Download or read book Caracterisation de l interface Silicium amorphe Nitrure de silicium et etude de structures Metal a SiN H a Si H pour l application en capteurs d images written by Marie-Christine Habrard and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Etude du silicium amorphe hydrog n et de ses d riv s nitrur s written by Christophe Chaussat and published by . This book was released on 1984 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN ASSOCIANT DANS DES STRUCTURES MULTICOUCHES UN NITRURE DE SILICIUM DE COMPOSITION CHOISIE ET LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMPENSE, IL EST POSSIBLE DE REALISER DES CIBLES POUR CAPTEUR D'IMAGES. APPLICATION A DES CIBLES VIDICON
Download or read book Fabrication et caract risation de nanocristaux de silicium encapsul s dans des matrices silici es amorphes written by Jérémy Barbé and published by . This book was released on 2013 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.
Download or read book Development characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.
Download or read book STABILITE DE STRUCTURES METAL ISOLANT SEMI CONDUCTEUR A BASE DE SILICIUM AMORPHE ET SILICIUM POLYCRISTALLIN SOUS L EFFET DE CONTRAINTES EN TENSION D APRES DES MESURES DE CAPACITE written by JEROME.. REYNAUD and published by . This book was released on 1996 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR DES STRUCTURES METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR (MIS) A BASE DE SILICIUM AMORPHE ET DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EN RELATION AVEC L'APPLICATION AUX ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES (TFT). L'ANALYSE THEORIQUE DES MESURES DE CAPACITE QUASI-STATIQUE ET QUASI-STATIONNAIRE MET L'ACCENT SUR LA PRISE EN COMPTE D'UN CONTINUUM D'ETATS LOCALISES DANS LE VOLUME DU SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE. POUR LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, NOUS AVONS COMPARE DEUX METHODES D'HYDROGENATION: L'HYDROGENATION AU MOYEN D'UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM HYDROGENEE ET L'HYDROGENATION PAR UN PLASMA MICRO-ONDE. L'HYDROGENATION PAR NITRURATION AMELIORE LA DENSITE D'ETATS PAR RAPPORT A LA STRUCTURE NON HYDROGENEE. CEPENDANT, LA DENSITE RESTE ELEVEE ET DES POST-RECUITS A BASSE TEMPERATURE NE CONDUISENT PAS A UNE AMELIORATION IMPORTANTE. L'HYDROGENATION PAR PLASMA MICRO-ONDE DONNE UNE DENSITE D'ETATS PLUS FAIBLE. LES RESULTATS TIRES DE MESURES DE CAPACITE DE STRUCTURES MIS ET DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION I#D(V#G) DES TFT PRESENTENT LA MEME EVOLUTION EN FONCTION DE RECUITS SUCCESSIFS DE 200C A 450C. SUR LES STRUCTURES A BASE DE SILICIUM AMORPHE, NOUS AVONS ETUDIE L'EFFET DE CONTRAINTES EN TENSION A DIFFERENTES TEMPERATURES. A TEMPERATURE AMBIANTE, SEULES LES CONTRAINTES POSITIVES ONT UN EFFET SUR LES DIODES MIS. LES MEMES LOIS REGISSENT L'EVOLUTION TEMPORELLE DES TENSIONS CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS ET DES STRUCTURES MIS SOUS L'EFFET DE CONTRAINTES DE DUREE VARIABLE REALISEES A 100C. AVEC DES CONTRAINTES A 200C, LES RESULTATS TIRES DES MESURES DE CAPACITE QUASI-STATIQUE MONTRENT QUE LES CONTRAINTES INDUISENT UNE MODIFICATION DE LA DENSITE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LE SEMI-CONDUCTEUR. FINALEMENT, SEULES LES STRUCTURES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN HYDROGENE PAR PLASMA MICRO-ONDE PRESENTENT UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACE COMPARABLE A LA DENSITE D'ETATS RAMENEE A L'INTERFACE DES STRUCTURES A BASE DE SILICIUM AMORPHE
Download or read book Etude des centres profonds du silicium amorphe hydrog ne a Si H par des mesures d admittances de diodes Schottky written by Jean-Paul Kleider and published by . This book was released on 1987 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DDétermination des caractéristiques du silicium amorphe hydrogène par mesure et analyse des admittances de diodes Schottky fournies sur ce matériau: densité d'états en-dessous et au niveau de fermi avec section de capture efficace des électrons et énergie d'activation du matériel
Download or read book Etude du silicium amorphe hydrog n et de ses d riv s nitrur s written by Christophe Chaussat and published by . This book was released on 1984 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book D p t de nitrure de silicium assist par plasma written by Gisèle Serrano and published by . This book was released on 1996 with total page 11 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE
Download or read book Cambridge Yearbook of European Legal Studies Vol 13 2010 2011 written by Catherine Barnard and published by Bloomsbury Publishing. This book was released on 2011-12-15 with total page 337 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The Cambridge Yearbook of European Legal Studies provides a forum for the scrutiny of significant issues in EU Law, the law of the European Convention on Human Rights, and Comparative Law with a 'European' dimension, and particularly those issues which have come to the fore during the year preceding publication. The contributions appearing in the collection are commissioned by the Centre for European Legal Studies (CELS) Cambridge, a research centre in the Law Faculty of the University of Cambridge specialising in European legal issues. The papers presented are at the cutting edge of the fields which they address, and reflect the views of recognised experts drawn from the University world, legal practice, and the institutions of both the EU and its Member States. Inclusion of the comparative dimension brings a fresh perspective to the study of European law, and highlights the effects of globalisation of the law more generally, and the resulting cross fertilisation of norms and ideas that has occurred among previously sovereign and separate legal orders. The Cambridge Yearbook of European Legal Studies is an invaluable resource for those wishing to keep pace with legal developments in the fast moving world of European integration. INDIVIDUAL CHAPTERS Please click on the link below to purchase individual chapters from Volume 13 through Ingenta Connect: www.ingentaconnect.com SUBSCRIPTION TO SERIES To place an annual online subscription or a print standing order through Hart Publishing please click on the link below. Please note that any customers who have a standing order for the printed volumes will now be entitled to free online access. www.hartjournals.co.uk/cyels/subs Editorial Advisory Board: Albertina Albors-Llorens, John Bell, Alan Dashwood, Simon Deakin, David Feldman, Richard Fentiman, Angus Johnston, John Spencer Founding Editors: Alan Dashwood and Angela Ward Ius Commune Prize 2012 Alexandre Saydé wrote Chapter 15 in this volume entitled: 'One Law, Two Competitions: An Enquiry into the Contradictions of Free Movement Law' and we are delighted to announce that he has been awarded the Ius Commune Prize 2012.
Download or read book Socialism Perestroika and the Dilemmas of Soviet Economic Reform written by John E Tedstrom and published by Routledge. This book was released on 2021-12-13 with total page 239 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights that Soviet economic planners and politicians must come to recognize the need to make fundamental changes, not simply incremental refinements, in the failing Soviet system. It examines the dynamics of the process of perestroika and the complexity of individual economic issues.
Download or read book Notes on the Minor Prophets written by Henry Allan Ironside and published by . This book was released on 1955 with total page 464 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book The Ladybird Illustrated written by D H Lawrence and published by . This book was released on 2020-11-09 with total page 100 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: "The Ladybird is a long tale or novella by D. H. Lawrence. It was first drafted in 1915 as a short story entitled The Thimble. Lawrence rewrote and extended it under a new title in December 1921 and sent the final version to his English agent on 9 January 1922. It was collected with two other tales, The Captain's Doll and The Fox, and the three novellas were then published in London by Martin Secker in March 1923 under the title The Ladybird and in New York by Thomas Seltzer as The Captain's Doll in April 1923."
