Download or read book PROPRIETES OPTIQUES ET MAGNETO OPTIQUES D HETEROSTRUCTURES A BASE DE SEMI CONDUCTEURS II VI SEMI MAGNETIQUES A GRANDES BANDES INTERDITES written by THIERRY.. LEBIHEN and published by . This book was released on 1995 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES SYSTEMES (CD,MN)TE ET (ZN,MN)SE ONT ETE ETUDIES EXPERIMENTALEMENT PAR DES MESURES, EN CONTINU OU RESOLUES EN TEMPS, DE PHOTOLUMINESCENCE ET DE SPECTROSCOPIE D'EXCITATION EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DU CHAMP MAGNETIQUE. LES ECHANTILLONS SONT DES HETEROSTRUCTURES SEMI-MAGNETIQUES A BASE DE PUITS QUANTIQUES. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE EXPERIMENTALE PRECISE D'EVALUATION DE LA DISCONTINUITE DE BANDE DE VALENCE Q#V A L'INTERFACE CD#1#-#XMN#XTE/CDTE. LA TECHNIQUE EMPLOYEE S'AFFRANCHIT DES PROBLEMES SOUVENT RENCONTRES DANS D'AUTRES PAYS DE DETERMINATION: INCERTITUDE DES PARAMETRES OU DE LA MESURE ET PROBLEMES AU NIVEAU DES INTERFACES. NOUS AVONS TROUVE LA VALEUR Q#V = 25% 7%. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES DANS UN DEUXIEME TEMPS A QUELQUES UNES DES PROPRIETES DYNAMIQUES D'UN PUITS QUANTIQUE DE (ZN,MN)SE/ZNSE. CE DERNIER PRESENTE UNE STRUCTURE DE BANDE ORIGINALE DUE A L'ETAT DE CONTRAINTE: LE NIVEAU FONDAMENTAL EST UN EXCITON LEGER DE TYPE I ET LE PREMIER NIVEAU EXCITE UN EXCITON LOURD DE TYPE II. NOUS AVONS ETUDIE LE PROCESSUS DE RELAXATION DE L'EXCITON LOURD PIEGE D'INTERFACE VERS L'EXCITON LEGER PIEGE DE TYPE I. NOUS AVONS MONTRE EN PARTICULIER QUE CETTE RELAXATION N'ETAIT PAS TRES EFFICACE A BASSE TEMPERATURE MAIS LE DEVENAIT DE PLUS EN PLUS A MESURE QUE LA TEMPERATURE CROISSAIT. NOUS AVONS ALORS MONTRE INCIDEMMENT L'IMPORTANCE DU COUPLAGE ENTRE LE NIVEAU DISCRET DE TROU LEGER ET LE CONTINUUM DES TROUS LOURDS DE TYPE II. DANS UNE DERNIERE PARTIE NOUS AVONS FAIT VARIER LA LOCALISATION DE L'EXCITON LOURD AUX INTERFACES EN APPLIQUANT UN CHAMP MAGNETIQUE EXTERIEUR. NOUS AVONS AINSI PU MODIFIER LA DYNAMIQUE DE RECOMBINAISON DE CET EXCITON

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES MAGNETO OPTIQUES D HETEROSTRUCTURES QUANTIQUES A BASE DE SEMICONDUCTEURS SEMIMAGNETIQUES written by FRANCOIS.. KANY and published by . This book was released on 1997 with total page 275 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TELLURURE DE CADMIUM ET DE MANGANESE EST L'UN DES SEMICONDUCTEURS SEMIMAGNETIQUES LES PLUS CONNUS. ON L'OBTIENT, A PARTIR D'UN CRISTAL II-VI DE CDTE, EN SUBSTITUANT DES ATOMES DE CADMIUM PAR DES ATOMES DE MANGANESE (QUI ONT UN SPIN 5/2). DEUX PHENOMENES SE COMBINENT ALORS. D'UNE PART, LES ATOMES DE MANGANESE FORMENT UN SYSTEME DE SPINS LOCALISES QUI EST PARAMAGNETIQUE ET, LORSQUE CEUX-CI SONT EN CONCENTRATION IMPORTANTE, CES SPINS SE COUPLENT ENTRE-EUX DE FACON ANTIFERROMAGNETIQUE. D'AUTRE PART, LES PORTEURS QUE L'ON PEUT PHOTO-CREER ONT UN SPIN (DELOCALISE) QUI INTERAGIT EGALEMENT AVEC CELUI DES ATOMES DE MANGANESE. CES DEUX EFFETS, QUI SONT EN FAIT INTERDEPENDANTS, SONT RESPECTIVEMENT RESPONSABLES DES PROPRIETES MAGNETIQUES ET DES PROPRIETES OPTIQUES DE CD#1#-#XMN#XTE A L'ETAT MASSIF ; CES DERNIERES SE CARACTERISENT NOTAMMENT PAR UN EFFET ZEEMAN, PROPORTIONNEL A L'AIMANTATION, QUI PEUT ETRE CENT FOIS PLUS IMPORTANT QUE DANS CDTE. L'OBJET DE CETTE THESE EST DOUBLE. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS UTILISE CE MATERIAU DANS DES STRUCTURES DE BASSE DIMENSIONNALITE : PUITS QUANTIQUES, SUPER-RESEAUX, COUCHES FRACTIONNAIRES, SUPER-RESEAUX VERTICAUX. LES PROPRIETES MAGNETO-OPTIQUES DE CDMNTE NOUS ONT AINSI PERMIS D'OBSERVER LES PHENOMENES DE SEGREGATION DU MANGANESE DANS UN RESEAU DE CDTE ET D'ETUDIER LES MODIFICATIONS DE L'AIMANTATION PAR RAPPORT AU MASSIF. CES TRAVAUX NOUS ONT AMENES A DEVELOPPER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE CROISSANCE ET NOUS AVONS PU, POUR LA PREMIERE FOIS DANS LES SEMICONDUCTEURS II-VI, OBSERVER L'ANISOTROPIE DE LA POLARISATION DE LA LUMINESCENCE DE SUPER-RESEAUX VERTICAUX MNTE/CDTE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS UTILISE CDMNTE DANS DES PUITS QUANTIQUES A L'INTERIEUR DE MICROCAVITES AFIN DE MODIFIER, GRACE A UN CHAMP MAGNETIQUE, LE COUPLAGE ENTRE LE NIVEAU EXCITONIQUE DU PUITS ET LE NIVEAU PHOTONIQUE DE LA CAVITE. NOUS AVONS AINSI PU OBSERVER UN REGIME DE COUPLAGE FORT (EFFET RABI) ET OBTENIR UN EFFET LASER SUR UNE TRANSITION POLARITONIQUE.

Download or read book Spectroscopie optique de semi conducteurs magn tiques dilu s large bande interdite base de ZnO et GaN written by Wojciech Pacuski and published by . This book was released on 2007 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la spectroscopie magnéto-optique de semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) : ZnO et GaN dopés manganese, fer et cobalt. Les deux semi-conducteurs hôtes, ZnO et GaN ont une grande bande interdite, une structure wurtzite, une faible interaction spin - orbite et une forte interaction d'échange excitonique entre trous et électrons. En présence de champs magnétiques, les ions magnétiques induisent un effet Zeeman géant dont l'interprétation est complexe : les excitons s'anti-croisent et leurs énergies de transition et leurs forces d'oscillateur sont fortement influencées par l'effet Zeeman géant. On a mesuré expérimentalement le splitting Zeeman géant des excitons A et B avec des couches epitaxiées sur saphir (0001) et une propagation de la lumiere parallele a l'axe c du cristal et au champ magnétique (configuration Faraday). Le splitting Zeeman géant diminue avec la température et augmente non linéairement avec le champ magnétique en accord avec l'aimantation calculée des spins isolés. Une analyse quantitative nous a permis d'analyser les propriétés magnétiques et de mesurer les intégrales d'échange pour l'ensemble des matériaux étudiés. Pour des ions avec une configuration d5 (Mn2+ et Fe3+), l'aimantation suit une fonction de Brillouin, mais pour les configurations d7 et d4 (Co2+ ou Mn3+) l'interaction spin-orbite et le champ cristallin trigonal induisent une aimantation anisotrope, en accord avec l'analyse des transitions internes des ions mesurées en spectroscopie infrarouge. Pour (Ga,Mn)N, et (Ga,Fe)N, nous avons trouvé un signe positive pour l'intégrale d'échange entre trous et spins localisés (beta). En supposant une symétrie de la bande de valence dans ZnO correspondant a une interaction spin-orbite positive (Gamma_9, Gamma_7, Gamma_7), nous trouvons un signe négative de beta pour (Zn,Co)O, et beta est de pres de zéro pour (Zn,Mn)O. Toutefois, dans l'hypothese avec spin-orbite négative, nous trouvons un signe positif de beta. Les signes et les valeurs des intégrales d'échange déterminées a partir de nos mesures magnéto-optiques ne peuvent pas etre expliqués par des tendances matérielles et des modeles basés sur l'approximation de cristal virtuel. Ceci suggere que l'échange p-d en DMS a large bande interdite, soit dans le régime de couplage fort, et la nature de splitting Zeeman géant observé est différente qu'en semi-conducteurs magnétiques dilués classiques.

Download or read book Dynamique de spin dans des h t rostructures de semi conducteurs II VI magn tiques et non magn tiques tudi e par effet Kerr magn to optique r solu en temps written by Frédéric Teppe and published by . This book was released on 2003 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Propri t s magn tiques et structure lectronique des semi conducteurs magn tiques dilu s de type II VI written by Thomas Chanier and published by . This book was released on 2008 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de cette thèse est l'étude de la structure électronique et des propriétés magnétiques des semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) de type II-VI ZnB VI (BVI = O, S, Se, Te) dopés Co et Mn. L'étude ab initio des couplages d'échange entre deux ions magnétiques premiers voisins montre l'insuffisance de la fonctionnelle LSDA (approximation de la densité locale polarisée en spin) pour décrire l'état fondamental des DMS. Grâce à la LSDA+U, qui prend en compte la corrélation forte des électrons des couches 3d des métaux de transition par une correction de type Hubbard, on obtient des constantes d'échange d-d antiferromagnétiques (AFM) de l'ordre de quelques meV pour les composés à base de Co et Mn non-dopés électriquement. Le dopage de type p permet d'obtenir des températures de Curie ferromagnétiques (FM) de l'ordre de 100 K. Les valeurs LSDA +U des couplages d'échange sp-d Nα (Nβ) entre électrons (trous) de la bande de conduction (de valence) et impuretés magnétiques sont FM (AFM) de l'ordre de 0.1 eV (-1 eV). Un modèle analytique de la structure électronique des DMS montre la présence d'un état localisé séparé de la bande de valence dans les composés à base de ZnO (Nβ fortement AFM) due à l'hybridation forte entre les états 3d de l'impureté magnétique et la bande de valence. L'état fondamental des lacunes neutres isolées dans les semi-conducteurs II-VI est examiné par une combinaison de calculs ab initio et analytiques. On montre que la lacune de Zn dans ZnO porte un spin S=1 en accord avec l'expérience. Dans les autres composés II-VI moins ioniques, cet état triplet est quasi-dégénéré avec un état singulet de spin nul. Les lacunes d'anions sont non-magnétiques.

Download or read book Etude des propri t s optiques d h t rostructures bas es sur les semiconducteurs ZnSe ZnSSe ZnMgSSe labor s par MOVPE written by Claude Boemare and published by . This book was released on 1996 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX

Download or read book Propri t s lectroniques et optiques des trions excitoniques dans les semi conducteurs bidimensionnels written by Abdelmajid Aïnane and published by . This book was released on 1991 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire de thèse est consacré à l'étude des trions excitoniques dans les semi-conducteurs bidimensionnels. Ces quasi-particules peuvent résulter, dans certains conditions, de la liaison d'un exciton (paire électron-trou liée) avec un électron ou un trou dans les semi-conducteurs. Ils se distinguent des autres complexes excitoniques par leur mobilité et leur charge. Ces deux caractéristiques sont susceptibles de donner lieu à des propriétés originales, notamment dans les semi-conducteurs quasi bidimensionnels (super-réseaux semi-conducteurs, puis quantiques). L'étude des trions excitoniques présente un très grand intérêt, tant du point de vue pratique que théorique. Elle permet de comprendre les mécanismes des recombinaisons radiatives contrôlant le fonctionnement de certains dispositifs utilisés en optoélectronique et dans le domaine des télécommunications. Elle fournit également à la physique fondamentale des nouveaux modèles de systèmes formés de quasi-particules en interaction mutuelle, susceptibles d'une analyse expérimentale et théorique très précise. Notre étude a permis de montrer, qu'en l'absence de champ magnétique, des quasi-particles étaient beaucoup plus stables dans les semi-conducteurs bidimensionnels que dans les semi-conducteurs massifs. Par conséquent, leur observation devrait être beaucoup plus favorable dans les milieux 2D. Nous envisageons même une possible observation à température ambiante. Nous avons montré que la forme des raies d'absorption est différente de celle des excitons et autres complexes excitoniques localisés. Ceci devrait faciliter leur identification. Nous avons montré que l'action d'un champ magnétique sur les trions conduit à un renforcement et une quantification supplémentaire des énergies. De plus, nous avons mis en évidence l'influence déterminante de l'orientation du champ magnétique par rapport à la surface du semi-conducteur sur le de quantification. Cette dernière est totale pour un champ perpendiculaire au plan est minimale pour un champ parallèle au plan. Pour des champs magnétiques non nuls, mais suffisamment faibles, les trions se comportent comme des quasi-particules libres et chargées. Dans ces conditions, le champ magnétique donne lieu à des niveaux de Landau comme le cas 3D. Pour un champ magnétique perpendiculaire, la magnéto-absorption se réduit à une série de pics de Dirac. Par contre, dans le cas d'un champ parallèle, elle donne lieu à une série de raies décroissantes vers les basses énergies, à partir d'un bord d'absorption principal. Nos résultats sont originaux et spécifiques aux trions excitoniques. Ils peuvent contribuer à la mise en évidence et à l'identification de ces quasi-particules dans les milieux quasi-bidimensionnels (super-réseaux et puits quantiques semiconducteurs)

Download or read book Etude de Propri t s Magn to optiques Des H t rostructures de Semiconducteurs III V Par Spectroscopie Submillim trique written by Khaled Karrai͏̈ and published by . This book was released on 1987 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INTERPRETATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX PAR UN MODELE DE TRANSMISSION OPTIQUE EN PRESENCE DE CHAMP MAGNETIQUE EXTERNE, DEVELOPPE DANS LE FORMALISME DE LA FONCTION REPONSE; MISE EN EVIDENCE DE L'ABSENCE D'INTERACTION ELECTRON-PHONON TO ETRANGE ET D'UNE INTERPRETATION SATISFAISANTE SANS RECOURS A L'INTERACTION ELECTRON-PHONON LO, INDIQUANT L'IMPORTANCE DE L'EFFET ECRAN DANS LA THEORIE DE L'EFFET POLARON RESONNANT. ETUDE DE L'INTERACTION SPIN-ORBITE INDUITE PAR LE CHAMP ELECTRIQUE EXISTANT A L'INTERFACE; CALCUL DES REGLES DE SELECTION DES TRANSITIONS ENTRE NIVEAUX DE LANDAU DANS LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS MAGNETOOPTIQUES, DIFFERENCES PAR RAPPORT AUX SEMICONDUCTEURS MASSIFS

Download or read book LES PROPRIETES OPTIQUES DES SEMICONDUCTEURS A GRANDE BANDE INTERDITE EXPOSES ET COMMUNICATIONS DU COLLOQUE written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book MAGNETO OPTIQUE ET FORTS CHAMPS MAGNETIQUES written by NICOLAS.. NEGRE and published by . This book was released on 2000 with total page 255 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UN ENSEMBLE DE TRAVAUX DANS DIFFERENTS DOMAINES DU MAGNETISME DES SOLIDES REALISE A PARTIR DU DEVELOPPEMENT DE DEUX DISPOSITIFS DE MESURES SOUS CHAMPS MAGNETIQUES PULSES DE 30 T : MESURES D'EFFET KERR MAGNETO-OPTIQUE ET MESURES DE MAGNETO-REFLECTIVITE. LA PREMIERE ETUDE EST CONSACREE A LA CARACTERISATION DE L'ANISOTROPIE MAGNETIQUE DE COUCHES MINCES DE TBFE 2(111) EPITAXIEES SUR MO. LES MESURES DE ROTATION KERR METTENT EN EVIDENCE DES CHAMPS DE SATURATION TRES ELEVES ET DES EFFETS DE TRAINAGE MAGNETIQUE JUSQU'A 30 T QUI SONT INTERPRETEES A PARTIR DE CALCULS D'ANISOTROPIE MAGNETIQUE PRENANT EN COMPTE LES DEFORMATIONS EPITAXIALES DANS L'EXPRESSION DE L'ANISOTROPIE MAGNETO-ELASTIQUE. UNE SECONDE PARTIE CONCERNE LE RETOURNEMENT DE L'AIMANTATION EN CONFIGURATION POLAIRE DE COUCHES DE CO COUPLEES A UNE COUCHE ANTIFERROMAGNETIQUE, COO OU NIO. DANS CETTE CONFIGURATION DE MESURE NOUS OBTENONS, ENTRE AUTRES, DES VALEURS DU COUPLAGE D'INTERFACE PROCHES DE CELLES D'ECHANGES MAGNETIQUES DIRECTS. LA TROISIEME ETUDE PORTE SUR LE SEMI-CONDUCTEUR SEMI-MAGNETIQUE GAMNAS. NOUS UTILISONS L'EFFET KERR MAGNETO-OPTIQUE POUR DETERMINER L'INTENSITE DE L'INTERACTION SP-D ENTRE LES MOMENTS MAGNETIQUES DU MN ET LES BANDES ELECTRONIQUES. CE TRAVAIL EST BASE SUR L'ANALYSE DES TRANSITIONS INTERBANDES ENTRE NIVEAUX DE LANDAU, INDUISANT DES OSCILLATIONS QUANTIQUES DE LA ROTATION KERR POUR DES CHAMPS SUPERIEURS A 10 T. ENFIN, NOUS MONTRONS, A PARTIR DE MESURES DE REFLECTIVITE QU'IL EST POSSIBLE D'INDUIRE PAR LE CHAMP MAGNETIQUE DES TRANSITIONS BAS SPIN - HAUT SPIN, IRREVERSIBLES, DANS DES COMPLEXES MOLECULAIRES DE FE I I (DONT LE FE(PHEN) 2(NCS) 2). NOUS METTONS AUSSI EN EVIDENCE SUR LA FAMILLE DE COMPLEXE FE XNI 1 X(BTR) 2(NCS) 2.H 2O LE ROLE DES INTERACTIONS COOPERATIVES ENTRE SITES METALLIQUES DANS LA DYNAMIQUE DE LA TRANSITION DE SPIN SOUS CHAMP PULSE.

Download or read book Interactions vibroniques des impuret s dans les semi conducteurs written by Alain Gelineau and published by . This book was released on 1984 with total page 124 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES OPTIQUES ET MAGNETIQUES DES IMPURETES D**(9) DANS LES SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE II-VI OU III-V SONT DOMINEES PAR LES INTERACTIONS VIBRONIQUES. L'ETAT ELECTRONIQUE FONDAMENTAL EST COUPLE A UN MODE DE VIBRATION DOUBLEMENT DEGENERE ET L'ETAT EXCITE A UN MODE TRIPLEMENT DEGENERE. LES IMPLICATIONS EXPERIMENTALES SONT EXAMINEES POUR L'ABSORPTION ET L'EMISSION OPTIQUE, L'EFFET DE CONTRAINTES EXTERIEURES APPLIQUEES ET LES PROPRIETES MAGNETIQUES ETUDIEES PAR RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE OU EFFET ZEEMAN

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES D HETEROSTRUCTURES CDTE CD ZN TE ET CDTE CD MN TE written by EMMANUELLE.. DELEPORTE and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEUX TYPES D'HETEROSTRUCTURES A GRAND GAP ONT ETE ETUDIES EXPERIMENTALEMENT PAR DES MOYENS OPTIQUES: CDTE/(CD,ZN)TE ET CDTE/(CD,MN)TE. L'EXISTENCE DE FORTES CONTRAINTES ENTRE CDTE ET (CD,ZN)TE, DUES AU GRAND DESACCORD ENTRE LES PARAMETRES DE MAILLE DE CES DEUX MATERIAUX, ET LES PROPRIETES MAGNETIQUES IMPORTANTES DE CDTE/(CD,MN)TE SONT RESPONSABLES D'UNE FORTE MODIFICATION DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'HETEROSTRUCTURE. CHACUN DE CES DEUX PHENOMENES TEND A TRANSFORMER LA STRUCTURE DE TYPE-I, DANS LAQUELLE LES ELECTRONS ET LES TROUS SONT LOCALISES DANS LA MEME COUCHE, EN UNE STRUCTURE DE TYPE-II, DANS LAQUELLE LES ELECTRONS ET LES TROUS SONT LOCALISES DANS DES COUCHES DIFFERENTES. AU CONTRAIRE, L'INTERACTION COULOMBIENNE EXISTANT ENTRE LES ELECTRONS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LES TROUS DE LA BANDE DE VALENCE TEND A LOCALISER LES DEUX TYPES DE PORTEURS DANS LA MEME COUCHE. UN CALCUL VARIATIONNEL D'ENERGIE DE LIAISON DE L'EXCITON, VALABLE POUR DES DISCONTINUITES DE BANDE DE VALENCE FAIBLES, VOIRE NEGATIVES, A ETE DEVELOPPE ET NOUS A PERMIS DE MONTRER QUE LES EFFETS EXCITONIQUES SUR LA STRUCTURE DE BANDE ETAIENT TRES IMPORTANTS DANS NOS HETEROSTRUCTURES. L'ANALYSE DE LA COMPETITION ENTRE L'EFFET DES CONTRAINTES OU D'UN CHAMP MAGNETIQUE D'UNE PART, ET LES EFFETS EXCITONIQUES D'AUTRE PART, SUR LA STRUCTURE DE BANDES NOUS PERMET D'INTERPRETER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DE DONNER DES INDICATIONS SUR L'OFFSET DE BANDE DE VALENCE DE CES MATERIAUX

Download or read book CARACTERISATIONS ELECTRIQUES ET OPTIQUES D HETEROSTRUCTURES ET DE NANOSTRUCTURES DE SEMICONDUCTEURS IV IV SIGE SIGEC SUR SILICIUM written by MURIELLE.. SERPENTINI and published by . This book was released on 1998 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES HETEROSTRUCTURES SI#1##XGE#X/SI PERMETTENT DE DEVELOPPER UNE INGENIERIE DE BANDE INTERDITE BASEE SUR LA DISCONTINUITE DE BANDE ENTRE L'ALLIAGE SI#1##XGE#X ET LE SI. LEUR UTILISATION VISE A AMELIORER LES PERFORMANCES DE DISPOSITIFS POUR LA MICRO-ELECTRONIQUE (TBH, MODFET) ET POUR L'OPTOELECTRONIQUE (DETECTEURS OPTIQUES). MAIS IL EXISTE DEUX LIMITATIONS MAJEURES INHERENTES A L'ALLIAGE SI#1##XGE#X : L'APPARITION DE DISLOCATIONS A PARTIR D'UNE CERTAINE EPAISSEUR CRITIQUE DE LA COUCHE ET LE FAIBLE RENDEMENT QUANTIQUE DU A LA STRUCTURE DE BANDE INDIRECTE. POUR RESOUDRE CES PROBLEMES, DEUX SOLUTIONS SONT PROPOSEES : L'INCORPORATION DU CARBONE EN SITE SUBSTITUTIONNEL DANS L'ALLIAGE SI#1##XGE#X POUR REDUIRE LA CONTRAINTE ET AUGMENTER L'EPAISSEUR CRITIQUE ET LA FORMATION DE NANOSTRUCTURES DE GE POUR ACCROITRE LE RENDEMENT OPTIQUE. NOTRE TRAVAIL A CONSISTE A CARACTERISER CES NOUVELLES HETEROSTRUCTURES PAR PHOTOLUMINESCENCE, CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION (I-V), CAPACITE-TENSION (C-V) ET DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY) POUR CONTRIBUER A L'OPTIMISATION DE LEURS CONDITIONS DE CROISSANCES ET A LA CONNAISSANCE DE LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES. NOUS AVONS D'ABORD ETUDIE DES HETEROJONCTIONS SIGEC/SI PAR PHOTOLUMINESCENCE. L'INCORPORATION DU CARBONE EN SITE SUBSTITUTIONNEL DANS L'ALLIAGE SI#1##XGE#X ABOUTIT A UNE DIMINUTION EFFECTIVE DE LA CONTRAINTE INTRODUITE PAR LE GE ET CONSERVE LES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES LIEES A L'UTILISATION DE L'HETEROJONCTION SI#1##XGE#X/SI. UNE ETUDE DES DEFAUTS PROFONDS ET DES PROPRIETES ELECTRONIQUES A ETE EFFECTUEE DANS DES DIODES SCHOTTKY W/SIGEC-P EPITAXIEES PAR RTCDV. UN EFFET DE COMPENSATION ELECTRIQUE DU DOPANT PROBABLEMENT DU A UN DEFAUT ASSOCIE AU CARBONE INTERSTITIEL A ETE OBSERVE ET TROIS FAMILLES DE DEFAUTS PROFONDS A TROUS ONT ETE DETECTEES PAR DLTS. NOUS AVONS ENFIN ETUDIE PAR PHOTOLUMINESCENCE LA QUALITE OPTIQUE DE NANOSTRUCTURES DE GE OBTENUES PAR LE MODE STANSKI-KRASTANOV SUR UNE SURFACE VICINALE ORIENTEE (118). NOUS AVONS ANALYSE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE CROISSANCE (ORIENTATION DU SUBSTRAT, COUCHE TAMPON ONDULEE, TEMPERATURE DE DEPOT DU GE) SUR LA TAILLE ET L'HOMOGENEITE DES ILOTS 3D DE GE. ENFIN, NOUS AVONS MONTRE QUE L'ALIGNEMENT DES BANDES ETAIT DE TYPE II ET QUE LA LUMINESCENCE RELATIVE AUX ILOTS DE GE PERSISTE JUSQU'A 300 K.

Download or read book Contribution l tude des propri t s magn tiques et de transport d un nouveau semiconducteur semimagn tique bande interdite de largeur nulle Hg1 xCoxSe written by El Mostafa El Kholdi and published by . This book was released on 1993 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SEMICONDUCTEUR SEMIMAGNETIQUE, II-VI, HG#1##XCO#XSE, A GAP NUL, PRESENTE UN NOUVEL INTERET LIE A L'EXISTENCE D'UN ETAT RESONNANT DANS LA BANDE DE CONDUCTION. DANS CE COMPOSE, LE COBALT SE COMPORTE COMME UN DONNEUR. POUR UNE CERTAINE COMPOSITION, CE NIVEAU EST RESPONSABLE DE L'ACCROISSEMENT DE LA MOBILITE DANS TOUTE LA GAMME DE TEMPERATURE ET PEUT ETRE POSITIONNE A PARTIR DES MESURES DE TRANSPORT PAR RAPPORT AU BORD DE LA B.C. CE PHENOMENE PEUT ETRE EXPLIQUE PAR DEUX MODELES: SOIT PAR LA CREATION D'UN ETAT ORDONNE SOUS RESEAU DE WIGNER DU A LA REPULSION COULOMBIENNE ENTRE IMPURETES IONISEES, SOIT EN TERME D'ELARGISSEMENT OU DELOCALISATION DES ETATS 3D DU COBALT. POUR UNE COMPOSITION EN COBALT X=0.0087 NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE UNE ANOMALIE SURPRENANTE DE LA MOBILITE, D'UN TYPE NOUVEAU. ELLE PRESENTE UN PALIER ENTRE 10 K ET 80 K. LES MESURES MAGNETIQUES: AIMANTATION ET SUSCEPTIBILITE MAGNETIQUE, NOUS ONT PERMIS DE DETERMINER, D'UNE PART LA COMPOSITION EN COBALT DES ECHANTILLONS ET D'AUTRE PART LE CARACTERE (FERRO OU ANTIFERRO) DU MECANISME D'ECHANGE QUI REGIT LEURS INTERACTIONS. NOUS AVONS ESSAYE DE CORRELER L'ANALYSE DES PHENOMENES DE TRANSPORT A CELLE OBTENUE A PARTIR DES MESURES MAGNETIQUES

Download or read book Elaboration en pitaxie par jets mol culaires de structures hybrides m taux ferromagn tiques sur semiconducteurs II VI pour l lectronique de spin written by Christophe Bourgognon and published by . This book was released on 2001 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'association du magnétisme et des semiconducteurs est un thème de recherche très actif depuis quelques années. Les recherches portent d'une part sur l'étude de la phase ferromagnétique dans les semiconducteurs magnétiques dilués où des ions magnétiques sont incorporés dans le semiconducteur lors de sa croissance, et d'autre part sur celles des structures dites hybrides, où des couches métalliques ferromagnétiques sont déposées après la croissance du semiconducteur. Des applications intéressantes sont les mémoires magnétiques, les transistors dits de spin, ou encore l'ordinateur quantique. La première partie concerne la caractérisation structurale (spectroscopie d'électrons et microscopies) et magnétique de couches de Fe(001), épitaxiées sur des couches fines de ZnSe(001). D'une part, nous avons étudié en détail les modes de croissance du Fe et d'autre part nous avons démontré le lien entre les symétries structurales et magnétiques. La seconde partie de l'étude porte sur la croissance de systèmes magnétiques à aimantation perpendiculaire (alliage ordonné FePd(001), ou multicouches Cu/Ni(001) et Co/Pt) sur une hétérostructure contenant un puits semimagnétique de CdMnTe(001) dans des barrières de CdZnMgTe(001). Ces structures ont été élaborées avec succès et les couches métalliques présentent de fortes amisotropie magnétiques perpendiculaires. De plus, l'effet de la ségrégation de l'anion du semiconducteur sur la mise en ordre chimique du FePd a été démontrée. Le champ magnétique périodique rayonné par le métal pourra permettre l'apparition de nouveaux et intéressants effets sur les propriétés optiques du puits quantique semiconducteur, telle qu'une localisation des porteurs ou une modification de la phase ferromagnétique du puits semimagnétique.

Download or read book Magn tisme et transport dans des films minces d oxydes magn tiques hors st chiom trie written by Wafaa Noun and published by . This book was released on 2009 with total page 364 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION DES PORTEURS LIBRES AUX PROPRIETES OPTIQUES D UN SEMI CONDUCTEUR DISCUSSION DE QUELQUES RESULTATS EXPERIMENTAUX written by C.. VANNESTE and published by . This book was released on 1975 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE EXPERIMENTALE ET DISCUSSION THEORIQUE DE L'EFFET D'UN EXCES DE CHARGES LIBRES DANS UN SEMICONDUCTEUR SUR SES PROPRIETES OPTIQUES. DESCRIPTION DE DEUX TYPES D'EXPERIENCES DANS LESQUELLES DES PORTEURS, CREES PAR VOIE OPTIQUE DANS UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE, MODULENT UNE ONDE INFRAROUGE: MESURE DU COEFFICIENT DE REFLEXION DE CETTE COUCHE A LONGUEUR D'ONDE DONNEE, ETUDE DE LA TRANSMISSION D'UN GUIDE INFRAROUGE.