Download or read book REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR DES PROCEDES BASSE TEMPERATURE 600 C SANS ETAPE D HYDROGENATION written by KARINE.. MOURGUES and published by . This book was released on 1999 with total page 43 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'AMELIORATION D'UN PROCEDE TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TCM) DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE ( 600 \C). LE BUT VISE EST D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES COMPATIBLES AVEC DES APPLICATIONS EN VISUALISATION SANS AVOIR RECOURS A UNE ETAPE D'HYDROGENATION. UNE PREMIERE PARTIE TRAITE DE LA REALISATION DE TCM CRISTALLISES EN PHASE SOLIDE. CES TRANSISTORS SONT OBTENUS A PARTIR DE DEUX COUCHES DE SILICIUM, L'UNE NON DOPEE SERVANT DE COUCHE ACTIVE, L'AUTRE DOPEE POUR LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. UNE ETUDE A MONTRE QU'UNE AUGMENTATION DE LA PRESSION DE DEPOT DU SILICIUM DE 10 A 90 PA, ACCOMPAGNEE D'UN PLASMA D'OXYGENE POUR L'ETAPE DE PREPARATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE, ONT CONDUIT A UN ACCROISSEMENT DE LA MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DE 33 A 63 CM 2/V.S, A UNE DIMINUTION DE LA PENTE SOUS LE SEUIL DE 1,13 A 0,96 V/DEC ET DE LA TENSION DE SEUIL DE 5 A 2 V. UNE MODIFICATION DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR A ETE REALISEE EN DEPOSANT LES COUCHES DE SILICIUM LORS D'UN SEUL DEPOT PERMETTANT D'ELIMINER L'INTERFACE ENTRE LA COUCHE ACTIVE ET LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. CETTE MODIFICATION A PERMIS D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DE TRES BONNES PERFORMANCES : S = 0,6 V/DEC, V T H = 1,2 V ET F E 100 CM 2/V.S. UNE ETUDE DE VIEILLISSEMENT A ETE MENEE SUR CES TRANSISTORS. UNE SECONDE PARTIE TRAITE DE LA CRISTALLISATION EN PHASE LIQUIDE PAR UN RECUIT LASER DE LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. NOUS UTILISONS UN LASER DE GRANDE SURFACE DONT L'IMPACT COUVRE 5 5 CM 2. LA DENSITE D'ENERGIE VARIE DE 350 A 550 MJ/CM 2 ET LE NOMBRE D'IMPACTS DE 1 A 10. CETTE PREMIERE ETUDE A MIS EN EVIDENCE QU'UNE DENSITE D'ENERGIE DE 550 MJ/CM 2 ET 10 IMPACTS, DONNENT LES MEILLEURS RESULTATS, A SAVOIR, UNE MOBILITE DE 140 CM 2/V.S, UNE PENTE SOUS LE SEUIL DE 0,35 V/DEC ET UNE TENSION DE SEUIL DE 3V. LA PRESENCE D'UNE COUCHE ANTIREFLET DE SIO 2 SUR LE FILM A CRISTALLISER A PERMIS D'AUGMENTER L'EFFICACITE DU LASER.

Download or read book TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU written by Laurent Pichon and published by . This book was released on 1993 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT ETE REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (600C) AVEC DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE: UN OXYDE THERMIQUE SUIVI D'UN DEPOT LPCVD DE NITRURE (SI#3N#4) (LOTS A ET B#1), OU UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOTS B#2 ET C). LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS DU PREMIER LOT (LOT A) MET EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE L'ETAT DE SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE APRES GRAVURE PLASMA SUR LA QUALITE DES CONTACTS SOURCE ET DRAIN AINSI QU'UN EFFET DE PIEGEAGE DES PORTEURS CHAUDS A L'INTERFACE SIO#2/SI#3N#4. COMPTE TENU DE CES OBSERVATIONS NOUS AVONS REALISE UN DEUXIEME LOT DE TRANSISTORS AVEC LES DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE. L'ISOLATION BICOUCHE DE LA GRILLE (-OXYDE+NITRURE-LOT B#1) CONDUIT A DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS GRACE A UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACES MOINS ELEVEE. TOUTEFOIS, L'ISOLATION ELECTRIQUE EST MOINS BONNE QUE CELLE OBTENUE PAR UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOT B#2). APRES HYDROGENATION, LES TRANSISTORS DU LOT B#2 PRESENTENT DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES QUE CEUX DU LOT B#1 MAIS LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT RESTE ENCORE ELEVE. UNE REDUCTION DE CE COURANT EST OBTENUE GRACE A UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN SUR DES TRANSISTORS DONT L'ISOLANT DE GRILLE EST DU SIO#2 APCVD (LOT C). NOUS ANALYSONS LES EFFETS DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DU DRAIN ET DE LA GRILLE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS HYDROGENES DES LOTS B#2 ET C. D'UNE PART, NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME DE CONDUCTION A L'ETAT PASSANT OBEIT AU MODELE DE PIEGEAGE DES PORTEURS ET D'AUTRE PART QUE LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT EST DU A DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION DE PORTEURS A PARTIR DES JOINTS DE GRAINS: EMISSION THERMIQUE PURE FAVORISEE OU NON PAR L'EFFET POOLE-FRENKEL, EMISSION THERMOELECTRONIQUE ASSISTEE PAR CHAMP, EMISSION PAR EFFET TUNNEL PUR. NOUS METTONS AINSI EN EVIDENCE QU'UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN CONDUIT A UNE REDUCTION DE L'EMISSION THERMIQUE PURE

Download or read book Effet du dopage sur les propri t s de transport des couches de silicium polycristallin written by Meriem Zaghdoudi and published by . This book was released on 2009 with total page 107 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse est consacré à la fabrication de transistors en couches minces (TCM) de silicium polycristallin (Si-poly), déposé amorphe par LPCVD à 550° C et cristallisé en phase solide à 600° C sous la couche active qui est traditionnellement du Si-poly non-dopé. La première partie est réservée à l'étude des propriétés physiques, optiques et électriques du Si-poly très faiblement dopé en phosphore ou en bore, in-situ pendant le dépôt. L'ensemble des caractérisations physiques (Microscope Eléctronique à Balayage), optiques (transmission optique, photodéflexion thermique (PDS), photluminescence à très basse température) et électriques (conductivité, effet Hall) montrent une amélioration des propriétés du matériau avec le dopage jusqu'à un optimum au delà duquel les propriétés se détériorent de nouveau. La deuxième partie traite de la réalisation de TCMs à couche active faiblement dopée et à canal N et P. Les transistors de type N dont le rapport W/L = 80μm/40m présentent une mobilité d'effet de champ de 160 cm2/V.s et une tension de seuil 1,2 V pour une épaisseur d'oxyde de grille de 70 nm. Une dispersion de moins de 6% sur la valeur de la mobilité est obtenue sur une surface de 5 cm x 5 cm. Ces valeurs présentent une grande stabilité sous l'effet de l'application d'un stress de tension de grille positif ou négatif.

Download or read book Qualification de diff rents mat riaux silicium en vue de la r alisation sur le m me substrat de transistors d di s diff rentes applications written by Amar Saboundji and published by . This book was released on 2004 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Durant cette thèse, nous nous sommes intéressés à la fabrication de transistors en couches minces de silicium amorphe, microcristallin ou cristallisé par laser. La première phase du travail concerne l'étude de la cristallisation de la couche active des transistors par un laser continu Nd : Yag. Les couches cristallisées avec une énergie E = 3.64 W, ont des grains de taille maximale. Les transistors de type N présentent des mobilités d'environ 630 cm2/V.s. Cependant, ces transistors présentent une grande dispersion de la mobilité de l'ordre de 15% et surtout une variation aléatoire, inacceptable, du courant inverse d'un transistor à son voisin. L'énergie de 3.12 W semble être le meilleur compromis possible entre une bonne mobilité et une homogénéité acceptable, de l'ordre de 5%. Elle aboutit à une mobilité de 390 cm2/V.s. La taille des grains issus de cette cristallisation, induit des performances différentes des transistors selon leur orientation par rapport au balayage du laser. Les transistors parallèles présentent une mobilité moyenne de 390 cm2/V.s alors que les transistors perpendiculaire voient la mobilité chuter à 240 cm2/V.s.Dans la seconde partie de ce travail nous somme intéressés à la faisabilité de transistors stables fabriqués à basse température. Les transistors réalisés avec des couches de silicium amorphe déposé par filament chaud donnent des résultats intéressants particulièrement une grande mobilité d'effet de champ ((= 1.3 cm2/V·s). Ils sont par contre aussi instables que les habituels transistors au silicium amorphe. Par contre les transistors fabriqués à partir de silicium microcristallin présentent une très bonne stabilité. De très grandes mobilités d'électrons (40 cm2/V·s) sont obtenues avec des transistors réalisés à partir de couches micrcristallines déposées aussi bien par filament chaud que par PECVD. Ces résultats confirment la possibilité d'utiliser le silicium microcristallin comme alternative au silicium amorphe dans les écrans plats La valeur de la mobilité de trous obtenue 1.15 cm2/V·s, jamais atteinte auparavant avec ce type de matériau, est quant à elle suffisante pour envisager la réalisation de circuits CMOS.

Download or read book tude pr dictive et r alisation de transistors films minces verticaux basse temp rature T written by Himi Deen Touré and published by . This book was released on 2009 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis la fabrication du premier transistor, les technologies microélectroniques notamment celles mettant en œuvre les couches minces de silicium ont eu une évolution formidable. Cette réduction des dimensions (loi de Moore) a conduit de nos jours à des dispositifs nanométriques. Cependant, la miniaturisation des transistors films minces (TFT) de type planar a montré ses limites. L’étude présentée, se veut une réponse à ces problèmes et traite de la conception et de la réalisation à basse température de TFT à canaux verticaux sur substrat de verre à base de silicium polycristallin. Ce dispositif est réalisé dans le but de contrôler efficacement la longueur du canal, d’accroître les densités d’intégration et de courant par unité de surface du TFT. Après une étude prédictive, des structures génériques multicanaux en forme de peigne, d’échelle ou de U ont été conçues et fabriquées. Il a été montré leur faisabilité avec des flancs quasi-verticaux et une longueur de canal de 1μm. Après une série d’essais sur le design des structures, les techniques de dépôts des couches actives et les traitements post-dépôts, une amélioration des propriétés électriques a été obtenue.

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDALLAH.. SAKRI and published by . This book was released on 1989 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'IDENTIFIER L'ORIGINE DU COURANT DE FUITE QUI SE MANIFESTE A L'ETAT BLOQUANT DANS LES STRUCTURES MOS EN COUCHES MINCES (TFT) REALISEES DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, DEUX SERIES DE STRUCTURES N+NN+ ONT ETE FABRIQUEES AVEC CE MATERIAU. LES COUCHES DEPOSEES EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD) ONT ETE DIVERSEMENT DOPEES PAR IMPLANTATION IONIQUE. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS ET DE CELLES DE SIMPLES COUCHES-TEMOINS AYANT SUBI LES MEMES TRAITEMENTS THERMIQUES QUE CEUX-CI, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE JOUE DANS LA TRANSMISSION DU COURANT DE FUITE PAR LA ZONE FORTEMENT PERTURBEE A PARTIR DE LAQUELLE CROISSENT LES GRAINS COLUMNAIRES, QUI FORMENT LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE COURANT DE FUITE: RESTE INDEPENDANT DE LA POLARISATION DE LA GRILLE TANT QUE LE NIVEAU DE CELLE-CI RESTE FAIBLE, DEPEND EN REVANCHE DU DOPAGE ET DES CONDITIONS DE DEPOT, NE DEPEND PAS DE FACON SIGNIFICATIVE DE L'EPAISSEUR (90 A 300 NM) DU FILM SIPOLY

Download or read book Transistors en couches minces de silicium microcristallin fabriqu s T written by Khaled Amir Belarbi and published by . This book was released on 2010 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: e travail de thèse porte sur la réalisation de transistors en couches minces (Thin film transistors) de silicium microcristallin fabriqués à une température inférieure à 180°C. Cette thèse permet d’envisager diverses applications allant de la technologie des écrans OLED jusqu’à l’électronique flexible associée au textile intelligent. Pour le bon fonctionnement de ces applications, il est nécessaire de produire des transistors performants. C’est pourquoi ces travaux de thèse visent la fabrication de transistors respectant les conditions pour un bon fonctionnement des applications attendues, c'est-à-dire une dualité mobilité-stabilité satisfaisante. Les premiers transistors en structure « Top-Gate » utilisant l’oxyde de silicium comme isolant de grille ont abouti à d’excellentes performances (40 cm2/Vs). Ces derniers s’avérèrent ne pas être fiable en terme de stabilité. Beaucoup de questions se sont alors posées pour remédier à cette instabilité. Des techniques telles que les mesures électriques (énergie d’activation de la conductivité) et physiques (SIMS) ont permis de comprendre d’où venait le problème. Il s’avère que lors du dépôt de l’isolant, une importante incorporation d’oxygène pénètre dans la structure colonnaire du silicium microcristallin. La première solution consistait donc à utiliser une couche fine de silicium microcristallin. Les transistors ainsi fabriqués ne dérivent que faiblement. La deuxième solution consistait à l’élaboration d’un isolant autre que l’oxygène lors du dépôt. Par le biais du nitrure de silicium, les transistors en structure « Top-Gate » de type N montrent une mobilité de (2 cm2/Vs) et une bonne stabilité. Enfin, des transistors de type P ont été également fabriqués rendant possible la mise au point d’une technologie de type CMOS avec le silicium microcristallin.

Download or read book Microstructures en silicium polycristallin d pos sur verre Application la r alisation et la caract risation de transistors en couche mince grille suspendue written by Hicham El-Din Mahfouz Kotb and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la réalisation, par micro-usinage de surface sur substrat de verre, de transistors en couches minces à grille suspendue (TFTs à air-gap). L'ensemble grille suspendue - couche active est réalisé en couches minces de polysilicium. La première partie de ce travail traite l'optimisation du procédé de fabrication des micro-ponts en polysilicium. La clé de voûte du procédé est un recuit de cristallisation du silicium structurel vers 570 ʿC - 600 ʿC, associé à l'utilisation de germanium comme couche sacrificielle. Dans la deuxième partie, des transistors à air-gap ont été réalisés en utilisant une couche sacrificielle de 500 nm d'épaisseur. Après libération, les transistors ont présenté de bonnes performances avec une pente sous le seuil et une tension de seuil de l'ordre de 0,7 V/dec et 6 V respectivement. L'effet de l'ambiance sur les caractéristiques de ces transistors à air-gap, a été étudié en troisième partie. Enfin, un modèle est proposé afin d'expliquer le comportement électrique du transistor sous l'effet de différentes ambiances.

Download or read book Etude des propri t s des transistors en couches minces base de silicium microcristallin pour des applications d cran plats matrice active written by Maher Oudwan and published by . This book was released on 2007 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but d'étudier les mécanismes du courant de drain en régime bloqué dans les transistors en couches minces (TFT) à base de silicium microcristallin (~c-Si:H), ainsi que ceux de la dérive de la tension de seuil. Pour cela nous avons fabriqué des TFT en ~c-Si:H. Nous avons déterminé les mécanismes du courant en régime bloqué pour les champs électriques modérés: il s'agit de la :onduction de type Poole Frenkel, et pour les forts champs, c'est un courant de type effet tunnel bande 3 bande. Nous avons identifié un phénomène de courant parasite en régime bloqué qui s'ajoute au :ourant intrinsèque, et qui est spécifique aux TFT en ~c-Si:H. Il provient d'une contamination en )xygène pendant le procédé de fabrication. L'oxygène, présent sur le canal arrière, diffuse et/ou s'active Jendant la passivation finale en SiNx et dope le canal arrière. Une solution pour réduire ce courant Jarasite est d'ajouter une couche de silicium amorphe au dessus du ~c-Si:H pour protéger le canal 3rrière, ou bien de diminuer la température de dépôt du ~c-Si:H. Concernant la dérive de tension de ;euil, nous avons pu établir que le piégeage de charges dans le SiNx est le mécanisme dominant.

Download or read book Etude des mobilit s de conductivit et de Hall dans des couches minces et des transistors en silicium polycristallin faiblement dope in situ written by France Le Bihan and published by . This book was released on 1995 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail décrit tout d'abord un dispositif expérimental et la réalisation technologique de structures en films minces élaborées en basse température (

Download or read book CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by FRANCOIS.. ROY and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DE L'EVOLUTION EN FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE, BASEE SUR L'EVOLUTION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE, A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: LA CREATION DE LIAISONS BRISEES DANS LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR ET CORRESPONDANT A LA DISTRIBUTION DES NIVEAUX LOCALISES T3 DANS LA BANDE INTERDITE DU A-SI:H; L'AUGMENTATION DES ETATS DE SURFACE A L'INTERFACE SIO2/A-SI:H; L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CARACTERISTIQUE DE LA DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS DE QUEUE DE BANDE. LE CHOIX DE LA PROCEDURE EXPERIMENTALE A PERMIS DE MONTRER QUE LE PROCESSUS: EST NON ACTIVE THERMIQUEMENT, INDUIT PAR LES PORTEURS LIBRES ACCUMULES DANS LE CANAL SOUS EFFET DE CHAMP ET QUE LA CINETIQUE DE CE MECANISME SUIT UNE LOI EN "TEMPS **(1/3"). PAR AILLEURS, L'ETUDE D'UN TRANSISTOR AMBIPOLAIRE MONTRE QUE LA DEGRADATION SOUS CONTRAINTE ELECTRIQUE EST UNE COMPOSANTE DE L'EFFET STAEBLER-WRONSKI. L'ACCUMULATION D'ELECTRONS LIBRES OU DE TROUS LIBRES CONDUIT, INDEPENDAMENT, A L'AUGMENTATION DES LIAISONS BRISEES

Download or read book R alisation et tude de silicium microcristallin pr par basse temp rature written by Noureddine Ababou and published by . This book was released on 1983 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PREPARATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM MICROCRISTALLIN PAR CONDENSATION DE PLASMA JUSQU'A 300**(O)C EN JOUANT SUR LES PARAMETRES DE DEPOT FLUX ET PUISSANCE HF. ETUDE DE L'INFLUENCE DE CES PARAMETRES SUR LA PHYSICOCHIMIE ET LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU MATERIAU. MISE EN EVIDENCE DE L'EXISTENCE D'HETEROGENEITE A MOYENNES DISTANCES DANS L'AMORPHE ET DANS LE MICROCRISTAL

Download or read book Couches minces en silicium microcristallin pr par es par d p t chimique en phase vapeur par filament chaud de l analyse des propri t s des couches la r alisation des cellules solaires written by Chisato Niikura and published by . This book was released on 2001 with total page 286 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.

Download or read book Proc d s thermiques rapides RTA O written by Eric Campo and published by . This book was released on 1993 with total page 342 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROCEDES THERMIQUES RAPIDES (RTP) SONT ETUDIES DU POINT DE VUE DE LEURS UTILISATIONS POUR LA CRISTALLISATION (RECUIT RTA A 750C) ET L'OXYDATION (RTO A 1050C) DES FILMS MINCES DEPOSES A PARTIR DE SILANE ET DE DISILANE DANS UNE GAMME DE TEMPERATURE ALLANT DE 450C A 620C. LES POSSIBILITES QU'APPORTENT CES ETAPES SONT COMPAREES A CELLES DONNEES PAR LES RECUITS ET OXYDATIONS (LTA, LTO) REALISES A 600C. L'ETUDE MONTRE QU'UN RECUIT RTA (750C) PREOXYDATION PERMET D'OBTENIR A LA FOIS UNE CRISTALLISATION OPTIMALE DU FILM DE SILICIUM ET DES OXYDES DE MEILLEURES PROPRIETES ELECTRIQUES. DES TFT A CANAL N ET A CANAL P ONT ETE REALISES. LES PARAMETRES DE CES TRANSISTORS (MOBILITE , TENSION DE SEUIL VT ET RAPPORT DES COURANTS A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE ION/IOFF) ONT ETE ETUDIES DU POINT DE VUE, D'UNE PART DES EFFETS RELATIFS DES MODES D'OXYDATION-RECUIT LTO, A (600C) ET RTA, O (750C, 1050C), OU DE LA COMBINAISON DE CES DEUX MODES, ET D'AUTRE PART, DE L'INFLUENCE D'UNE HYDROGENATION PLASMA. CECI DONNE PAR EXEMPLE, POUR LE DEPOT DE SILICIUM FAIT A 465C: N=84 CM#2/V.S (RTA+RTO), N=46 CM#2/V.S (LTO+LTA) ET N=53 CM#2/V.S (LTA+RTA+LTO). L'ETUDE MONTRE QUE L'INFLUENCE DU PROCEDE TECHNOLOGIQUE SUR LES MECANISMES DE CONDUCTION QUI INTERVIENNENT DANS LES PERFORMANCES DU TFT EST LIEE A LA FOIS AUX HAUTEURS DE BARRIERE DE POTENTIEL ENTRE GRAINS ET A LA QUALITE INTERNE DES GRAINS EUX-MEMES. UNE CORRELATION EST EGALEMENT MISE EN EVIDENCE ENTRE LE COEFFICIENT D'EXTINCTION K MESURE A 405 NM ET LA MOBILITE DES ELECTRONS OU TROUS DANS LE CANAL, CE QUI DONNE UNE METHODE SIMPLE POUR OPTIMISER LE PROCEDE TECHNOLOGIQUE EN TERME DE VALEUR DE CETTE MOBILITE

Download or read book ANALYSE ET CARACTERISATION D INTERFACES SILICIUM POLYCRISTALLIN DIOXYDE DE SILICIUM POUR DES APPLICATIONS A DES CAPACITES ET DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES written by ANNE-CLAIRE.. SALAUN MICHEL and published by . This book was released on 1996 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AUX DISPOSITIFS DE TYPE MOS REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (00C) ET TECHNOLOGIE MOYENNE TEMPERATURE (50C) ET METTANT EN JEU DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. DES CAPACITES MOPS (METAL-OXYDE-POLYSILICIUM-SILICIUM) SONT REALISEES ET CARACTERISEES ELECTRIQUEMENT PAR C(V). UN MODELE SPECIFIQUE REPOSANT SUR LE CALCUL DE LA CAPACITE, A PARTIR DE LA RESOLUTION BIDIMENSIONNELLE DE L'EQUATION DE POISSON A ETE MIS AU POINT, EN PRENANT EN COMPTE LA STRUCTURE POLYCRISTALLINE IDEALISEE. A PARTIR DE CE MODELE, IL EST POSSIBLE DE DISTINGUER LES DISTRIBUTIONS DE PIEGES A L'INTERFACE ET AUX JOINTS DE GRAINS. DIFFERENTES PRESSIONS DE DEPOT ET TECHNIQUES DE CRISTALLISATION DE LA COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT PU ETRE COMPAREES GRACE A CET OUTIL. ON MONTRE AINSI QUE LES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES A 550C ET 90 PA ET CRISTALLISEES DIRECTEMENT PENDANT L'OXYDATION A 950C PERMETTENT D'OBTENIR LA MOINS GRANDE DENSITE DE PIEGES AUX JOINTS DE GRAINS (1X10#1#8 CM#-#3.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE) AINSI QU'UNE INTERFACE SI-POLY/OXYDE DE MEILLEURE QUALITE (D#I#T=1X10#1#2 CM#-#2.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE). LES CONCLUSIONS PRECEDENTES SONT CONFIRMEES PAR LES PERFORMANCES DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT). DE PLUS, LE BON FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS JUSQU'A 300C PERMET D'ENVISAGER L'INTEGRATION DE CES TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN DANS LES CIRCUITS DE PETITE PUISSANCE INTELLIGENTE DE TYPE SMART-POWER

Download or read book REALISATION ET ETUDE DE SILICIUM MICROCRISTALLIN PREPARE A BASSE TEMPERATURE written by Noureddine Ababou and published by . This book was released on 1983 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PREPARATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM MICROCRISTALLIN PAR CONDENSATION DE PLASMA JUSQU'A 300**(O)C EN JOUANT SUR LES PARAMETRES DE DEPOT FLUX ET PUISSANCE HF. ETUDE DE L'INFLUENCE DE CES PARAMETRES SUR LA PHYSICOCHIMIE ET LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU MATERIAU. MISE EN EVIDENCE DE L'EXISTENCE D'HETEROGENEITE A MOYENNES DISTANCES DANS L'AMORPHE ET DANS LE MICROCRISTAL.

Download or read book FABRICATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM GERMANIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD APPLICATION AUX TRANSISTORS FILMS MINCES written by DENIS.. GUILLET and published by . This book was released on 2000 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM-GERMANIUM NON DOPE DEPOSEES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION). L'OBJECTIF FINAL EST DE SAVOIR SI DE TELLES COUCHES PEUVENT SERVIR DANS LE MONDE DE LA MICROELECTRONIQUE (C'EST-A-DIRE S'INTEGRER DANS DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES EN TANT QUE COUCHES ACTIVES) DANS LE BUT PAR EXEMPLE DE DIMINUER LE BUDGET THERMIQUE. UNE PREMIERE PARTIE EST DONC CONSACREE A LA FABRICATION DES COUCHES EN UTILISANT COMME GAZ DU SILANE ET DU GERMANE DILUE DANS L'HYDROGENE. NOUS AVONS ALORS ETUDIE L'INFLUENCE SUR LES VITESSES DE CROISSANCE AINSI QUE SUR LEUR ENERGIE D'ACTIVATION DES FLUX DE GAZ, DE LA PRESSION TOTALE DANS LE FOUR DE DEPOT, DE LA TEMPERATURE ET DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS LES COUCHES. IL S'AVERE QUE LA PRESENCE DE GERMANIUM MODIFIE LES CINETIQUES DE DEPOT ET IL S'ENSUIT, DANS NOTRE GAMME D'ETUDE, QUE LA VITESSE EST MULTIPLIEE PAR UN FACTEUR ALLANT JUSQU'A 5 PAR RAPPORT A DES DEPOTS DE SILICIUM. DANS UNE SECONDE PARTIE, NOUS NOUS INTERESSONS AUX CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE CES COUCHES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES DEPOSEES AMORPHES EST D'ABORD ETUDIEE. ENSUITE, L'ETUDE ELECTRIQUE NOUS MONTRE QUE, SELON LES CONDITIONS DE REALISATION DES FILMS, DES RESISTIVITES SUR UNE GAMME DE QUELQUES 10 .CM A 10 5 .CM SONT OBTENUES. ON A CONCLU A LA PRESENCE D'UNE DISTRIBUTION D'ETATS ACCEPTEURS DANS LA BANDE INTERDITE. CETTE DISTRIBUTION, CERTAINEMENT DUE AU GERMANIUM, PROVOQUE UNE DISPERSION SUR LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES AMORPHES PUIS RECUITES. L'ULTIME PARTIE CONSISTE A FABRIQUER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AVEC DU SILICIUM-GERMANIUM COMME COUCHE ACTIVE. IL S'AVERE QUE LES RESULTATS RESTENT INSUFFISANTS PAR RAPPORT A CEUX QUE L'ON