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Book STRUCTURE FINE DES EXCITONS DANS LES SUPERRESEAUX GAAS ALAS

Download or read book STRUCTURE FINE DES EXCITONS DANS LES SUPERRESEAUX GAAS ALAS written by IGOR.. MACHKOV and published by . This book was released on 1996 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA STRUCTURE FINE DES EXCITONS DANS LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS EST ETUDIEE PAR BATTEMENTS QUANTIQUES, RESONANCE MAGNETIQUE DETECTEE OPTIQUEMENT (ODMR) ET ANTICROISEMENT DE NIVEAUX. 1) DANS LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS DE TYPE-2 L'EXCITON EST LOCALISE AUX INTERFACES PAR LES DEFAUTS D'EPAISSEUR DES COUCHES ET LA DEGENERESCENCE DES ETATS RADIATIFS D'EXCITON EST LEVEE. EN EXCITANT EN IMPULSIONS UNE SUPERPOSITION COHERENTE DE CES ETATS, ON OBSERVE DES OSCILLATIONS D'INTENSITE DE LUMINESCENCE AU COURS DU TEMPS (BATTEMENTS QUANTIQUES). ON OBTIENT LA DIFFERENCE D'ENERGIE DES ETATS, LE TEMPS DE VIE ET LE TEMPS DE RELAXATION DE SPIN DES EXCITONS. EN CHAMP MAGNETIQUE LONGITUDINAL OU TRANSVERSE ON DETERMINE LES FACTEURS DE LANDE DES PORTEURS. LES BATTEMENTS QUANTIQUES SONT OBSERVES SOUS EXCITATION RESONANTE ET BANDE-A-BANDE. LE CALCUL DU TAUX DE POLARISATION DE LA LUMINESCENCE RESOLUE EN TEMPS PERMET D'INTERPRETER LES DIFFERENTES PERIODES OBSERVEES. 2) DANS LES ECHANTILLONS OU LE TEMPS DE VIE EST SUPERIEUR A 100 NS, IL EST POSSIBLE DE FAIRE DES EXPERIENCES D'ODMR. ON DEDUIT L'INTERACTION D'ECHANGE ELECTRON-TROU DANS L'EXCITON ET LES FACTEURS DE LANDE DE L'EXCITON ET DES PORTEURS LIBRES. 3) POUR DEUX VALEURS DU CHAMP MAGNETIQUE LONGITUDINAL, UN NIVEAU OPTIQUEMENT INTERDIT DE L'EXCITON ANTICROISE SUCCESSIVEMENT LES NIVEAUX PERMIS DE L'EXCITON. POUR CES VALEURS DU CHAMP LA POLARISATION DE LA LUMINESCENCE AUGMENTE. CE PHENOMENE EST MIS A PROFIT POUR L'ETUDE DE LA STRUCTURE FINE DES EXCITONS DANS LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS DE TYPE-2, POUR L'ETUDE DES STRUCTURES PROCHES DE LA TRANSITION TYPE-2/TYPE-1 ET LES STRUCTURES DE TYPE-1. L'OBSERVATION DES ANTICROISEMENTS DE NIVEAUX EXCITONIQUES NOUS PERMET DE RELIER L'ORDRE DES SOUS-NIVEAUX RADIATIFS AVEC LA NATURE DE L'INTERFACE (GAAS-SUR-ALAS OU ALAS-SUR-GAAS) SUR LAQUELLE LES EXCITONS SONT LOCALISES