Download or read book Caract risations optique et lectrique d un plasma de chlore haute densit et effets des interactions plasma surface en gravure silicium written by François Neuilly and published by . This book was released on 2010 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce travail, nous avons etudie les plasmas inductifs en chimie chloree, leurs interactions avec la surface du reacteur et l'impact de celles-ci lors de la gravure avancee en micro-electronique. Nous avons utilise principalement deux diagnostics plasma in-situ et non perturbants : la sonde electrostatique et la spectrometrie d'absorption u.v. La sonde electrostatique plane permet de mesurer le flux ionique sur les parois du reacteur. Grace a un couplage capacitif, elle est tolerante aux depots sur sa surface. Elle fonctionne aussi avec les plasmas electronegatifs, mais a fortes pressions, les inhomogeneites de ces plasmas font que le flux ionique localise sur les parois peut differe du flux ionique sur les plaques gravees. Avec l'absorption u.v., la concentration absolue de cl 2 a ete mesuree et le taux de dissociation en a ete deduit. En se basant sur le modele global de lieberman qui suppose la temperature electronique independante de la puissance source injectee, un modele theorique a ete elabore pour calculer le taux de dissociation. La dissociation de cl 2 depend principalement de la puissance source injectee mais n'atteint jamais 100% a cause des recombinaisons rapide et diminue lorsque la pression augmente. Les concentrations des produits de gravure sicl, sicl 2 et alcl ont egalement ete determinees. Couplees aux mesures de flux ionique, ils apparait que ces produits sont produits directement par la gravure ionique. L'addition de cf 4 dans un plasma de chlore provoque une baisse progressive des concentrations des produits chlores jusqu'a un etat stationnaire. Le retour a des plasmas en chlore pur provoque une hausse egalement progressive des concentrations de produits chlore. Le changement de chimie perturbe l'etat des surfaces du reacteur ce qui modifie la composition chimique et le flux ionique des plasmas. L'historique du reacteur a une grande importance sur les derives des procedes.

Download or read book CARACTERISATIONS OPTIQUES ET ELECTRIQUE D UN PLASMA DE CHLORE HAUTE DENSITE ET DES EFFETS DES INTERACTIONS PLASMA SURFACE EN GRAVURE SILICIUM written by FRANCOIS.. NEUILLY and published by . This book was released on 2000 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE LES PLASMAS INDUCTIFS EN CHIMIE CHLOREE, LEURS INTERACTIONS AVEC LA SURFACE DU REACTEUR ET L'IMPACT DE CELLES-CI LORS DE LA GRAVURE AVANCEE EN MICRO-ELECTRONIQUE. NOUS AVONS UTILISE PRINCIPALEMENT DEUX DIAGNOSTICS PLASMA IN-SITU ET NON PERTURBANTS : LA SONDE ELECTROSTATIQUE ET LA SPECTROMETRIE D'ABSORPTION U.V. LA SONDE ELECTROSTATIQUE PLANE PERMET DE MESURER LE FLUX IONIQUE SUR LES PAROIS DU REACTEUR. GRACE A UN COUPLAGE CAPACITIF, ELLE EST TOLERANTE AUX DEPOTS SUR SA SURFACE. ELLE FONCTIONNE AUSSI AVEC LES PLASMAS ELECTRONEGATIFS, MAIS A FORTES PRESSIONS, LES INHOMOGENEITES DE CES PLASMAS FONT QUE LE FLUX IONIQUE LOCALISE SUR LES PAROIS PEUT DIFFERE DU FLUX IONIQUE SUR LES PLAQUES GRAVEES. AVEC L'ABSORPTION U.V., LA CONCENTRATION ABSOLUE DE CL 2 A ETE MESUREE ET LE TAUX DE DISSOCIATION EN A ETE DEDUIT. EN SE BASANT SUR LE MODELE GLOBAL DE LIEBERMAN QUI SUPPOSE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE INDEPENDANTE DE LA PUISSANCE SOURCE INJECTEE, UN MODELE THEORIQUE A ETE ELABORE POUR CALCULER LE TAUX DE DISSOCIATION. LA DISSOCIATION DE CL 2 DEPEND PRINCIPALEMENT DE LA PUISSANCE SOURCE INJECTEE MAIS N'ATTEINT JAMAIS 100% A CAUSE DES RECOMBINAISONS RAPIDE ET DIMINUE LORSQUE LA PRESSION AUGMENTE. LES CONCENTRATIONS DES PRODUITS DE GRAVURE SICL, SICL 2 ET ALCL ONT EGALEMENT ETE DETERMINEES. COUPLEES AUX MESURES DE FLUX IONIQUE, ILS APPARAIT QUE CES PRODUITS SONT PRODUITS DIRECTEMENT PAR LA GRAVURE IONIQUE. L'ADDITION DE CF 4 DANS UN PLASMA DE CHLORE PROVOQUE UNE BAISSE PROGRESSIVE DES CONCENTRATIONS DES PRODUITS CHLORES JUSQU'A UN ETAT STATIONNAIRE. LE RETOUR A DES PLASMAS EN CHLORE PUR PROVOQUE UNE HAUSSE EGALEMENT PROGRESSIVE DES CONCENTRATIONS DE PRODUITS CHLORE. LE CHANGEMENT DE CHIMIE PERTURBE L'ETAT DES SURFACES DU REACTEUR CE QUI MODIFIE LA COMPOSITION CHIMIQUE ET LE FLUX IONIQUE DES PLASMAS. L'HISTORIQUE DU REACTEUR A UNE GRANDE IMPORTANCE SUR LES DERIVES DES PROCEDES.

Download or read book Etude des interactions plasma surface pendant la gravure du silicium dans des plasmas HBr Cl2 O2 written by Martin Kogelschatz and published by . This book was released on 2004 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE COMPRENDRE LES INTERACTIONS PLASMA-SURFACE PENDANT LA GRAVURE DU SILICIUM DANS DES CHIMIES HBr/CI2I02. DANS CES PROCEDES, UNE COUCHE SE DEPOSE SUR LES PAROIS DU REACTEUIi ET MENE A LA DERIVE DU PROCEDE. LA NATURE CHIMIQUE ET LES MECANISMES DE FORMATION DE CETTE COUCHE ONT ETE ETUDIES PAR SA GRAVURE ULTERIEURE AVEC UN PLASMA ARlSF6 ET L'ANALYSE RESOLUE EN TEMPS DES PRODUITS DE GRAVURE PAR LES DIAGNOSTICS D'EMISSION OPTIQUE ET DE SPECTROMETRIE DE MASSE. IL A ETE MONTRE QUE CETTE COUCHE EST DU TYPE SiOxCly TRES RICHE EN CHLORE. AUSSI, LA CINETIQUE DES RADICAUX SiClx PRODUITS LORS DE LA GRAVURE DU SILICIUM PAR LE PLASMA HBr/CI2/02, QUI SONT LES PRECURSEURS DE CE DEPOT, A ETE ETUDIEE PAR LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION LARGE BANDE DANS L'UV. IL A ETE CONCLU QUE LES PRECURSEURS DU DEPOT SONT LE Si, Si+, SiCI ET SiCI+. MAIS LA REACTION DE CES ESPECES AVEC LES PAROIS PEUT AUSSI MENER A LA FORMATION DE SiCI2 VOLATIL.

Download or read book Etude fondamentale des m canismes physico chimiques de gravure plasma bas s sur les effets st riques et de diffusion Comportements pr visionnels de la gravure des l ments de la colonne IV et des compos s III V par les halog nes written by Thanh Long Phan and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail porte sur la généralisation de la modélisation de la gravure du silicium dans les plasmas de fluor ou de chlore à celle de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V de structure cristalline de type diamant ou zinc-blende dans les plasmas d'halogènes, i.e. fluor, chlore, brome et iode. Dans ce contexte, les effets stériques et de diffusion en volume et/ou en surface en constituent les problématiques principales. Cette généralisation s'appuie sur le modèle de gravure de Petit et Pelletier qui, par rapport aux modèles antérieurs, prend en compte un certain nombre d'hypothèses distinctes ou additionnelles telles que les interactions répulsives entre adatomes d'halogènes proches voisins, les mécanismes de Langmuir-Hinshelwood pour la formation des produits de réaction, la nature mono-couche ou multi-couches de l'adsorption, et la diffusion des adatomes en surface. Les effets stériques relatifs à la diffusion des atomes d'halogènes à travers les surfaces (100) des structures cristallines des éléments de la colonne IV et des composés III-V définissent une première loi de similitude entre la maille du réseau cristallin et le rayon ionique de Shannon des atomes d'halogènes concernant leurs conditions de diffusion en volume. Cette loi se traduit par un diagramme prévisionnel, commun aux éléments de la colonne IV et aux composés III-V, délimitant les systèmes de gravure de types mono-couche et multi-couches. Les effets stériques relatifs aux mécanismes réactionnels de gravure sur les surfaces (100) aboutissent à des secondes lois de similitude entre la maille du réseau et le rayon covalent des adatomes d'halogènes caractérisant la nature de la gravure : gravure isotrope, gravure anisotrope, ou absence de gravure. Ces lois de similitude, distinctes pour les éléments de la colonne IV et les composés III-V (stœchiométrie différente des produits de réaction), se traduisent par deux diagrammes prévisionnels délimitant les différents domaines de gravure. Les diagrammes prévisionnels pour les éléments de la colonne IV ont pu être validés, d'une part, à partir des résultats expérimentaux antérieurs, et, d'autre part, en l'absence de données, à partir d'études expérimentales complémentaires : gravure de Si et Ge en plasma de brome et d'iode, gravure de Sn en plasma d'iode.

Download or read book Caract risation et analyse de la gravure du polysilicium par le chlore avec le syst me plasma triode pour la r alisation de circuits haut niveau d int gration written by Claude Artufel and published by . This book was released on 1987 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR L'ANALYSE D'UN SYSTEME PLASMA TRIODE POUR LA GRAVURE DU POLYSILICIUM PAR LE CHLORE. ELLE COMPREND 3 CHAPITRES: LE PREMIER CHAPITRE EST UNE REVUE DES DIFFERENTS PROCEDES ET DES DIVERS SYSTEMES DE GRAVURE PAR PLASMA DANS LA FABRICATION DU SEMICONDUCTEUR. DANS LE DEUXIEME CHAPITRE, NOUS AVONS DECRIT LE DISPOSITIF EXPERIMENTAL. LA CARACTERISATION DE LA GRAVURE DU POLYSILICIUM PAR LE CHLORE EN FONCTION DES PARAMETRES DU REACTEUR PLASMA TRIODE, NOUS A PERMIS DE DETERMINER UN PROCEDE. PAR L'OBSERVATION DES DIFFERENTS PROFILS DE GRAVURE AVEC LE MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE, NOUS AVONS PU EVALUER LES DIFFERENTES CONTRIBUTIONS DES PARAMETRES DE, PRESSION, PUISSANCES DU REACTEUR, SUR L'ANISOTROPIE DE LA DECOUPE DU POLYSILICIUM. UNE ANALYSE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE NOUS A PERMIS DE DETERMINER L'ORDRE DE LA REACTION SILICIUM-CHLORE, ET LA PREDOMINANCE DES ESPECES IONIQUES A FAIBLE PRESSION SUR LA GRAVURE DU POLYSILICIUM. DANS LE DERNIER CHAPITRE, NOUS AVONS ETUDIE LES COURANTS IONIQUES DANS LA CHAMBRE DE GRAVURE AVEC DES SONDES ELECTROSTATIQUES, ET CONFIRME LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUE LE GENERATEUR HAUTE FREQUENCE APPLIQUE ENTRE L'ELECTRODE SUPERIEURE ET LA PAROI DE LA CHAMBRE POUR LA CREATION DES ESPECES IONIQUES. L'EVALUATION DE LA DENSITE IONIQUE FAITE AU CENTRE DE LA DECHARGE CLASSE LE SYSTEME TRIODE DANS LA CATEGORIE DES PLASMAS TYPE PLANAIRE FAIBLEMENT IONISES

Download or read book D veloppement de nouvelles technologies de gravure written by Odile Mourey and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La course à la miniaturisation des dispositifs oblige les industriels a développé sans cesse de nouvelles technologies de gravure afin de contourner les limites imposées par les procédés plasmas continus CW à haute densité. Parmi ces nouvelles technologies on trouve, les plasmas pulsés en impulsion courtes introduits depuis une dizaine d'année et le procédé de gravure cyclée développé très récemment par Applied Materials. Ces deux types de procédés de gravure présentent la caractéristique d'avoir un faible flux d'ions. Au premier abord, cette faible densité d'ions énergétiques permet la diminution des défauts induits par les ions. Cependant, un problème se pose lorsque le nombre d'ions impactant la surface devient trop faible (moins de 1 ions/site atomique/s). Ce travail de thèse se concentre donc ici sur l'étude de l'impact de la stochasticité du bombardement ionique sur l'état de la surface dans les deux procédés de gravure utilisés. Dans un premier temps, nous avons focalisé notre travail sur l'interaction entre les plasmas pulsés de chlore puis d'HBr et le silicium. A faible rapport de cycle, une très forte rugosité de surface a été observée sans lien avec un phénomène de micro-masquage. Des diagnostics plasma ont révélés que la présence d'un très faible flux d'ions énergétique couplé avec forte réactivité chimique engendre une forte augmentation du taux de gravure créant ainsi la rugosité de surface. Dans un second temps, l'étude du plasma capacitif d'hydrogène utilisé pour la modification du SiN durant le procédé de gravure cyclée a montré après retrait de la couche modifiée en plasma délocalisé, la présence d'une rugosité de surface au sommet des espaceurs nitrure qui n'est pas acceptable pour l'application du « simplified quadruple patterning ». Une étude paramétrique de l'état de surface a permis de mettre en évidence l'impact direct de la faible quantité d'ions H+ reçue par le matériau et la rugosité observée. La stochasticité du bombardement ionique implique donc une modification inhomogène du SiN qui est révélée lors de la phase de retrait et amplifiée au cours des cycles générant une rugosité de surface.Mots-clés : Microélectronique, procédés de gravure, plasma, stochasticité, ions.

Download or read book Gravure des semi conducteurs III V par plasmas inductifs chlor s written by Emilie Despiau-Pujo and published by . This book was released on 2009 with total page 255 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse s’inscrit dans un domaine de recherche émergeant : la gravure par plasma pour la photonique et l’opto-électronique. La maîtrise des procédés de gravure passe par la prédiction des énergies et des flux d’espèces produites dans le plasma en fonction des paramètres de la décharge, ainsi que par la compréhension des mécanismes d’interaction plasma-surface. Ce travail aborde ces deux aspects au travers de modélisations fluides et de simulations atomistiques. Nous avons développé des simulations de dynamique moléculaire pour comprendre les mécanismes fondamentaux qui régissent la pulvérisation de deux semiconducteurs III-V (GaAs et GaN) par des ions Ar faiblement énergétiques. Cette étude numérique, confrontée à une série d’expériences, montre que la composition des matériaux bombardés est modifiée sur quelques dizaines d’angströms et que les atomes de Ga pulvérisés quittent la surface avec des énergies suffisantes pour endommager les flancs de gravure et briser les couches de passivation, notamment dans les procédés dominés par bombardement ionique. Nous avons également travaillé sur des simulations fluides (bi-dimensionnelles et globales) pour comprendre la dynamique des décharges inductives chlorées et étudier le transport des espèces au sein du plasma. Des confrontations modèle/expérience montrent que le modèle fluide 2D surestime les densités des particules chargées mais prédit de façon satisfaisante la composition neutre et ionique du plasma. Le modèle global constitue le premier pas vers une modélisation du régime basse puissance des plasmas inductifs chlorés ; il nous a permis d’étudier les instabilités qui se développent à la transition E-H.

Download or read book PHYSICOCHIMIE DE SURFACE DE RADICAUX FLUOROCARBONES ASSISTEE PAR BOMBARDEMENT D IONS OU D ELECTRONS written by ISABELLE.. ROUGER and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA GRAVURE PLASMA RIE JOUE UN ROLE IMPORTANT DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE. LES MECANISMES QUI LA GOUVERNENT NE SONT PAS ACTUELLEMENT COMPLETEMENT ELUCIDES. AFIN DE CONTRIBUER A L'AMELIORATION DE CETTE CONNAISSANCE, UN REACTEUR ORIGINAL, FONDE SUR L'EXPLOITATION DE FAISCEAUX DE PARTICULES, EST UTILISE DANS LE BUT DE SIMULER EXPERIMENTALEMENT LES INTERACTIONS ET LES EFFETS DES SYNERGIES DES DIFFERENTES PARTICULES PRESENTES DANS UN PLASMA AVEC LES SUBSTRATS. LES DEGATS OU LES CONTAMINATIONS CAUSES AU SUBSTRAT SONT CARACTERISES NOTAMMENT PAR ELLIPSOMETRIE, ASP ET XPS ET SONT CORRELES AUX CONDITIONS D'IRRADIATION. L'INTERACTION D'UN FAISCEAU D'IONS FLUOROCARBONES AVEC UN SUBSTRAT DE SILICIUM MONTRE QUE L'EXISTENCE DE LA COUCHE DE BLOCAGE, QUI SE DEVELOPPE A LA SURFACE DU SUBSTRAT ET ATTENUE SA GRAVURE, DEPEND DE LA COMPOSITION EN MASSE DU FAISCEAU D'IONS ET DE SON ENERGIE. A PARTIR DE CES MECANISMES PHYSICOCHIMIQUES, UN MODELE PHENOMENOLOGIQUE DECRIVANT L'EVOLUTION DE CETTE COUCHE EN Y ASSOCIANT LES EFFETS DE SURFACE ET DE VOLUME ET METTANT EN JEU C, SI ET F EST ALORS PRESENTE. D'AUTRE PART, NOUS MONTRONS QU'UN FLUX DE RADICAUX EN SYNERGIE AVEC DES IONS ARGON DIMINUE LA VITESSE DE GRAVURE DU SILICIUM PAR RAPPORT A CELLE OBSERVEE DANS LE CADRE D'UNE IRRADIATION SOUS IONS ARGON SEULS. DES RADICAUX FLUOROCARBONES EN SYNERGIE AVEC UN BOMBARDEMENT D'ELECTRONS ENTRAINE LA CROISSANCE D'UN FILM DE POLYMERE DONT LA VITESSE DE DEPOT EST INDEPENDANTE DE L'ENERGIE DES ELECTRONS MAIS DEPEND DE LEUR DENSITE DE COURANT. ENFIN LES EFFETS DE L'IRRADIATION DE POLYMERES PAR DIFFERENTS TYPES DE DECHARGES ONT ETE ETUDIES

Download or read book DIAGNOSTICS OPTIQUES ET ELECTRIQUES DANS LES PLASMAS APPLICATION A L ETUDE DES INTERACTIONS PLASMA SURFACE POUR LA MICRO ELECTRONIQUE written by GILLES.. CUNGE and published by . This book was released on 1997 with total page 340 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE LA CINETIQUE DES RADICAUX CF ET CF#2 DANS UN PLASMA PULSE DE CF#4 UTILISE POUR LA GRAVURE DE COUCHES MINCES DE SI OU SIO#2 DANS L'INDUSTRIE MICRO-ELECTRONIQUE. LES PROFILS DE CONCENTRATION SPATIAUX RESOLUS DANS LE TEMPS DE CES ESPECES ONT ETE DETERMINES PAR LA TECHNIQUE DE FLUORESCENCE INDUITE PAR LASER. ILS PERMETTENT D'ETUDIER LES MECANISMES DE PERTE ET DE PRODUCTION DE CES RADICAUX EN PHASE GAZEUSE ET SUR LES SURFACES DU REACTEUR. UN NOUVEAU MECANISME DE PRODUCTION EN SURFACE DE CF ET DE CF#2 A AINSI ETE MIS EN EVIDENCE, EN PARTICULIER SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM. NOUS AVONS ALORS DEVELOPPE DES TECHNIQUES POUR COMPARER LES FLUX ABSOLUS DES NEUTRES CF#X PRODUIT AU FLUX D'IONS INCIDENT. LA CONCENTRATION DE CF#2 A ETE DETERMINEE PAR LA TECHNIQUE D'ABSORPTION UV, ALORS QUE POUR CELLE DE CF, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE NOUVELLE THEORIE PERMETTANT DE RENDRE LA F.I.L. QUANTITATIVE EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE SATURATION PARTIELLE DE L'ABSORPTION. ENFIN, POUR MESURER LE FLUX IONIQUE EN MILIEU POLYMERISANT, NOUS AVONS MIS AU POINT UN NOUVEAU TYPE DE SONDE ELECTROSTATIQUE CAPABLE DE FONCTIONNER DANS LES CHIMIES FLUOROCARBONEES QUI DEPOSENT RAPIDEMENT UN FILM ISOLANT SUR LA SURFACE DE LA SONDE. LES RESULTATS QUANTITATIFS OBTENUS NOUS ONT PERMIS DE MONTRER QUE LE MECANISME DE PRODUCTION DE CF EST LA NEUTRALISATION ET FRAGMENTATION DES IONS INCIDENTS. DANS LE CAS DE CF#2, UN DEUXIEME MECANISME LIE A LA DECOMPOSITION D'UN COUCHE DE POLYMERE DOMINE LORSQUE LA CONCENTRATION DE FLUOR EST FAIBLE. CETTE COUCHE (RESPONSABLE DE LA SELECTIVITE DE LA GRAVURE) EST FORMEE A PARTIR DE NEUTRES LOURDS C#XF#Y EUX MEME FORMES PAR UN MECANISME DE POLYMERISATION EN PHASE GAZEUSE (PAR DES REACTIONS C#XF#Y+CF#2).

Download or read book ETUDE DES PHENOMENES PHYSIQUES ASSOCIES A L OUVERTURE DES CONTACTS DANS L OXYDE DE SILICIUM PAR GRAVURE PLASMA written by CYRIL.. LE GOFF and published by . This book was released on 1998 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PRESENT TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE D'UNE IMPORTANTE ETAPE TECHNOLOGIQUE DE LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES CMOS ULSI, A SAVOIR : L'OPERATION D'OUVERTURE DES TROUS DE CONTACT. LA GRAVURE DE L'OXYDE DE SILICIUM EST REALISEE DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL DE TYPE DIODE RADIOFREQUENCE, EN PLASMA CHF#3-CF#4-AR. L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR SUR LA GRAVURE DE L'OXYDE, DU MASQUE DE RESINE ET DU SUBSTRAT DE SILICIUM SOUS-JACENT EST EXAMINEE SUIVANT LA METHODE DES PLANS D'EXPERIENCES. EN OUTRE, UN RETICULE PERMETTANT DE REPRODUIRE SUR LE MASQUE DE RESINE DES RESEAUX DE LIGNES ET DE CONTACTS DE DIMENSIONS 1 ET 0,6 M EST UTILISE POUR ETUDIER LES EFFETS DE TOPOGRAPHIE. LA CARACTERISATION DU PROCEDE EST EFFECTUEE PAR LA MESURE DES VITESSES D'ATTAQUE, DE L'UNIFORMITE, DES SELECTIVITES, DU PROFIL ET DES DIMENSIONS DES MOTIFS GRAVES, ET DES RESISTANCES DE CONTACT METAL/SI. L'ANALYSE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS XPS DES SURFACES TRAITEES PERMET DE COMPRENDRE LES TENDANCES OBSERVEES, NOTAMMENT EN TERME DE SELECTIVITE OXYDE/SILICIUM. UNE ETUDE PLUS DETAILLEE DES MODIFICATIONS DE SURFACE DU SUBSTRAT DE SILICIUM EXPOSE AU PLASMA CHF#3-CF#4-AR EST AUSSI ENTREPRISE. NOUS NOUS FOCALISONS SUR LA COUCHE D'INTERFACE FILM (F, C)/SUBSTRAT ET SUR L'ETAT CRISTALLIN DU SILICIUM. ENFIN, LA CARACTERISATION DES SURFACES APRES TRAITEMENTS POST-GRAVURE EN PLASMA CF#4 OU CF#4-O#2 PERMET DE S'ASSURER DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS INDUITS PAR L'ETAPE DE GRAVURE. L'OBJECTIF EST DE RESTAURER LA SURFACE DU SILICIUM AFIN D'AMELIORER LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES CIRCUITS CMOS. LES EFFETS DE LA CHIMIE DU PLASMA, DU TEMPS DE TRAITEMENT, DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DES MOTIFS SUR L'ETAT DE SURFACE DU SILICIUM SONT ETUDIES AU MOYEN DE LA SPECTROMETRIE XPS.

Download or read book Gravure de l InP par plasma chlor couplage inductif written by Bo Liu and published by . This book was released on 2007 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le cadre d'une collaboration avec le laboratoire LEOM (laboratoire d'électronique, Optoélectronique et Microsystème) de l’Ecole Centrale de Lyon, nous avons mené une étude concernant la gravure de l’InP par plasma ICP chloré. Ce type de procédé est considéré comme une étape clef dans la réalisation des cristaux photoniques à base d’InP. Afin de mieux comprendre les mécanismes Dans le cadre d’une collaboration avec le laboratoire LEOM (Laboratoire d’Electronique, physiques et cinétiques de la décharge ICP et son effet sur les propriétés structurelles et géométriques du matériau gravé, nous avons étudié, dans un premier temps, les phénomènes électriques et de transport par plasma en utilisant une sonde de Langmuir et la spectroscopie d’émission. Ces études ont montré l’effet de certains paramètres machine comme la puissance RF du réacteur ICP et la pression du gaz sur les propriétés électriques et de transport d’espèces chargées en particulier les électrons dont la densité et la température électroniques jouent un rôle important dans la décharge plasma. C’est ainsi que les évolutions de la densité et la température électroniques en fonction de la puissance RF et la pression du gaz ont été étudiées pour deux type de gaz : le chlore pur et le mélange Cl2/Ar. D’autre part, des analyses de surfaces d’InP gravées ont été effectuées en utilisant l’XPS (X-ray Photoélectron Spectroscopie), l’AFM (Atomic Force Microscopie) et la spectroscopie Raman. Les résultats révèlent que, contrairement à la gravure de l’InP par plasma de CH4/H2 où les surfaces gravées sont plutôt appauvries en phosphore, la gravure d’InP par plasma chloré présente dans la plupart des cas un appauvrissement de surface en indium. En parallèle à cette étude expérimentale, nous avons développé un modèle cinétique pour deux types de plasma : un plasma de Cl2 et celui de Cl2/Ar. Ce modèle est basé sur une approche globale qui permet de calculer les densités moyennes et les flux d’espèces présentes dans la décharge en résolvant les équations de bilan de masse. L’ajout de l’équation de bilan de puissance et l’équation de neutralité permet la détermination d’une manière auto-cohérente de la densité et la température électroniques en fonctions des paramètres machine. Les résultats obtenus par le modèle cinétiques ont été comparés à ceux obtenus par l’expérience. Un bon accord a été observé dans le cas d’un plasma de chlore pur et celui de mélange Cl2/Ar.

Download or read book Caract risation d un plasma multipolaire micro onde de SF6 dilu written by Bouarfa Mahi and published by . This book was released on 1986 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE ETUDE A ETE DE CORRELER VITESSES ET PROFILS DE GRAVURE DU SILICUM EN PLASMA DE SF::(6) DILUE AUX CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PLASMA A LA DENSITE DES ESPECES REACTIVES ET A L'ENERGIE DES IONS FRAPPANT LE SUBSTRAT. LES RESULTATS MONTRENT QUE LES PARAMETRES QUI CONDITIONNENT LES CARACTERISTIQUES DU PLASMA NE SONT PAS DES PARAMETRES PERTINENTS VIS A VIS DU PROCESSUS DE GRAVURE ET DE SA QUALITE; SEUL LE RAPPORT DU FLUX D'IONS AU FLUX DE FLUOR EST REPRESENTATIF DE L'EFFET DU PLASMA SUR LE RENDEMENT DE GRAVURE ET SUR LE CARACTERE ANISOTROPE OU NON DE CELLE-CI

Download or read book Analyse des processus de d rive lors de la gravure profonde du silicium dans des plasmas SF6 et C4F8 written by Mathieu Fradet and published by . This book was released on 2014 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce mémoire de maîtrise est de développer des outils de diagnostics non-invasifs et de caractériser in-situ les dérives de procédé dans un réacteur industriel utilisé en production pour la gravure profonde du silicium par le procédé Bosch. Ce dernier repose sur l'alternance d'un plasma de SF6 pour la gravure isotrope du Si et d'un plasma de C4F8 pour la passivation des parois dans l'optique d'obtenir des tranchées profondes et étroites. Dans un premier temps, nous avons installé une sonde courant-tension sur la ligne de transmission du signal rf au porte-substrat pour l'étude de son impédance caractéristique et un spectromètre optique pour l'étude de l'émission optique du plasma. Nos travaux ont montré que l'évolution temporelle de l'impédance constitue un excellent moyen pour identifier des changements dans la dynamique du procédé, notamment une gravure complète de la photorésine. De plus, à partir des spectres d'émission, nous avons pu montrer que des produits carbonés sont libérés du substrat et des parois lors de l'alternance passivation/gravure et que ceux-ci modifient considérablement la concentration de fluor atomique dans le plasma. Dans un second temps, nous avons développé un réacteur à « substrat-tournant » pour l'analyse in-situ des interactions plasma-parois dans le procédé Bosch. Nos travaux sur ce réacteur visaient à caractériser par spectrométrie de masse l'évolution temporelle des populations de neutres réactifs et d'ions positifs. Dans les conditions opératoires étudiées, le SF6 se dissocie à près de 45% alors que le degré de dissociation du C4F8 atteint 70%. Le SF6 est avant tout dissocié en F et SF3 et l'ion dominant est le SF3+ alors que le C4F8 est fragmenté en CF, CF3 et CF4 et nous mesurons plusieurs ions significatifs. Dans les deux cas, la chaîne de dissociation demeure loin d'être complète. Nous avons noté une désorption importante des parois de CF4 lors du passage du cycle de passivation au cycle de gravure. Un modèle d'interactions plasmas-parois est proposé pour expliquer cette observation.

Download or read book M canismes physico chimiques dans le proc d de gravure plasma du Silicium written by Xavier Mellhaoui and published by . This book was released on 2006 with total page 18 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans l’industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l’obtention de structures à fort rapport d’aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d’isolation...). La cryogravure est l’une des voies pour réaliser ces structures. L’objet de cette thèse est l’étude des mécanismes de formation de la couche de passivation SiOxFy dans le procédé cryogénique de gravure par plasma SF6/O2 du silicium. Cette couche ne se forme uniquement qu’à basse température (~ -100°C). Elle désorbe lors de la remontée en température à l’ambiant du substrat en libérant des espèces analysables par spectrométrie de masse. La principale espèce détectée est le produit de gravure SiF4. En testant des plasmas de construction de la couche avec le SiF4, nous avons trouvé deux mécanismes possibles de formation de la couche SiOxFy. Afin de compléter l’étude, nous avons installé un ellipsomètre spectroscopique in-situ afin de caractériser l’interaction de différents plasmas (Ar, SF6, O2, SF6/O2, SiF4/O2) avec le silicium montrant ainsi l’effet de la température du substrat et du flux d’ions. En régime de surpassivation, les MicroStructures Colonnaires, défaut du procédé de cryogravure, apparaissent au fond du motif. Une étude paramétrique de ces structures est effectuée en variant les conditions du plasma (température, Vbias, puissance de la source, pression et temps).

Download or read book Proc d de gravure du silicium par plasma written by Frédéric Thais and published by . This book was released on 1982 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Physique des plasmas 1 written by Abraham Bers and published by EDP Sciences. This book was released on 2012-12-04T00:00:00+01:00 with total page 409 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les plasmas, sorte de quatrième état de la matière, composent 99 % de l'Univers. Le tome I : de l'astrophysique à la fusion contrôlée, des lasers aux traitements de surface, les domaines d'application des plasmas sont innombrables, tant en science pure qu'en technologie.

Download or read book Physique des plasmas written by Jean-Loup Delcroix and published by . This book was released on 1966 with total page 226 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: