Download or read book D gradation effet Staebler Wronski et caract risation des cellules solaires base de silicium amorphe hydrog ne a Si H written by Aboubacar Namoda and published by . This book was released on 1999 with total page 482 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse, la dégradation c'est-à-dire le vieillissement réversible appelé communément Effet Staebler-Wronski a été profondément étudié et des solutions pour y remédier ont été proposées. Entre autres des cellules triples et tandem ont été analysées. Un des avantages du silicium amorphe hydrogène par rapport au silicium cristallin, c'est aussi sa flexibilité. C'est à dire qu'on peut réaliser des structures tandem ou triples avec ce matériau, ce qui est impossible de réaliser avec du silicium cristallin. Logiquement ceci devrait conduire à doubler ou même à tripler le rendement d'une cellule. J'ai étudié l'influence des propriétés structurelles et optoélectroniques des alliages a-Si1-x Gex:H sur la performance des cellules solaires simples et multijonction à base de a-Si1-x Gex:H. Pour ce matériau, j'ai observé deux régimes : l'un (x ≤ 0.4 correspondant à Eg = 1.5eV) montre des densités de défauts basses et des énergies d'Urbach basses. Pour x > 0.4, les densités de défauts augmentent ainsi que les énergies d'Urbach. Pour étudier l'influence des propriétés des couches sur la performance des cellules solaires, plusieurs séries de cellules à jonction simple avec des couches a-Six-1 Gex:H et aussi avec des différentes bandes interdites ont été utilisées

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L EFFET STAEBLER ET WRONSKI DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by HATEM.. LABIDI and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE EXPERIMENTALE PAR SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE ET MESURES OPTIQUES. IL EST IMPOSSIBLE D'INTERPRETER L'EFFET STAEHLER-WRONSKI DANS LE CADRE DU SEUL MODELE DE LIAISON FAIBLE. INTERPRETATION D'UNE PARTIE DE CET EFFET AVEC LE MODELE DES LIAISONS BRISEES A ENERGIE DE CORRELATION NEGATIVE

Download or read book Development characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.

Download or read book Capacitance spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes and high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Olga Maslova and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l'étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d'une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d'états dans le gap du a-Si:H est d'une grande importance car il s'agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d'étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d'états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l'étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d'extraire la densité d'états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l'étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l'existence d'une couche d'inversion forte à l'interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu'un des ces échelons est attribué à l'activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l'autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d'inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l'objet d'une discussion. Nous mettons en relief le fait que l'approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l'existence de la couche d'inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d'inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d'inversion forte dans les échantillons étudiés.

Download or read book Cellules solaires en couches minces de silicium amorphe effets du substrat r flecteur textur et de la couche intrins que sur le courant photo g n r written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les buts de ce travail de thèse sont, tout d'abord, de comparer les efficacités stabilisées des cellules en a-Si:H déposées à différentes températures comprises entre 190°C et 325°C, deuxièmement, d'augmenter leur courant de court-circuit (Jsc) en utilisant des substrats rugueux réflecteurs et diffuseurs de lumière, et troisièmement, d'examiner différentes méthodes pour caractériser la couche intrinsèque et le substrat avant leur incorporation dans les cellules. Ainsi, des cellules solaires en couches minces de silicium amorphe (a-Si:H) ont été déposées dans la configuration n-i-p par la technique de dépôt chimique assisté d'un plasma haute fréquence (VHF?PECVD). L'épaisseur des cellules a été maintenue inférieure à un demi?micron et différentes catégories de substrats ont été utilisées pour cette étude. Dans un premier temps, deux paramètres de dépôt (température et rapport des flux des gaz précurseurs SiH4 sur H2) ont systématiquement été variés pendant la fabrication du matériau intrinsèque. Les couches déposées sur verre ont été caractérisées dans l'air et ensuite incorporées dans les cellules. Ce travail a montré que la largeur de la bande interdite (Egap) du a-Si:H augmente lorsque la température diminue. De plus, les cellules déposées à 275°C ont une efficacité stabilisée plus élevée que celle des cellules déposées à plus basse température. Les valeurs d'efficacité plus faibles à 190°C sont directement liées aux plus faibles courants Jsc photo-générés, ce dernier étant corrélé avec les variations de la largeur de la bande interdite du a?Si:H mentionné ci-dessus. Ensuite, des substrats réflecteurs et diffuseurs, réalisés à partir d'une couche métallique et d'une couche d'oxyde transparent conducteur avec différentes rugosités, ont été fabriqué sur verre et sur PolyEthyleneTerephtalate (PET). Différents procédés, c'est-à-dire différentes méthodes de traitement de surface et de dépôt, conduisant à quatre catégories de textures aléatoires et une texture périodiqu.

Download or read book Production et caract risation de couches en silicium amorphe hydrog ne pour la fabrication de cellules solaires written by Denis Erni and published by . This book was released on 1986 with total page 218 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE IN SITU PAR ELLIPSOMETRIE UV VISIBLE ET SONDE DE KELVIN DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by SOUMANA.. HAMMA and published by . This book was released on 1998 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE IN SITU DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN C-SI : H) AINSI QUE DES INTERFACES INTERVENANT DANS LES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE C-SI : H ET DE SILICIUM AMORPHE (A-SI:H). LA COMBINAISON DES MESURES IN SITU D'ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE AVEC DES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE SONDE DE KELVIN NOUS A PERMIS DE CORRELER LES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DES COUCHES PENDANT LEUR CROISSANCE. CECI PERMET UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES CARACTERISANT LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET LA FORMATION DES INTERFACES DANS LES DISPOSITIFS. EN UTILISANT LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PLASMAS ALTERNES (DITE DE LAYER-BY-LAYER) NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUATRE ETAPES PENDANT LA FORMATION DU C-SI:H SUR SUBSTRAT AMORPHE. L'HYDROGENE EST LE MOTEUR PRINCIPAL DE LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET SON ROLE PARTICULIER AUX DIFFERENTES ETAPES DE LA CROISSANCE A ETE ANALYSE. LA ZONE (SURFACE OU VOLUME) OU SE DEROULE LA GERMINATION SEMBLE ETROITEMENT LIE A LA PRESENCE OU NON D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE. LES PROPRIETES DU C-SI:H (CONDUCTIVITE, POTENTIEL DE CONTACT, STABILITE) SONT ETROITEMENT LIEES A LA FRACTION CRISTALLINE, LA FRACTION DE VIDE, LA TAILLE DES GRAINS ET L'EPAISSEUR DE LA COUCHE. CES QUANTITES DEPENDENT DE LA TEMPERATURE ET DE LA PRESSION DE DEPOT QUI CONSTITUENT PAR AILLEURS DES PARAMETRES ESSENTIELS POUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE ET DE LA VITESSE DE DEPOT DU C-SI : H. DES COUCHES MICROCRISTALLINES DOPEES N ET P TRES MINCES ( 10 NM) ONT ETE OBTENUES. L'APPLICATION DE CES COUCHES DANS LES PHOTOPILES NOUS A CONDUIT A ABORDER LE PROBLEME DE L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. LE DEPOT DU C-SI : H SUR A-SI:H PEUT ENTRAINER DANS CERTAINES CONDITIONS (TEMPERATURE, DOPAGE, CHAMP ELECTRIQUE) LA FORMATION D'UNE COUCHE POREUSE D'INTERFACE AVEC LE A-SI:H. PAR AILLEURS, LES MESURES DE POTENTIEL DE CONTACT (SONDE DE KELVIN) NOUS ONT PERMIS DE DETERMINER LE GAP DE MOBILITE DU C-SI : H AINSI QUE LES DISCONTINUITES DE LA BANDE DE CONDUCTION ET DE LA BANDE VALENCE A L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. L'ETUDE DES PROFILS DE POTENTIEL AUX INTERFACES P/I NOUS A PERMIS DE MONTRER QUE LA LONGUEUR D'ECRANTAGE DANS LE C-SI : H EST D'AU MOINS UN FACTEUR TROIS SUPERIEURE A CELLE MESUREE DANS LE A-SI:H ; CONFIRMANT AINSI LE GRAND INTERET DU C-SI : H DANS LES APPLICATIONS A BASE DE A-SI : H. AUSSI, NOUS AVONS DEMONTRE QU'UNE EXCELLENTE CARACTERISTIQUE I(V) PEUT ETRE OBTENUE MEME POUR DES CELLULES SOLAIRES MICROCRISTALLINES DEPOSEES A 100\C.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA written by STEPHANE.. VIGNOLI and published by . This book was released on 1995 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON ETUDIE LES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET NOTAMMENT L'EFFET STAEBLER-WRONSKI QUI CONSISTE EN LA CREATION DE DEFAUTS DE COORDINATION METASTABLES SOUS LUMIERE. UN PHENOMENE NOUVEAU, A SAVOIR LA GUERISON DE CES DEFAUTS PAR LA LUMIERE, NOUS A AMENE A REDISCUTER LES MODELES PHENOMENOLOGIQUES EXISTANTS. IL EST ALORS APPARU NECESSAIRE DE DEVELOPPER UN NOUVEAU MODELE. CE DERNIER POSTULE QUE LA CREATION DE DEFAUTS EST DUE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRONS-TROUS ET QUE LA GUERISON DES DEFAUTS EST CAUSEE PAR LA CAPTURE DE TROUS PAR CES MEMES DEFAUTS. DANS UN SECOND TEMPS CE MODELE EST APPLIQUE AUX RESULTATS OBTENUS SUR DES FILMS DE A-SI:H DEPOSES DANS DE NOUVELLES CONDITIONS ; CE QUI A SERVI DE TEST POUR VALIDER NOTRE MODELE. L'EXTENSION DE L'ETUDE A UNE LARGE GAMME DE FILMS A MONTRE QUELE A-SI:H OPTIMAL, I.E. LE PLUS STABLE SOUS ILLUMINATION, ETAIT OBTENU A PARTIR DE MELANGES SILANE-HELIUM A 350C

Download or read book ETUDE DES CENTRES PROFONDS DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A SI H PAR DES MESURES D ADMITTANCES DE DIODES SCHOTTKY written by Jean-Paul Kleider and published by . This book was released on 1987 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PAR MESURE ET ANALYSE DES ADMITTANCES DE DIODES SCHOTTKY FOURNIES SUR CE MATERIAU: DENSITE D'ETATS EN-DESSOUS ET AU NIVEAU DE FERMI AVEC SECTION DE CAPTURE EFFICACE DES ELECTRONS ET ENERGIE D'ACTIVATION DU MATERIEL

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book Masters Theses in the Pure and Applied Sciences written by Wade H. Shafer and published by Springer. This book was released on 1976 with total page 320 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Masters Theses in the Pure and Applied Sciences was first conceived, published, and dis· seminated by the Center for Information and Numerical Data Analysis and Synthesis (CINDAS) *at Purdue University in 1957, starting its coverage of theses with the academic year 1955. Beginning with Volume 13, the printing and dissemination phases of the ac· tivity were transferred to University Microfilms/Xerox of Ann Arbor, Michigan, with the thought that such an arrangement would be more beneficial to the academic and general scientific and technical community. After five years of this joint undertaking we had concluded that it was in the interest of all concerned if the printing and distribution of the volume were handled by an international publishing house to assure improved service and broader dissemination. Hence, starting with Volume 18, Masters Theses in the Pure and Applied Sciences has been disseminated on a worldwide basis by Plenum Publishing Corporation of New York, and in the same year the coverage was broadened to include Canadian universities. All back issues can also be ordered from Plenum. We have reported in Volume 20 (thesis year 1975) a total of 10,374 theses titles from 28 Canadian and 239 United States universities. We are sure that this broader base for theses titles reported will greatly enhance the value of this important annual reference work. The organization of Volume 20 is identical to that of past years. It consists of theses titles arranged by discipline and by university within each discipline.

Download or read book Unsteady Transonic Flow written by Mårten T. Landahl and published by Courier Dover Publications. This book was released on 2019-04-17 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This classic monograph on unsteady transonic flow — the flow of air encountered at speeds at or near the speed of sound — is of continuing interest to students and professionals in aerodynamics, fluid dynamics, and other areas of applied mathematics. After a brief Introduction, Swedish physicist Mårten T. Landahl presents a chapter in which the two-dimensional solution is derived, succeeded by a discussion of its relation to the subsonic and supersonic solutions. Three chapters on low aspect ratio configurations follow, covering triangular wings and similar planforms with curved leading edges, rectangular wings, and cropped delta wings, and low aspect ratio wing-body combinations. The treatment concludes with a consideration of the experimental determination of air forces on oscillating wings at transonic speeds.