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Book Contribution    l   tude de la localisation et de la stabilit   de l hydrog  ne dans le silicium amorphe et le silicium poreux

Download or read book Contribution l tude de la localisation et de la stabilit de l hydrog ne dans le silicium amorphe et le silicium poreux written by Nasreddine Hadj Zoubir and published by . This book was released on 1995 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à l'étude des liaisons Si-H dans le silicium amorphe hydrogéné et le silicium poreux à l'aide de la spectrométrie de désorption thermique (TDS) et de la spectrométrie d'absorption infrarouge. Le silicium amorphe est préparé par évaporation réactive en présence d'un plasma ECR d'hydrogène. Pour des températures de substrat Ts inferieures à 120°C, les couches amorphes sont poreuses et incorporent une quantité importante d'oxygène. La structure de ces couches devient plus dense à mesure que la température de substrat augmente: pour Ts égal à 360°C, la contamination par l'oxygène est éliminée et l'hydrogène est lié aux atomes de Si dans les seuls groupesSiH. Un phénomène de densification apparaît également dans des couches préparées en présence d'ions deutérium accélérés par une DDP de 235V. Le silicium poreux est préparé par trempage chimique dans une solution de type NaNO2/HF. L'analyse TDS de ce matériau montre que la désorption de SiH3 et SiF3, avant celle de H2, permet d'expliquer pourquoi la photoluminescence se dégrade aux faibles températures de recuit. Une étude du vieillissement à l'air de ces couches montre une augmentation de l'intensité du signal de photoluminescence en raison d'une meilleure passivation des liaisons pendantes en surface par O2 et H2O.

Book Contribution a l   tude du silicium amorphe   vapore en ultra vide et post hydrog  ne

Download or read book Contribution a l tude du silicium amorphe vapore en ultra vide et post hydrog ne written by Jean-Christophe Flachet and published by . This book was released on 1983 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau

Book Caract  risation structurale et optique du silicium amorphe hydrog  ne et des oxydes de silicium photoluminescents   labor  s par   vaporation

Download or read book Caract risation structurale et optique du silicium amorphe hydrog ne et des oxydes de silicium photoluminescents labor s par vaporation written by Hervé Rinnert and published by . This book was released on 1999 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne l'étude de couches minces de silicium amorphe hydrogène et d'oxyde de silicium préparées par évaporation sous vide. Ces matériaux sont respectivement élaborés par évaporation de silicium sous un flux d'ions hydrogène et par évaporation de poudre de SiO. La méthode de préparation du silicium amorphe hydrogène permet de contrôler de nombreux paramètres de dépôt. La température du substrat, l'énergie des ions hydrogène et la composition du plasma sont étudiées. La stabilité et la localisation de l'hydrogène sont respectivement étudiées par spectrométrie de désorption thermique et par spectrométrie d'absorption infrarouge. La température du substrat modifie considérablement la nature des liaisons silicium hydrogène et l'énergie des ions est un facteur important permettant de densifier la structure du matériau. Les matériaux obtenus sont photoconducteurs et la photoconductivité sous un éclairement prolongé est très stable dans le cas des matériaux ayant une structure dense dans laquelle l'hydrogène, lié sous forme de mono hydrides, est très stable. Les films d'oxyde de silicium présentent le phénomène de photoluminescence dans le domaine spectral visible. La caractérisation structurale et optique de ces matériaux est effectuée afin d'expliquer l'émission de photons. L’influence de la stœchiométrie et des recuits thermiques est étudiée. La spectrométrie d'absorption infrarouge ainsi que l'effet Raman permettent de mettre en évidence l'existence de grains de silicium dans une matrice d'oxyde de silicium. Les mesures optiques sont interprétées en considérant l'existence de deux phases distinctes. L’énergie des photons émis ainsi que celle du gap optique sont des fonctions décroissantes de la fraction volumique de silicium pur présent dans le matériau. Le modèle du confinement quantique des porteurs dans des grains de silicium amorphe ayant une dimension caractéristique égale à quelques dizaines d'angströms permet d'expliquer les résultats obtenus.

Book Contribution    l   tude du silicium amorphe hydrog  n

Download or read book Contribution l tude du silicium amorphe hydrog n written by Adnan Mini and published by . This book was released on 1982 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L EFFET STAEBLER ET WRONSKI DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L EFFET STAEBLER ET WRONSKI DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by HATEM.. LABIDI and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE EXPERIMENTALE PAR SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE ET MESURES OPTIQUES. IL EST IMPOSSIBLE D'INTERPRETER L'EFFET STAEHLER-WRONSKI DANS LE CADRE DU SEUL MODELE DE LIAISON FAIBLE. INTERPRETATION D'UNE PARTIE DE CET EFFET AVEC LE MODELE DES LIAISONS BRISEES A ENERGIE DE CORRELATION NEGATIVE

Book Contribution    l   tude de la densit   d   tats localis  s du silicium amorphe hydrog  n

Download or read book Contribution l tude de la densit d tats localis s du silicium amorphe hydrog n written by Jean Dijon and published by . This book was released on 1984 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU

Book Contribution a l etude des configurations de l hydrogene dans le silicium amorphe et micro cristallin depose par pulverisation cathodique

Download or read book Contribution a l etude des configurations de l hydrogene dans le silicium amorphe et micro cristallin depose par pulverisation cathodique written by Laurent Lusson and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE  MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA written by STEPHANE.. VIGNOLI and published by . This book was released on 1995 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON ETUDIE LES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET NOTAMMENT L'EFFET STAEBLER-WRONSKI QUI CONSISTE EN LA CREATION DE DEFAUTS DE COORDINATION METASTABLES SOUS LUMIERE. UN PHENOMENE NOUVEAU, A SAVOIR LA GUERISON DE CES DEFAUTS PAR LA LUMIERE, NOUS A AMENE A REDISCUTER LES MODELES PHENOMENOLOGIQUES EXISTANTS. IL EST ALORS APPARU NECESSAIRE DE DEVELOPPER UN NOUVEAU MODELE. CE DERNIER POSTULE QUE LA CREATION DE DEFAUTS EST DUE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRONS-TROUS ET QUE LA GUERISON DES DEFAUTS EST CAUSEE PAR LA CAPTURE DE TROUS PAR CES MEMES DEFAUTS. DANS UN SECOND TEMPS CE MODELE EST APPLIQUE AUX RESULTATS OBTENUS SUR DES FILMS DE A-SI:H DEPOSES DANS DE NOUVELLES CONDITIONS ; CE QUI A SERVI DE TEST POUR VALIDER NOTRE MODELE. L'EXTENSION DE L'ETUDE A UNE LARGE GAMME DE FILMS A MONTRE QUELE A-SI:H OPTIMAL, I.E. LE PLUS STABLE SOUS ILLUMINATION, ETAIT OBTENU A PARTIR DE MELANGES SILANE-HELIUM A 350C

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by JEAN-PIERRE.. PEYRE and published by . This book was released on 1980 with total page 60 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K

Book Contribution    l     tude des propri  t  s photo  lectriques du silicium amorphe hydrog  ne pr  par   par pulv  risation cathodique

Download or read book Contribution l tude des propri t s photo lectriques du silicium amorphe hydrog ne pr par par pulv risation cathodique written by Emmanuel Arene and published by . This book was released on 1983 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution    l analyse du silicium amorphe hydrog  n   par les m  thodes nucl  aires

Download or read book Contribution l analyse du silicium amorphe hydrog n par les m thodes nucl aires written by Luc Jeannerot (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on with total page 62 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution    l analyse du silicium amorphe hydrog  n   par les m  thodes nucl  aires

Download or read book Contribution l analyse du silicium amorphe hydrog n par les m thodes nucl aires written by Luc Jeannerot and published by . This book was released on 1980 with total page 62 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON MONTRE QUE LA MICROANALYSE NUCLEAIRE ASSOCIANT RETRODIFFUSION ELASTIQUE DES PARTICULES CHARGEES ET REACTIONS NUCLEAIRES EST PARFAITEMENT ADAPTEE A LA DETERMINATION QUANTITATIVE ET AU TRACE DE PROFILS DE CONCENTRATION DES CONSTITUANTS MAJEURS (CARBONE, OXYGENE, ARGON, HYDROGENE) DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE OBTENUES PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. UNE METHODE DE TRAITEMENT INFORMATIQUE DES SPECTRES DE PARTICULES CHARGEES (RETRODIFFUSION ELASTIQUE PRINCIPALEMENT) EST PRESENTEE

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D HYDROGENE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D HYDROGENE written by D.. MENCARAGLIA and published by . This book was released on 1978 with total page 35 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA CONDUCTIVITE A L'OBSCURITE ET LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU. L'ADJONCTION D'AZOTE AU PLASMA DE PULVERISATION A PERMIS DE DOPER LE MATERIAU ET SE TRADUIT PAR UNE AUGMENTATION DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE. INTERPRETATION DES MECANISMES QUI REGISSENT LA CONDUCTION.

Book Contribution    l   tude de l ordre local et de son influence sur les propri  t  s   lectroniques dans les alliages silicium hydrog  ne amorphes

Download or read book Contribution l tude de l ordre local et de son influence sur les propri t s lectroniques dans les alliages silicium hydrog ne amorphes written by Remy Mosseri and published by . This book was released on 1979 with total page 114 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM NANOCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM NANOCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE written by ABDELLATIF.. ACHIQ and published by . This book was released on 1998 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEUX CATEGORIES DE COUCHES DE SILICIUM NANOCRISTALLIN OBTENUES PAR PULVERISATION RF ONT FAIT L'OBJET DE CET ETUDE. L'UNE A ETE THERMIQUEMENT CRISTALLISEE APRES DEPOT A DIFFERENTES PRESSIONS PARTIELLES D'HYDROGENE, ALORS QUE LA DEUXIEME CONSISTE EN DES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT (T#S). LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET PHYSIQUES DE CES COUCHES ONT ETE REALISEES A L'AIDE D'UNE PANOPLIE DE TECHNIQUES EXPERIMENTALES TELLES QUE IR, RAMAN, DRX, MET, ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOLUMINESCENCE. LES MECANISMES DE CRISTALLISATION DANS LES COUCHES SE SONT REVELES TRIBUTAIRES, POUR UNE LARGE PART, DE LA PRESENCE ET DE LA CONCENTRATION DES ESPECES OU DES RADICAUX D'HYDRURE SIH#2, SOIT DANS LES FILMS DE BASE POUR LES COUCHES THERMIQUEMENT CRISTALLISEES, SOIT DANS LE PLASMA POUR LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES. DANS LA PREMIERE CATEGORIE DE COUCHES, LES EFFETS DE SIH#2 SE TRADUISENT PAR LA RELAXATION AU COURS DU RECUIT DE LA STRUCTURE CRISTALLISEE. CELLE-CI A ETE MISE EN EVIDENCE PAR LE COMPORTEMENT DE LA CONTRAINTE ET CONFORTEE PAR LA VARIATION DES QUEUES DE BANDES OU ENERGIE D'URBACH LAQUELLE REFLETE LE DESORDRE DANS LE MATERIAU. LE DEGRE DE CE DESORDRE SEMBLE DETERMINER LA LARGEUR DU GAP OPTIQUE ET LES ETENDUES DES DOMAINES DE VALIDITE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. CONCERNANT LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES, LA FRACTION CRISTALLINE F#C ET LA TAILLE DES GRAINS MONTRENT UNE AUGMENTATION GRADUELLE AVEC T#S. L'ORIGINE DE CE COMPORTEMENT RESIDE DANS LES MECANISMES REACTIONNELS ENTRE LES RADICAUX SIH#2 ET LA SURFACE DE LA COUCHE QUI RESULTE EN UN PROCESSUS DE GRAVURE SELECTIVE DES LIAISONS FAIBLES OU SOUS CONTRAINTE CONDUISANT A LA RELAXATION DE LA STRUCTURE VERS L'ETAT CRISTALLIN. LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET LE GAP OPTIQUE E#O ONT MONTRE DES VARIATIONS SPECTACULAIRES EN FONCTION DE T#S DUES PRINCIPALEMENT A L'ACCROISSEMENT DE F#C : ACCUSE UN GAIN DE 7 ORDRES DE GRANDEUR ET E#O DECROIT DE 2,40 EV A 1,95 EV. LA FORMATION D'UNE COUCHE TAMPON AMORPHE POUR LES BASSES T#S A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SPECIFIQUE QUI A MONTRE LA POSSIBILITE DE SA RECRISTALLISATION SUITE A UN SIMPLE RECUIT A UNE TEMPERATURE RELATIVEMENT BASSE (150C) QUI IMPLIQUE LE ROLE CRITIQUE DES ESPECES SIH#2.

Book Flexoelectricity in Liquid Crystals

Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.

Book Masters Theses in the Pure and Applied Sciences

Download or read book Masters Theses in the Pure and Applied Sciences written by Wade H. Shafer and published by Springer. This book was released on 1976 with total page 320 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Masters Theses in the Pure and Applied Sciences was first conceived, published, and dis· seminated by the Center for Information and Numerical Data Analysis and Synthesis (CINDAS) *at Purdue University in 1957, starting its coverage of theses with the academic year 1955. Beginning with Volume 13, the printing and dissemination phases of the ac· tivity were transferred to University Microfilms/Xerox of Ann Arbor, Michigan, with the thought that such an arrangement would be more beneficial to the academic and general scientific and technical community. After five years of this joint undertaking we had concluded that it was in the interest of all concerned if the printing and distribution of the volume were handled by an international publishing house to assure improved service and broader dissemination. Hence, starting with Volume 18, Masters Theses in the Pure and Applied Sciences has been disseminated on a worldwide basis by Plenum Publishing Corporation of New York, and in the same year the coverage was broadened to include Canadian universities. All back issues can also be ordered from Plenum. We have reported in Volume 20 (thesis year 1975) a total of 10,374 theses titles from 28 Canadian and 239 United States universities. We are sure that this broader base for theses titles reported will greatly enhance the value of this important annual reference work. The organization of Volume 20 is identical to that of past years. It consists of theses titles arranged by discipline and by university within each discipline.