Download or read book Conception suivi de fabrication et caract risation lectrique de composants haute tension en SiC written by Runhua Huang and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les composants actifs en électronique de puissance sont principalement à base de Silicium. Or, le silicium a des limites en termes de température d'utilisation, fréquence de commutation et de tenue en tension. Une alternative au Si peut être les semi-conducteurs à grand gap tels que le SiC-4H. Grâce aux travaux de plusieurs équipes de chercheurs dans le monde, les performances s'améliorent d'année en année. Le laboratoire AMPERE conçoit, réalise et caractérise des composants de puissance en SiC-4 H. Cette thèse s'inscrit dans les projets SiCHT2 et VHVD du laboratoire. Le travail réalisé au cours de cette thèse repose sur la conception la fabrication et la caractérisation électrique de composantes haute tension en SiC-4H. Les paramètres de protection pour la diode bipolaire 6500V sont optimisés à l'aide des simulations à base d'éléments finis. Les paramètres du SiC pour les modèles utilisés pour la simulation sont développés par des travaux précédents. Ensuite, le masque est dessiné. La diode est réalisée chez IBS. La première caractérisation est effectuée avant le recuit post-métallisation en directe et inverse sans passivation finale. Après le recuit post-métallisation la résistance de contact est plus faible. La caractérisation de la tenue en tension a été effectuée à AMPERE puis à l'ISL à très haute tension. A l'aide de simulations à base d'éléments finis, les paramètres tels que la résistance de contact et la durée de vie des porteurs ont été affinés à partir des caractérisations électriques obtenues par l'expérience. Les autres travaux portent sur la conception, les optimisations et les fabrications des diodes 10 kV et transistors 6500 V.

Download or read book Conception fabrication et caract risation de transistors effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associ e written by Florian Chevalier and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants silicium deviennent alors inappropriés. Depuis la commercialisation des premières diodes Schottky en 2001, le carbure de silicium est le matériau reconnu mondialement pour la fabrication de dispositifs haute tension avec une forte intégration. Sa large bande d'énergie interdite et son fort champ électrique critique permettent la conception de transistors à effet de champ avec jonction (JFET) pour les hautes tensions ainsi que les diodes associées. Les structures étudiées dépendent de nombreux paramètres, et doivent ainsi être optimisées. L'influence d'un paramètre ne pouvant être isolée, des méthodes mathématiques ont été appelées pour trouver la valeur optimale. Ceci a conduit à la mise en place d'un critère d'optimisation. Ainsi, les deux grands types de structures de JFET verticaux ont pu être analysés finement. D'une part, la recherche d'une structure atteignant les tensions les plus élevées possible a conduit à l'élaboration d'un procédé de fabrication complexe. D'autre part, un souci de simplification et de stabilisation des procédés de fabrication a permis le développement d'un composant plus simple, mais avec une limite en tension un peu plus modeste.

Download or read book Conception optimisation et caract risation d un transistor effet de champ haute tension en Carbure de Silicium written by Shiqin Niu and published by . This book was released on 2016 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d'un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s'est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof. D. PLANSON. Des premiers démonstrateurs de JFET ont été réalisés. Le blocage du JFET n'est pas efficace, ceci étant lié aux difficultés de réalisation technologique. Le premier travail a consisté en leur caractérisation précise puis en leur simulation, en tenant compte des erreurs de processus de fabrication. Ensuite, un nouveau masque a été dessiné en tenant en compte des problèmes technologiques identifiés. Les performances électriques de la nouvelle génération du composant ont ainsi démontré une amélioration importante au niveau de la tenue en tension. Dans le même temps, de nouveaux problèmes se sont révélés, qu'il sera nécessaire de résoudre dans le cadre de travaux futurs. Par ailleurs, les aspects de tenue en court-circuit des JFETs en SiC commercialement disponibles ont été étudiés finement. Les simulations électrothermiques par TCAD ont révélé les modes de défaillances. Ceci a permis d'établir finalement des modèles physiques valables pour les JFETs en SiC.

Download or read book Conception r alisation et caract risation d un composant limiteur de courant command en carbure de silicium et son int gration syst me written by Dominique Tournier and published by . This book was released on 2003 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'expansion, des réseaux électriques en tous genres : distribution d'énergie, télécommunication, dans les secteurs tant industriel que domestique a fortement contribué à l'augmentation des risques d'apparition de défauts, tels qu'une surtension ou une surintensité. Cette multiplicité et complexité des réseaux électrique et le besoin de disposer de systèmes fiables et à haut rendement a favorisé le développement de dispositifs de protection, et plus particulièrement de la protection série. Du fait de la forte énergie apparaissant lors d'un court-circuit, plusieurs contraintes apparaissent pour la conception d'un composant limiteur de courant. La première concerne son aptitude à limiter et dissiper l'énergie du court-circuit, sous forme de chaleur. La deuxième contrainte est la capacité du composant (ou du système) à fonctionner sous haute tension, du fait des surtensions pouvant apparaître dans les installations électriques en cas de défaut. Ces deux contraintes, et les propriétés physiques du carbure de silicium, ont conduit à une étude de faisabilité d'un composant limiteur de courant en utilisant du SiC-4H, d'un calibre en courant de 32 A pour une tension nominale VN = 690 V. Une structure de type VJFET a été retenue, puis optimisée en tenant compte du cahier des charges, des particularités physiques du SiC et de la technologie de fabrication associée. Un premier lot de composant a été fabriqué, mettant en évidence la possibilité d'obtenir un composant limiteur de courant bidirectionnel en courant et en tension, fonctionnant pour des tensions maximale de l'ordre de 970V. Les divers résultats issus du premier lot de composants ont permis d'effectuer quelques ajustements pour la fabrication d'un deuxième lot de composants afin de valider la faisabilité d'un composant limiteur de courant, d'étudier la mise en parallèle massive de structures élémentaire pour atteindre les objectifs en courant et de s'intéresser également à la possibilité de l'intégration système du limiteur de courant. La simultanéité d'obtention d'un MESFET latéral conjointement au limiteur de courant ouvre ces perspectives d'obtention d'un limiteur de courant commandé autonome. Les ajustements du processus de fabrication ont été validés sur un lot intermédiaire. L'efficacité de la protection série a ensuite été validée dans un application faible puissance (IN = 16 mA, VN = 240 V), démontrant l'aptitude du composant élémentaire à limiter le courant de court-circuit en un temps très faible (t

Download or read book Caract risation lectrique en commutation de diodes haute tension en carbure de silicium written by Damien Risaletto and published by . This book was released on 2007 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les systèmes intégrés de puissance sont de plus en plus utilisés. Cette technologie rend coûteux le prototypage itératif, c'est pourquoi il est nécessaire de recourir à la simulation des convertisseurs. Pour cela il est nécessaire de modéliser les composants du système. Dans le cadre du GdR "Intégration des systèmes de Puissance à 3 Dimensions", le laboratoire AMPERE a réalisé des diodes PIN en SiC de calibre 4,8kV. La caractérisation statique et en commutation de ces diodes permet de connaître leurs performances et extraire les paramètres technologiques utilisés dans leur modèle : WB, ND, τ et A. La caractérisation électrique utilise des circuits de commutation adaptés aux performances exceptionnelles des diodes SiC (haute tension, rapide). Le dimensionnement et la modélisation des cicruits, ainsi que l'extraction des paramètres sont développés dans la thèse. La validation des paramètres est effectuée dans un circuit original, un circuit de commutation résistive, spécialement développé pour ce type de diodes. Les mesures et les simulations sont suffisamment proches pour valider la procédure de caractérisation et le modèle de la diode. Avec l'obtention du modèle de la diode SiC, il devient possible de simuler son fonctionnement dans un convertisseur.

Download or read book Caract risation mod lisation et int gration de JFET de puissance en carbure de silicium dans des convertisseurs haute temp rature et haute tension written by Rami Mousa and published by . This book was released on 2009 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les systèmes d’électroniques de puissance ont grandement bénéficié du progrès révolutionnaire des composants de puissance en silicium (Si). Actuellement la quasi-totalité des applications d’électronique de puissance utilise des composants en Si. Les applications d’électroniques de puissance à haute température, haute tension et forte puissance sont de plus en plus croissantes et le silicium atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d’énergie interdite. Les propriétés électriques de ce matériau devancent celles du silicium, ce qui signifie qu’un composant en SiC présente de meilleures performances par rapport à son équivalent en silicium (Si). Les différents travaux à travers le monde démontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine génération des composants de puissance. Le transistor JFET-SiC est l’interrupteur le plus avancé dans son développement technologique car il est au stade de la pré-commercialisation. Un modèle de type circuit pour les composants en SiC présente une extrême importance pour l’analyse et la conception de circuits de convertisseurs, en particulier, si une comparaison avec les composants en Si est établie. Le travail réalisé au cours de cette thèse, consiste à caractériser électriquement plusieurs versions de JFET-SiC pour des températures comprises entre 25°C et 225°C. Les caractérisations sont basées sur des mesures DC (Courant - Tension) en utilisant un traceur de caractéristiques, des mesures AC (Capacité - Tension) en utilisant un analyseur d’impédance et des mesures en commutation sur charge R-L (Résistive-Inductive). L’objectif est d’établir un modèle analytique du transistor JFET-SiCED. Ce modèle est basé sur l’analyse physique et comportementale du JFET en tenant compte de l’influence de la température et de la présence des deux canaux intrinsèques. Le modèle a été développé en langage VHDL-AMS et validé en régime statique ainsi qu’en dynamique en utilisant le simulateur SIMPLORER 7.0. La validation du modèle montre une excellente concordance entre les mesures et la simulation.

Download or read book Caract risation et mod lisation de diodes Schottky et JBS SiC 4H pour des applications haute tension written by Besar Asllani and published by . This book was released on 2019 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La diode Schottky SiC est un composant qui peut potentiellement remplacer la diode PiN Si dans les applications de puissance. Effectivement, la tenue en tension élevée, la faible résistivité, ainsi que l'indépendance de la température du courant de recouvrement rendent cette diode idéale pour les convertis- seurs de puissance DC/DC. Cependant, face à l'abondance des composants Si sur le marché, la diode Schottky rencontre une certaine réticence. Malgré les nombreuses démonstrations de systèmes électroniques de puissance réalisés, la fiabilité de cette technologie n'arrive pas à convaincre. Cette étude porte sur la caractérisation en régime statique sur une large gamme de températures et l'évaluation de la fiabilité en surcharge des diodes Schottky et JBS SiC-4H. La caractérisation en température a permis de proposer des modèles de la carac- téristique directe et inverse sur une gamme étendue de températures. Les tests en surcharge ont permis de comparer la fiabilité de diodes expérimentales et commerciales à fin de montrer la maturité de cette technologie.

Download or read book Conception r alisation et caract risation d un composant limiteur de courant en carbure de silicium written by Franck Nallet and published by . This book was released on 2001 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La filière carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance semble être prometteuse dans un avenir proche. Ses propriétés physiques en font un excellent candidat pour des applications où se mêlent haute tension et haute température. Le sujet abordé dans cette thèse entre intégralement dans ce domaine en proposant l'étude d'un composant limiteur de courant en carbure de silicium. Ce dispositif est destiné à la protection des sytèmes électriques contre les surintensités sur un réseau 50 Hz. La fonction demandée est de limiter le courant de surcharge sur une durée limitée et suffisante pour autoriser l'ouverture de la ligne par un organe disjoncteur dans des conditions propices. La conception d'un composant en SiC-4H répondant au cahier des charges (600 V / 50 A) a abouti à une définition des paramètres technologiques assistée par le logiciel de simulation par éléments finis développé par ISEtmTCAD. Un premier prototype, réalisé avec le concours du CNM (Barcelone), montre une densité de courant de saturation d'environ 200.A.cm-2 et une résistance série spécifique de 150 mégaOhms.cm2. Le concept proposé en simulation a été vérifié expérimentalement. Le démonstrateur a permis de "rôder" certains points technologiques et de définir un ensemble de corrections envisagées sur la réalisation d'un second prototype. Les prototypes suivant atteignent une densité de courant de saturation de 800 A.cm-2 avec une résistance série spécifique de 14 mégaOhms.cm2. Les seconds prototypes de composants limiteurs de courant en SiC-4H réalisés se situent parmi les meilleurs représentants des Accu-MOSFETs obtenus dans la littérature.

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Properties of UO2 written by J. Belle and published by . This book was released on 1957 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Biosocialities Genetics and the Social Sciences written by Sahra Gibbon and published by Routledge. This book was released on 2007-07-20 with total page 387 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Biosocialities, Genetics and the Social Sciences explores the social, cultural and economic transformations that result from innovations in genomic knowledge and technology. This pioneering collection uses Paul Rabinow’s concept of biosociality to chart the shifts in social relations and ideas about nature, biology and identity brought about by developments in biomedicine. Based on new empirical research, it contains chapters on genomic research into embryonic stem cell therapy, breast cancer, autism, Parkinson’s and IVF treatment, as well as on the expectations and education surrounding genomic research. It covers four main themes: novel modes of identity and identification, such as genetic citizenship the role of institutions, ranging from disease advocacy organizations and voluntary organizations to the state the production of biological knowledge, novel life-forms, and technologies the generation of wealth and commercial interests in biology. Including an afterword by Paul Rabinow and case studies on the UK, US, Canada, Germany, India and Israel, this book is key reading for students and researchers of the new genetics and the social sciences – particularly medical sociologists, medical anthropologists and those involved with science and technology studies.

Download or read book Buyology written by Martin Lindstrom and published by Currency. This book was released on 2010-02-02 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NEW YORK TIMES BESTSELLER • “A fascinating look at how consumers perceive logos, ads, commercials, brands, and products.”—Time How much do we know about why we buy? What truly influences our decisions in today’s message-cluttered world? In Buyology, Martin Lindstrom presents the astonishing findings from his groundbreaking three-year, seven-million-dollar neuromarketing study—a cutting-edge experiment that peered inside the brains of 2,000 volunteers from all around the world as they encountered various ads, logos, commercials, brands, and products. His startling results shatter much of what we have long believed about what captures our interest—and drives us to buy. Among the questions he explores: • Does sex actually sell? • Does subliminal advertising still surround us? • Can “cool” brands trigger our mating instincts? • Can our other senses—smell, touch, and sound—be aroused when we see a product? Buyology is a fascinating and shocking journey into the mind of today's consumer that will captivate anyone who's been seduced—or turned off—by marketers' relentless attempts to win our loyalty, our money, and our minds.

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book Translators Through History written by Jean Delisle and published by John Benjamins Publishing. This book was released on 2012 with total page 364 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Acclaimed, when it first appeared, as a seminal work – a groundbreaking book that was both informative and highly readable – Translators through History is being released in a new edition, substantially revised and expanded by Judith Woodsworth. Translators have played a key role in intellectual exchange through the ages and across borders. This account of how they have contributed to the development of languages, the emergence of literatures, the dissemination of knowledge and the spread of values tells the story of world culture itself. Content has been updated, new elements introduced and recent directions in translation scholarship incorporated, providing fresh insights and a more nuanced view of past events. The bibliography contains over 100 new titles and illustrations have been refreshed and enhanced. An invaluable tool for students, scholars and professionals in the field of translation, the latest version of Translators through History remains a vital resource for researchers in other disciplines and a fascinating read for the wider public.

Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.

Download or read book Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility written by Dr. Reinaldo J. Perez and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2018-11-30 with total page 768 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A comprehensive resource that explores electromagnetic compatibility (EMC) for aerospace systems Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is a groundbreaking book on EMC for aerospace systems that addresses both aircraft and space vehicles. With contributions from an international panel of aerospace EMC experts, this important text deals with the testing of spacecraft components and subsystems, analysis of crosstalk and field coupling, aircraft communication systems, and much more. The text also includes information on lightning effects and testing, as well as guidance on design principles and techniques for lightning protection. The book offers an introduction to E3 models and techniques in aerospace systems and explores EMP effects on and technology for aerospace systems. Filled with the most up-to-date information, illustrative examples, descriptive figures, and helpful scenarios, Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is designed to be a practical information source. This vital guide to electromagnetic compatibility: • Provides information on a range of topics including grounding, coupling, test procedures, standards, and requirements • Offers discussions on standards for aerospace applications • Addresses aerospace EMC through the use of testing and theoretical approaches Written for EMC engineers and practitioners, Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is a critical text for understanding EMC for aerospace systems.

Download or read book Oedipus at Thebes written by Bernard Knox and published by Yale University Press. This book was released on 1998-01-01 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Examines the way in which Sophocles' play "Oedipus Tyrannus" and its hero, Oedipus, King of Thebes, were probably received in their own time and place, and relates this to twentieth-century receptions and interpretations, including those of Sigmund Freud.