce à une étude de l'avalanche du collecteur. Une série d'optimisation a ainsi été proposée, grâce à la compréhension des mécanismes de désertion dans le collecteur, et un modèle compact a été développé à partir du modèle HiCUM, en adaptant la topologie du collecteur. Finalement, cette étude a donné lieu au développement d'une technologie BiCMOS complète intégrant des transistors MOS complémentaires et les transistors bipolaires issus de cette étude.

Book Etude et d  veloppement d une nouvelle architecture de transistor bipolaire    h  t  rojonction Si

Download or read book Etude et d veloppement d une nouvelle architecture de transistor bipolaire h t rojonction Si written by Alexis Gauthier and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans cette thèse portent sur le développement et l'optimisation de transistors bipolaires pour les futures générations de technologies BiCMOS. La technologie de référence est le BiCMOS055 présentant des fT et fMAX de respectivement 320 et 370 GHz. Dans un premier temps, il est montré que l'optimisation du profil vertical comprenant le budget thermique, le profil de la base et du collecteur notamment permet d'atteindre une fT de 400 GHz tout en restant compatible avec les transistors CMOS. Dans un second temps, le développement d'un collecteur implanté est présenté. La co-implantation du carbone avec le phosphore permet d'obtenir des substrats sans défaut, un contrôle de la diffusion précis ainsi que des performances électriques prometteuses. Une fréquence de transition fT record de 450 GHz est notamment atteinte grâce à des règles de dessins optimisées. Un module STI peu profond (SSTI) est développé afin de compenser l'augmentation de la capacité base / collecteur liée à ce type de technologie. Dans un troisième temps, l'intégration sur silicium d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire ayant pour but de surmonter les limitations de la DPSA-SEG utilisée en BiCMOS055 est détaillée et les premiers résultats sont discutés. Cette partie démontre toutes les difficultés d'une intégration d'un transistor bipolaire de nouvelle génération dans une plateforme CMOS. La fonctionnalité de l'architecture émetteur / base est démontrée à travers des mesures dc. Pour terminer, la possibilité d'une intégration en 28 nm est évaluée à travers des travaux spécifiques, notamment au niveau des implantations à travers le SOI, et une ouverture sur les éventuelles intégrations 3D est réalisée.

Book Etude des d  fauts induits lors de l int  gration des transistors bipolaires a h  t  rojonction Si SiGe dans une technologie BiCMOS avanc  e

Download or read book Etude des d fauts induits lors de l int gration des transistors bipolaires a h t rojonction Si SiGe dans une technologie BiCMOS avanc e written by Liviu-Laurentiu Militaru and published by . This book was released on 2000 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le transistor bipolaire à hétérojonction Si/Si Ge permet d'étendre le domaine d'utilisation des technologies intégrées sur silicium vers des applications pour les télécommunications rapides. En effet, les progrès technologiques ont permis l'utilisation de l'alliage silicium-germanium (contraint sur silicium) comme base Du transistor bipolaire. L'obtention des filières technologiques stables et bien maitrisées, intégrant l'alliage silicium-germanium, est un élément majeur pour la mise en production de ce type de transistors. La possibilité de développer une filière BiCMos (association dans une même puce des transistors bipolaires et mos) intégrant les transistors bipolaires a hétérojonction Si/SiGe offre des nombreux avantages : performances dynamiques élevées, faible cout, faible consommation, haute densité d'intégration. Notre objectif a été de caractériser électriquement des transistors bipolaires a hétérojonction Si/SiGe dans le but d'identifier les effets parasites qui peuvent pénaliser les performances statiques et dynamiques de ces transistors. Cette étude comporte deux parties principales. Dans un premier temps, les caractéristiques courant-tension statiques nous ont permis d'identifier les processus physiques de conduction aux jonctions Emetteur-base et base-collecteur en fonction de la tempera ture et de la tension de polarisation. Nous avons ainsi observe que ces caractéristiques sont dégradées par la présence de centres profonds. Ensuite, par des mesures de transitoire de capacité et de bruit télégraphique, nous avons caractérisé ces défauts profonds dans le but de déterminer leur localisation spatiale et propriétés physiques (énergie d'activation, section Efficace de capture). Ces études nous ont per1v1is de mettre en évidence l'effet des défauts profonds sur les caractéristiques statiques ou sur les performances de bruit basses fréquences, ainsi que d'indiquer les étapes technologiques qui sont a leur origine.

Book Recherche et   valuation d une nouvelle architecture de transistor bipolaire    h  t  rojonction Si SiGe pour la prochaine g  n  ration de technologie BiCMOS

Download or read book Recherche et valuation d une nouvelle architecture de transistor bipolaire h t rojonction Si SiGe pour la prochaine g n ration de technologie BiCMOS written by Van Tuan Vu and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif principal de cette thèse est de proposer et d'évaluer une nouvelle architecture de Transistor Bipolaire à Héterojonction (TBH) Si/SiGe s'affranchissant des limitations de l'architecture conventionnelle DPSA-SEG (Double-Polysilicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth) utilisée dans la technologie 55 nm Si/SiGe BiCMOS (BiCMOS055) de STMicroelectronics. Cette nouvelle architecture est conçue pour être compatible avec la technologie 28-nm FD-SOI (Fully Depleted Si-licon On Insulator), avec pour objectif d'atteindre la performance de 400 GHz de fT et 600 GHz de fMAX dans ce noeud. Pour atteindre cet objectif ambitieux, plusieurs études complémentaires ont été menées: 1/ l'exploration et la comparaison de différentes architectures de TBH SiGe, 2/ l'étalonnage TCAD en BiCMOS055, 3/ l'étude du budget thermique induit par la fabrication des technologies BiCMOS, et finalement 4/ l'étude d'une architecture innovante et son optimisation. Les procédés de fabrication ainsi que les modèles physiques (comprenant le rétrécissement de la bande interdite, la vitesse de saturation, la mobilité à fort champ, la recombinaison SRH, l'ionisation par impact, la résistance distribuée de l'émetteur, l'auto-échauffement ainsi que l'effet tunnel induit par piégeage des électrons), ont été étalonnés dans la technologie BiCMOS055. L'étude de l'impact du budget thermique sur les performances des TBH SiGe dans des noeuds CMOS avancés (jusqu'au 14 nm) montre que le fT maximum peut atteindre 370 GHz dans une prochaine génération où les profils verticaux du BiCMOS055 seraient 'simplement' adaptés à l'optimisation du budget thermique total. Enfin, l'architecture TBH SiGe EXBIC, prenant son nom d'une base extrinsèque épitaxiale isolée du collecteur, est choisie comme la candidate la plus prometteuse pour la prochaine génération de TBH dans une technologie BiCMOS FD-SOI dans un noeud 28 nm. L'optimisation en TCAD de cette architecture résulte en des performances électriques remarquables telles que 470 GHz fT et 870 GHz fMAX dans ce noeud technologique.

Book Etude de l   appariement des transistors bipolaires    h  t  rojonction Si SiGe issus de technologies bicmos

Download or read book Etude de l appariement des transistors bipolaires h t rojonction Si SiGe issus de technologies bicmos written by Stéphane Danaie and published by . This book was released on 2007 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur l'appariement des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe issus de technologies BiCMOS. L'objectif de cette étude est d'identifier les mécanismes physiques qui sont à l'origine des fluctuations aléatoires des paramètres électriques. La comparaison des résultats expérimentaux obtenus sur différentes familles de TBH a permis, dans un premier temps, de dégager les propriétés typiques des fluctuations aléatoires des courants base et collecteur. Dans le régime idéal de fonctionnement, des modèles physiques basés sur les fluctuations du nombre de dopants ont été établis. Dans le régime des faibles courants, la dégradation de l'appariement du courant base a été interprétée grâce à un modèle physique, basé sur les fluctuations du nombre de défauts à la jonction émetteur/base, et consolidée par une caractérisation de l'appariement après un stress de type porteurs chauds. Enfin, à forts courants, les origines de la dégradation de l'appariement des courants base et collecteur due aux résistances d'accès ont été validées expérimentalement.

Book Etude des   pitaxies s  lectives des alliages SiGe C  pour   lectrode de base des transistors bipolaires performants

Download or read book Etude des pitaxies s lectives des alliages SiGe C pour lectrode de base des transistors bipolaires performants written by Julien Bouvier (Auteur d'une thèse en Physique des matériaux).) and published by . This book was released on 2010 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis quelques années, l’intérêt pour les technologies BiCMOS comportant des transistors bipolaires à très hautes performances statiques et dynamiques va grandissant. La réalisation de tels dispositifs nécessite une architecture totalement auto-alignée pour le transistor bipolaire, rendu possible par une épitaxie sélective de l’électrode de base. L’objectif de cette thèse est de remédier aux principales difficultés introduites par l’utilisation d’un procédé de dépôt sélectif Si/SiGeC pour l’élaboration de l’électrode de base des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) des technologies BiCMOS avancées. Nous traitons tout d’abord d’un aspect essentiel de l’épitaxie sélective de base des TBH : la sélectivité du dépôt silicium, ou en d’autres termes, la nucléation du silicium sur le diélectrique. Nous montrons que, dans le cas des dépôts silicium sélectif, la baisse de la température de croissance, rendue facilement possible par l’utilisation du silane comme précurseur, n’est pas favorable à la sélectivité du dépôt. Nous évaluons également un moyen de diagnostic in-situ de la sélectivité du dépôt via un pyromètre présent initialement dans le réacteur RT-CVD utilisé dans notre étude. Cet outil permet, d’une part des développements de procédé plus rapide mais constitue également un bon moyen de contrôle en ligne du procédé de dépôt sélectif. Nous abordons ensuite le thème de la croissance sélective des couches Si, SiGe et SiGeC à l’aide du précurseur silane. Nous montrons que l’utilisation de ce précurseur autorise une diminution de la température de croissance pour les films Si et SiGe, permettant notamment un meilleur contrôle en épaisseur des films SiGe riches en germanium (>25%) ainsi qu’une diminution des effets de charges locaux. En revanche, cette diminution de la température de dépôt ne semble pas avoir d’impact sur la quantité de carbone incorporable de manière totalement substitutionnelle dans les couches SiGeC sélectives. Nos analyses par photoluminescence des films SiGeC permettent de mettre en évidence le fort impact des atomes de carbone sur le désordre cristallin et les mécanismes de recombinaison des porteurs dans le SiGeC, comparé à celui des atomes de germanium. L’utilisation de ces techniques de photoluminescence permet la caractérisation rapide de la structure électronique des films SiGeC et accélère ainsi le développement du procédé de croissance sélective des couches SiGeC. Enfin, des problématiques à caractère plus industrielles sont traitées. Nous présentons les solutions apportées en termes d’uniformité en épaisseur des dépôts, ou bien concernant la qualité du lien unissant les parties intrinsèques et extrinsèques de l’électrode de base des TBH.

Book Etude et mod  lisation de transistors bipolaires    h  t  rojonction SiGe

Download or read book Etude et mod lisation de transistors bipolaires h t rojonction SiGe written by Jérémy Raoult and published by . This book was released on 2003 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'évolution croissante du marché des télécommunications et plus particulièrement des applications aux communications sans fils dans des bandes de fréquences de 900 MHz à 6 GHz entraîne une forte demande de fourniture de circuits intégrés. Notamment, la tendance actuelle est à l'augmentation du niveau d'intégration et à la diminution de la puissance consommée pour obtenir un terminal "bon marché" avec pour objectif l'augmentation de l'autonomie associée à des impératifs de mobilité. La technologie BICMOS répond parfaitement à ces besoins grâce à un compromis coût-performance très favorable. Dans ce contexte, le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d'une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 æm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur conséquence pour la conception d'oscillateurs micro-ondes intégrés.

Book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO HETEROJONCTION DANS LE CADRE D UNE TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE BICMOS

Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO HETEROJONCTION DANS LE CADRE D UNE TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE BICMOS written by HATEM.. BOUSSETTA and published by . This book was released on 1995 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE DE L'ETUDE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A BASES EPITAXIEES FORTEMENT DOPEES REALISES DANS LA TECHNOLOGIE BICMOS DU CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS DE MEYLAN. GRACE AU FORT DOPAGE DE LA BASE, LE FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS SE RAPPROCHE DE CELUI DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS ; POUR CETTE RAISON ON LES NOMME TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO HETEROJONCTION. APRES AVOIR PRESENTE LA NOUVELLE STRUCTURE EMETTEUR-BASE ET LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION BICMOS, NOUS DECRIVONS LES TECHNIQUES ET LES OUTILS DE CARACTERISATION MIS EN JEU. DANS UN PREMIER TEMPS, L'ETUDE PORTE SUR LA DEFINITION DES CONDITIONS D'EPITAXIE ET LES REGLAGES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES POUR INTEGRER LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A PSEUDO-HETEROJONCTION DANS LE PROCEDE DE FABRICATION BICMOS. L'ETUDE EFFECTUEE SUR L'ORIGINE DU DYSFONCTIONNEMENT A FAIBLE INJECTION DES TRANSISTORS REALISES ET LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES RESPONSABLES DES COURANTS DE FUITE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS MURES ET NON MURES ONT PERMIS DE CERNER LES PROBLEMES POSES PAR L'INTEGRATION PUIS D'APPORTER DES SOLUTIONS POUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. L'ETUDE DU FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF A PORTE SUR LES PROPRIETES PHYSIQUES DE LA BASE ET EN PARTICULIER LE RETRECISSEMENT DE LA BANDE INTERDITE SOUS L'EFFET DES FORTS DOPAGES. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE ORIGINALE D'EXTRACTION DE CE RETRECISSEMENT BASEE SUR L'EVOLUTION DU COURANT COLLECTEUR EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. A PARTIR DE CETTE METHODE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUE LES TRANSISTORS FABRIQUES FONCTIONNENT EFFECTIVEMENT SUR LE PRINCIPE DES DISPOSITIFS A HETEROJONCTION. CETTE ETUDE A PERMIS UNE DESCRIPTION PRECISE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A TOUTE TEMPERATURE

Book Etude et fabrication de transistors bipolaires    h  t  rojonctions Si SiGe  TBH  int  gr  s dans une fili  re BiCMOS industrielle 0 5

Download or read book Etude et fabrication de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe TBH int gr s dans une fili re BiCMOS industrielle 0 5 written by Elisabeth de Berranger-Marinet and published by . This book was released on 1998 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne les Transistors Bipolaires à Hétérojonctions (TBH) Si/SiGe. Nous présentons comment des TBH ont été intégrés dans une filière Bi CM OS du Centre Commun CNET -SGS Thomson. Au préalable, afin de définir l'architecture la mieux adaptée au contexte et de tirer le meilleur parti possible de l'utilisation de SiGe, les différents paramètres (profil de germanium, position du bore par rapport à la zone SiGe...) influençant le fonctionnement des TBH ont été étudiés, en particulier grâce à la mise en place d'un environnement de simulation adapté aux hétéro structures. Les contraintes technologiques et leurs conséquences sur les dispositifs ont été prises en compte. Les premiers résultats ont permis de mettre en évidence un certain nombre de problèmes technologiques que nous avons résolus. La caractérisation électrique a montré une nette amélioration des performances et a précisé les atouts réels de SiGe dans un contexte BiCMOS pourtant initialement jugé peu favorable. Nous avons aussi vérifié que les transistors MOS n'étaient pas perturbés. Ce travail démontre donc la faisabilité de l'intégration des TBH dans une filière BiCMOS et offre des perspectives pour l'évolution des structures.

Book CARACTERISATION ELECTRIQUE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L INTEGRATION DE LA BASE D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SIGE EN TECHNOLOGIE BICMOS

Download or read book CARACTERISATION ELECTRIQUE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L INTEGRATION DE LA BASE D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SIGE EN TECHNOLOGIE BICMOS written by OSCAR.. DE BARROS and published by . This book was released on 1997 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROGRES DES TECHNIQUES D'EPITAXIE ONT PERMIS LA FABRICATION DE COUCHES DE SIGE CONTRAINT SUR SUBSTRAT SILICIUM ET LEUR MISE EN APPLICATION DANS DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION, PERMETTANT A LA TECHNOLOGIE SILICIUM D'ATTEINDRE DES PERFORMANCES DYNAMIQUES INTERESSANTES POUR LES APPLICATIONS HAUTE FREQUENCE. TOUTEFOIS L'INTEGRATION DE L'ALLIAGE SIGE DANS UNE FILIERE DOIT REPONDRE AU DOUBLE IMPERATIF DE QUALITE FINALE DE L'ALLIAGE ET DE PERTURBATION MINIMUM A APPORTER A LA FILIERE TECHNOLOGIQUE. C'EST DANS CET OBJECTIF ET DANS LE CADRE DE L'INTEGRATION DU TBH SIGE DANS UNE FILIERE BICMOS DEVELOPPEE AU CNET MEYLAN QUE S'INSCRIT CE SUJET DE THESE. AU COURS DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE LA QUALITE DU SYSTEME EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A BASE SIGE A L'AIDE DE TECHNIQUES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE, MESURE DE COURANT STATIQUE ET SPECTROSCOPIE DE TRANSITOIRE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SUR DES TRANSITORS SIMPLE-POLYSILICIUM AUTOALIGNES ONT MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE DE DEFAUTS DANS LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT, LOCALISES A LA PERIPHERIE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE LE LONG DES ESPACEURS SIO#2. L'ENERGIE D'ACTIVATION APPARENTE DE CES PIEGES EST DE 0,6 EV, CE QUI EN FAIT DES CENTRES DE RECOMBINAISON TRES EFFICACES. CES DEFAUTS AYANT PU ETRE CORRELES A L'ETAPE DE GRAVURE LORS DE LA DEFINITION DU SYSTEME EMETTEUR-BASE, LA QUALITE CRISTALLINE DES COUCHES EPITAXIEES N'EST DONC PAS DEGRADEE PAR LE PROCESS POST-EPITAXIE. CE RESULTAT EST UNE CONTRIBUTION AU CHOIX D'UNE NOUVELLE ARCHITECTURE POUR LES FILIERES DEVELOPPEES PLUS RECEMMENT, DANS LAQUELLE LA ZONE ACTIVE EST ELOIGNEE DES ZONES GRAVEES. LES ETUDES INITIEES SUR LES TRANSISTORS SIMPLE-POLYSILICIUM QUASI-AUTOALIGNES DE CETTE FILIERE MONTRENT LA PRESENCE DE PLUSIEURS NIVEAUX PROFONDS DANS LA BASE DU COMPOSANT, CE QUI EST UN POINT CRITIQUE POUR LE BON FONCTIONNEMENT DE CES COMPOSANTS.

Book Technologie et physique de transistors bipolaires    h  t  rojonction Si SiGeC auto align  s    tr  s hautes performances

Download or read book Technologie et physique de transistors bipolaires h t rojonction Si SiGeC auto align s tr s hautes performances written by Benoît Barbalat and published by . This book was released on 2006 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour objet l'étude et la réalisation en milieu industriel de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC à très hautes performances pour les applications de télécommunications et de détection radar. Le premier chapitre rappelle la théorie de fonctionnement du transistor bipolaire, aussi bien en régime statique qu'en régime dynamique. Nous présentons ensuite un historique des technologies de fabrication des TBH SiGe, en expliquant les choix pris en faveur d'un auto-alignement complet et d'une épitaxie sélective de la base. Les performances obtenues dans cette étude sont comparées à l'état de l'art. Le chapitre III a pour objet l'optimisation classique du transistor bipolaire, et nous démontrons comment, par différentes optimisations du profil vertical et de l'extension latérale du composant nous avons pu augmenter les performances de 200GHz jusqu'à 300GHz. Le chapitre IV traite de l'optimisation de la tenue en tension par des procédés technologiques en rupture avec l'optimisation standard du transistor. Des améliorations significatives de la tenue en tension ont pu être démontrées, ce qui permet d'obtenir des produits fTxBVceo à l'état de l'art. Le dernier chapitre étudie le comportement du TBH en fonction de la température : Nous décrivons tout d'abord l'auto-échauffement du transistor, et son impact sur les performances dynamiques, nous terminons par l'étude du transistor bipolaire aux températures cryogéniques. Les performances étant fortement améliorées à basse température, nous en tirons de l'extraction des différents retards du composant des perspectives d'amélioration des temps de transit, pour atteindre des performances ultimes.

Book Caract  risation et mod  lisation de la fiabilit   des transistors et circuits millim  triques con  us en technologies BiCMOS et CMOS

Download or read book Caract risation et mod lisation de la fiabilit des transistors et circuits millim triques con us en technologies BiCMOS et CMOS written by Salim Ighilahriz and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De nos jours, l'industrie de la microélectronique développe des nouvelles technologies qui permettent l'obtention d'applications du quotidien alliant rapidité, basse consommation et hautes performances. Pour cela, le transistor, composant actif élémentaire et indispensable de l'électronique, voit ses dimensions miniaturisées à un rythme effréné suivant la loi de Moore de 1965. Cette réduction de dimensions permet l'implémentation de plusieurs milliards de transistors sur des surfaces de quelques millimètres carrés augmentant ainsi la densité d'intégration. Ceci conduit à une production à des coûts de fabrication constants et offre des possibilités d'achats de produits performants à un grand nombre de consommateurs. Le MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), transistor à effet de champ, aussi appelé MOS, représente le transistor le plus utilisé dans les différents circuits issus des industries de la microélectronique. Ce transistor possède des longueurs électriques de 14 nm pour les technologies industrialisables les plus avancées et permet une densité intégration maximale spécialement pour les circuits numériques tels que les microprocesseurs. Le transistor bipolaire, dédié aux applications analogiques, fut inventé avant le transistor MOS. Cependant, son développement correspond à des noeuds technologiques de génération inférieure par rapport à celle des transistors MOS. En effet, les dimensions caractéristiques des noeuds technologiques les plus avancés pour les technologies BiCMOS sont de 55 nm. Ce type de transistor permet la mise en oeuvre de circuits nécessitant de très hautes fréquences d'opération, principalement dans le secteur des télécommunications, tels que les radars anticollisions automobiles fonctionnant à 77 GHz. Chacun de ces types de transistors possède ses propres avantages et inconvénients. Les avantages du transistor MOS reposent principalement en deux points qui sont sa capacité d'intégration et sa faible consommation lorsqu'il est utilisé pour réaliser des circuits logiques. Sachant que ces deux types de transistors sont, de nos jours, comparables du point de vue miniaturisation, les avantages offerts par le transistor bipolaire diffèrent de ceux du transistor MOS. En effet, le transistor bipolaire supporte des niveaux de courants plus élevés que celui d'un transistor MOS ce qui lui confère une meilleure capacité d'amplification de puissance. De plus, le transistor bipolaire possède une meilleure tenue en tension et surtout possède des niveaux de bruit électronique beaucoup plus faibles que ceux des transistors MOS. Ces différences notables entre les deux types de transistors guideront le choix des concepteurs suivant les spécifications des clients. L'étude qui suit concerne la fiabilité de ces deux types de transistors ainsi que celle de circuits pour les applications radio fréquences (RF) et aux longueurs d'ondes millimétriques (mmW) pour lesquels ils sont destinés. Il existe dans la littérature de nombreuses études de la fiabilité des transistors MOS. Concernant les transistors bipolaires peu d'études ont été réalisées. De plus peu d'études ont été menées sur l'impact de la fiabilité des transistors sur les circuits. L'objectif de ce travail est d'étudier le comportement de ces deux types de transistors mais aussi de les replacer dans le contexte de l'utilisateur en étudiant la fiabilité de quelques circuits parmi les plus usités dans les domaines hyperfréquence et millimétrique. Nous avons aussi essayé de montrer qu'il était possible de faire évoluer les règles de conception actuellement utilisées par les concepteurs tout en maintenant la fiabilité attendue par les clients.

Book D  veloppement de technologies de fabrication de transistors bipolaires en VLSI

Download or read book D veloppement de technologies de fabrication de transistors bipolaires en VLSI written by Nicolas Degors (Ingénieur en électronique).) and published by . This book was released on 1992 with total page 121 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail correspond au chaînon technologique liant le transistor bipolaire classique autoaligné à émetteur polysilicium à la génération des transistors bipolaires silicium à base fine épitaxiée, ou transistors à pseudo-hétérojonction. Utilisant les étapes de la filière CMOS avancée du CNS, les performances du bipolaire compatible CMOS (technologie BiCMOS développée dans un travail antérieur) ont été améliorées. Les effets de l'interface polysilicium-silicium et de la siliciuration autoaligné du système émetteur-base extrinsèque sur le fonctionnement du transistor ont été interprétés. A partir de ce type de composant optimisé, le développement de nouveaux dispositifs a commencé en introduisant dans un premier temps, un nouvel émetteur par la technique épitaxique, puis, dans un deuxième temps, une base fine épitaxiée, la structure N+ NP+ N obtenue correspondant au transistor à pseudo-hétérojonction. Différents problèmes entraînés par l'intégration de l'épitaxie du système émetteur-base dans un procédé VLSI ont été analysés sur lots et des solutions trouvées ouvrant ainsi la voie aux dispositifs utilisant le Band Gap Engineering.