Download or read book Contribution l tude du transistor effet de champ written by Alain Jean Louis Rambert and published by . This book was released on 1967 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du transistor effet de champ written by Pierre David and published by . This book was released on 1969 with total page 54 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du transistor effet de champ written by Pierre David and published by . This book was released on 1969 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du transistor effet de champ written by Christian Denis Cazaubon and published by . This book was released on 1969 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du transistor effet de champ written by Pierre David and published by . This book was released on with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude th orique du transistor effet de champs written by Marc Lopenague and published by . This book was released on 1968 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du transistor effet de champ porte jonction written by Dominique Rigaud and published by . This book was released on 1973 with total page 205 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT, FABRICATION ET SCHEMA EQUIVALENT DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP. ETUDE QUANTITATIVE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DANS LE CADRE DU MODELE SHOCKLEY, MODELE TENANT COMPTE DE LA VARIATION REELLE DE LA SECTION CONDUCTRICE DU CANAL. ETUDE THEORIQUE DU BRUIT DE FOND ASSOCIE AU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A PORTE A JONCTION: BRUIT THERMIQUE ASSOCIE AU CANAL DU TRANSISTOR, AUTRES SOURCES DE BRUIT DE FOND ASSOCIEES AU TRANSISTOR, DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES DU BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP. RESULTATS EXPERIMENTAUX ET INTERPRETATIONS THEORIQUES. APPLICATION A LA SPECTROMETRIE NUCLEAIRE

Download or read book Contribution l tude des transistors effet de champ organiques written by Marc Ternisien and published by . This book was released on 2008 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail s'inscrit dans le cadre de l'étude de composants organiques et moléculaires. Il porte sur le contrôle de l'interface oxyde de grille/semi-conducteur organique à l'aide de Monocouches Auto Assemblées (SAMs) dans les transistors à effet de champ organique (OFETs). Nous avons dans un premier temps travaillé avec des OFETs à couche active de pentacène dont le diélectrique de grille a été modifié par des SAMs de type ơ-π (terminées pyrène ou phenyl) en configuration Top Contact. Après le greffage chimique en trois étapes de SAMs à chaîne alkyle longues et leur caractérisation, nous avons mesuré les paramètres transistors et nous avons démontré une amélioration des mobilités des porteurs de charges, une augmentation du rapport On/Off et une amélioration de la pente sous le seuil. Nous avons interprété ces résultats en terme de structure morphologique de la couche active de pentacène. Dans la deuxième partie de notre thèse, nous nous sommes intéressés aux SAMs à chaîne alkyle plus courte greffées en une unique étape (le pentafluorophenylpropyltrichlorosilane (C9H6F5Cl3Si), le 4-phenylbutyltrichlorosilane (C10H13Cl3Si) et l'octadecyltrichlorosilane (CH18H37SiCl3). La configuration du transistor adoptée pour cette étude est du type Bottom Contact.Nous avons obtenu par ces procédés des OFETs fonctionnant à des valeurs de pentes sous le seuil de 0.6 V/dec, des rapports On/Off de 10 8 et une mobilité de 0.3 cm2/V.s. L'ensemble des résultats est discuté en terme d'interactions entre les porteurs de charges et le semi-conducteur organique (le pentacène) et les dipôles des molécules greffées.

Download or read book Contribution l tude des transistors effet de champ en tant qu amplificateurs faible bruit written by Christian Commenge and published by . This book was released on 1965 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des non lin arit s des transistors effet de champ written by Ahmad Nakhli and published by . This book was released on 1972 with total page 94 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des m canismes de d gradation du transistor effet de champ sur ars niure de galium written by Jean-Michel Dumas and published by . This book was released on 1985 with total page 354 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du transistor effet de champ couche mince polycristalline d antimoniure d indium written by Elzaky Hamadto and published by . This book was released on 1980 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des fluctuations dans les transistors bipolaires et effet de champ jonctions written by Joseph Borel and published by . This book was released on 1971 with total page 108 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des fluctuations dans les transistors bipolaires et effet de champ jonctions written by Joseph Borel and published by . This book was released on 1971 with total page 106 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Modelisation quasi bidimensionnelle de transistors a effet de champ Contribution a l analyse des phenomenes de claquage Etude de circuits en regime temporel written by Yves Butel and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mod lisation quasi bidimensionnelle de transistors effet de champ written by Yves Butel and published by . This book was released on 1997 with total page 244 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le developpement ou l'amelioration des nouvelles filieres de transistors a effet de champ hyperfrequences ne peut s'envisager sans l'appui de la modelisation physique qui permet la predetermination des caracteristiques et l'optimisation des structures. Le travail que nous presentons a pour objet l'elaboration d'un modele physique quasi bidimensionnel capable de traiter des regimes specifiques tels que le claquage par avalanche ou l'etude de circuits en regime temporel. Dans la premiere partie, les differents types de composants susceptibles d'etre utilises pour l'amplification de puissance hyperfrequence sont presentes. Dans chacun des cas, l'accent est porte sur les principales limitations rencontrees dans ce type d'application. Les differents outils de simulation physique sont ensuite presentes afin de mettre en evidence les avantages lies au modele quasi bidimensionnel que nous avons utilise. Dans la partie suivante, nous decrivons la methodologie mise en oeuvre pour l'etude du claquage par avalanche, un des phenomenes les plus limitatifs pour l'amplification de puissance hyperfrequence. L'influence des principaux parametres technologiques (longueur de grille, geometrie du recess, caracteristiques de l'epitaxie) est envisagee. La validation des resultats est obtenue en les comparant a ceux issus d'autres modeles physiques ou a des mesures impulsionnelles. Le modele mis au point peut facilement etre adapte a l'etude de composants de filieres differentes. Enfin, la derniere partie de ce travail est consacree au couplage d'un nouveau modele physique de transistor a effet de champ avec un modele de circuit permettant une analyse en regime temporel. Apres la description du modele que nous avons elabore, sa mise en oeuvre est presentee en traitant differents types de dispositifs.

Download or read book Etude de l influence du m canisme d ionisation par impact sur les performances et la fiabilit des transistors effet de champ sur substrat III V written by Benoît Lambert and published by . This book was released on 2001 with total page 259 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux présentent une étude sur le mécanisme d'ionisation par impact se produisant dans les transistors à effet de champ de puissance sur substrat GaAs. Ce mécanisme est un effet parasite des FETs et consiste en la création de paires électrons/trous dans le canal induit par les électrons fortement accélérés par 1e champ électrique. Cette étude porte sur quatre technologies de FETs (MESFET DCFET, PHEMT et PHEMT de puissance). L'influence du mécanisme d'ionisation, par impact sur les performances électriques statiques des dispositifs a été évalué, notamment sur les caractéristiques de grille, de transfert et sur les lieux de claquage mesurés à l'aide d'une technique d'injection de courant. Le banc de mesure du bruit aux basses fréquences associé au courant de grille développé durant cette thèse, est décrit dans la deuxième partie. La caractérisation du bruit de grille des FETs en régime d'ionisation par impact a permis de modéliser le bruit en 1/f comme étant proportionnel au taux d'ionisation au carré. De plus, l'analyse du bruit en courant des contacts Schottky s'est révélée efficace pour la détection des dégradations localisées aux interfaces passivation/semiconducteur et passivation/métallisation. La dernière partie de ce document présente une étude de fiabilité menée sur les technologies MESFET, PHEMT et PHEMT de puissance ayant subies des vieillissements sous polarisations statiques associés ou non à un fonctionnernent dynamique en régime de compression du gain. Il apparaît que le mécanisme d'ionisation par impact associé au champ électrique est un mécanisme de dégradation présentant des modes de dégradation qui dépendent de la technologie.