Download or read book OXYNITRURATION DE SI 100 2X1 A TEMPERATURE MODEREE PAR EXPOSITION AU MONOXYDE D AZOTE ET IRRADIATION D ELECTRONS DE FAIBLE ENERGIE written by PATRICK.. POVEDA and published by . This book was released on 1997 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS ETUDIONS L'OXYNITRURATION DE SI(100) PAR NO STIMULEE PAR UN FAISCEAU D'ELECTRONS DE FAIBLE ENERGIE, A TEMPERATURE MODEREE (AMBIANTE - SIX CENT DEGRES). A L'AIDE DE CINETIQUES DE CROISSANCE REALISEES PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS AUGER, NOUS DETERMINONS LES PARAMETRES GOUVERNANT CETTE REACTION. NOUS DETAILLONS LEUR INFLUENCE SUR LA COMPOSITION ET SUR LA VITESSE DE FORMATION DES FILMS D'OXYNITRURE DE SILICIUM. NOUS PRESENTONS UN MODELE DE CROISSANCE, BASE SUR DES TRAVAUX PUBLIES, QUI PERMET DE DECRIRE NOS OBSERVATIONS EXPERIMENTALES. IL REPOSE SUR UN MECANISME DE DIFFUSION D'ESPECES IONISEES SOUS CHAMP ELECTRIQUE. CES ESPECE SONT DES IONS O#- CREES PAR L'IMPACT DES ELECTRONS SECONDAIRES, OU DES IONS NO#- CREES PAR UN TRANSFERT D'ELECTRONS DEPUIS LE SUBSTRAT. QUELLE QUE SOIT LA TEMPERATURE, NOUS CONSTATONS UN ARRET DE LA CROISSANCE DU FILM. NOUS L'ATTRIBUONS A UN BLOCAGE DE LA DIFFUSION DU A UNE ACCUMULATION D'AZOTE A L'INTERFACE, AINSI QU'A UN PHENOMENE DE DESORPTION STIMULEE PAR ELECTRONS. CE DERNIER SEMBLE ETRE IMPORTANT AUX PLUS HAUTES TEMPERATURES. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE NOS ISOLANTS. NOUS MESURONS LEUR LARGEUR DE BANDE INTERDITE PAR SPECTROSCOPIE DE PERTES D'ENERGIE D'ELECTRONS LENTS. NOUS COMPARONS NOS RESULTATS AVEC DES CALCULS DE DENSITES D'ETATS ELECTRONIQUES AINSI QU'AVEC DES MESURES D'ABSORPTION OPTIQUES EFFECTUEES SUR DES OXYNITRURES PLASMA. ENFIN, NOUS CARACTERISONS ELECTRIQUEMENT NOS FILMS EN REALISANT DES STRUCTURES MIS. LE METAL EST, DANS NOTRE CAS, REMPLACE PAR UN ELECTROLYTE CONDUCTEUR POUR EVITER DES PROBLEMES DE METALLISATION. MALGRE LES FAIBLES EPAISSEURS DE NOS OXYNITRURES, NOUS OBTENONS DES COURBES C(V) TYPIQUES DE STRUCTURES MIS. NOUS EN DEDUISONS DONC DES DENSITES DE CHARGES ET DE PIEGES. LES COURBES I(V) SONT PLUS DIFFICILES A INTERPRETER. LES FAIBLES COURANTS DE FUITE QUE NOUS OBSERVONS NE PEUVENT ETRE ATTRIBUES AVEC CERTITUDE A UN MECANISME SIMPLE.

Download or read book Nitruration superficielle de SiO2 basse temp rature activ e par des lectrons de basse nergie written by Vololoniaina Garcia Roge and published by . This book was released on 1992 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PROPOSONS UNE METHODE DE NITRURATION SUPERFICIELLE A BASSE TEMPERATURE DE FILMS MINCES DE SILICE PAR SILICIUM (100). LA NITRURATION SUPERFICIELLE EST REALISEE EN IRRADIANT LA SURFACE DE LA SILICE AVEC DES ELECTRONS DE BASSE ENERGIE (3 EV-300 EV) EN PRESENCE D'UNE FAIBLE PRESSION D'AMMONIAC (P#N#H#310###4 MBAR). GRACE AUX DIFFERENTES ANALYSES PHYSICO-CHIMIQUES DE SURFACE ET DE VOLUME: AES, EROSION IONIQUE, SPECTROSCOPIE DE MASSE D'IONS SECONDAIRES, SPECTROMETRIE IR-FT, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA REALITE DE LA NITRURATION ET SUIVRE LA DISTRIBUTION DE CONCENTRATION D'AZOTE DEPENDANT DE L'ENERGIE DES ELECTRONS INCIDENTS UTILISES POUR LA REACTION DE LA DENSITE DE COURANT ET DE LA PRESSION DU GAZ D'AMMONIAC. LES MESURES ELECTRIQUES ENTREPRISES PAR LA METHODE DE SONDE A MERCURE REVELENT L'EFFET BENEFIQUE D'UN RECUIT H#2 POST-NITRURATION (450C), REDUISANT LA CONCENTRATION DES PIEGES CREES SOUS IRRADIATION. CETTE ETAPE UNE FOIS FRANCHIE, NOUS AVONS PU DECOUPLER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TEMPERATURE (700C950C) ET IRRADIATION D'ELECTRONS DE 3 EV RENCONTRES DANS UN PLASMA FAIBLEMENT IONISE DU REACTEUR URANOS-CNET MEYLAN. CES ELECTRONS ENGENDRENT UN TAUX DE NITRURATION SUPERFICIELLE NON NEGLIGEABLE MEME A LA TEMPERATURE AMBIANTE. L'ELEVATION DE LA TEMPERATURE (