Download or read book Physique des semiconducteurs Radiative recombination in semiconductors written by and published by . This book was released on 1964 with total page 448 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DU PHENOMENE D IONISATION PAR CHOC DANS LES SEMI CONDUCTEURS III V written by NICOLAS.. CAVASSILAS and published by . This book was released on 2000 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CETTE THESE NOUS PRESENTONS UNE ETUDE DU PHENOMENE D'IONISATION PAR CHOC DANS LES SEMI-CONDUCTEURS. NOUS AVONS ECRIT UN PROGRAMME DE RESOLUTION DETERMINISTE DE L'EQUATION DE TRANSPORT DE BOLTZMANN QUI NOUS A PERMIS DE CALCULER LES COEFFICIENTS D'IONISATION DANS DES MATERIAUX MASSIF. CE PROGRAMME ORIGINAL, PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT LA SOLUTION A L'ETAT STATIONNAIRE SANS FAIRE D'HYPOTHESE SUR UNE EVENTUELLE CONDITION INITIALE. AFIN D'APPLIQUER CE PROGRAMME AU TRANSPORT A FORT CHAMP (500 KV/CM) QUI IMPLIQUE LA PRISE EN COMPTE DES ELECTRONS A HAUTES ENERGIE (3,5 EV), NOUS AVONS CALCULE LES STRUCTURES DE BANDES DES SEMI-CONDUCTEURS A L'AIDE DE LA THEORIE K.P AVEC UN MODELE SP 3S*D. CE MODELE QUI N'AVAIT JAMAIS ETE UTILISE EN THEORIE K.P DONNE DE TRES BONS RESULTATS POUR LES QUATRES PREMIERES BANDES DE CONDUCTIONS SUR TOUTE LA ZONE DE BRILLOUIN JUSQU'A DES ENERGIES DE 4 EV AU-DESSUS DU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. LE PROGRAMME DE RESOLUTION DE L'EQUATION DE BOLTZMANN A EGALEMENT ETE APPLIQUE A UNE ETUDE DE LA RECOMBINAISON RADIATIVE DANS UN SEMI-CONDUCTEUR PLACE DANS UN CHAMP ELECTRIQUE (

Download or read book Processus de recombinaison radiative dans des semiconducteurs fortement excit s written by Frank Salvan and published by . This book was released on 1970 with total page 59 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Recombinaison radiative dans les semiconductors written by and published by . This book was released on 1965 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Effets des rayonnements sur les semiconducteurs written by and published by . This book was released on 1965 with total page 446 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CARACTERISATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON NON RADIATIFS DANS LES SEMICONDUCTEURS written by Nicolas de Angelis and published by . This book was released on 2000 with total page 285 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES CENTRES DE RECOMBINAISON NON RADIATIFS DANS LES SEMICONDUCTEURS SONT DES DEFAUTS PONCTUELS QUI N'ONT PAS ENCORE ETE ETUDIES EN DETAIL. ON S'EST, JUSQU'A PRESENT, CONTENTE DE MESURER LA DUREE DE VIE ASSOCIEE SANS POUVOIR ATTEINDRE A LA FOIS LES CARACTERISTIQUES DE CES DEFAUTS : SECTIONS DE CAPTURE DES ELECTRONS ET DES TROUS ENERGIE D'IONISATION ET CONCENTRATION. DE PLUS, ON N'ETAIT PAS CAPABLE DE DISTINGUER PARMI TOUS LES DEFAUTS DETECTES CEUX QUI JOUENT LE ROLE DE CENTRES DE RECOMBINAISON. LE BUT DE CETTE THESE EST DE DEVELOPPER UN ENSEMBLE DE TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES PERMETTANT D'OBTENIR TOUS CES PARAMETRES ET, EVENTUELLEMENT, IDENTIFIER CES CENTRES. LES PRINCIPALES TECHNIQUES QUE NOUS AVONS EMPLOYEES SONT BASEES SUR L'ANALYSE DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION D'UNE JONCTION SOUS LUMIERE ET DANS L'OBSCURITE, COUPLEE A DES MESURES DE TRANSITOIRES DE CAPACITE. LES ECHANTILLONS UTILISES SONT DES CELLULES SOLAIRES SI, GAAS ET GAINP CAR CE SONT LES MEILLEURES JONCTIONS SEMICONDUCTRICES QUE L'ON SACHE REALISER ACTUELLEMENT. LES CENTRES DE RECOMBINAISON QUE NOUS AVONS ETUDIES SONT LES CENTRES NATIFS ET CEUX PRODUITS PAR IRRADIATION ELECTRONIQUE, L'IRRADIATION ETANT UN MOYEN SIMPLE D'INTRODUIRE DES DEFAUTS DE FACON CONTROLEE. L'INTERET PRINCIPAL DE CE TRAVAIL EST D'AVOIR ACCES SEPAREMENT AUX SECTIONS DE CAPTURE DES ELECTRONS ET DES TROUS D'UN CENTRE DONNE ET AUX LOIS DE VARIATION DE CEUX-CI AVEC DES GRANDEURS PHYSIQUES TELLES QUE LE CHAMP ELECTRIQUE OU LA TEMPERATURE. ON A AUSSI TENTE DE COMPRENDRE LE MECANISME DE CAPTURE PAR INTERACTION ELECTRON-PHONON SUR CES CENTRES QUI SE REVELE, EN PARTICULIER, A TRAVERS LA DEPENDANCE EN TEMPERATURE. L'APPLICATION DIRECTE LIEE A CETTE ETUDE A ETE LA CONNAISSANCE ET LA COMPREHENSION DU COMPORTEMENT DES CELLULES SOLAIRES DANS L'ESPACE.

Download or read book Nonradiative Recombination in Semiconductors written by V.N. Abakumov and published by Elsevier. This book was released on 1991-07-26 with total page 337 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: In recent years, great progress has been made in the understandingof recombination processes controlling the number of excessfree carriers in semiconductors under nonequilibrium conditions. As a result, it is now possible to give a comprehensivetheoretical description of these processes. The authors haveselected a number of experimental results which elucidate theunderlying physical problems and enable a test of theoreticalmodels.The following topics are dealt with: phenomenological theory ofrecombination, theoretical models of shallow and deep localizedstates, cascade model of carrier capture by impurity centers,capture restricted by diffusion, multiphonon processes, Augerprocesses, effect of electric field on capture and thermalemission of carriers.

Download or read book Recombination in Semiconductors written by Peter T. Landsberg and published by Cambridge University Press. This book was released on 2003-10-16 with total page 624 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book is devoted to the main aspects of the physics of recombination in semiconductors. It is the first book to deal exclusively and comprehensively with the subject, and as such is a self-contained volume, introducing the concepts and mechanisms of recombination from a fundamental point of view. Professor Landsberg is an internationally acknowledged expert in this field, and while not neglecting the occasional historical insights, he takes the reader to the frontiers of current research. Following initial chapters on semiconductor statistics and recombination statistics, the text moves on to examine the main recombination mechanisms: Auger effects, impact ionisation, radiative recombination, defect and multiphonon recombination. The final chapter deals with the topical subject of quantum wells and low-dimensional structures. Altogether the book covers a remarkably wide area of semiconductor physics. The book will be of importance to physicists, electronic engineers and applied mathematicians who are studying or researching the physics and applications of semiconductors. Some parts of the book will be accessible to final-year undergraduates.

Download or read book Action des rayonnements sur les semi conducteurs centres de recombinaison introduits dans le germanium par des lectrons de 2 MeV written by Pierre Baruch and published by . This book was released on 1960 with total page 58 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L INFLUENCE DES PHENOMENES D AUTO ABSORPTION SUR LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DANS LES SEMICONDUCTEURS written by BACHIR.. BENSAID and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LES SEMICONDUCTEURS A LARGEUR DE BANDE INTERDITE DIRECTE, LES PROCESSUS DE REABSORPTION DU PHOTON EMIS, SONT CONNUS POUR LEUR CONTRIBUTION A L'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE ET DE LA DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LE CAS D'UNE CELLULE SOLAIRE PUISQU'ILS CONTROLENT LE RENDEMENT PHOTOVOLTAIQUE. LA REABSORPTION EST LIEE A LA STRUCTURE DE BANDE DU SEMICONDUCTEUR DE BASE UTILISE DANS LA FABRICATION DE PHOTOPILES. LA MESURE DU DECLIN DE PHOTOLUMINESCENCE EST UN DES MOYENS QUI PERMET D'EVALUER LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES. IL EN RESULTE QU'UNE BONNE MODELISATION DU DECLIN DE CETTE PHOTOLUMINESCENCE EST NECESSAIRE POUR EVALUER DE FACON PRECISE LA DUREE DE VIE ET LES PARAMETRES DE TRANSPORT. AINSI, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UNE ETUDE THEORIQUE DETAILLEE DES MECANISMES RELIES A LA STRUCTURE DE BANDE DE CES MATERIAUX ET POUVANT INFLUENCER LA DECROISSANCE DE LUMINESCENCE, EN PARTICULIER LA REABSORPTION QUI JUSQU'ICI N'A PAS BIEN ETE PRISE EN COMPTE DANS TOUTES LES CONFIGURATIONS EXPERIMENTALES. NOUS AVONS RESOLU LE PROBLEME POUR LES DEUX CAS PRATIQUE D'INJECTION: LE CAS LINEAIRE, LIE AUX FAIBLES NIVEAUX D'INJECTION ET LE CAS NON LINEAIRE, LIE AUX FORTES INJECTIONS. CE MODELE DYNAMIQUE TIENT COMPTE DES CONDITIONS EXPERIMENTALES NOTAMMENT DES CARACTERISTIQUES GEOMETRIQUES ET OPTIQUES DE L'ECHANTILLON AINSI QUE DES CARACTERISTIQUES TEMPORELLES DE L'EXCITATION. LES RESULTATS AINSI OBTENUS ONT MONTRE QUE NOTRE MODELE AMELIORE L'ANALYSE DES DONNEES EXPERIMENTALES FOURNIES PAR LA CARACTERISATION. L'AJUSTEMENT GLOBAL ENTRE LES EXPERIENCES ET LE CALCUL PERMET DE DETERMINER LES PARAMETRES DE TRANSPORT TELS LE COEFFICIENT DE DIFFUSION, LES VITESSES DE RECOMBINAISON INTERFACIALES AUSSI BIEN QUE LA DUREE DE VIE NON-RADIATIVE DES PORTEURS MINORITAIRES, ET CE BIEN QUE L'EXPERIENCE SOIT PUREMENT OPTIQUE

Download or read book Physique des semiconducteurs written by International Conference on the Physics of Semiconductors and published by . This book was released on 1964 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book The Cumulative Book Index written by and published by . This book was released on 1965 with total page 1894 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A world list of books in the English language.

Download or read book Symposium Claude Benoit la Guillaume written by J. Cernogora and published by . This book was released on 1995 with total page 446 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Couplage excitons lumi re dans des h t rostructures base de semi conducteurs grand gap written by Marian Zamfirescu and published by . This book was released on 2003 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à l'étude théorique et expérimentale du couplage lumière-matière dans des structures à base de semi-conducteurs à grand gap GaN et ZnO et dans les nitrures InGaAsN à petit gap. La partie expérimentale de la thèse est dédiée à l'analyse par photoluminescence résolue en temps des processus de recombinaison radiative et non-radiative dans des puits quantiques InGaAsN à faible teneur en azote. Les résultats obtenus montrent que la dynamique de recombinaison est dominée par les processus non-radiatifs dus à la matrice hôte ( InGaAs) de la structure plutôt qu'à l'insertion d'azote. Nous présentons ensuite une étude des propriétés optiques des matériaux semi-conducteurs à grand gap. La réflectivité des puits quantiques GaN/A1GaN présente des résonances excitoniques larges dont il est difficile d'extraire des paramètres excitoniques précis. Nous avons développé une technique d'analyse des spectres de réflectivité expérimentaux basée sur la comparaison de la transformée de Fourier de ces spectres à la réflexion résolue en temps calculée d'après un modèle réaliste. Ainsi, nous séparons et déterminons les contributions homogène et inhomogène de l'élargissement des raies excitoniques. Cette méthode d'analyse est appliquée sur des spectres de réflectivité de puits quantiques GaN/A1GaN et ZnO massif. Nous avons montré que le couplage exciton-lumière est grand dans ces structures. Dans les puits quantiques GaN/A1GaN, la force d'oscillateur des excitons dépend fortement de l'épaisseur du puits à cause du champ de polarisation. A partir des paramètres obtenus, nous proposons des modèles de microactivités à base de GaN et ZnO, pouvant fonctionner en régime de couplage fort à température ambiante. Nous montrons qu'à l'équilibre thermodynamique, la température critique de condensation de Bose des polaritons dans ces structures est de l'ordre de 500K, ce qui rend possible la réalisation d'un nouveau type de composant, le laser à polaritons

Download or read book Cartographie de la vitesse de recombinaison en surface et de la dur e de vie des porteurs dans les semi conducteurs III V et le silicium par imagerie de photoluminescence temp rature ambiante written by Moez Bejar and published by . This book was released on 1998 with total page 238 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA RECHERCHE SUR L'OPTIMISATION ET LE DEVELOPPEMENT DE NOUVELLES TECHNOLOGIES III-V ET SI SEMBLE S'ACCELERER CONSIDERABLEMENT DEPUIS QUELQUES ANNEES. EN CONSEQUENCE, IL APPARAIT UN BESOIN URGENT DE NOUVELLES TECHNIQUES PERMETTANT L'EXPERTISE ET LE CONTROLE DE CES MATERIAUX D'UNE MANIERE RAPIDE ET NON-DESTRUCTIVE. DANS CE CONTEXTE, LES OBJECTIFS DE CE TRAVAIL ONT ETE LES SUIVANTS : - PROPOSER DES NOUVELLES TECHNIQUES D'ANALYSE QUANTITATIVE ET NON-DESTRUCTIVES DE L'UNIFORMITE DE LA DISTRIBUTION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS, DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON EN SURFACE ET DU DOPAGE A PARTIR DE L'IMAGERIE DE PHOTOLUMINESCENCE. LA CARTOGRAPHIE QUANTITATIVE DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON EN SURFACE, PRATIQUEMENT INEXISTANTE AUPARAVANT, EST D'UNE IMPORTANCE CAPITALE POUR L'OPTIMISATION DES ETAPES TECHNOLOGIQUES QUI PEUVENT AFFECTER AUSSI BIEN LE VOLUME QUE LA SURFACE DES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEURS. - INTRODUIRE L'IMAGERIE DE PHOTOLUMINESCENCE A TEMPERATURE AMBIANTE DANS LA TECHNOLOGIE SILICIUM. NOUS AVONS NON SEULEMENT MONTRE LA FAISABILITE DES MESURES DE PL SUR SI A TEMPERATURE AMBIANTE MAIS AUSSI ADAPTE NOS NOUVELLES TECHNIQUES DE DETERMINATION DES DIFFERENTS PARAMETRES ELECTRIQUES AU CAS DU SILICIUM. DE PLUS, NOUS AVONS MONTRE QUE L'IMAGERIE DE PHOTOLUMINESCENCE PEUT ETRE UTILE AU CONTROLE DE FABRICATION DE MOSFETS. - APPLIQUER NOTRE SAVOIR-FAIRE A L'OPTIMISATION DE RECUITS APRES LA CROISSANCE DES SUBSTRATS D'INP SEMI-ISOLANT DOPE AVEC UNE TRES FAIBLE CONCENTRATION DE FER. LES TECHNIQUES DEVELOPPEES ONT ETE VALIDEES GRACE AUX MESURES COMPARATIVES TELLES QUE LA PHOTOLUMINESCENCE TRANSITOIRE, L'ABSORPTION OPTIQUE SUR LES PORTEURS EXCEDENTAIRES, L'ABSORPTION MICRO-ONDE EN REGIME TRANSITOIRE, SIMS, L'EFFET HALL ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES STRUCTURES DE TEST.

Download or read book M canismes de recombinaison des paires lectron trou associ s aux dislocations dans les semiconducteurs III V written by Adel Miri and published by . This book was released on 1995 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis plusieurs années, le contraste E.B.I.C ou CL effectué sur des dislocations [Alpha] et [Béta] , a fait l'objet de plusieurs études en fonction de l'injection et de la température. L'interprétation de ces résultats expérimentaux nécessite un support théorique ; pour cela plusieurs modèles physiques du contraste E.B.I.C ont été développé. Malheureusement aucun de ces modèles ne permet de déterminer quantitativement et de manière auto-cohérente, l'efficacité de recombinaison des dislocations. Dans ce mémoire, nous citons d'abord les propriétés les plus importantes des différents champs électriques associés aux dislocations, ensuite, nous introduisons les concepts physiques concernant la recombinaison non radiative en présence d'un champ électrique, clairement établis par Abakumov et al. Ces travaux nous ont permis de proposer un modèle physique, conduisant à déterminer de manière auto-cohérente, l'efficacité de recombinaison des porteurs minoritaires d'une dislocation due à l'existence d'un champ électrique entourant la ligne de la dislocation. En reliant le coefficient de capture auto-cohérent à la force du défaut établie par Donolato, nous obtenons les valeurs quantitatives du contraste E.B.I.C des dislocations. Dans le cas de GaAs, l'interprétation des résultats expérimentaux de contraste E.B.I.C des dislocations à l'aide de ce modèle, constitue une des rares vérifications des calculs ab-initio de structures de bande des dislocations de Jones et al. De plus, nous montrons théoriquement, pour la première fois, que l'augmentation du contraste E.B.I.C des dislocations décorées, peut être simplement interprétée par une réduction de la densité de donneurs au voisinage de la dislocation. En se fondant sur le nouveau modèle de la structure de bande des dislocations [Alpha] et [Béta] et , et compte tenu de la physique des dislocations de désadaptation de réseau situées à l'interface d'un puits quantique (InGaAs/GAs), nous montrons que les mécanismes de recombinaison des porteurs minoritaires sont de nature extrinsèque.

Download or read book DYNAMIQUE DE L EMISSION SPONTANEE DANS LES MICROCAVITES EN SEMI CONDUCTEUR A MIROIRS METALLIQUES written by GUILLAUME.. BOURDON and published by . This book was released on 1999 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON PRESENTE UNE SERIE D'EXPERIENCES RELATIVES A LA MODIFICATION DU TAUX D'EMISSION SPONTANEE (ES) ASSOCIE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRON-TROU PHOTO-EXCITEES, DANS UN PUITS QUANTIQUE D'INGAAS/GAAS PLACE A PROXIMITE D'UN MIROIR METALLIQUE COMPOSITE (CR / AG) OU AU CENTRE D'UNE MICRO-CAVITE FERMEE PAR DEUX MIROIRS METALLIQUES ET DONT L'EPAISSEUR AVOISINE UNE DEMI-LONGUEUR D'ONDE. LE BUT POURSUIVI EST LA DEMONSTRATION D'EFFETS D'ELECTRO-DYNAMIQUE QUANTIQUE EN CAVITE (OBSERVES JUSQU'ICI SUR DES SYSTEMES ATOMIQUES) DANS UN CAS OU LES DIPOLES DE TRANSITION SONT ISSUS DE LA RELAXATION RADIATIVE DE PORTEURS EN EXCES DANS UN SEMI-CONDUCTEUR. UNE TECHNIQUE DE COLLAGE METALLIQUE A ETE DEVELOPPEE POUR LA FABRICATION D'ECHANTILLONS OU UN PUITS QUANTIQUE EST PLACE A UNE DISTANCE CONTROLEE DU (OU DES) MIROIR(S) METALLIQUE(S), SANS DETERIORATION SEVERE DE LA QUALITE DES MATERIAUX CRISTALLINS. EN RAISON DES INTERACTIONS MULTIPLES ENTRE LES PORTEURS ET LEUR ENVIRONNEMENT, LES RECOMBINAISONS PEUVENT EMPRUNTER DIFFERENTS CANAUX ET LA COMPOSANTE RADIATIVE NE PEUT ETRE IDENTIFIEE QU'APRES ANALYSE APPROFONDIE DES MECANISMES POSSIBLES ET DE LA FACON DONT ILS AFFECTENT LE DECLIN DE LA PHOTOLUMINESCENCE, CELUI-CI APPORTANT LA SIGNATURE MESURABLE DE L'EVOLUTION TEMPORELLE DU SYSTEME. LA RECONNAISSANCE D'UNE SATURATION DU TAUX DE RECOMBINAISON RADIATIF A FORTE EXCITATION ET SA MODELISATION ANALYTIQUE EST A L'ORIGINE D'UNE METHODE ORIGINALE, DITE DU POINT D'INFLEXION, POUR L'EXTRACTION DU COEFFICIENT DE RECOMBINAISON BI-MOLECULAIRE B (CONDUISANT AU TAUX D'ES) QUI SOIT COMPATIBLE AVEC UNE INCERTITUDE SUR LA DENSITE DE PORTEURS INJECTEE DANS LE PUITS. NOUS AVONS MESURE, A TEMPERATURE AMBIANTE, UN RENFORCEMENT DU TAUX D'ES D'UN FACTEUR > 2 DANS UNE DEMI-CAVITE ET PROCHE DE 3 DANS UNE CAVITE. UNE INHIBITION DE 35% A AUSSI ETE OBSERVEE DANS UNE CAVITE D'EPAISSEUR INFERIEURE A LA DEMI LONGUEUR D'ONDE, CONSTITUANT LA PREMIERE OBSERVATION D'UN TEL EFFET DANS UN SEMI-CONDUCTEUR.