Download or read book Mod lisation de l influence des joints de grains sur les propri t s lectroniques du silicium polycristallin written by Jacques Dugas and published by . This book was released on 1985 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES EN EXCES ET SUR LES PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DE L'ACTIVITE ELECTRONIQUE DES JOINTS DE GRAINS ET DES PROPRIETES VOLUMIQUES DES GRAINS. PROPOSITION D'UN MODELE POUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION

Download or read book INFLUENCE DES DEFAUTS JOINTS DE GRAINS DISLOCATIONS IMPURETES SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET PHOTOVOLTAIQUES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DE TYPE P written by Mohammed Zehaf and published by . This book was released on 1982 with total page 101 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE D'UN MATERIAU ELABORE POUR LA REALISATION DE PHOTOPILES. ETUDE DE L'INFLUENCE RESPECTIVE DES DIVERS DEFAUTS (JOINTS DE GRAINS, DISLOCATIONS, IMPURETES) SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION, LA DUREE DE VIE, LA MOBILITE DES PORTEURS DE CHARGE AINSI QUE SUR LE COURANT DE COURT-CIRCUIT ET LA TENSION EN CIRCUIT OUVERT. LA SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND SUR LES DIODES MESA N'A DONNE AUCUN RESULTAT CONTRAIREMENT AUX DIODES SCHOTTKY REALISEES SUR SILICIUM WACKER TYPE P

Download or read book Mod lisation de la microstructure des grains dans le silicium multicristallin pour le photovolta que written by Amal Nadri and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'approfondir et de mieux comprendre les mécanismes responsables de la formation et de la croissance de la structure des grains dans le silicium multicristallin pour des applications photovoltaïques. Lors de la solidification du silicium multicristallin, la sélection des grains, le contrôle de la distribution de leur taille et leur direction de croissance sont des paramètres importants pour obtenir un matériau de bonne qualité et homogène. Ces paramètres influencent directement le rendement de conversion des cellules photovoltaïques, au travers de la capture et de la recombinaison des porteurs de charges et des interactions avec les impuretés. La structure de grains dans le silicium photovoltaïque évolue au cours de la solidification : des grains vont disparaître, d'autres vont apparaître, d'autres vont grossir pour donner au final une structure composée de gros grains, de petits grains dénommés 'grits', de joints de grains, et de macles. Il est donc important de comprendre les relations entre les différents paramètres du procédé industriel et leur influence sur les phénomènes physico-chimiques qui se produisent lors de la croissance afin de pouvoir influer sur la structure de grains dans le silicium, et de prévoir ses propriétés. Dans une première étape, nous avons établi un modèle de développement des grains basé sur le type de croissance (facettée, rugueuse ou mixte), la cinétique de ces divers types de croissances, le phénomène de maclage et la sélection des grains, dont nous montrons qu'ils sont, avec la germination initiale, à l'origine de la taille et de la structure des grains. Ensuite, nous proposons une approche de modélisation numérique de l'évolution de la structure des grains au cours de la solidification. Cette méthode se base sur l'analyse dynamique bidimensionnelle du joint de grains au niveau de la ligne triple grain-grain-liquide (rugueuse, facettée) tout en prenant en compte les phénomènes produits à l'échelle macroscopique (le champ de température local) et microscopique (la cinétique des grains). Le modèle résulte du couplage thermique et des mécanismes cinétiques de croissance. Nous avons donc développé un modèle numérique de croissance des grains en 2 dimensions et nous l'avons introduit dans le code 2D-MiMSiS qui se déroule en 2 étapes : Premièrement, le calcul en régime transitoire de la solidification macroscopique d'un lingot de silicium nous permet d'obtenir le champ thermique dans le lingot et la position précise de l'interface solide-liquide à différents instants ainsi que sa vitesse, son orientation (sa forme) et les gradients de température dans le liquide et le solide. Deuxièmement, la modélisation de la croissance est basée sur la description géométrique des joints de grains qui dépend de la cinétique des grains qui les bordent. Elle suit des critères dépendants de la morphologie (rugueuse ou facettée) de l'interface. Elle s'appuie sur le réseau d'isothermes du calcul thermique sans l'influencer dans un premier temps. Un des objectifs de ce modèle est de faire varier différents paramètres du procédé et d'en mesurer l'impact sur la structure cristalline finale. Des résultats de calculs 2D sont présentés et discutés par rapport à l'expérience.

Download or read book Contribution la mod lisation des cellules solaires au silicium polycristallin written by Abdellah Belkhaoua and published by . This book was released on 1986 with total page 272 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APERCU BIBLIOGRAPHIQUE SUR LA TECHNOLOGIE D'ELABORATION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN QUI EXPOSE ENTRE AUTRES LA NOUVELLE TECHNIQUE DITE DE DOPAGE PREFERENTIEL UTILISEE POUR REDUIRE LES RECOMBINAISONS AU NIVEAU DES JOINTS DES GRAINS. MODELE BIDIMENSIONNEL POUR L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES DIMENSIONS DES GRAINS ET DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON AUX JOINTS DES GRAINS SUR LES PERFORMANCES DE LA CELLULES. UNE EXTENSION DE CE MODELE PERMETTANT DETENIR COMPTE DE L'EXISTENCE DE JONCTIONS VERTICALES DUES AU DOPAGE, ON ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PROFONDEUR DU DOPAGE PREFERENTIEL SUR LES PERFORMANCES DE LA CELLULE SOLAIRE

Download or read book Mod lisation de l influence de la structure des joints de grains sur les ph nom nes de s gr gation written by Antoine Vaugeois and published by . This book was released on 2017 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La présente étude porte sur la modélisation de la structure des joints de grains (JG) et sur les phénomènes de ségrégation. Dans les matériaux polycristallins, la ségrégation aux joints de grains a des conséquences importantes sur leurs propriétés structurelles et fonctionnelles : glissement intergranulaire, corrosion intergranulaire et modification des propriétés mécaniques. Ce phénomène devient particulièrement important pour les matériaux irradiés où la ségrégation intergranulaire induite par irradiation peut conduire à une modification locale de la composition des joints de grains et par conséquent, à une évolution parfois néfaste des propriétés macroscopiques de ces matériaux. Dans ce manuscrit, nous nous sommes focalisés sur le développement de la méthode des quasiparticules pour pouvoir modéliser ce phénomène dans des systèmes binaires. La méthode des quasi-particules est un modèle continu qui permet de modéliser les phénomènes physiques à l'échelle atomique. Un des avantages est lié à la possibilité de modéliser les déplacements des atomes dans l'espace continu, tout en permettant de modéliser des transitions diffusives s'étalant sur des temps longs. Dans ce travail la méthode des quasi-particules a été appliquée pour étudier la ségrégation du phosphore aux JG. Le lien entre les différentes structures des JG et la concentration du phosphore aux JG a été établi. Pour modéliser les phénomènes qui ont lieu aux JG dans les matériaux irradiés le modèle des quasi-particules a été développé pour pouvoir inclure des lacunes ou des auto-interstitiels puis décrire leurs cinétiques. Ensuite la diffusion et l'annihilation des lacunes (ou des auto-interstitiels) aux JG ont été modélisées. Il a été montré que lorsque la force de puits du JG est assez importante, les lacunes diffusent vers les JG et des cavités se forment aux JG en ayant une forme allongée, ce qui concorde avec les données expérimentales. Le modèle des quasi-particules a été également appliqué pour étudier la croissance des grains dans un polycristal.

Download or read book INFLUENCE DES JOINTS DE GRAINS SUR LES PHENOMENES DE RECOMBINAISON ET SUR LES CARACTERISTIQUES DES JONCTIONS written by Hassan Amzil and published by . This book was released on 1981 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET DES JOINTS DE GRAINS SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SEMICONDUCTEURS POLYCRISTALLINS ET SUR LES BARRIERES SCHOTTKY. RESULTATS SUR SI POLYCRISTALLIN WACKER DE TYPE N

Download or read book ETUDE LOCALE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM POLYCRISTALLIN AU VOISINAGE DES JOINTS DE GRAINS written by Jean-Pierre Crest and published by . This book was released on 1982 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF PERMETTANT DE LOCALISER LES DEFAUTS, DE MESURER LA LONGUEUR DE DIFFUSION ET LA VITESSE DE RECOMBINAISON A L'INTERFACE. CALCUL DE LA HAUTEUR DE BARRIERE POUR DEUX DISTRIBUTIONS D'ETATS D'INTERFACE LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DUS AUX JOINTS DE GRAIN: DANS LE CAS MONOENERGETIQUE ET DANS LE CAS UNIFORME. L'INFLUENCE DU NIVEAU D'ECLAIREMENT SUR LA HAUTEUR DE BARRIERE ET LA VITESSE DE RECOMBINAISON A L'INTERFACE A ETE ETUDIEE

Download or read book Origine et caract risation des centres recombinants aux joints de grains de bicristaux et multicristaux de silicium written by Hélène Amanrich and published by . This book was released on 1990 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS DETERMINE LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES ET PHOTOELECTRIQUES DES CENTRES DE RECOMBINAISON ASSOCIES AU JOINT DE GRAINS DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN BRUT DE FABRICATION ET APRES QUE LE MATERIAU AIT ETE RECUIT A DIFFERENTES TEMPERATURES. NOUS AVONS UTILISE LES TECHNIQUES L.B.I.C., E.B.I.C., S.I.M.S. ET D.L.T.S. POUR EVALUER LA VITESSE DE RECOMBINAISON INTERFACIALE S DES JOINTS DE GRAINS AINSI QUE L'ENERGIE, LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE ET LA DENSITE DES CENTRES DE RECOMBINAISON. DE PLUS, NOUS AVONS PU EVALUER LES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES PRES DES JOINTS ET DANS LES GRAINS. LES MATERIAUX ETUDIES SONT DES BICRISTAUX PREPARES PAR TIRAGE CZOCHRALSKI ET DES MULTICRISTAUX A GROS GRAINS CONTENANT DES JOINTS GENERAUX ET DES DISLOCATIONS. LES RESULTATS MONTRENT QUE L'ACTIVITE RECOMBINANTE DES JOINTS AUGMENTE AU COURS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ET QUE LES DUREES ET LES TEMPERATURES REQUISES SUGGERENT QU'UN DIFFUSEUR LENT COMME L'OXYGENE SOIT CAPTURE PAR LE JOINT DE GRAINS. NOUS AVONS INTRODUIT VOLONTAIREMENT UNE IMPURETE METALLIQUE (L'OR) POUR VERIFIER SON INFLUENCE SUR LES JOINTS DE GRAINS LORSQUE LES ECHANTILLONS SONT BRUTS OU PREALABLEMENT RECUITS. IL APPARAIT QUE LA PRESENCE D'OR DANS LES GRAINS ET AUX JOINTS A POUR EFFET DE NEUTRALISER PARTIELLEMENT LES CENTRES DE RECOMBINAISON CREES DANS LES GRAINS ET AUX JOINTS AU COURS DES RECUITS PREALABLES, CE QUI POURRAIT SE COMPRENDRE PAR LA SEGREGATION DES ATOMES METALLIQUES PAR LES PRECIPITES. LES JOINTS DE BICRISTAUX ET DES MULTICRISTAUX REAGISSENT DE LA MEME FACON ET SEULE L'INFLUENCE DES DISLOCATIONS LES DIFFERENCIE

Download or read book CARACTERISATION STRUCTURALE ET ELECTRIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LES CELLULES SOLAIRES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN written by Abdouraman Bary and published by . This book was released on 1984 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION, PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE ET PAR LA TECHNIQUE DU COURANT INDUIT PAR FAISCEAU ET ELECTRON, DE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES JOINTS DE GRAINS. ETUDE PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE DE TRANSMISSION, DE LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ETROITE ENTRE L'ACTIVITE ELECTRONIQUE DES JOINTS DE GRAINS ET LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE ET LA SEGREGATION D'IMPURETES

Download or read book Influence de recuits sous hydrog ne atomique ou mol culaire sur les propri t s lectroniques du silicium polycristallin moul written by Moulay abdelmjid Sebbar and published by . This book was released on 1985 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse décrit l'influence de l'hydrogène sur les propriétés électroniques du silicium polycristallin moulé. Les hydrogénations ont été faites à des températures modérées (≤300ʻC) en utilisant l'implantation d'ions à faible énergie (≤ 1,4 keV) ou l'adsorption de gaz, pour passiver les défauts cristallographiques. Les effets sont évaluées par des mesures de longueur de diffusion, des analyses LBIC et EBIC, faites avant et après traitement aux mêmes endroits. Les deux techniques d'hydrogénation améliorent le matériau.Si les meilleurs résultats sont obtenus par implantation, les effets de l'hydrogène moléculaire sont directement liés aux densités de défauts (dislocations, joints de grains). A 300ʻC, l'implantation d'ions compense le matériau au voisinage de la surface et fait apparaître une structure photovoltaîque.

Download or read book GRAIN BOUNDARY STRUDIES IN SILICON written by JEAN-LUC.. MAURICE and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES JOINTS DE GRAINS, DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, SONT TRES SENSIBLES A LA NATURE DES MICROPRECIPITES D'IMPURETES QU'ILS CONTIENNENT. CES PRECIPITES FORMENT DEUX CLASSES BIEN DISTINCTES: I) LES PRECIPITES METALLIQUES, FORMES DE SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION (FE, NI, CU), QUI ONT UNE INFLUENCE DETERMINANTE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE JOINTS, ET II) LES PRECIPITES ISOLANTS, A BASE D'OXYDE OU D'OXYNITRURE DE SILICIUM, QUI ONT UNE INFLUENCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES JOINTS DE GRAINS DANS LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENUES PAR LA METHODE RAD written by RAIMOND.. SHARKO and published by . This book was released on 1983 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE S'INSCRIT DANS LE CADRE DE RECHERCHES VISANT A L'AMELIORATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE PHOTOPILES REALISEES A PARTIR DE MATERIAU POLYCRISTALLIN (RAD) DONT LES JOINTS DE GRAINS CONSTITUENT LES DEFAUTS PROBABLEMENT LES PLUS NEFASTES. LES AUTEURS ONT CONFRONTE L'ASPECT STRUCTURAL DES JOINTS, AINSI QUE LEUR ENVIRONNEMENT AVEC L'ASPECT ELECTRIQUE A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE ET L'ANALYSE EBIC

Download or read book IMPLANTATION DE METAUX AL CU NI ET GAZ RARE XE DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by BRAHIM.. BOUBEKER and published by . This book was released on 1985 with total page 101 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE LA PRECIPITATION DE DIFFERENTES IMPURETES METALLIQUES IMPLANTEES DANS DU SILICIUM MONO ET POLYCRISTALLIN. LES FORTES DOSES UTILISEES AMORPHISENT LA CIBLE SI L'IMPLANTATION EST REALISEE A 300K, CE QUI N'EST PAS LE CAS A 600K. LA TEMPERATURE DE RECRISTALLISATION DES ECHANTILLONS IMPLANTES A FROID DEPEND A DOSE COMPARABLE DE LA NATURE DU METAL IMPLANTE: 850K POUR LE NICKEL ET SEULEMENT 650K POUR LE CUIVRE. DANS LES ECHANTILLONS IMPLANTES A CHAUD ON OBSERVE POUR LE CUIVRE ET L'ALUMINIUM UNE PRECIPITATION SOUS FORME DE PLAQUETTES COHERENTES. LES PLANS D'HABITAT SONT 111 AVEC LE CUIVRE ET 113 AVEC L'ALUMINIUM. NOUS AVONS OBSERVE UNE CORRELATION ENTRE LA NATURE DES MACLES ET LA DENSITE DES PRECIPITES D'ALUMINIUM: UN ECART A LA RELATION DE COINCIDENCE ENTRAINE L'APPARITION DE ZONES NON DENUDEES. EN DEUXIEME PARTIE; NOUS AVONS ETUDIE L'IMPLANTATION A 600K DE XE. A L'ISSUE DE RECUITS POST-IMPLANTATION, IL APPARAIT, A PARTIR DE 1050K, DES PRECIPITES VOLUMIQUES DE STRUCTURE C.F.C. EN EPITAXIE AVEC LA MATRICE DE SILICIUM. IL S'AGIT VRAISEMBLABLEMENT COMME DANS LE CAS DES METAUX, DE XE SOLIDE SOUS UNE PRESSION DE L'ORDRE DE 20 KBAR

Download or read book MODELISATION MONO ET BIDIMENSIONNELLE DES PHENOMENES ELECTROSTATIQUES DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN PETITS GRAINS written by Hervé Lhermite and published by . This book was released on 1988 with total page 328 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES PHENOMENES ELECTROSTATIQUES DANS LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AU MOYEN DE LA RESOLUTION NUMERIQUE DE L'EQUATION DE POISSON A UNE ET DEUX DIMENSIONS. A DEUX DIMENSIONS, ON ETUDIE COMMENT UN JOINT DE GRAIN PARALLELE A UNE STRUCTURE MOS POLYCRISTALLINE (MOSP) PEUT BLOQUER LES VARIATIONS DE POTENTIEL INDUITES PAR LA TENSION DE GRILLE. ON ETUDIE ENSUITE LES PARAMETRES DE LA SIMULATION (TAILLE DES GRAINS, DOPAGE, PIEGES A L'INTERFACE, ETC.) SUR LES VARIATIONS D'UNE CAPACITE MOSP EN VUE DE SIMULER LA CARACTERISTIQUE COURANT TENSION D'UNE STRUCTURE REELLE

Download or read book Caract risation passivation et mod lisation de l influence de d fauts cristallographiques sur les propri t s de jonctions N P written by Hassan El Ghitani and published by . This book was released on 1988 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES AUTEURS SE SONT PARTICULIEREMENT INTERESSES AUX DISLOCATIONS DANS LE POLYCRISTAL DE SILICIUM ET ILS ONT DEVELOPPE UN MODELE THEORIQUE POUR TRADUIRE LEUR INFLUENCE EN TERME DE DENSITE ET D'ACTIVITE RECOMBINANTE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU POLYSILICIUM. UN AUTRE MODELE A ETE DEVELOPPE POUR CALCULER LE PROFIT PHOTOELECTRIQUE ET LA VITESSE DE RECOMBINAISON INTERFACIALE AUX JOINTS DE GRAINS. ON COMPARE LES RESULTATS DES MODELES SUR LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SUR DES DIODES MESAS PN NET DES DIODES SEMITRANSPARENTES CR-SI. APPLICATION AUSSI A LA PASSIVATION DE PHOTOPILES SOLAIRES PAR L'HYDROGENE QUI S'INTERPRETE FACILEMENT AVEC LE MODELE

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.