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Book MESURE DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES TROUS DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A PARTIR DE LA PHOTOREPONSE SPECTRALE DE DIODES SCHOTTKY

Download or read book MESURE DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES TROUS DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A PARTIR DE LA PHOTOREPONSE SPECTRALE DE DIODES SCHOTTKY written by MOHAMED.. HADRAMI and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES (ICI LES TROUS), LP, EST UN PARAMETRE ESSENTIEL DES PHOTOPILES. L'EXPERIENCE SPV (SURFACE PHOTOVOLTAGE) DERIVEE DE LA PHOTOREPONSE SPECTRALE, EST UNE TECHNIQUE PERMETTANT DE DETERMINER DIRECTEMENT CE PARAMETRE. CETTE TECHNIQUE A ETE LARGEMENT UTILISEE DANS LE CAS DES SILICIUMS CRISTALLINS. NOTRE TRAVAIL A CONSISTE A ETUDIER L'ADAPTATION DE CETTE TECHNIQUE AU CAS DES SEMICONDUCTEURS A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, NOS MESURES AYANT ETE EFFECTUEES SUR DES DIODES SCHOTTKY. POUR DE TELS MATERIAUX, IL EST NECESSAIRE DE REDUIRE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE ET, POUR CE FAIRE, ON ECLAIRE LA DIODE PAR UN FLUX CONTINU DE FORTE INTENSITE, SUPERPOSE A UN FAISCEAU DE TEST MONOCHROMATIQUE DE FAIBLE INTENSITE. POUR DISTINGUER LES DEUX FAISCEAUX, ON DOIT DONC UTILISER UNE TECHNIQUE DE MODULATION ET DE DEMODULATION SYNCHRONE. NOUS AVONS COMPLETEMENT AUTOMATISE CETTE EXPERIENCE. CECI NOUS A PERMIS D'ETUDIER EN DETAIL L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE MESURE TELS QUE L'INTENSITE DU FLUX CONTINU ET LA FREQUENCE DE MODULATION DU FAISCEAU DE TEST. EN ETUDIANT L'INFLUENCE DE L'INTENSITE DU FLUX CONTINU, NOUS AVONS MONTRE QUE LA MESURE OBTENUE EST UNE VALEUR APPARENTE DE LP, DIMINUANT LORSQUE L'INTENSITE AUGMENTE ET DEVENANT INDEPENDANTE DE CELLE-CI A PARTIR D'UNE CERTAINE INTENSITE (DE L'ORDRE DE 1 SOLEIL, SOIT 100 MW?CM##2 ENVIRON). PAR AILLEURS, NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX NOUS ONT AMENES A PRENDRE EN COMPTE L'INFLUENCE DU CONTACT ARRIERE DE LA DIODE QUI PEUT APPORTER UNE CONTRIBUTION PERTURBANT LA MESURE. CECI NOUS A CONDUIT A APPLIQUER UNE METHODE DE MESURE DIFFERENTIELLE, AVEC LA PRESENCE D'UN TROISIEME FLUX CONTINU, AFIN DE S'AFFRANCHIR DE L'INFLUENCE DU CONTACT ARRIERE. ENFIN NOUS AVONS UTILISE CETTE TECHNIQUE POUR ETUDIER L'INFLUENCE DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS DES ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM AMORPHES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QUE LA LONGUEUR DE DIFFU

Book Etude de la longueur de diffusion des trous et des   tats corr  l  s dans le silicium amorphe hydrog  n      partir de techniques de photor  ponse spectrale sur des diodes Schottky et PIN

Download or read book Etude de la longueur de diffusion des trous et des tats corr l s dans le silicium amorphe hydrog n partir de techniques de photor ponse spectrale sur des diodes Schottky et PIN written by Jamal Dine Sib and published by . This book was released on 1993 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Silicon photonic polarimeters and spectropolarimeters

Download or read book Silicon photonic polarimeters and spectropolarimeters written by Zhongjin Lin and published by . This book was released on 2020 with total page 108 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Puisqu’ils offrent la possibilité d’intégrer monolithiquement un grand nombre de composants à un faible coût, les circuits intégrés photoniques (CIPs) sont devenus une plateforme de choix pour la réalisation de capteurs optiques sur puce. Cette thèse propose, puis démontre l’utilisation de CIPs sur silicium pour la réalisation de polarimètres et de spectro-polarimètres sur puce. Dans le premier chapitre, nous présentons un séparateur de polarisation utilisant un réseau de nano-antennes en forme d’arêtes de poisson sur silicium. Nous montrons également qu’une structure de la sorte est en mesure de séparer deux états de polarisation arbitraires qui sont orthogonaux entre-eux. De plus, nous avons amélioré le précédent modèle théorique existant pour y inclure ce phénomène. Dans le second chapitre, nous présentons et démontrons de façon expérimentale un polarimètreintégré sur silicium qui requiert 6 photodétecteurs (6-PDs). Ici, la structure optimale veut dire que, pour un niveau de bruit donné, cette structure permet d’obtenir l’état de polarisation avec la précision la plus élevée. Nous démontrons également de façon théorique que cette configuration proposée peut maintenir un état optimal sur une plage de longueur d’onde de100 nm. Dans le troisième chapitre, nous proposons une jonction en « Y » paramétrisée dont le ratio de séparation de puissance peut être choisi avant la fabrication, lors de la conception. Sur une plage de longueur d’onde de 100 nm, les pertes de puissance de la jonction sont inférieures à 0.36 dB, et ce, pour tout ratio arbitraire de séparation de puissance. De plus, sa taille de1.4 μm × 2.3 μm le rend très compact. Au chapitre 4, nous proposons un polarimètre optimal composé de quatre photodétecteurs (4-PDs) possédant ces propriétés à partir de la jonction en « Y » proposée au chapitre 3. Un polarimètre non-optimal est fabriqué de manière à montrer la différence entre celui-ci et le casoptimal. Les résultats expérimentaux montrent que l’erreur de reconstruction du composant optimal est inférieure de 44 % à celle du composant non-optimal. Dans le cinquième chapitre, nous proposons et faisons la démonstration d’un spectro- polarimètre réalisé intégralement sur puce. Afin de permettre une analyse spectro-polarimétrique complete, quatre micro-résonateurs à effet Vernier compacts sont intégrés monolithiquementavec un polarimètre large-bande. Le composant optique proposé offre une solution de spectropolarimétrie sur semi-conducteur tout en gardant une taille très compacte de 1 × 0.6 mm2et une faible consommation de puissance de 360 mW. La détection spectrale pour tous lescomposants de Stokes est démontrée sur une large plage de longueur d’onde de 50 nm, etce avec une résolution de 1 nm par la caractérisation d’un matériau possédant une chiralitéstructurelle.