Download or read book CARACTERISATIONS PHYSICO CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE COUCHES DE SI 3N 4 REALISEES PAR IMPLANTATION D AZOTE A FORTE DOSE DANS DU SILICIUM written by HAMID.. AMIDI and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS EVALUONS LES POTENTIALITES DE LA TECHNIQUE SIMNI POUR LA REALISATION DE SUBSTRATS SOI. POUR CELA, NOUS AVONS CARACTERISE DIFFERENTS SUBSTRATS SIMNI EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION ET DE RECUIT. L'ANALYSE SIMS DES SUBSTRATS SIMNI A MONTRE QU'UNE FAIBLE DOSE (5.10#1#7N#+.CM##2) N'EST PAS SUFFISANTE POUR FORMER UNE COUCHE ENTERREE DE NITRURE. A FORTE DOSE (2.10#1#8N#+.CM##2), LA COUCHE ENTERREE DE NITRURE EST COMPARABLE AU NITRURE STCHIOMETRIQUE DU POINT DE VUE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE. LES MESURES J(V) EFFECTUEES SUR LES SUBSTRATS SIMNI NOUS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN COURANT DE FUITE IMPORTANT A TRAVERS LA COUCHE ENTERREE DE NITRURE ET D'IDENTIFIER LE MECANISME DE LA CONDUCTION DANS LA COUCHE ISOLANTE. LE FILM SUPERFICIEL DE SILICIUM EST CARACTERISE A PARTIR DES MESURES DE RESISTIVITE ET D'EFFET HALL. LES RESULTATS OBTENUS A PARTIR DE CES MESURES MONTRENT L'INVERSION DU TYPE DU FILM DE SILICIUM DUE A UNE ACTIVATION D'UN BON NOMBRE D'AZOTE APRES UN RECUIT A HAUTE TEMPERATURE. LE FILM SUPERFICIEL DE SILICIUM MALGRE SON DOPAGE ELEVE PRESENTE UNE QUALITE ELECTRIQUE COMPARABLE A CELLE DU SILICIUM MASSIF. CE TRAVAIL CONSTITUE DONC UN ENSEMBLE DE RESULTATS DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EVALUER LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES SUBSTRATS SIMNI EN FONCTION DES CONDITIONS D'ELABORATION

Download or read book NITRURATION DES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM PAR ACTIVATION THERMIQUE ET PAR STIMULATION ELECTRONIQUE written by AHMAD.. BENAMAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES

Download or read book Etude de l implantation azote dans le SiC 6H written by Patrick Thomas and published by . This book was released on 1998 with total page 434 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM (SIC) EST UN SEMICONDUCTEUR QUI POSSEDE DE GRANDES QUALITES ELECTRIQUES ET UNE GRANDE ROBUSTESSE PARTICULIEREMENT BIEN ADAPTEES A DES UTILISATIONS EN MILIEUX EXTREMES (HAUTES TEMPERATURES, HAUTES FREQUENCES, FORTES PUISSANCES, ENVIRONNEMENT NUCLEAIRE OU CORROSIF). PARMI TOUS LES POLYTYPES DU CARBURE DE SILICIUM, LES POLYTYPES HEXAGONAUX (6H ET 4H) SONT DESTINES AUX APPLICATIONS MICROELECTRONIQUES. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DU POLYTYPE HEXAGONAL 6H. POUR REALISER DES COUCHES DE TYPE N, LE DOPANT PRIVILEGIE EST L'AZOTE. A CAUSE DE LA FAIBLE VALEUR DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DANS CE MATERIAU, L'AZOTE NE PEUT ETRE INCORPORE PAR DIFFUSION. ON EMPLOIE DONC LE PROCEDE D'IMPLANTATION IONIQUE POUR REALISER DES COUCHES ACTIVES DE TYPE N DOPEES AZOTE. RECEMMENT, LE LETI (CEA-GRENOBLE), A REALISE DES COMPOSANTS A BASE DE 6H-SIC IMPLANTES AZOTE, EN FAISANT VARIER LES CONDITIONS D'IMPLANTATIONS (DOSES, LARGEUR DU PROFIL PLAT TEMPERATURE D'IMPLANTATION, TEMPERATURE ET TEMPS DE RECUIT). EN COLLABORARAION AVEC CE LABORATOIRE, NOUS AVONS PROCEDE A UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PAR DES MESURES D'EFFET HALL SUR UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURE (10 K-1 000 K). PARALLELEMENT A CES RESULTATS EXPERIMENTAUX NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE THEORIQUE DE LA MOBILITE ET DU NOMBRE DE PORTEURS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. CETTE SIMULATION NOUS PERMET DE DETERMINER LA CONCENTRATION DE DONNEURS ELECTRIQUEMENT ACTIFS, LES NIVEAUX D'ENERGIE QUI LEUR SONT ASSOCIES ET LA COMPENSATION DU MATERIAU. ON CONSTATE UNE DIMINUTION DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DU DONNEUR INCORPORE QUAND ON AUGMENTE LA DOSE. DANS LE MEME TEMPS, LA COMPENSATION DU MATERIAU AUGMENTE. LES MESURES OPTIQUES DE PHOTOLUMINESCENCE QUE NOUS AVONS REALISE CORROBORENT CES RESULTATS. ON OBSERVE UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE DE DEFAUTS ACCEPEURS AVEC L'AUGMENTATION DE DOSE. L'ETUDE DES NIVEAUX D'ENERGIE MONTRE QUE L'AZOTE EN SITE HEXAGONAL A UNE NATURE HYDROGENOIDE (100 MEV) : L'ENERGIE D'ACTIVATION DIMINUE AVEC LA CONCENTRATION DE DOPANTS. PAR CONTRE, L'AZOTE EN SITE CUBIQUE (140 MEV) A UN CARACTERE PLUS PROFOND. L'ENERGIE D'ACTIVATION DIMINUE PEU ENTRE 10#1#7 ET 10#1#9 CM#-#3. ENFIN, LE RAPPORT DES ATOMES D'AZOTE EN SITE HEXAGONAL ET CUBIQUE EST D'ENVIRON 1/10.

Download or read book tude de l implantation d azote dans le silicium monocristallin en vue d obtenir une couche de nitrure enterr e homog ne et isolante written by Patrick Bourguet and published by . This book was released on 1979 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NECESSITE D'IMPLANTER A FORTE DOSE POUR OBTENIR, EN PROFONDEUR, UNE COUCHE HOMOGENE ISOLANTE DE NITRURE ALPHA SI::(3)N::(4). CEPENDANT LES MANIPULATIONS NE PERMETTENT PAS DE REGENERER EN SURFACE UNE STRUCTURE MONOCRISTALLINE NECESSAIRE A L'OBTENTION ULTERIEURE DE BONNES EPITAXIES

Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE

Download or read book Propri t s et croissances de films minces de nitrure et dioxyde de silicium par d p t pyrolytique written by Michel Wotawa and published by . This book was released on 1979 with total page 291 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: But de l'étude entreprise: mise en œuvre d'un procède de dépôt de couches minces SI3N4 et SIO2 en vue d'application dans des dispositifs électroniques à haute intégration. après la description des propriétés de SI3N4 et de ses applications possibles dans le domaine des semi-conducteurs, choix d'une technologie de dépôt, d'un mode de croissance, d'un type d'équipement et des méthodes de mesure et de caractérisation. Les défauts de croissance dans les couches minces obtenues avec des conditions industrielles sont étudiés en détail. Enfin, mise en œuvre de techniques d'analyse complémentaires afin d'évaluer les caractéristiques physiques, chimiques et électriques essentielles pour le comportement des structures réalisées

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES D OXYNITRURE DE SILICIUM OBTENUES PAR LA NITRURATION THERMIQUE RAPIDE DEGRADATION VIEILLISSEMENT written by ABDELILLAH.. BENBRIK and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM D'EPAISSEUR 45 NM EST REALISEE A HAUTE TEMPERATURE (1060C) PAR LA TECHNIQUE R.T.N (RAPID THERMAL NITRIDATION) PENDANT UNE DUREE VARIANT DE QUELQUES SECONDES A UNE DIZAINE DE MINUTES. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (X.P.S) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI/SIO#2. LE PIC D'AZOTE A L'INTERFACE APPARAIT DES 60 SECONDES, LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DIMINUE RAPIDEMENT ET ATTEINT 3,37 10##1#4 CM#2/S A 10 MINUTES. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES STRUCTURES DE TEST AL/OXYDE NITRURE/SI(N) A 1 MHZ NOUS A PERMIS, D'UNE PART, D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE ET L'INDICE MOYEN DE REFRACTION OPTIQUE, D'AUTRE PART, DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA TENSION DE BANDES PLATES, DE LA CHARGE IMAGE DANS L'ISOLANT, DE LA TENSION DE CLAQUAGE ET DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE DU MATERIAU EN FONCTION DE LA NITRURATION. LA METHODE B.T.S. (BIAS TEMPERATURE STRESS) A REVELE L'EXISTENCE DE CHARGES MOBILES DANS NOS STRUCTURES. L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS A PERMIS D'INTERPRETER CORRECTEMENT LA DEGRADATION DES ELEMENTS MIS SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUE ET THERMIQUE

Download or read book Caract risations de couches minces d oxynitrures de silicium labor es par PECVD written by Jocelyn Viard and published by . This book was released on 1996 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISE EN COLLABORATION AVEC LA SOCIETE ESSILOR, L'OBJECTIF DE CES TRAVAUX ETAIT L'ETUDE DES FILMS D'OXYNITRURES DE SILICIUM REALISES PAR PECVD, EN TANT QUE CONSTITUANTS DE COUCHES ANTIREFLET SUR DES SUBSTRATS DE VERRES POLYMERES. LES FILMS MINCES SONT ELABORES A PARTIR DE SIH#4, N#2O, NH#3. LA PUISSANCE ET LA PRESSION RESTENT FIXES, SEULE VARIE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE EN GARDANT UN DEBIT TOTAL CONSTANT. LES DIVERSES METHODES UTILISEES (MEB, XPS-AES, REFLECTOMETRIE DES RAYONS X RASANTS, FTIR, ELLIPSOMETRIE, NANOINDENTATION) ONT PERMIS DE CARACTERISER CES FILMS DU POINT DE VUE PHYSICOCHIMIQUE, OPTIQUE ET MECANIQUE. ILS ONT DES CARACTERISTIQUES PROCHES DE CELLES DE LA SILICE VITREUSE POUR LES COMPOSITIONS DE TYPE SIO#X:H. PAR CONTRE, LES COUCHES DE TYPE SIN#Y:H CONDUISENT A UNE DENSITE, UN INDICE ET UNE NANODURETE PLUS FAIBLES QUE LES VALEURS CONNUES DE SI#3N#4 MASSIF. LES OXYNITRURES DE SILICIUM POSSEDENT, QUANT A EUX DES CARACTERISTIQUES INTERMEDIAIRES DONT L'EVOLUTION N'EST PAS LINEAIRE AVEC LA COMPOSITION. LES DECOMPOSITIONS DES BANDES SI2P EN X.P.S. ET SI-H EN SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRAROUGE, MONTRENT QUE LES OXYNITRURES DE SILICIUM DEPOSES PEUVENT ETRE DECRITS COMME UN MELANGE HOMOGENE DES LIAISONS CORRESPONDANT MIEUX AU MODELE DES LIAISONS ALEATOIRES PLUTOT QU'A UN MELANGE DE PHASES. D'AUTRE PART, LA VARIATION DE L'INDICE EN FONCTION DU RAPPORT N/(N+O) A ETE MODELISEE, EN FAISANT INTERVENIR LA COMPOSITION ET LA DENSITE PAR LES RELATIONS DE BRUGGEMAN ET DE CLAUSIUS-MOSSOTI. CES COUCHES ONT PERMIS DE REALISER UN REVETEMENT ANTIREFLET BICOUCHE POSSEDANT DES CARACTERISTIQUES PROCHES DE CELLES CALCULEES

Download or read book D p t de nitrure de silicium assist par plasma written by Gisèle Serrano and published by . This book was released on 1996 with total page 11 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE

Download or read book CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE DU SILICIUM IMPLANTE AVEC DU BORE OU DE L ARSENIC A FORTE DOSE RECUIT PAR DES PROCEDES RAPIDES RTA written by CORINNE.. LE ROUX and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES IMPLANTATIONS DE BORE ET D'ARSENIC EN FORTE CONCENTRATION DANS LE SILICIUM ONT ETE RECUITS DANS DES FOURS RAPIDES. DE NOMBREUSES CARACTERISATIONS PHYSIQUES ET ELECTRIQUES ONT PERMIS DE COMPARER LES PROPRIETES RESULTANTES DU MATERIAU A CELLES DONNEES DANS LA LITTERATURE. POUR CE QUI EST DE LA DIFFUSION A TRES FORTE CONCENTRATION, NOS RESULTATS EXTRAPOLENT CORRECTEMENT CEUX DEJA PUBLIES. L'ACTIVATION ELECTRIQUE, LE ROLE DE L'OXYGENE ET DES DEFAUTS PONCTUELS ONT ETE ABORDES. UNE ATTENTION PARTICULIERE EST PORTEE A L'OBSERVATION EN TEM DES DEFAUTS ETENDUS RESIDUELS GRACE A UNE METHODE DE PREPARATION DES ECHANTILLONS PERFORMANTE

Download or read book PREPARATION CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE ET ETUDE DES DEFAUTS PARAMAGNETIQUES DANS LES OXYNITRURES DE SILICIUM A FAIBLE TAUX D HYDROGENE written by JIRI.. KRAUTWURM and published by . This book was released on 1994 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PORTE SUR LA PREPARATION ET LA CARACTERISATION DE MATERIAUX ISOLANTS: LES OYNITRURES DE SILICIUM AMORPHES A FAIBLE CONTENU EN HYDROGENE. NOUS DEPOSONS CES MATERIAUX A BASSE TEMPERATURE (380C) PAR LA TECHNIQUE PECVD ET OBTENONS DES COUCHES MINCES D'ENVIRON 300 NM. TROIS GAZ REACTIFS SIH#4, N#2O ET N#2 SONT UTILISES EN DILUTION AVEC DE L'HELIUM. NOUS CHOISISSONS NOS CONDITIONS EXPERIMENTALES POUR QUE LES MATERIAUX AIENT UNE COMPOSITION QUI VARIE DU NITRURE JUSQU'A L'OXYDE DE SILICIUM ET POUR QU'ILS CONTIENNENT PEU DE LIAISONS SI-SI ET PEU D'HYDROGENE. UNE ETUDE SPECIALE EST CONSACREE AUX EFFETS DU TAUX DE DILUTION HE/SIH#4 PAR L'HELIUM. LE TAUX D'INCORPORATION DE L'HYDROGENE, MESURE PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE, EST INFERIEUR A 10%. IL S'EFFECTUE SOUS FORME DE LIAISONS N-H ET DANS UNE MOINDRE MESURE SI-H. LA VITESSE DE GRAVURE EST FORTEMENT INFLUENCEE PAR LA COMPOSITION. COTE NITRURE, ELLES EST TRES FAIBLE ET COMPARABLE A CELLE MESUREE DANS LE NITRURE LPCVD ; COTE OXYDE ELLE AUGMENTE FORTEMENT ET SE SITUE A 30% AU DESSUS DE LA VITESSE DE GRAVURE DE SIO#2 THERMIQUE SEC. L'ACCROISSEMENT DE LA DILUTION A L'HELIUM FAIT DECROITRE LA DENSITE SI-H ; FAIT DECROITRE LA DENSITE N-H JUSQU'A LA DILUTION 25 ET LA FAIT CROITRE AU DELA ; FAIT DECROITRE LA VITESSE DE GRAVURE. LES DEFAUTS PONCTUELS SONT ETUDIES PAR LA RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) A BASSE TEMPERATURE. LES DENSITES DE CENTRES PARAMAGNETIQUES DANS LES COUCHES SONT ESTIMEES A 5 10#1#7CM#-#3. LE PHOTO-ACCROISSEMENT DU SIGNAL RPE, APRES ILLUMINATION JUSQU'A SATURATION A L'AIDE D'UN SPECTRE VUV, EST TROUVE A ENVIRON 7 10#1#8CM#-#3. UN MODELE NUMERIQUE DE SIMULATION DES SIGNAUX RPE DE CENTRES A SYMETRIE AXIALE EST DEVELOPPE POUR AJUSTER LES COURBES EXPERIMENTALES ET POUR TROUVER LES VALEURS DES TENSEURS G ET A. DEUX TYPES DE DEFAUTS PONCTUELS SONT IDENTIFIES: L'UN SUR L'ATOME DE SILICIUM (SIDB) ET L'AUTRE SUR L'ATOME D'AZOTE (N#X). CE DERNIER PRESENTANT UNE LOCALISATION A 60% DE LA DENSITE ELECTRONIQUE SUR L'AZOTE. L'IDENTIFICATION D'UN NOUVEAU DEFAUT N#X ET SON ASSIMILATION AU RADICAL NITROXIDE CONSTITUE L'ORIGINALITE DE CE TRAVAIL

Download or read book Etude des conditions de synth se et de recristallisation par recuit rapide apr s implantation d azote forte dose dans du silicium written by Talal Chamas and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book SYNTHESE DE POUDRES NANOMETRIQUES A BASE DE SILICIUM CARBONE ET AZOTE PAR COUPLAGE AEROSOL LASER ET LEURS CARACTERISATIONS written by EMMANUEL.. MUSSET and published by . This book was released on 1995 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CES DERNIERES ANNEES, UN SECTEUR DE RECHERCHE S'EST PARTICULIEREMENT DEVELOPPE, CELUI DE LA SYNTHESE DE POUDRES ULTRAFINES. DANS LE DOMAINE DES MATERIAUX CERAMIQUES THERMOMECANIQUES, UNE ATTENTION PARTICULIERE S'EST PORTEE SUR LES NITRURES, CARBURES ET CARBONITRURES DE SILICIUM, AVEC COMME OBJECTIF L'AMELIORATION DES PROPRIETES MECANIQUES DES MATERIAUX. RECEMMENT, LES RECHERCHES ONT CONDUIT AU DEVELOPPEMENT DE NOUVELLES FORMES DE CERAMIQUES ET A LA CREATION DE NOUVEAUX CONCEPTS TELS QUE LES NANOCERAMIQUES. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS EFFECTUE L'ETUDE DE LA SYNTHESE DE POUDRES NANOMETRIQUES COMPOSITES DE CARBONITRURE DE SILICIUM DANS LE BUT D'OBTENIR DES CERAMIQUES COMPOSITES SIC-SI#3N#4 SUSCEPTIBLES DE PRESENTER DES PROPRIETES MECANIQUES AMELIOREES OU NOUVELLES. LA SYNTHESE A ETE MENEE PAR PYROLYSE LASER D'UN AEROSOL GENERE PAR PULVERISATION ULTRASONORE A PARTIR D'UN PRECURSEUR ORGANOMETALLIQUE: L'HEXAMETHYLDISILAZANE. LES PHASES GENEREES LORS DE LA REACTION SONT AMORPHES ET LEUR COMPOSITION CHIMIQUE VARIE SELON LES CONDITIONS DE SYNTHESE. PAR DES TRAITEMENTS THERMIQUES SOUS ATMOSPHERE CONTROLEE, NOUS AVONS SUIVI LA TRANSFORMATION DE CES POUDRES VERS LE COMPOSITE SIC-SI#3N#4 QUI CONSTITUE LA CERAMIQUE PROPREMENT DITE. DIFFERENTS MOYENS D'ANALYSES ONT ETE UTILISES POUR DETERMINER LA MICROSTRUCTURE ET LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DES PRODUITS AUX DIFFERENTES TEMPERATURES DE TRAITEMENT. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE COMPOSITION PARTICULIERE DES POUDRES POUR LAQUELLE LA TRANSFORMATION DE PHASE AMORPHECRISTALLIN EST RETARDEE ET AUTOUR DE LAQUELLE S'EFFECTUE UNE EVOLUTION BRUTALE VERS UN COMPOSITE FORME MAJORITAIREMENT DE CARBURE OU DE NITRURE DE SILICIUM. L'ETUDE DE LA MICROSTRUCTURE A MONTRE QUE LE MATERIAU AMORPHE NE PEUT PAS ETRE CONSIDERE COMME UN SIMPLE MELANGE DE PHASE SIC ET SI#3N#4 MAIS QU'IL EST CONSTITUE D'UNE STRUCTURE COMPLEXE COMPOSEE DE TETRAEDRES MIXTES SIC#4#-#XN#Y. SOUS L'EFFET DES TRAITEMENTS THERMIQUES, L'EVOLUTION DEPENDRA DE NOMBREUX FACTEURS: NATURE DES TETRAEDRES, QUANTITE ET REPARTITION DU CARBONE LIBRE, ATMOSPHERE DE TRAITEMENT ETC. UNE INTERPRETATION COHERENTE DES RESULTATS A PERMIS UNE COMPREHENSION GLOBALE DES MECANISMES MIS EN JEU AU COURS DE L'EVOLUTION THERMIQUE

Download or read book COUCHES DE DIOXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D UNE PHASE GAZEUSE C V D written by Mustapha Lemiti and published by . This book was released on 1985 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF PERMETTANT D'ELABORER DES COUCHES DE SIO::(2) A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE (C.V.D.). LE PROCEDE CONSISTE A HYDROLYSER UN COMPOSE HALOGENE (SICL::(4)) PAR DE LA VAPEUR D'EAU, AU VOISINAGE D'UN SUPPORT DE SILICIUM SUIVANT LA REACTION; SICL::(4) + 2H::(2)O + SIO::(2) +4HCL. LES DEPOTS ONT ETE REALISES ESSENTIELLEMENT A TEMPERATURE AMBIANTE. L'INFLUENCE DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX SUR LA CINETIQUE DE DEPOT A ETE ETUDIEE. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE DES COUCHES AINSI OBTENUES (ELLIPSOMETRIE, RAMAN, AUGER, DECHARGE LUMINESCENTE) NOUS A RENSEIGNES SUR LA NATURE DES LIAISONS, LA STOECHIOMETRIE ET LE PROFIL DES IMPURETES DANS LA COUCHE. APRES OPTIMISATION DES PAMETRES, DES STRUCTURES MOS ONT ETE REALISEES POUR ETUDIER LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS L'OXYDE ET A L'INTERFACE SI-SIO::(2). PAR LES METHODES CLASSIQUES C(V), G(V), I(V),C(OMEGA ,T), G(OMEGA ,T), NOUS AVONS EVALUE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE QUI VARIE AUTOUR DE 10**(11)EV**(-1)CM**(-2) ET LES CHARGES DANS L'OXYDE A 10**(12) CH./CM. L'INFLUENCE DE CERTAINS PARAMETRES EXPERIMENTAUX SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES STRUCTURES MOS A ETE DEGAGE

Download or read book Propri t s physicochimiques d oxynitrures de silicium pr par s partir de 3 gaz basse temp rature par PECVD written by Jean Michailos and published by . This book was released on 1989 with total page 241 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Implantation forte dose de carbone dans du silicium monocristallin written by Bruno Canut and published by . This book was released on 1983 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SYNTHESE DE COUCHES ENFOUIES DE SIC PAR IMPLANTATION IONIQUE A FORTE DOSE D'IONS CARBONE DANS DU SILICIUM MONOCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE DE LA THESE CONCERNE L'ETUDE THEORIQUE DE L'IMPLANTATION, EN TENANT COMPTE DE CERTAINES PERTURBATIONS SPECIFIQUES DUES AUX FORTES DOSES (PULVERISATION ET VARIATION DE COMPOSITION DE LA CIBLE NOTAMMENT). LA SECONDE PARTIE CONCERNE L'ANALYSE EN PROFONDEUR DES ECHANTILLONS IMPLANTES PAR RETRODIFFUSION ELASTIQUE DE PARTICULES ALPHA . ENFIN, LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES ECHANTILLONS IMPLANTES EST EBAUCHEE A LA FIN DU MEMOIRE

Download or read book H t rostructures et disponibles micro lectriques base d oxydes High k written by Loic Becerra and published by . This book was released on 2008 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis 40 ans, l’industrie microélectronique s’est développée en exploitant la technologie CMOS silicium et en se livrant à une course effrénée vers la miniaturisation des dispositifs. Cette miniaturisation est de plus en plus limitée par l’apparition de phénomènes quantiques. Ainsi, désormais beaucoup trop fine pour autoriser des densités de courants de fuite acceptables au bon fonctionnement des transistors MOSFET, la traditionnelle couche isolante de grille SiO2-SiOxNy s’est vue détrônée au profit des oxydes high-κ qui, à structure capacitive équivalente, présentent une épaisseur physique plus importante permettant de limiter les fuites par effet tunnel. Les solutions industrielles exploitées ou développées pour les nœuds technologiques 45, 32 et 22nm sont à base d’oxydes HfO2 amorphes. En parallèle, des oxydes alternatifs amorphes ou monocristallins sont explorés dans la communauté académique pour les nœuds technologiques sub-22nm. Pour atteindre les épaisseurs équivalentes d’oxyde SiO2 (EOT) visées, de l’ordre de 0,5nm, il est important de pouvoir alors obtenir des interfaces abruptes sans couches interfaciales. Un autre critère important est la stabilité thermique des interfaces oxydes/silicium. Le premier objectif de cette thèse était d’évaluer la qualité électrique des systèmes LaAlO3 amorphe/Si et LaAlO3 amorphe/Al2O3monocristallin/Si proposés et développés à l’INL. Les hétérostructures, préparées par épitaxie par jets moléculaires (EJM), sont caractérisées par des propriétés structurales, physico-chimiques et thermodynamiques très prometteuses : interfaces abruptes et stabilité thermodynamique. De bonnes caractéristiques électriques ont été observées pour LaAlO3/Si, avec notamment l’obtention d’une valeur d’EOT de 0,5nm et des courants de fuite en accord avec les spécifications de l’ITRS pour les nœuds sub-22nm. Néanmoins, l’interface avec le silicium s’est révélée instable lors de traitements post-dépôt, avec l’apparition de couches interfaciales de silicates attribuées à la diffusion d’oxygène de contamination. Des solutions permettant de contourner ces limitations ont été proposées. Pour LaAlO3/Al2O3/Si, l’intérêt d’avoir une couche épitaxiale d’Al2O3 à l’interface est de rendre le système plus robuste envers les recuits à haute température (compatibilité CMOS) et de limiter la diffusion d’oxygène. La contrepartie est de conduire à des EOT plus élevées qu’avec le seul LaAlO3. Les mesures électriques réalisées ont démontré les potentialités de ce système bi-couches en termes d’EOT, avec l’obtention d’une valeur de 1,1nm. Cependant, l’existence de charges négatives entraîne des perturbations dans les caractéristiques électriques qui sont toutefois corrigeables avec des recuits post dépôt appropriés. L’étude des deux systèmes a conforté le choix du LaAlO3 amorphe comme diélectrique high-κ potentiel pour les futures générations CMOS. Pour sa mise en œuvre, l’élément clé serait de disposer de techniques d’élaboration permettant d’obtenir à la fois des interfaces oxyde/Si abruptes et des oxydes sans lacunes d’oxygène. Toujours en s’appuyant sur le savoir faire préalablement développé à l’INL sur les oxydes monocristallins épitaxiés sur Si, le deuxième objectif de la thèse était d’évaluer la faisabilité d’hétérostructures oxyde/silicium/oxyde pour diodes tunnel résonantes. La maîtrise des oxydes épitaxiés sur silicium a en effet relancé l’intérêt pour de tels dispositifs, qui pourraient devenir compatibles avec la technologie CMOS et offrir des applications nouvelles. Des simulations quantiques ont été réalisées et des essais de croissance menés pour les systèmes Al2O3/Si et Gd2O3/Si. La principale difficulté est de pouvoir reprendre en épitaxie une couche de silicium bidimensionnelle sans défauts structuraux. Si le système Al2O3/Si s’est révélé inapproprié, le système Gd2O3/Si, plus favorable, a permis la réalisation d’hétérostructures. Une caractéristique I-V de RTD a ainsi pu être observée pour la première fois à température ambiante pour des hétérostructures Gd2O3/Si/Gd2O3/Si(111).