Download or read book Conception et realisation de transistors a effet de champ de la filiere AlinAs GainAs sur substrat InP Application a l amplification faible bruit en ondes millimetriques written by Pascal Chevalier (ingénieur) and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Conception et r alisation de transistors effet de champ de la fili re AlInAs GaInAs sur substrat InP written by Pascal Chevalier (ingénieur en électronique).) and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'essor des applications hyperfrequences fonctionnant en ondes millimetriques necessite le developpement de nouvelles filieres de circuits integres. Un composant clef de ces circuits est le transistor a effet de champ a heterojonction : le hemt (high electron mobility transistor). Nous developpons dans ce memoire les resultats de l'etude de hemt alinas/gainas realises sur phosphure d'indium (inp). Apres avoir introduit les bases relatives au fonctionnement et aux domaines d'applications de ce transistor, nous presentons les outils theoriques et experimentaux utilises pour nos travaux. Ces derniers contribuent d'une part a la mise au point technologique et d'autre part a l'optimisation de la structure epitaxiale. Les recherches menees en technologie concernent principalement la technologie de grille et plus particulierement la lithographie electronique des grilles en te en tricouche de resines. La realisation de grilles de 100 nm de longueur, de faible resistivite, a permis la fabrication de transistors performants, presentant notamment une frequence de coupure extrinseque f#t proche de 250 ghz et une transconductance intrinseque de 1,5 s/mm. L'optimisation de l'epitaxie, visant a depasser les limitations des transistors a canal gainas adapte en maille sur le substrat, a conduit a l'etude des canaux composites gainas/inp. Nous avons mis en evidence leur efficacite pour reduire le phenomene d'ionisation par impact et ainsi ameliorer les performances du composant. Les performances en puissance de transistors a canal gainas/inp/inp n#+ (355 mw/mm a 60 ghz) ont montre toutes les potentialites de structures a canal composite pour la generation de puissance en ondes millimetriques.

Download or read book Conception r alisation et caract risation de transistors effet de champ h t rojonction sur substrat d InP pour circuits int gr s coplanaires en bandes V et W written by Virginie Hoel and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nouvelles applications necessitent des frequences de travail toujours plus elevees. Pour cela, nous souhaitons realiser des circuits amplificateurs faible bruit performants en technologie coplanaire travaillant en gamme d'ondes millimetriques. Le composant cle pour realiser ces circuits est le transistor a effet de champ a heterojonction hemt (high electron mobility transistor). Par consequent, nous developpons dans ce memoire la conception, la realisation et la caracterisation de transistors hemts performants de longueur de grille submicronique en technologie coplanaire. La technologie utilisee pour realiser la grille est de type nitrure. Les transistors sont naturellement passives par une couche de nitrure de silicium de 800a qui protege la zone active. Le pied de grille est insere dans cette couche de dielectrique ce qui permet d'obtenir des grilles robustes avec des longueurs de grille inferieures a 0.1 m. Ce travail, soutenu financierement par la dga, fait l'objet d'une collaboration avec la societe dassault electronique. Nous presentons le principe de fonctionnement et les differentes structures hemts. L'etat de l'art permet de constater la superiorite des heterojonctions alinas/gainas sur substrat inp. Les hemts sont donc realises sur des structures alinas/gainas adaptees en maille sur inp realisees au laboratoire. Nous etudions ensuite la conception des motifs transistors adaptes a la realisation de circuits integres en technologie coplanaire. Puis, nous decrivons les differentes etapes technologiques qu'il a fallu optimiser pour aboutir a la realisation de hemts performants avec un bon rendement de fabrication. Nous etudions les performances hyperfrequences et en bruit des transistors.

Download or read book Conception et r alisation de transistors effet de champ h t rojonction sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W written by Farid Medjdoub and published by . This book was released on 2004 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce procédé nous permet d'éloigner la surface du gaz bidimensionnel de manière à obtenir un courant de drain élevé et éviter l'effet kink tout en maintenant un rapport d'aspect favorable pour les grilles sub-1OO nm. Il apparaît que les fréquences de coupure Ft évoluent de manière croissante en fonction de la réduction de la longueur de grille. Nous avons atteint des fréquences Ft et Fmax respectives de 210 GHz et 420 GHz. Ce procédé étant validé, nous l'avons appliqué aux structures comportant des canaux tels que l'InP et l'InAsP. Nous sommes parvenus à une fréquence de coupure de 125 GHz et une fréquence maximum d'oscillation de 380 GHz avec une grille de 50 nm pour la structure à canal InP, ce qui représentent les meilleures performances fréquentielles obtenues jusqu'à présent sur ce type de composant. Sur la structure à canal InAsP, nous atteignons une fréquence de coupure de 140 GHz, une fréquence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible à 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm. Sa faible ̧conductance de sortie comparée à la structure à canal GaInAs, associée à la barrière composite nous a permis d'atteindre l'état de l'art mondial en puissance des HÉMTs sur substrat InP.

Download or read book Conception Et R alisation de Transistors Effet de Champ 94 Ghz written by Farid Medjdoub and published by Omniscriptum. This book was released on 2011-12 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est la conception et la réalisation de transistors à effet de champ (TEC) sur substrat InP pour l'amplification de puissance en bande W. Le but est d'étudier les potentialités en puissance de différents TEC dans la filière InP à 94 GHz. La montée en fréquence requiert la diminution des dimensions du composant, ce qui est assurément défavorable à une bonne tenue en tension. Notre défi était de tenter d'élaborer des transistors capables de fonctionner à cette fréquence et possédant une tension de claquage élevée. Une structure à canal InAsP délivrant une fréquence de coupure de 140 GHz, une fréquence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible à 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm nous a permis d'atteindre l'état de l'art mondial en puissance à 94 GHz des HEMTs sur substrat InP.

Download or read book Conception fabrication et caract risation de transistors double grille de la fili re Al InAs GaInAs adapt en maille sur substrat InP written by Nicolas Wichmann and published by . This book was released on 2005 with total page 258 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le développement des applications hyperfréquences futures (Internet haut débit, WI-FI, radioastronomie, métrologie de polluants,...) nécessite la mise au point de circuits intégrés ultra-rapides. L'un des principaux éléments constituant ces circuits est le HEMT. Actuellement, la fréquence maximale d'oscillation fMAX et la fréquence de coupure fT de ce transistor se situent aux alentours de 600 GHz. De telles fréquences sont obtenues en réduisant les longueurs de grille (Lg) en deçà de 50nm. Cependant, on constate une stabilisation des performances fréquentielles avec la réduction de (Lg) compte tenu de l'importance des effets de canal court à ces valeurs de Lg. Il faut donc, dès à présent, proposer des solutions alternatives. Le développement de ces nouveaux composants de la filière HEMT AlInAs/GalnAs adapté en maille sur lnP, basé sur une technologie de report de substrat, constitue l'objet de cette thèse. Ces travaux sont composés de simulations, de fabrications et de caractérisations électriques. Nous avons réalisé des transistors HEMT Double-Grille (DG-HEMT), de longueurs de grille 100nm parfaitement alignées. Sur ces structures, une transconductance extrinsèque record de 2650 mS/mm et un fMAX augmenté de plus de 30% par rapport à un HEMT standard ont été obtenus. Par la suite, une seconde structure basée sur le principe de la modulation de vitesse et désignée sous le nom de transistor VMT a été simulée, réalisée et caractérisée en régime statique. La concordance entre la simulation et les résultats électriques confirme le fonctionnement de ce composant en modulation de vitesse.

Download or read book Etude des transistors effet de champ de type HEMT sur substrat GaAs et InP pour l amplification de puissance en gamme millim trique written by Frédéric Diette and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne le developpement des transistors hemts dans les filieres gaas et inp pour l'amplification de puissance en gamme millimetrique. La premiere partie de ce travail traite des differentes etapes technologiques relatives aux deux filieres etudiees. Si dans le cas de la filiere gaas, les parametres technologiques n'ont pas necessite de reelle amelioration pour la realisation d'un transistor elementaire, nous avons du developper les etapes relatives aux transistors a grand developpement. Dans le cas de la filiere inp, toutes les etapes technologiques (contacts ohmiques et schottky, gravure selective et lithographie de grille a trois couches de resine) ont necessite un effort particulier quant a leur optimisation. Le deuxieme partie de ce travail est consacree a l'etude de la filiere inp. Des etudes de parametres technologiques et de couches actives se concretisent par la realisation d'un grand nombre de transistors avec la longueurs de grille de 0,25 m.. La caracterisation statique et hyperfrequence, nous a permis dans un premier temps, de mettre en evidence les principales limitations de cette filiere. Ces resultats ont servi dans un deuxieme temps, a definir deux structures originales. L'une d'entre elle nous a permis d'egaler l'etat de l'art en puissance a 60 ghz. La derniere partie presente les travaux menes dans la filiere gaas. Dans un premier temps, nous presentons les resultats d'etudes technologiques sur des epitaxies a un ou deux canaux pseudomorphiques. La validation de ces etudes s'est faite, en plus de la caracterisation statique ou hyperfrequence en petit signal, par la caracterisation en puissance a 26 ghz. Enfin, nous presentons les resultats d'un transistor de type metamorphique (alinas/gainas sur un substrat gaas).

Download or read book R alisation et caract risation de transistors effet de champ h t rojonction de la fili re AlInAs GaInAs pour applications en ondes millim triques written by Hervé Fourre and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail presente l'etude, la realisation et la caracterisation de transistors a heterojonction alinas/gainas dans les differentes filieres existantes, a savoir: adaptee en maille sur inp (lm), pseudomorphique sur inp (pm) et metamorphique sur gaas (mm). La mobilite des electrons dans le gainas et la discontinuite de bande de conduction entre les deux materiaux en font en effet d'excellents candidats pour les applications en ondes millimetriques. Une attention particuliere a ete apportee aux structures metamorphiques avec une comparaison des differents types de couches tampon en terme de relaxation de la contrainte et de caracteristiques du gaz d'electrons bidimensionnel. De meme, une etude par simulation a l'aide du logiciel helena a permis de montrer le potentiel des structures metamorphiques 40% d'indium pour des applications de puissance dans le domaine hyperfrequences et faible bruit. Pour la definition d'un procede de fabrication en technologie nitrure dans chacune des filieres, une optimisation des differentes etapes entrant dans la realisation des transistors a ete effectuee. Cette optimisation a permis en particulier la definition de procedes d'isolation par implantation constituant l'etat de l'art dans les filieres lm et pm sur inp et de procedes de gravure de fosse de grille par attaque chimique selective par voie humide. Cette etude a par ailleurs montre la difficulte de realiser de bons contacts ohmiques sur les structures mm 30% d'indium et ce malgre l'amelioration apportee par les contacts de type debordant. Pour valider les procedes de fabrication mis en place dans chacune des filieres et montrer la faisabilite des composants isoles par implantation, des transistors a grille longue et a grille submicronique ont ete realises puis caracterises.

Download or read book Al1 xInxAs Ga1 xInxAs high electron mobility transistor on GaAs and InP for power millimeter applications written by Mustafa Boudrissa and published by . This book was released on 2001 with total page 496 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne l'étude des potentialités de deux filières de transistor HEMT AlInAs/GaInAs pour les applications de puissance en ondes millimétriques. Nous avons fait appel à un outil de simulation, à la technologie et de la caractérisation pour mener à bien cette étude. Une étude de la topologie de la couche de contact a été menée grâce à un logiciel de simulation hydrodynamique bidimensionnel sur des structures métamorphiques. Nous avons effectué une analyse du claquage du composant en fonction du dopage et de l'épaisseur grâce à la répartition de grandeurs physiques telles que le champ électrique et l'énergie des porteurs. Les composants ont été fabriqués grâce aux outils de la technologie. L'élément clé a été le fossé de grille. Un profil uniforme du fossé de grille, une bonne tenue mécanique du métal et de bonnes caractéristiques électriques de grille n'ont pu être obtenues qu'en modifiant l'agent mouillant qui a permis de réduire cette étape. C'est la première fois qu'une étude sur les courants de grille issus du phénomène d'ionisation par impact est menée en fonction de la topologie du composant. Les résultats obtenus sont à l'état de l'art dans les deux filières. Dans la filière métamorphique sur GaAs, une densité de puissance de 100mW/mm (resp. 140mW/mm) a pu être obtenue à l'aide d'un banc load-pull à 10GHz sur un HEMT métamorphique à couche de contact fine (resp. épaisse) fonctionnant à accumulation de charge (Enhancement-Mode). De même, sur les composants à canal composite de la filière InP, une densité de puissance à 60GHz de 420mW/mm a été obtenue sur une structure et une topologie optimisées. Les composants à large extension grille drain ont permis à la fois d'obtenir de faibles courants de grille et d'améliorer la puissance de sortie.

Download or read book tude et perspective des transistors h t rostructure AlInAs GaInAs de longueur de grille inf rieure 100 nm et conception de circuits int gr s en bande G written by Thierry Parenty and published by . This book was released on 2003 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'amélioration continue des performances fréquentielles des composants électroniques, n'a cessé d'ouvrir de nouvelles perspectives pour de multiples applications. S'appuyant sur l'expérience de l'IEMN, l'objectif de cette thèse a été de développer des circuits intégrés pour les applications au delà de 100GHz (Radiométrie, Radioastronomie, Radar, Télécommunications haut débit, Métrologie de polluants,...). Ce sujet aborde deux thèmes principaux: La réalisation de transistor à effet de champ à hétérojonction HEMT (High Electron Mobility Transistor) de la filière AlInAs/GalnAs sur substrat d'lnP pouvant répondre à nos objectifs, puis la conception et la réalisation de différents circuits intégrés en bande G (140 - 220 GHz). Dans le premier chapitre, nous introduisons le HEMT et dressons un état de l'art de sa technologie et de ses performances fréquentielles. Puis, nous discutons des paramètres à optimiser pour accroître les performances électriques des HEMTs. Enfin nous présentons le procédé de fabrication pour obtenir des HEMTs de longueur de grille de 70 nm et rapportons les résultats de leur caractérisation électrique. Les meilleurs résultats obtenus sont un fT de 270 GHz et un fmax de 470 GHz, ceux-ci se situent au niveau des meilleurs résultats mondiaux en terme de compromis fT-fmax. Dans la seconde partie de ce travail, nous avons conçu des amplificateurs à 140 et 180 GHz, un oscillateur à 140 GHz et des VCOs à 140 GHz. Concernant les amplificateurs, les résultats de simulation laissent espérer un gain par étage de 7 et 3,5 dB à respectivement 140 et 180 GHz. Pour les VCOs, nous avons envisagé diftërentes topologies, cependant la bande d'accord la plus élevée pourrait atteindre 7,5 GHz. A l'heure actuelle, la fabrication des circuits n'a pu être achevée. Cependant nous avons réalisé l'ensemble des dispositifs passifs constituant les circuits, sur ceux-ci des mesures de paramètres S ont été réalisés jusque 220 GHz. Ces mesures ont montré une bonne concordance avec les résultats de simulation, pour les éléments test ainsi que les réseaux d'adaptation. Ces résultats valident les modèles des éléments passifs, et nous permet d'envisager positivement la réalisation d'un circuit complet.

Download or read book Transistors effet de champ sur substrat InP canaux composites written by Hassan Maher and published by . This book was released on 1999 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la conception de structures de transistors HEMT à canal composite sur substrat InP, dans lesquelles nous juxtaposons un canal à forte mobilité électronique à faible champ et un deuxième canal à faible coefficient d'ionisation par impact. L'objectif de telles structures est d'améliorer les performances de tenue en tension des composants classiques, tout en gardant de bonnes performances dynamiques. Après une étape de conception de la structure en utilisant des outils classiques de modélisation, nous avons adapté les étapes technologiques de la réalisation du composant classique en prenant en compte la composition et les dimensions des couches de matériaux constituant cette nouvelle structure. Nous avons mené en particulier une étude spécifique sur les contacts ohmiques, le contact et le retrait de grille. Les composants réalisés nous ont permis d'obtenir des fréquences de coupure très élevées ( f_t = 265 GHz ). Par ailleurs ces transistors conservent d'excellentes tenue en tension ( 20 V en régime pincé et 4 V en régime ouvert). Afin d'analyser de possibles limitations apportées par la conduction de sortie sur le gain à haute fréquence, ainsi que sur la tension de claquage, une étude du courant de grille en excès a été effectuée. L'observation de deux bosses dans les variations du courant de grille en fonction de la tension de grille lorsque la tension de drain est suffisante (>3V) a fait l'objet d'une analyse poussée, faisant appel à une caractérisation fine en fonction de la température, de l'espacement grille drain et de la longueur de grille. II en résulte l'attribution de l'une des bosses, à un phénomène d'ionisation par impact, l'autre bosse proche du pincement est associée à un mécanisme de transfert des électrons du canal vers l'interface entre couche tampon et substrat.

Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SUR SUBSTRAT INP PAR METHODE QUASI BIDIMENSIONNELLE written by PHILIPPE.. ROZES and published by . This book was released on 1993 with total page 225 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SUR SUBSTRAT INP ET SUR LA REALISATION D'UN LOGICIEL DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR BASEE SUR LA METHODE QUASI-BIDIMENSIONNELLE. A PARTIR D'UNE METHODE CLASSIQUE, NOUS AVONS ELABORE DES MODELES ORIGINAUX POUR SIMULER LE COMPORTEMENT STATIQUE, DYNAMIQUE ET EN BRUIT DES DISPOSITIFS CONSIDERES. UN LOGICIEL DE CAO A ETE DEVELOPPE QUI PERMET LA RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DISCRETISEES ISSUES DE CES MODELES. NOUS MONTRONS L'EFFICACITE DE NOS MODELES POUR LA COMPREHENSION DU COMPORTEMENT DES DISPOSITIFS EXISTANTS, L'OPTIMISATION DES NOUVELLES STRUCTURES ET LA MISE AU POINT DES MODELES UTILISES EN CONCEPTION DE CIRCUITS. NOUS PORTONS UN INTERET PARTICULIER AUX STRUCTURES MESFET A CANAL GAAS HETERO-EPITAXIEES SUR SUBSTRAT INP. NOS MODELES SONT EN TRES BON ACCORD AVEC LES APPROCHES PLUS LOURDES ET AVEC LES MESURES EXPERIMENTALES. NOUS ESTIMONS LEURS LIMITES DE VALIDITE ET NOUS EVALUONS LEURS AVANTAGES SUR LES METHODES QUASI-BIDIMENSIONNELLES EXISTANTES. NOUS CONCLUONS SUR L'AVENIR DE TELLES METHODES ET SUR LES DEVELOPPEMENTS QU'IL CONVIENT DE REALISER DANS L'IMMEDIAT

Download or read book Transistor effet de champ en GainAs written by Louis Giraudet and published by . This book was released on 1988 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail s'articule suivant deux axes : - l'étude des propriétés de transport des électrons dans le canal du transistor, pour laquelle a été développée une méthode originale de mesure d'effet hall différentiel sur biseau. cette étude a conduit a l'emploi de couches tampons en algainas pour séparer le canal du substrat inp semi-isolant. - la réalisation de transistors à effet de champ utilisant un contact de grille métal semi-conducteur. l'obtention de très faibles courants de fuite nécessite l'emploi d'une barrière en alinas entre la grille métallique et le canal en gainas. les transistors a transconductance élevée (200 ms/mm pour une longueur de grille de 1 mu m) présentent des fréquences de coupures élevées (206 hz)

Download or read book Yvain written by Chretien de Troyes and published by Yale University Press. This book was released on 1987-09-10 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The twelfth-century French poet Chrétien de Troyes is a major figure in European literature. His courtly romances fathered the Arthurian tradition and influenced countless other poets in England as well as on the continent. Yet because of the difficulty of capturing his swift-moving style in translation, English-speaking audiences are largely unfamiliar with the pleasures of reading his poems. Now, for the first time, an experienced translator of medieval verse who is himself a poet provides a translation of Chrétien’s major poem, Yvain, in verse that fully and satisfyingly captures the movement, the sense, and the spirit of the Old French original. Yvain is a courtly romance with a moral tenor; it is ironic and sometimes bawdy; the poetry is crisp and vivid. In addition, the psychological and the socio-historical perceptions of the poem are of profound literary and historical importance, for it evokes the emotions and the values of a flourishing, vibrant medieval past.

Download or read book Charles Pettigrew First Bishop elect of the North Carolina Episcopal Church written by Bennett H Wall and published by Hassell Street Press. This book was released on 2021-09-10 with total page 32 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This work has been selected by scholars as being culturally important and is part of the knowledge base of civilization as we know it. This work is in the public domain in the United States of America, and possibly other nations. Within the United States, you may freely copy and distribute this work, as no entity (individual or corporate) has a copyright on the body of the work. Scholars believe, and we concur, that this work is important enough to be preserved, reproduced, and made generally available to the public. To ensure a quality reading experience, this work has been proofread and republished using a format that seamlessly blends the original graphical elements with text in an easy-to-read typeface. We appreciate your support of the preservation process, and thank you for being an important part of keeping this knowledge alive and relevant.