Download or read book Amplification de puissance haut rendement en bande L et en technologie GaN int grant une pr formation de la tension de commande d entr e written by Alaaeddine Ramadan and published by . This book was released on 2010 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie de semi-conducteurs de puissance GAN est en pleine phase de développement à l'heure actuelle et offre de réelles potentialités pour la génération de fortes puissances à l'état solide en hyperfréquence. Le sujet de thèse concerne donc l'étude de l'amplification de puissance en commutation en technologie GaN avec la réalisation d'un démonstrateur à 2 GHz sur la base d'une puissance de sortie de 15Watts. L'étude aboutit à un contrôle et une préformation adéquats des harmoniques de courants et de tensions en entrée et en sortie de l'étage de puissance. Un point innovant et central de ce travail de thèse a été l'analyse multi-harmonique conjointe entre l'étage 'driver' et l'étage de puissance pour préformer le signal de commande de l'étage de puissance et aboutir à un fonctionnement optimisé en rendement sur une large bande passante. Les travaux de thèse se sont concrétisés par la réalisation d'un amplificateur démonstrateur à deux étages comprenant un premier étage fonctionnant en classe F inverse et un second étage fonctionnant en classe F. Cette réalisation est par nature adressable à l'amplification de signaux à enveloppe constante ne nécessitant pas de spécifications contraignantes en terme de linéarité.
Download or read book Caract risation avanc e et nouvelles m thodologies de mod lisation des technologies GaN pour la conception d amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fr quences RF et microondes written by Wilfried Demenitroux and published by . This book was released on 2011 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Haut rendement, forte linéarité et large bande de fonctionnement sont les points clés de la conception d’amplificateur de puissance d’aujourd’hui. De plus, de nombreux amplificateurs de puissance sont développés en technologie hybride utilisant des transistors en boîtier, rajoutant une difficulté supplémentaire pour extraire des modèles CAO fiables pour concevoir ces amplificateurs. Le sujet de cette thèse est de proposer une nouvelle méthodologie de modélisation de transistors en boîtier, rapide, automatique et dédiée à la conception d’amplificateurs de puissance large bande et haut rendement. Pour cela, un nouveau modèle comportemental de transistor est proposé, avec une méthode innovante d’extraction. Pour valider le nouveau flot de conception basé sur des modèles comportementaux de transistors, l’étude aboutit à un démonstrateur en technologie GaN présentant un rendement en puissance ajoutée moyen de 65%, une puissance de sortie moyenne de 41 dBm et un gain en puissance moyen de 13 dB sur 36% de bande relative autour de 2.2 GHz.
Download or read book Optimisation de la technologie GaN pour l amplification de puissance en bande Ku sp cifique aux applications senseurs a roport s written by Romain Pecheux and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Du fait des propriétés exceptionnelles du Nitrure de Gallium (GaN), les transistors HEMTs à base de GaN sont des candidats prometteurs pour les applications de puissance fonctionnant en gamme d'onde millimétrique. Cette technologie émergente est particulièrement attractive pour les senseurs aéroportés développés par Thales et pourrait, à terme, remplacer les amplificateurs à tube employés jusque-là. Cependant, des problèmes inhérents à cette filière de composants subsistent, requérant l'optimisation de cette technologie notamment dans le cadre de la réduction des dimensions des transistors pour la montée en fréquence. Outre les performances RF en puissance, la stabilité impulsion à impulsion (P2P) est une figure de mérite clé des senseurs aéroportés. La détection et la précision des paramètres d'une cible dépendent de cette stabilité. Mes travaux de thèse consistaient à développer un banc de mesure fonctionnant en bande Ku et permettant d'extraire sous pointe la stabilité impulsion à impulsion de transistors GaN. En lien avec ce banc, une procédure de mesures transitoires en puissance et en courant a également été mise en place. J'ai pu étudier, dans le contexte des senseurs aéroportés, trois filières de composants industrielles provenant de la compagnie UMS incluant la filière qualifiée dénommée GH25 (grille de 250nm), la filière GH15 (grille de 150nm) en cours de qualification et la filière GH10 (grille de 100nm) en cours de développement. La technologie GaN 100nm étant encore en phase exploratoire au niveau mondial, nous avons également étudié de nouvelles structures dans le but d'améliorer les performances de ces composants de manière fiable tout en limitant les effets de pièges. J'ai ainsi pu montrer que l'hétérostructure AlN/GaN, avec une architecture d'épitaxie bien choisie, permet d'obtenir des transistors à grilles courtes fonctionnant à des tensions de drain élevées (30V) et délivrant de fortes densités de puissance (> 4W/mm) associées à de hauts rendements (PAE> 50%) à 40GHz.
Download or read book Contribution l tude de l amplification de puissance en technologie GaN par la technique de suivi d enveloppe written by Flavie Elmazova and published by . This book was released on 2011 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux de cette thèse concernent l’étude de l’amplification de puissance micro-onde en technologie GaN. Un descriptif succinct des principales propriétés de ce matériau est réalisé afin de justifier le choix d’un tel candidat pour les applications de puissance hyperfréquences. L’étape suivante était de caractériser et extraire le modèle non-linéaire d’un transistor GaN. Ce modèle a servi de cellule de base pour la simulation d’un amplificateur et d’un modulateur de polarisation. L’association de ces deux fonctions nous a permis d’appliquer et d’étudier le principe de suivi d’enveloppe en bande L et de montrer des tendances importantes. Dans un second temps, une validation expérimentale en bande S a été faite en utilisant un amplificateur réalisé et un système de mesure de laboratoire. L’amélioration du rendement de l’amplificateur RF par cette technique est constatée et la linéarisation est nécessaire afin d’améliorer la linéarité.
Download or read book Conception et r alisation d amplificateur de puissance MMIC large bande haut rendement en technologie GaN written by Victor Dupuy and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse se concentrent sur la conception d'amplificateur de puissance MMIC large-bande haut rendement en technologie GaN pour des applications militaires de type radar et guerre électronique. Les objectifs principaux sont de proposer des structures innovantes de combinaison de puissance notamment pour réduire la taille des amplificateurs actuels tout en essayant d'améliorer leur rendement dans le même temps. Pour cela, une partie importante de ces travaux consiste au développement de combineurs de puissance ultra compactes et faibles pertes. Une fois ces combineurs réalisés et mesurés, ils sont intégrés dans des amplificateurs de puissance afin de prouver leur fonctionnalité et les avantages qu'ils apportent. Différents types d'amplificateur tant au niveau de l'architecture que desperformances sont réalisés au cours de ces travaux.
Download or read book Lin arisation des amplificateurs de puissance haut rendement en combinant les techniques de pr distorsion num rique et le contr le de polarisation written by Mohamad Saad El Dine and published by . This book was released on 2011 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les systèmes de communications modernes requièrent l’utilisation de formats de modulations qui génèrent des signaux hyper fréquences dont l’enveloppe est variable avec des rapports entre la puissance crête et la puissance moyenne (PAPR) très forts. Dans ces conditions, l’amplificateur de puissance de l’émetteur est très contraint par une optimisation difficile du compromis entre son rendement électrique et sa linéarité. Ainsi il apparaît clairement que le développement d’architectures d’amplificateurs visant une amélioration de rendement significative présente un intérêt majeur et on assiste à une tendance assez générale qui consiste à appliquer des techniques correctives de linéarisation aux architectures d’amplificateurs à très haut rendement. Dans ce contexte, il apparaît opportun de concevoir des outils de caractérisation qui sont capables de contribuer efficacement au développement de solutions d’amplifications linéaires et à haut rendement. C’est précisément le développement et l’exploitation d’un tel outil de caractérisation qui fait l’objet de ces travaux de thèse. Une exploitation du système de caractérisation est appliquée à un amplificateur GaN 10W pour deux types de signaux (QAM16 et OFDM). Des résultats de caractérisation de l’amplificateur et une amélioration des performances sont obtenus en appliquant successivement une technique de contrôle de polarisation de drain et une pré distorsion numérique en bande de base. Enfin une étude est également menée en présence d’un signal de contrôle de polarisation volontairement filtré pour diminuer sa bande passante et alléger les contraintes en terme de couple vitesse / puissance du modulateur de polarisation.
Download or read book Conception d un amplificateur haut rendement modulation de charge active en technologie GaN pour application la radionavigation par satellite written by Morgane Portelance and published by . This book was released on 2021 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications de radio-navigation européenne , notamment au travers de la constellation de satellites Galileo, s'encrent dans une optique différente dans le registre de la conception des amplificateurs de puissance. Contrairement aux applications pour des satellites de télécommunication, le critère n'est alors plus la montée en fréquence, ni le besoin de répondre à d'importantes contraintes au niveau des variations d'amplitude des signaux. Cependant, en bande L, les contraintes au niveau de la bande passante, du rendement énergétique et de la linéarité restent des préoccupations majeures dans la conception de ces fonctions amplificatrices. Ces travaux de thèse proposent d'étudier les potentialités d'une architecture récente d'amplificateur à modulation de charge : le Load Modulated Balanced Amplifier (LMBA). Deux configurations de cet amplificateur sont introduites. Une première concerne l'étude d'une topologie « Doherty-Like », avec une polarisation en classe C de l'amplificateur de contrôle. Cette étude est validée expérimentalement au travers de la caractérisation d'un démonstrateur en configuration double entrée de 25 W en bande C. Ainsi, la combinaison des signaux en sortie de l'architecture est optimisée par des moyens numériques. Dans un second temps, une autre méthodologie, cette fois-ci avec un amplificateur de contrôle en classe AB est présentée. Le démonstrateur fonctionne dans la bande [1.2 - 1.4] GHz, qui englobe deux des bandes pour l'application Galileo. Cette étude est validée par la simulation et par la caractérisation en mode CW, avec une variation de la polarisation de grille de l'amplificateur de contrôle.
Download or read book Etude et conception d un amplificateur de puissance en technologie GaN MMIC fonctionnant en bande K adapt aux syst mes de suivi d enveloppe written by Mohamed Aziz Rifi and published by . This book was released on 2021 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse s'intègrent dans le cadre du processus d'amélioration continue de l'efficacité et de la linéarité des amplificateurs de puissance en présence des signaux sur porteuses modulées utilisés par les systèmes de télécommunications modernes.Ces signaux présentent un PAPR élevé et une distribution statistique d'enveloppe centrée en-deçà de la valeur crête d'enveloppe. De ce fait, les amplificateurs de puissance conventionnel (classe AB à polarisation fixe) sont souvent surdimensionnés pour répondre aux besoins des industriels télécoms. La technique de suivi d'enveloppe a été utilisée pour augmenter la PAE le long de l'OBO (10 dB pour LTE) tout en gardant un gain en puissance constant associé à une bonne linéarité en termes de conversion d'AM/AM. Une méthode de conception d'amplificateur de puissance en technologie MMIC fondé sur l'utilisation des HEMTs GaN a été développée et utilisée pour concevoir un AP délivrant une puissance de sortie de 4W et fonctionnant en bande K [17-20GHz]. L'AP réalisé a été ensuite couplé à un modulateur numérique de polarisation de drain. L'ensemble AP et modulateur de polarisation constituant un système de suivi d'enveloppe appelé APSE a été caractérisé en termes d'efficacité et de linéarité en présence de signaux modulés. L'APSE montre des performances très intéressantes comparées à celles obtenue avec un AP à polarisation fixe. En effet à un OBO de l'ordre de 7dB, dans la bande [17-20GHz], la PAE est améliorée de [10-7.5 points]. La PAE moyenne le long de l'OBO varie entre 32 et 36% sur la bande considérée et elle est associée à une EVM variant entre 5 à 1.6% avec une DPD quasi-statique appliquée au signal en bande de base. Les caractérisations de l'APSE ont démontré l'intérêt de l'utilisation des amplificateurs de puissance à suivi d'enveloppe dans les systèmes de télécommunications modernes.
Download or read book Conception et r alisation d amplificateurs de puissance micro ondes l tat solide et fort rendement pour des applications spatiales bande S et bande X written by Marc Zoyo and published by . This book was released on 1996 with total page 233 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE DE DETERMINER UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ORIGINALE ET SYSTEMATIQUE D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE A TRES HAUT RENDEMENT, EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET CE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. LA PREMIERE PARTIE CONSTITUE UNE INTRODUCTION DETAILLANT LES DIVERS PHENOMENES RELATIFS A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. UN EXEMPLE PARTICULIER DU FONCTIONNEMENT A FORT RENDEMENT, APPELE LA CLASSE F, EST EXPLICITE. LA DEUXIEME PARTIE TRAITE DE LA CARACTERISATION ET DE LA MODELISATION DE DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE. IL EST AINSI PROPOSE UNE NOUVELLE APPROCHE DE LA CARACTERISATION, BASEE SUR DES TRANSFORMATIONS LARGE BANDE D'IMPEDANCES, AFIN D'EXTRAIRE DES MODELES ELECTRIQUES EQUIVALENTS EN REGIMES LINEAIRE ET NON-LINEAIRE. LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS HYBRIDES DE PUISSANCE A FORT RENDEMENT FONCTIONNANT EN BANDE X (8,2GHZ) ET CONSTITUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROSTRUCTURE (HFET). DES CORRELATIONS ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET CEUX PREDITS PAR LES SIMULATIONS ONT PERMIS DE MONTRER UNE BONNE ADEQUATION. L'INFLUENCE DES CHARGES PRESENTEES AUX DEUX PREMIERS HARMONIQUES DU SIGNAL APPLIQUE SUR LE COMPORTEMENT DU HFET DE PUISSANCE EST ETUDIEE ET DISCUTEE. DANS LA DERNIERE PARTIE, LA PROCEDURE DE CONCEPTION DE CE TYPE D'AMPLIFICATEUR EST VALIDEE A L'AIDE DE DIVERSES APPLICATIONS TELS QUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE FONCTIONNANT EN BANDE X OU EN BANDE S, A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (PHEMT)
Download or read book tude des classes de fonctionnement haut rendement pour l amplification de puissance en hyperfr quence en utilisant la technologie HEMT base de nitrure de gallium written by Jérémy Dufraisse and published by . This book was released on 2012 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la distance grille-drain sur les performances du composant. Ensuite, la description des amé-liorations de chaque classe conduit à la conception de circuits fonctionnant en classe F inverse avec un rendement en puissance ajoutée mesuré de 58 % et une puissance de sortie de 42 W pour une fréquence de 2 GHz
Download or read book Contribution au d veloppement d une fili re de transistor de forte puissance base de technologie HEMT GaN pour applications t l coms et radar written by Gwenael Le Coustre and published by . This book was released on 2009 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’utilisation de matériaux grand gap, et tout particulièrement l’emploi du nitrure de gallium est une solution pour la génération de puissance aux fréquences microondes. Les HEMTs réalisés à partir du matériau GaN présentent actuellement les meilleures performances mondiales pour la génération de puissance hyperfréquence. Cependant, les concepteurs ont besoin de connaître leurs limitations électriques : Plus précisément, ils ont besoin de connaître leurs caractéristiques électriques dans leurs zones de fonctionnement et d’en avoir des modèles mathématiques intégrables dans des outils de CAO. Dans une première partie, des caractérisations électriques ont été effectuées afin de déterminer l’impact des limitations physiques sur la génération de puissance : tension de claquage, pièges de drain et de grille, résistance thermique d’interface dans l’épitaxie ... Dans la deuxième partie de cette thèse, la conception et la réalisation de premières maquettes ont été effectuées en bande S (3 GHz). Ces maquettes permettent une première caractérisation des composants de puissance de plusieurs millimètres de développement de grille réalisés au laboratoire. Ces caractérisations, pour des considérations de connexions mais également thermiques ne sont pas réalisables sous pointes. Ces mesures permettent également la détermination des impédances optimales en puissance et en rendement au plus près des composants afin de les connaitre avec précision. Ces impédances seront utilisées lors de la conception des amplificateurs de puissance présentée dans la dernière partie. Dans un premier temps, une analyse de l’impact des adaptations d’entrée et de sortie sur la largeur de bande d’adaptation a été réalisée. Une attention particulière a été consacrée à l’architecture de l’adaptation d’entrée. Dans un second temps, une présentation de la conception et de caractérisation d’amplificateurs de puissance de classes 25W et 100W en bande S est présentée. Des mesures de ces amplificateurs ont montré des puissances de sortie supérieures à 120W avec un rendement en puissance ajoutée et un gain en puissance associé respectivement de 40% et 22dB. Ces résultats en termes de puissance, de rendement et de température confortent la possibilité de réaliser des amplificateurs en bande-S pour des applications radars en technologie GaN.
Download or read book Amplificateurs de puissance et convertisseurs DC DC base de GaN pour des applications hyperfr quences written by Florent Gamand and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans les systèmes de télécommunication modernes et en particulier pour l'amplification de puissance RF, le rendement est un élément clé. Il doit être le plus élevé possible pour réduire la consommation. Afin d'augmenter le rendement global d'un amplificateur de puissance, la technique de polarisation dynamique, souvent basée sur l'association d'un amplificateur et d'un convertisseur DC/DC, est couramment employée. Les transistors de type HEMT GaN délivrent des puissances importantes tout en ayant des fréquences de fonctionnement élevées, de plus leur capacité à commuter rapidement et leurs faibles pertes résistives en font d'excellents candidats à la fois pour les applications d'amplification de puissance et de commutation à haute fréquence de découpage et haut rendement tels que les convertisseurs DC/DC utilisés dans le cadre d'une polarisation dynamique.Le premier chapitre de ce mémoire est consacré aux propriétés des transistors à base de GaN et leurs intérêts pour des applications d'amplification hyperfréquence et de commutation. Leur caractérisation et modélisation sont également abordées. Le deuxième chapitre est consacré à la conception et à la caractérisation de convertisseurs DC/DC GaN à haute vitesse de découpage pour des applications de polarisation dynamique d'amplificateurs de puissance. Le troisième chapitre aborde la conception d'amplificateurs de puissance GaN à haut rendement en bande C pour des applications de télécommunication. L'association d'un convertisseur DC/DC développé au chapitre II et d'un amplificateur GaN en bande S dans le cadre de la polarisation dynamique sera également présentée et ses effets sur l'amélioration du rendement étudiés.
Download or read book Etude et Conception d amplificateurs DOHERTY GaN en technologie Quasi MMIC en bande C written by Mohammed Ayad and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail répond à un besoin industriel accru en termes d'amplification des signaux sur porteuses à enveloppes variables utilisés par les systèmes de télécommunications actuels. Ces signaux disposent d'un fort PAPR et d'une distribution statistique d'enveloppe centrée en-deçà de la valeur crête d'enveloppe. La raison pour laquelle les industriels télécoms requièrent alors des amplificateurs de très fortes puissances de sortie, robustes, fiables et ayant une dépense énergétique optimale le long de la dynamique d'enveloppe associée à un niveau de linéarité acceptable. Ce document expose les résultats d'étude et de réalisation de deux Amplificateurs de Puissance Doherty (APD) à haut rendement encapsulés en boîtiers plastiques QFN. Le premier est un amplificateur Doherty symétrique classique (APD-SE) et le second est un amplificateur à deux entrées RF (APD-DE). Ces démonstrateurs fonctionnant en bande C sont fondés sur l'utilisation de la technologie Quasi-MMIC associant des barrettes de puissance à base des transistors HEMTs AlGaN/GaN sur SiC à des circuits d'adaptation en technologie ULRC. L'approche Quasi-MMIC associée à la solution d'encapsulation plastique QFN permettant une meilleure gestion des comportements thermiques offre des performances électriques similaires à celles de la technologie MMIC avec des coûts et des cycles de fabrication très attractifs. Durant ces travaux, une nouvelle méthode d'évaluation des transistors dédiés à la conception d'amplificateurs Doherty a été développée et mise en oeuvre. L'utilisation intensive des simulations électromagnétiques 2.5D et 3D a permis de bien prendre en compte les effets de couplages entre les différents circuits dans l'environnement du boîtier QFN. Les résultats des tests des amplificateurs réalisés fonctionnant sur une bande de 1GHz ont permis de valider la méthode de conception et ont montré que les concepts avancés associés à l'approche Quasi-MMIC ainsi qu'à des technologies d'encapsulation plastique, peuvent générer des fonctions micro-ondes innovantes. Les caractérisations de l'APD-DE ont relevé l'intérêt inhérent à la préformation des signaux d'excitation et des points de polarisation de chaque étage de l'amplificateur.
Download or read book Impl mentation de techniques de lin arisation et d am lioration du rendement pour les amplificateurs de puissance RF written by and published by . This book was released on 2008 with total page 282 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'antagonisme entre la capacité d'émission d'informations haut débit (linéarité) et le rendement énergétique, dans le contexte des émetteurs radio, est l'axe des travaux de cette thèse. Nous proposons une architecture matérielle basé sur circuits FPGA1 pour l'implémentation de fonctionnalités de prédistorsion numérique (DPD) pour la linéarisation d'amplificateurs RF. Nous articulons nos approches μa partir de la séparation entre les processus de prédistorsion et d'adaptation. Ainsi, nous pouvons proposer une structure matérielle (le BPC2 ou Cellule Basique de Prédistorsion) bien adaptée pour l'implémentation du module de prédistorsion. Le module de prédistorsion basé sur BPC peut être reconfigurable au besoin, et, en plus, il reste indépendant de la méthodologie particulière de dérivation de la fonction de prédistorsion. Afin d'effectuer des validations, deux prototypes permet tant de tester des stratégies de prédistorsion performantes et novatrices ont été mis en oeuvre. Dans un premier temps, nous avons implémenté un système DPD basé sur la théorie des systèmes hyperstables sur une plateforme mixte FPGA/DSP3. En complément des résultats expérimentaux, nous rentrons dans le détail des fonctions complémentaires μa la prédistorsion et l'adaptation nécessaires pour produire la prédistorsion. Le deuxième prototype adresse la linéarisation et la compensation des effets mémoire de l'amplificateur RF. Nous présentons et validons expérimentalement une structure de prédistorsion du type NARMA4, implémentée au moyen d'un réseau de cellules BPC. Au passage, nous étudions la consommation de la prédistorsion et son impact sur le rendement. Si l'utilisation de la prédistorsion s'avère inévitable pour contrer les effets mémoire, nous proposons de dégrader la Classe de l'amplificateur, dans le but d'obtenir un émetteur aussi linéaire mais plus performant énergétiquement. Finalement, au delμa de la prédistorsion seule, nous proposons, analysons et validons expérimentalement un système de prédistorsion + commande dynamique de l'alimentation de l'amplificateur RF. La structure de traitement du signal numérique développée, permet de : 1/ prédistordre le signal et 2/ commander des modulateurs d'amplitude lents (par rapport à la largeur de bande de l'application cible, mais ayant de forts rendements de conversion). L'inclusion de capacités de pilotage de l'alimentation autour de la prédistorsion s'avère peu côuteuse et permet d'atteindre des rendements améliorés sans perte de linéarité.
Download or read book M thodes de conception d amplificateurs de puissance flexibles pour les applications spatiale written by David Sardin and published by . This book was released on 2010 with total page 456 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse concerne l'amélioration du rendement des amplificateurs de puissance utilisés dans les équipements radiofréquence.Les besoins actuels dans le domaine des télécommunications spatiales imposent aux satellites de présenter des capacités de reconfigurabilité et de flexibilité en puissance. La finalité est d'une part, d'utiliser de manière optimale la puissanceDC disponible à bord et d'autre part, de permettre une évolution de la mission du satellite. Dans ce contexte, ce manuscrit présente le développement d'un amplificateur de puissance RF 30W à fort rendement basé sur le principe de la technique de l'envelope tracking. L'amplificateur d'enveloppe VHF ainsi proposé démontre d'excellentes performances en rendement et en bande passante en présence de signaux modulés à large bande.
Download or read book Mod lisation de transistor de puissance en technologie GaN written by Cyril Lagarde and published by . This book was released on 2006 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’avènement des technologies de transistors de puissance sur matériaux "grand gap" tels que le Nitrure de Gallium (GaN) permet d’envisager un saut technologique majeur pour la génération de puissance à l’état solide. Cette nouvelle technologie présente des possibilités intéressantes pour des amplificateurs de puissance micro-ondes, en termes de température de fonctionnement élevée, de densités de puissance élevées et de tensions de claquage élevées. Dans une première partie, ce travail concerne le développement d'un nouveau modèle non linéaire électrothermique tabulaire comprenant les effets de pièges sur un transistor HEMT AlGaN/GaN. Ce modèle a été alors utilisé, dans la deuxième partie de cette thèse, pour concevoir un amplificateur de puissance basé sur le principe Doherty. Cependant les contraintes de linéarité et de rendement imposées dans les communications spatiales constituent, encore à l’heure actuelle, un obstacle à l’utilisation de ces technologies. Afin de traiter ces contraintes, nous avons proposé et conçu un nouvel amplificateur Doherty ayant une architecture symétrique basée sur trois transistors HEMTs GaN. Les résultats expérimentaux ont montré des possibilités intéressantes de cette nouvelle structure Doherty en termes de rendement et de linéarité.
Download or read book M thode d encapsulation optimale d une technologie HEMT GaN pour la conception d amplificateurs large bande forte puissance et haut rendement destin s aux applications radars en bande S written by Jérôme Chéron and published by . This book was released on 2011 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications radars requièrent aujourd’hui des performances très importantes en termes de puissance émise, de rendement et de bande passante, afin de réduire les coûts et l’encombrement des systèmes radars. Le transistor HEMT GaN est la technologie de puissance qui répond le plus favorablement aux applications radars en bande S. Des amplificateurs de puissance peuvent être désormais réalisés en technologie HEMT GaN de forts développements. Au cours de ces travaux de thèse, une nouvelle méthodologie d’encapsulation des barrettes de puissance GaN a été mise en œuvre afin de passer outre les techniques de conception actuelles limitant l’obtention des performances haut rendement sur de larges bandes passantes. Ainsi, une technique de synthèse de boîtier a permis d’assurer un fonctionnement optimal en rendement de la barrette de puissance GaN sur une large bande passante. Des démonstrateurs ont été réalisés et ont démontré des PAE de l’ordre 60%, associées à des puissances de sortie de 50 W sur une bande passante de 25% (autour de 3.2 GHz) en bande S. Ces démonstrateurs proposent également une très bonne robustesse à de fortes variations de TOS aux fréquences harmoniques et présentent une surface d’adaptation sur 50 ? inférieure à 0.7 cm2.
