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Book Caract  risation non lin  aire et analyse de transistors    effet de champ pour applications hyperfr  quences dans le domaine temporel

Download or read book Caract risation non lin aire et analyse de transistors effet de champ pour applications hyperfr quences dans le domaine temporel written by Damien Ducatteau and published by . This book was released on 2008 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De nos jours, les systèmes de télécommunications deviennent de plus en plus complexes et sophistiqués. Les perfonnances électriques des transistors hyperfréquences qui les constituent, doivent être améliorées en tenne de fréquence, de puissance, de rendement et de linéarité. Dans le cas des transistors de puissance la caractérisation non linéaire est une étape indispensable afin de mieux comprendre et appréhender les effets limitatifs et d'optimiser leur conception. Dans ce cadre, l'objectif de cette thèse a été de mettre en œuvre un analyseur de réseaux non linéaire, de valider les mesures provenant de cet équipement et de développer des outils de mesures et d'analyse dans le domaine temporel afin de mieux appréhender les effets limitatifs des transistors à effet de champ aux fréquences micro-ondes. Dans un premier temps, nous avons montré l'importance de la caractérisation non linéaire hyperfréquence lors de la conception de circuits actifs. Nous avons effectué ensuite une étude bibliographique des principaux systèmes de caractérisation non linéaires existants et qui ont été précurseurs dans ce domaine.

Book Mod  les non lin  aires distribu  s des transistors    effet de champ

Download or read book Mod les non lin aires distribu s des transistors effet de champ written by Benoît Mallet-Guy and published by . This book was released on 1999 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICROONDES. DEUX NOUVELLES APPROCHES DE MODELISATION SONT PRESENTEES. ELLES S'APPUIENT TOUTES LES DEUX SUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU TRANSISTOR. DANS LA PREMIERE, LE CANAL EST REPRESENTE PAR UNE LIGNE DE TRANSMISSION ACTIVE. LE MODELE NON LINEAIRE RESULTANT A MONTRE, LORS DE SA VALIDATION PAR DES MESURES DU TYPE LOAD-PULL, UNE REELLE AMELIORATION A REPRODUIRE LE MECANISME DE SATURATION DE LA PUISSANCE DE SORTIE. LE DEUXIEME MODELE PRESENTE DANS CE MANUSCRIT UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE.