Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION GLOBALE ET DISTRIBUEE DU TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE VALIDATIONS written by SAMIA.. MOUSSAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES FORMANT DES CIRCUITS INTEGRES A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LE PROGRES DE LA TECHNOLOGIE, NOTAMMENT LA LITHOGRAPHIE ET LES TECHNIQUES DE GRAVURE SECHE. L'EVOLUTION DE LA TECHNOLOGIE VERS LES STRUCTURES MICROELECTRONIQUES ET SUBMICRONIQUES A FAIT EMERGER DE NOUVEAUX PROBLEMES LIES A LA FIABILITE DES COMPOSANTS. CERTAINS PARMI EUX QUI POUVAIENT ETRE NEGLIGES DANS L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS DE GRANDES DIMENSIONS, DEVIENNENT TRES IMPORTANTS POUR LES TRANSISTORS SUBMICRONIQUES. NOTRE ETUDE CONSISTE A ETUDIER LE TRANSISTOR MOS ET LES PHENOMENES LIES A LA REDUCTION DE LA LONGUEUR DU CANAL. NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES A DEUX EFFETS: L'EFFET DE MULTIPLICATION PAR AVALANCHE ET L'EFFET D'AUTOECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. NOUS AVONS PRESENTE UNE NOUVELLE APPROCHE SIMPLE ET RAPIDE QUI TIENT COMPTE DU PREMIER EFFET. NOUS AVONS PRESENTE UN DEUXIEME MODELE QUI TIENT COMPTE DE LA VARIATION DE LA TEMPERATURE DANS LE CANAL, CONSEQUENCE DE L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DISSIPEE PAR EFFET JOULE DANS LE TRANSISTOR. NOUS AVONS REMARQUE QUE NOS APPROCHES NE PERMETTAIENT QU'UNE VUE GLOBALE DES EFFETS DE DEGRADATION DU TRANSISTOR MOS, AUSSI NOUS LES AVONS INTRODUIT DANS LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CE DERNIER SUBDIVISE LA ZONE ACTIVE DU CANAL EN PLUSIEURS CELLULES, CE QUI PERMET D'AVOIR ACCES A TOUS LES PARAMETRES DU MODELE LE LONG DU CANAL. NOUS AVONS CONTRIBUE A RENDRE CE MODELE SUBMICRONIQUE PAR UNE REEVALUATION DE LA LONGUEUR DU CANAL, ET NOUS Y AVONS INTRODUIT L'EFFET D'AVALANCHE ET L'EFFET THERMIQUE. LE MODELE MCD ETANT LOURD EN TEMPS DE CALCUL, NOUS AVONS INTRODUIT AUSSI NOTRE APPROCHE A UNE MODELE SIMPLIFIE: LE MODELE UNICELLULAIRE, FONDE SUR LES MEMES BASES QUE LE MCD ET CONSIDERANT LE CANAL COMME UNE SEULE CELLULE DONT LA LONGUEUR EFFECTIVE EST CALCULEE DE LA MEME MANIERE QUE DANS MCD. POUR APPREHENDER L'APPORT DE NOS DEUX MODELES, UNE VALIDATION EN DEUX ETAPES, A EU LIEU. LA PREMIERE CONSISTE EN UNE IMPLANTATION DE NOS MODELES DANS LE LOGICIEL UTMOST (SILVACO DATA SYSTEM). LA SECONDE EN UNE COMPARAISON AVEC LES MEMES PARAMETRES DE LA SIMULATION ET DES MESURES EFFECTUEES SUR LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE DU CNET GRENOBLE, LA CMOS1T, DONT LA LONGUEUR ELECTRIQUE MINIMALE EST DE 0.8 M. LA CONCORDANCE ENTRE LES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX EST BONNE POUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL ET DE TENSIONS APPLIQUEES.

Download or read book Mod lisation du transistor MOS submicronique written by Hector Recoules and published by . This book was released on 1999 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mod lisation du transistor MOS submicronique written by Hector Recoules and published by . This book was released on 1999 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mod lisation Pr dictive Du Transistor Mosfet Fortement Submicronique written by Fayçal Djeffal and published by Omniscriptum. This book was released on 2010-08 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'industrie des composants ULSI exige des investissements financiers de plus en plus lourds pour mesurer la sophistication grandissante des produits fabriqu s ainsi que pour les quipements n cessaires leur laboration. De ce fait, la mod lisation lectrique des composants lectriques constitue actuellement un axe de recherche tr s convoit travers le monde. Pour suivre cette volution, les mod les existants doivent tre am lior s et de nouveaux mod les doivent tre d velopp s. Dans ce travail, on pr sente l'applicabilit des r seaux de neurones pour le d veloppement d'une approche analytique permettant l' valuation de d gradation des transistors MOSFETs, le d veloppement d'un mod le neuronal de DG MOSFET qui permet d' tudier les circuits CMOS nanom triques et ainsi la possibilit de produire des abaques graphiques pour l' tude et l'optimisation de la r duction dimensionnelle des transistors DG MOSFETs. Les diff rents mod les d velopp s dans ce travail peuvent tre impl ment s dans les simulateurs lectroniques (SPICE, CADENCE, . .) afin de tirer des conclusions pratiques qui sont de nature int resser tous ceux qui sont appel s r aliser des circuits de technologie ULSI.

Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION GLOBALE ET DISTRIBUEE DU TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE VALIDATIONS written by SAMIA.. MOUSSAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES FORMANT DES CIRCUITS INTEGRES A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LE PROGRES DE LA TECHNOLOGIE, NOTAMMENT LA LITHOGRAPHIE ET LES TECHNIQUES DE GRAVURE SECHE. L'EVOLUTION DE LA TECHNOLOGIE VERS LES STRUCTURES MICROELECTRONIQUES ET SUBMICRONIQUES A FAIT EMERGER DE NOUVEAUX PROBLEMES LIES A LA FIABILITE DES COMPOSANTS. CERTAINS PARMI EUX QUI POUVAIENT ETRE NEGLIGES DANS L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS DE GRANDES DIMENSIONS, DEVIENNENT TRES IMPORTANTS POUR LES TRANSISTORS SUBMICRONIQUES. NOTRE ETUDE CONSISTE A ETUDIER LE TRANSISTOR MOS ET LES PHENOMENES LIES A LA REDUCTION DE LA LONGUEUR DU CANAL. NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES A DEUX EFFETS: L'EFFET DE MULTIPLICATION PAR AVALANCHE ET L'EFFET D'AUTOECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. NOUS AVONS PRESENTE UNE NOUVELLE APPROCHE SIMPLE ET RAPIDE QUI TIENT COMPTE DU PREMIER EFFET. NOUS AVONS PRESENTE UN DEUXIEME MODELE QUI TIENT COMPTE DE LA VARIATION DE LA TEMPERATURE DANS LE CANAL, CONSEQUENCE DE L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DISSIPEE PAR EFFET JOULE DANS LE TRANSISTOR. NOUS AVONS REMARQUE QUE NOS APPROCHES NE PERMETTAIENT QU'UNE VUE GLOBALE DES EFFETS DE DEGRADATION DU TRANSISTOR MOS, AUSSI NOUS LES AVONS INTRODUIT DANS LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CE DERNIER SUBDIVISE LA ZONE ACTIVE DU CANAL EN PLUSIEURS CELLULES, CE QUI PERMET D'AVOIR ACCES A TOUS LES PARAMETRES DU MODELE LE LONG DU CANAL. NOUS AVONS CONTRIBUE A RENDRE CE MODELE SUBMICRONIQUE PAR UNE REEVALUATION DE LA LONGUEUR DU CANAL, ET NOUS Y AVONS INTRODUIT L'EFFET D'AVALANCHE ET L'EFFET THERMIQUE. LE MODELE MCD ETANT LOURD EN TEMPS DE CALCUL, NOUS AVONS INTRODUIT AUSSI NOTRE APPROCHE A UNE MODELE SIMPLIFIE: LE MODELE UNICELLULAIRE, FONDE SUR LES MEMES BASES QUE LE MCD ET CONSIDERANT LE CANAL COMME UNE SEULE CELLULE DONT LA LONGUEUR EFFECTIVE EST CALCULEE DE LA MEME MANIERE QUE DANS MCD. POUR APPREHENDER L'APPORT DE NOS DEUX MODELES, UNE VALIDATION EN DEUX ETAPES, A EU LIEU. LA PREMIERE CONSISTE EN UNE IMPLANTATION DE NOS MODELES DANS LE LOGICIEL UTMOST (SILVACO DATA SYSTEM). LA SECONDE EN UNE COMPARAISON AVEC LES MEMES PARAMETRES DE LA SIMULATION ET DES MESURES EFFECTUEES SUR LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE DU CNET GRENOBLE, LA CMOS1T, DONT LA LONGUEUR ELECTRIQUE MINIMALE EST DE 0.8 M. LA CONCORDANCE ENTRE LES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX EST BONNE POUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL ET DE TENSIONS APPLIQUEES.

Download or read book Modelisation distribu e des transistors mos submicroniques written by Sophie Toutain and published by . This book was released on 1989 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MINIATURISATION ET LES CONDITIONS D'UTILISATION DES CIRCUITS NECESSITENT D'AMELIORER LES EQUATIONS ET DE MODIFIER LA PHILOSOPHIE DES MODELES DECRIVANT LE COMPORTEMENT DES TRANSISTORS MOS. DEUX MODELES A CHARGES DISTRIBUEES (MCD) SONT PRESENTES. LE PREMIER MODELE CONCERNE LES TRANSISTORS CANAUX LONGS QUI PEUVENT MONTRER DES EFFETS TRANSITOIRES PARASITES DE PROPAGATION DU SIGNAL LE LONG DU CANAL. IL ASSURE LA CONSERVATION DE LA CHARGE DANS UN CIRCUIT ET GARANTIT UN TRAITEMENT EN NON QUASI STATIQUE PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR. LE SECOND MODELE DECRIT TOUTES LES LONGUEURS DE TRANSISTORS JUSQU'AUX SUBMICRONIQUES. IL CONSERVE LA CHARGE ET TRAVAILLE EN QUASI STATIQUE. SA NATURE DISTRIBUEE PERMET D'AVOIR ACCES AUX PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL. LES DEUX MODELES DETIENNENT UN PASSAGE FAIBLE-FORTE INVERSION AINSI QU'UN PASSAGE LINEAIRE-SATURE SANS DISCONTINUITE; CECI PAR LA PRISE EN COMPTE DU COURANT SOUS LE SEUIL ET DE LA VITESSE LIMITE DES PORTEURS DANS LA LOI DE MOBILITE. UNE TECHNOLOGIE MICRONIQUE ET SUBMICRONIQUE ONT ETE CARACTERISEES. LES MESURES DE COURANT EFFECTUEES SUR DIFFERENTES LONGUEURS DE TRANSISTORS (L=25 M A L=0.4 M) ET LES SIMULATIONS MCD ONT DONNE DE TRES BONS RESULTATS. LA COMPARAISON DE LA DISTRIBUTION DES PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL AVEC DES SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES ONT ACHEVE LA VALIDATION DU MODELE EN STATIQUE. LA VALIDATION EN TRANSITOIRE A ETE FAITE PAR LA COMPARAISON ENTRE MCD ET PISCES DES CAPACITES INTRINSEQUES DU TRANSISTOR. EN DERNIER LIEU, DES SIMULATIONS EN TRANSITOIRE PERMETTENT D'APPREHENDER LES PHENOMENES NON QUASI STATIQUE PRIS EN COMPTE DANS LE MODELE

Download or read book Mosfet Modeling for VLSI Simulation written by Narain Arora and published by World Scientific. This book was released on 2007 with total page 633 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations. The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.

Download or read book MOSFET Modeling for Circuit Analysis and Design written by Carlos Galup-Montoro and published by World Scientific. This book was released on 2007 with total page 445 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This is the first book dedicated to the next generation of MOSFET models. Addressed to circuit designers with an in-depth treatment that appeals to device specialists, the book presents a fresh view of compact modeling, having completely abandoned the regional modeling approach.Both an overview of the basic physics theory required to build compact MOSFET models and a unified treatment of inversion-charge and surface-potential models are provided. The needs of digital, analog and RF designers as regards the availability of simple equations for circuit designs are taken into account. Compact expressions for hand analysis or for automatic synthesis, valid in all operating regions, are presented throughout the book. All the main expressions for computer simulation used in the new generation compact models are derived.Since designers in advanced technologies are increasingly concerned with fluctuations, the modeling of fluctuations is strongly emphasized. A unified approach for both space (matching) and time (noise) fluctuations is introduced.

Download or read book Charge Based MOS Transistor Modeling written by Christian C. Enz and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2006-08-14 with total page 328 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Modern, large-scale analog integrated circuits (ICs) are essentially composed of metal-oxide semiconductor (MOS) transistors and their interconnections. As technology scales down to deep sub-micron dimensions and supply voltage decreases to reduce power consumption, these complex analog circuits are even more dependent on the exact behavior of each transistor. High-performance analog circuit design requires a very detailed model of the transistor, describing accurately its static and dynamic behaviors, its noise and matching limitations and its temperature variations. The charge-based EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) MOS transistor model for IC design has been developed to provide a clear understanding of the device properties, without the use of complicated equations. All the static, dynamic, noise, non-quasi-static models are completely described in terms of the inversion charge at the source and at the drain taking advantage of the symmetry of the device. Thanks to its hierarchical structure, the model offers several coherent description levels, from basic hand calculation equations to complete computer simulation model. It is also compact, with a minimum number of process-dependant device parameters. Written by its developers, this book provides a comprehensive treatment of the EKV charge-based model of the MOS transistor for the design and simulation of low-power analog and RF ICs. Clearly split into three parts, the authors systematically examine: the basic long-channel intrinsic charge-based model, including all the fundamental aspects of the EKV MOST model such as the basic large-signal static model, the noise model, and a discussion of temperature effects and matching properties; the extended charge-based model, presenting important information for understanding the operation of deep-submicron devices; the high-frequency model, setting out a complete MOS transistor model required for designing RF CMOS integrated circuits. Practising engineers and circuit designers in the semiconductor device and electronics systems industry will find this book a valuable guide to the modelling of MOS transistors for integrated circuits. It is also a useful reference for advanced students in electrical and computer engineering.

Download or read book Etude et mod lisation du comportement lectrique des transistors MOS fortement submicroniques written by Fabien Prégaldiny and published by . This book was released on 2003 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La modélisation précise des transistors MOS pour la conception et la simulation de circuits est un défi constant en raison de la nature évolutive de la technologie CMOS. L'objectif de cette thèse est d'une part d'étudier les principaux effets résultant de la miniaturisation des TMOS et d'autre part de proposer des modèles analytiques simples et originaux permettant de les prendre en compte. Les bases physiques nécessaires à la formulation d'un modèle idéal sont présentées au chapitre 2, de même qu'un état de l'art des principaux modèles compacts de TMOS (modèles destinés à la simulation de circuits) actuellement utilisés. Le troisième chapitre est consacré à une étude détaillée du comportement capacitif extrinsèque du TMOS fortement submicronique. Un nouveau modèle de capacités parasites est également proposé puis validé à partir de simulations numériques à deux dimensions. Le quatrième chapitre fait état d'une étude approfondie des effets quantiques au sein des transistors n-MOS. L'influence des effets quantiques sur les différentes caractéristiques électriques (I-V, C-V) du TMOS est discutée. Un nouveau modèle quantique, formulé intégralement en potentiel de surface, est alors développé. Ce modèle est complètement analytique, valable de l'accumulation à l'inversion, et ne nécessite aucun paramètre d'ajustement. Utilisé conjointement à un modèle en feuille de charge, il autorise une description précise et continue des caractéristiques électriques majeures du TMOS telles que les charges, les capacités, le courant de drain, la transconductance, etc. Le nouveau modèle est finalement validé par comparaison avec des résultats expérimentaux de différentes technologies CMOS avancées. En conclusion, cette thèse démontre qu'une approche pragmatique de la modélisation compacte permet de réaliser des modèles simples, efficaces et physiquement cohérents.

Download or read book Mod lisation Du Transistor Mosfet Nanom trique written by Nidhal Abdelmalek and published by Omniscriptum. This book was released on 2011-05 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La voie de l'intégration empruntée par les constructeurs a créé une évolution du procédé et de la physique des transistors. A une échelle submicronique, la dégradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur à l'intégration. Les transistors multi grille peuvent ètre potentiellement considérés comme une solution à ce problème. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et décrit l'évolution de la modélisation des transistors MOSFET au fil des avancées technologiques et physiques. Une synthèse nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modélisation le plus avantageux, une structure verticale à grille cylindrique (VSG) à dopage graduel incluant une couche à haute permittivité (high-К), modélisée analytiquement en régime de sous seuil. La fiabilité du modèle dérivé est discutée en s'appuyant sur les résultats de simulations numériques obtenus à l'aide du progiciel ATLAS.

Download or read book Transistor Level Modeling for Analog RF IC Design written by Wladyslaw Grabinski and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2006-07-01 with total page 298 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The variety of subjects and the high quality of content of this volume make it a reference document for researchers and users of MOSFET devices and models. The book can be recommended to everyone who is involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization. The book will appeal equally to PhD students who want to understand the ins and outs of MOSFETs as well as to modeling designers working in the analog and high-frequency areas.

Download or read book Compact Transistor Modelling for Circuit Design written by Henk C. de Graaff and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 367 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: During the first decade following the invention of the transistor, progress in semiconductor device technology advanced rapidly due to an effective synergy of technological discoveries and physical understanding. Through physical reasoning, a feeling for the right assumption and the correct interpretation of experimental findings, a small group of pioneers conceived the major analytic design equations, which are currently to be found in numerous textbooks. Naturally with the growth of specific applications, the description of some characteristic properties became more complicated. For instance, in inte grated circuits this was due in part to the use of a wider bias range, the addition of inherent parasitic elements and the occurrence of multi dimensional effects in smaller devices. Since powerful computing aids became available at the same time, complicated situations in complex configurations could be analyzed by useful numerical techniques. Despite the resulting progress in device optimization, the above approach fails to provide a required compact set of device design and process control rules and a compact circuit model for the analysis of large-scale electronic designs. This book therefore takes up the original thread to some extent. Taking into account new physical effects and introducing useful but correct simplifying assumptions, the previous concepts of analytic device models have been extended to describe the characteristics of modern integrated circuit devices. This has been made possible by making extensive use of exact numerical results to gain insight into complicated situations of transistor operation.

Download or read book Transistor DG MOSFET submicronique Mod lisation du transport quantique written by Djamil Rechem and published by Univ Europeenne. This book was released on 2015-03-04 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Design of System on a Chip written by Ricardo Reis and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2007-05-08 with total page 258 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Design of System on a Chip is the first of two volumes addressing the design challenges associated with new generations of the semiconductor technology. The various chapters are the compilations of tutorials presented at workshops in Brazil in the recent years by prominent authors from all over the world. In particular the first book deals with components and circuits. Device models have to satisfy the conditions to be computationally economical in addition to be accurate and to scale over various generations of technology. In addition the book addresses issues of the parasitic behavior of deep sub-micron components, such as parameter variations and sub-threshold effects. Furthermore various authors deal with items like mixed signal components and memories. We wind up with an exposition of the technology problems to be solved if our community wants to maintain the pace of the "International Technology Roadmap for Semiconductors" (ITRS).

Download or read book MOSFET Modeling BSIM3 User s Guide written by Yuhua Cheng and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 1999-09-30 with total page 467 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Circuit simulation is essential in integrated circuit design, and the accuracy of circuit simulation depends on the accuracy of the transistor model. BSIM3v3 (BSIM for Berkeley Short-channel IGFET Model) has been selected as the first MOSFET model for standardization by the Compact Model Council, a consortium of leading companies in semiconductor and design tools. In the next few years, many fabless and integrated semiconductor companies are expected to switch from dozens of other MOSFET models to BSIM3. This will require many device engineers and most circuit designers to learn the basics of BSIM3. MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide explains the detailed physical effects that are important in modeling MOSFETs, and presents the derivations of compact model expressions so that users can understand the physical meaning of the model equations and parameters. It is the first book devoted to BSIM3. It treats the BSIM3 model in detail as used in digital, analog and RF circuit design. It covers the complete set of models, i.e., I-V model, capacitance model, noise model, parasitics model, substrate current model, temperature effect model and non quasi-static model. MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide not only addresses the device modeling issues but also provides a user's guide to the device or circuit design engineers who use the BSIM3 model in digital/analog circuit design, RF modeling, statistical modeling, and technology prediction. This book is written for circuit designers and device engineers, as well as device scientists worldwide. It is also suitable as a reference for graduate courses and courses in circuit design or device modelling. Furthermore, it can be used as a textbook for industry courses devoted to BSIM3. MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide is comprehensive and practical. It is balanced between the background information and advanced discussion of BSIM3. It is helpful to experts and students alike.

Download or read book CARACTERISATION ET MODELISATION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS ULTRA SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR FILMS SIMOX TRES MINCES written by OLIVIER.. FAYNOT and published by . This book was released on 1995 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS FABRIQUES SUR DES FILMS SIMOX TRES MINCES. DANS LE PREMIER CHAPITRE, OUTRE L'ORIENTATION DE LA MICROELECTRONIQUE, NOUS DETAILLONS L'INTERET POTENTIEL QUE PEUT SUSCITER LA TECHNOLOGIE SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. ENSUITE, NOUS ANALYSONS LES PHENOMENES DE COUPLAGE D'INTERFACES APPARAISSANT DANS DEUX TYPES DE CONDUCTION DE TRANSISTORS TOTALEMENT DESERTES: LA CONDUCTION PAR CANAL D'INVERSION ET LA CONDUCTION PAR CANAL D'ACCUMULATION. PUIS, LES EFFETS DE CANAUX COURTS SONT ETUDIES DANS L'OBJECTIF D'OPTIMISER L'ARCHITECTURE DES TRANSISTORS SOI ULTRA-SUBMICRONIQUES. LES PHENOMENES LIES A L'IONISATION PAR IMPACT SONT ENSUITE PRESENTES POUR LES DEUX TYPES DE CONDUCTION. UN PROCEDE SIMPLE DE FABRICATION EST ALORS DECRIT ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DES TRANSISTORS ET DES CIRCUITS METTENT EN AVANT LES AVANTAGES DU SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. LE DERNIER CHAPITRE EST DEDIE A LA CARACTERISATION DES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS DES TRANSISTORS SOI COMPLETEMENT DESERTES