Download or read book Mesure de densit des alliages semi conducteurs amorphes Si xGe 1 x microforme written by Khalid Laaziri and published by Montréal : Service des archives, Université de Montréal, Section Microfilm. This book was released on 1994 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES EFFETS D ALLIAGES DANS LES SEMICONDUCTEURS AMORPHES COVALENTS REALISATION ET ETUDE D ALLIAGE AMORPHE SISN written by JEAN-FRANCOIS.. ROCHETTE and published by . This book was released on 1981 with total page 97 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CET ALLIAGE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT L'IMPORTANCE DES EFFETS DUS A L'INCORPORATION D'UN ELEMENT LOURD, L'ETAIN, DANS UNE MATRICE AMORPHE FORMEE D'ATOMES LEGERS, LE SILICIUM. ON A PU MONTRER QUE CES EFFETS PEUVENT ETRE BIEN REPRESENTES PAR UN MODELE FAISANT INTERVENIR LES CORRECTIONS RELATIVISTES INDUITS PAR L'ELEMENT LOURD, AINSI QUE DES EFFETS DE TYPE "POTENTIEL DE DEFORMATION", QUI APPARAISSENT NON NEGLIGEABLES MEME DANS LE CAS AMORPHE. PAR CETTE APPROCHE ORIGINALE, IL EST POSSIBLE DE RENDRE COMPTE DE LA VARIATION EXPERIMENTALE DE LA BANDE INTERDITE DE A-GE::(1-X)SN::(X) ET A-SI::(1-X)GE::(X) EN FONCTION DE LA CONCENTRATION X

Download or read book tude de la structure et des propri t s lectroniques de l alliage amorphe SI written by Michel Vergnat and published by . This book was released on 1983 with total page 84 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Élaboration de SI::(X)SN::(1-X) par coévaporation avec condensation sur supports refroidis à la température de l'azote liquide. Étude structurale par diffraction électronique et spectrométrie moessbauer. Étude théorique des propriétés électroniques par la méthode récursive permettant de calculer la densité d'états électroniques et l'évolution de la bande interdite avec la composition. Étude expérimentale des propriétés de transport par des mesures de résistivité. Comportement semi-conducteur conforme à la loi de transition semi-conducteur métal métal attendue pour X=0,25, Concentration au-delà de laquelle l'alliage n'est plus amorphe